【課題】
ＳＥＭ装置等において、撮像レシピを自動作成するための選択ルールを教示により最適化できるようにした撮像レシピ作成装置及びその方法を提供することにある。
【解決手段】
走査型電子顕微鏡を用いて半導体パターンをＳＥＭ観察するための撮像レシピを作成する撮像レシピ作成装置であって、半導体パターンのレイアウト情報を低倍視野で入力して記憶したデータベース８０５と、該データベースに記憶した半導体パターンのレイアウト情報を基に、教示により最適化された撮像ポイントを選択する選択ルールを含む自動作成アルゴリズムに従って前記撮像レシピを自動作成する撮像レシピ作成部８０６、８０９とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＳＥＭ装置等において、観察画像からパターンの配線幅などの各種寸法値を計測してパターン形状の評価を行うための撮像レシピを、ＣＡＤデータから変換されたＣＡＤ画像を用いた解析により自動生成して生成時間の短縮を図った撮像レシピ作成装置及びその方法を提供する。
【解決手段】走査型電子顕微鏡を用いて半導体パターンをＳＥＭ観察するための撮像レシピ作成装置において、ＣＡＤデータを基に画像に変換してＣＡＤ画像を作成するＣＰＵ（ＣＡＤ画像作成部）１２５１を、画像量子化幅決定処理部１２５１１と明度情報付与処理部１２５１２とパターン形状変形処理部１２５１３とで構成する。 （もっと読む）

【課題】ミラー電子結像を使った電子線式検査装置において、従来のグリッド電極を用いた帯電制御電極と二次電子を発生させる照射ビームとの組み合わせでは、ミラー電子結像にコントラスト異常を生じさせるような帯電電位の不均一が生じてしまい、正しい欠陥検査が行えなかった。
【解決手段】帯電制御電極の構造をグリッドからスリットに変更し、ウェハのビーム照射において影を作らない構成にした。また、帯電制御スリットの前段にビーム成形スリットを配し、予備帯電のための電子ビームが帯電制御スリットに照射され帯電制御を擾乱する2次電子の発生を抑制した。スリット形状を電子ビーム照射領域の長手方向の両端に向かって、電子線強度が緩やかに減少するような形状とした。また、予め不本意に形成されてしまった帯電電位分布を、除去あるいは減じる予備除帯電装置を設けた。 （もっと読む）

【課題】
位置出し用の目印の場所が電流経路に限定されるという制約をなくし、位置出しの精度を向上する。
【解決手段】
試料とレーザ光とを相対的に移動させて前記試料を走査し前記試料からの磁気をSQUID磁気検出器で検出し、走査位置に対応し且つ検出結果に応じた値の集りからなる像を取得し、取得された像のうち少なくとも一つの領域について、前記試料における位置の目印として、前記像の値に関する前記領域内でのピーク位置又は重心位置を求める。 （もっと読む）

【課題】電子顕微鏡応用装置および試料検査方法において、試料の帯電を制御することができる技術を提供する。
【解決手段】光電子２を放出する帯電制御電極４を、ウェハ３（試料）の直上に平行に配置し、且つ、帯電制御電極４を通して紫外光をウェハ３に照射できるように、貫通する孔を持つ構造とした。具体的には、メッシュ形状もしくは１つあるいは複数の孔が開いた金属板を帯電制御電極４とする。帯電制御電極４を試料の直上に平行に設置することで、負電圧を印加した場合、ウェハ３に対してほぼ垂直に電界が発生する為、光電子２が効率良くウェハ３に吸着する。また、ウェハ３と同程度の大きさを持つ帯電制御電極４を使用する事で、ウェハ３全面の帯電を一括で均一に除去でき、処理にかかる時間を短縮することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体製造工程途中のウエハ検査で、高分解能を維持して浅い凹凸、微小異物のレビュー、分類を高精度に行う目的で、二次電子を検出系の中心軸を合わせると共に、検出系の穴による損失を避けて高収率な検出を実現する。
【解決手段】高分解能化可能な電磁界重畳型対物レンズにおいて、試料２０から発生する二次電子３８を加速して対物レンズ１０による回転作用の二次電子エネルギー依存性を抑制し、電子源８と対物レンズ１０の間に設けた環状検出器で二次電子の発生箇所から見た仰角の低角成分と、高角成分を選別、さらに方位角成分も選別して検出する際、加速によって細く収束された二次電子の中心軸を低仰角信号検出系の中心軸に合わせると共に、高仰角信号検出系の穴を避けるようにＥｘＢで二次電子を調整・偏向する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、特に試料上に形成されたライン＆スペースパターンの凹凸判定に好適な判定方法、及び装置を提供することにある。
【解決手段】荷電粒子線を当該荷電粒子線の光軸に対し斜めになるように荷電粒子線を傾斜、或いは、試料ステージを傾斜して、試料上に走査し、検出信号の荷電粒子線の線走査方向への広がりを計測し、荷電粒子線を光軸に沿って走査したときの広がりと比較し、広がりの増減に基づいて前記走査個所の凹凸状態を判定する。 （もっと読む）

【課題】
非破壊でエッチング後パターンの立体形状を定量的に評価する方法がなかった
。このため、エッチング条件出しに多くの時間とコストがかかっていた。また、
従来の寸法測定のみでは、立体形状の異常を検知することができず、エッチング
プロセス制御が困難であった。
【解決手段】
ＳＥＭ画像の信号量変化を利用して、エッチング加工ステップに対応したパタ
ーンの立体形状情報を算出することにより、立体形状を定量的に評価する。また
、えられた立体形状情報に基づいて、エッチングプロセス条件出しやプロセス制
御を行う。
【効果】
非破壊で、エッチング後パターンの立体形状を定量的に評価することが可能と
なる。また、エッチングプロセスの条件出しの効率化がはかれる。さらに、エッ
チングプロセスの監視あるいは制御を行うことにより、安定なエッチングプロセ
スを実現できる。
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【課題】
半導体製造工程における材料、プロセス、露光光学系の特徴が現れる、微小パターンのラインエッジ形状の分析を非破壊検査により行い、定量的に分析し、製造工程の欠陥や観察装置の画像歪みを見出すパターンエッジ形状検査方法を提供する。
【解決手段】
基板上に形成されたパターンを荷電粒子線を用いた走査型顕微鏡により観察して（４１）得られる２次電子強度あるいは反射電子強度の２次元分布情報（４２）からパターン形状を検査する方法であって、２次元面内におけるパターンのエッジの位置を表すエッジ点の集合をしきい値法により検出する工程（４５）と、検出されたエッジ点の集合に対する近似線を得る工程（４８）と、エッジ点の集合と近似線との差を算出する（４９）ことにより、エッジラフネス形状と特性を求める工程とを具備し、しきい値法に用いるしきい値として、複数個の値を用いる。 （もっと読む）

【課題】容易に調整可能で焦点深度の深い、収差補正手段を備えた走査形荷電粒子顕微鏡を提供する。
【解決手段】複数開口をもつ絞りを使用することにより、収差の補正状態をSEM画像から判定して、収差補正手段の調整にフィードバックする。略輪帯形状の絞りを収差補正手段と併用する。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板上に転写・形成された半導体集積回路パターンの高精度膜厚測定を非破壊検査で可能とする膜厚計測方法を提供する。
【解決手段】 製品パターンの製品２次電子信号波形を取得するステップ、製品２次電子信号波形から複数の製品特徴量を抽出するステップ、製品パターンと寸法規格が同じテストパターンの複数のモデル特徴量と複数の露光条件のそれぞれを未知数とする、予め算出された複数のモデル関数を用い、製品パターンの膜厚を計測するステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】 高分解能のマイクロ蛍光Ｘ線測定を実行するための、改善された方法およびシステムを提供する。
【解決手段】 試料の表面に適用された材料を試験する方法は、既知のビーム幅および強度断面を有する励起ビームを試料の領域に方向付けることを包含する。励起ビームに応答して領域から放射された蛍光Ｘ線の強度が測定される。測定された蛍光Ｘ線強度および励起ビームの強度断面に応答して、ビーム幅よりも微細な空間分解能で、領域内の材料の分布が概算される。 （もっと読む）

【課題】 荷電粒子ビーム描画装置のビーム位置補正を精度良く行う方法を実現する。
【解決手段】 メトロロジー測定を複数のマーク位置について正順および逆順でそれぞれ行ってマーク位置ごとの位置誤差とピッチング値またはヨーイング値を互いに垂直な２軸方向において求め（１０１）、位置誤差とピッチング値またはヨーイング値について正順と逆順の差をマーク位置ごとに互いに垂直な２軸方向において求め（１０１）、アッベエラーによるマーク位置ごとのビーム位置補正効果を予め仮定された複数のアッベエラーについてそれぞれシミュレーションして、位置誤差の正順と逆順の差が複数のマーク位置を通じて互いに垂直な２軸方向においてそれぞれ最小となる２種類のアッベエラーを互いに垂直な２軸方向のアッベエラーとしてそれぞれ特定し（１０３）、それらアッベエラーを用いてビーム位置を補正する（１０４）。 （もっと読む）

【課題】実装済みプリント基板のように反りを有する測定対象の距離計測を行う場合においても、測定対象の全領域で高精度な寸法計測が可能なＸ線検査装置を提供する。
【解決手段】測定対象物１０３にＸ線を照射して該測定対象物の透過Ｘ線を撮像する平坦な受光面のＸ線撮像手段１０４と、測定対象物１０３を平坦な受光面のＸ線撮像手段１０４に対して平行に移動させる移動手段１０５と、移動手段１０５の移動距離と受光面のＸ線撮像手段１０４での測定対象物１０３上の基準領域の撮像位置の移動距離を測定する移動距離測定手段と、前記移動距離測定手段にて測定される測定対象物の移動距離と、前記基準領域の透過画像の撮像位置の移動距離より、前記測定対象物の透過画像の単位画素ごとの撮像倍率を算出する撮影倍率算出手段とを備え、算出される単位画素ごとの撮像倍率を用いて前記透過画像の移動距離の距離補正を行い、前記測定対象物上の距離を求める。 （もっと読む）

【課題】
従来は、二次元又は三次元形状計測の際に用いた計測手法固有の形状算出式のパラメータと形状指標値とを関連づけ，前記パラメータを調整することにより，形状を補正する場合、補正による形状変形の自由度も形状の算出に用いられるモデル式に依存するため，多くの形状バリエーションをもつ補正対象には不向きであった。
【解決手段】
本発明では、任意の三次元形状計測手法によって計測された半導体パターンの三次元形状に曲線式を当てはめ，別途算出した形状指標値に基づいて前記曲線式のパラメータを調整することによって前記三次元形状を補正するようにした。前記形状指標値と前記パラメータとの関係をデータベースに蓄積し，計測時は前記関係をもとに計測形状の補正が実施されるようにした。 （もっと読む）

【課題】走査型顕微鏡で得られる画像からパターンのエッジ形状を抽出し、その抽出情報からデバイスの電気的性能を予測し、パターンを検査するパターン検査方法を提供する。
【解決手段】走査型顕微鏡の制御部１６１１及び検査用コンピュータ１６１２において、反射電子又は二次電子１６０９の強度分布を処理し、エッジ位置のデータから単一ゲート内のゲート長の分布を求め、最終的に作成されるトランジスタを様々なゲート長を持つ複数個のトランジスタの並列接続とみなしてトランジスタ性能を予測し、その予測結果を基にパターンの良否や等級を判定することにより、エッジラフネスのデバイス性能への影響を高精度かつ迅速に予測することができ、デバイス仕様に応じて高精度かつ効率的にパターン検査を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】
設計データと実際のパターン間の位置あわせするための確たる基準がなく、設計データが示す理想パターンに対し、測定対象パターンがどの程度ずれて形成されているのか等、何らかの基準に基づいて、測定することができなかった。
【解決手段】
上述のような問題を解決するため、測定個所から離間した位置に形成され、走査電子顕微鏡等によって得られる画像上の基準パターンの位置情報と、設計データに基づいて検出される基準パターンと測定個所の位置関係の情報に基づいて、走査電子顕微鏡等による測定個所の基準位置を設定する。 （もっと読む）

集束イオンビーム３１２のスパッタリングエッチング加工を行って薄片を作製すると同時に、薄片の側壁に対して平行な方向から電子ビーム３１４の照射を行って走査電子顕微鏡観察をし、薄片の厚さを測定する。そして、薄片の厚さが所定の厚さになったことを確認して、集束イオンビーム３１２による加工を終了する。
（もっと読む）

【課題】ミラー電子を使った電子線式検査装置においては、ウェハ上で予備帯電された領域の境界が像となって現れてしまい、正しい検査ができなかった。また、予備帯電は検査と同時に行われるため、照射時間を長くする必要がある場合、ステージの移動速度を遅くせざるを得ず、検査速度が遅くなってしまっていた。
【解決手段】予備照射のビーム源とウェハとの間に、そのサイズが可変な開口を設け、その大きさの一辺をウェハのチップ列の幅と等しくなるように設定し、かつ、チップ列と垂直方向へのウェハの動きに合わせて、開口も移動するように制御する。また、ステージの移動速度を遅くすること無く、ウェハの検査時のステージ移動途中に十分なビーム照射ができるように、その開口をチップ列と平行な方向に大きくするよう設定できるようにした。 （もっと読む）

【課題】 被測定物に対して斜めから測定波を照射し被測定物から反射される反射波の回折角から被測定物のひずみを測定するひずみ測定方法において測定精度を向上する。
【解決手段】 本発明のひずみ測定装置は、被測定物２４に所定の光束の測定波を照射する照射手段１０と、被測定物２４によって反射された反射波を検出する検出手段２０と、検出手段２０で検出される反射波を、被測定物２４中及び／又はその近傍に設定される測定領域から反射される反射波に制限する制限手段１６，１８と、検出手段２０で得られた検出結果を、前記測定領域とその測定領域内に存在する被測定物との幾何学的関係から補正する第１補正手段と、を備えた。 （もっと読む）