【課題】
半導体ウェーハ上のパターン寸法を計測する方法において、ユーザは計測手法を選定する際に、任意のパターン形状を目視しただけではその適用可否を判断することは難しく、自動で計測手法を選択する場合は、測定対象のパターン形状に適した手法が選定されないことがある。
【解決手段】
電子線により撮像された半導体パターン像の寸法を計測する方法において、ユーザによりパターン上の計測対象部を指定し、パターン計測部から形状情報を抽出し、抽出した形状情報を基に予め作成しておいた計測手法ライブラリから適用可能な計測手法を選定し、選定された手法によりパターンの寸法の計測をし、計測された寸法を出力するようにした。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、非破壊法かつ簡便にポリシリコン膜の厚さを評価することができるポリシリコン膜の膜厚評価方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 シリコンウエーハ上のポリシリコン膜の膜厚を評価する方法であって、
ポリシリコン膜を有する試験用シリコンウエーハを２枚以上準備し、それぞれの前記試験用シリコンウエーハのポリシリコン膜に対して、膜厚測定とＸ線回折測定法により回折面からの回折強度測定とを行い、所定の換算係数を用いて前記測定された回折強度を前記測定された膜厚に換算する換算式を求める換算式算出工程と、
その後、前記シリコンウエーハ上の膜厚が未知のポリシリコン膜に対してＸ線回折測定法により回折面からの回折強度測定を行い、該測定された回折強度に基づいて前記換算式により前記シリコンウエーハ上のポリシリコン膜の膜厚を算出する膜厚算出工程とを有することを特徴とするポリシリコン膜の膜厚評価方法。 （もっと読む）

【課題】イメージシフトの際、両立が困難であった、広い偏向領域と高い寸法計測再現性とを両立できる荷電粒子線装置を提供する。
【解決手段】荷電粒子源１０１、偏向手段（１０３、１０４、１０５等）、焦点位置変更手段（１０６、１０８）を制御すると共に検出器１１９により検出された電気信号により画像用データを作成する制御演算部１２１と、撮像条件ごとに登録された補正係数を保存する記録部１２０を有する荷電粒子線装置において、制御演算部は、焦点位置を変えながら複数の画像を取得し、画像内のマークの位置ずれ量と、記録部に登録された補正係数にもとづいて、計測用画像を取得する際に、荷電粒子線のランディング角が垂直となるように光学条件を制御する。 （もっと読む）

【課題】減厚による歪緩和の影響を補正して、バルクの結晶中の歪を測定する。
【手段】結晶基材を含む被測定試料に集束イオンビームを照射して減厚し、被測定試料薄片とする減厚工程と、減厚工程途中の複数時点で、被測定試料薄片に集束電子線を照射して高角度散乱電子の電子線強度Ｉ１〜Ｉ３を測定する工程と、前記複数時点で、結晶基材の格子定数を電子線回折法により測定し、被測定試料薄片の歪Ｅ１〜Ｅ３を算出する工程と、散乱電子の電子線強度Ｉ１〜Ｉ３及び歪Ｅ１〜Ｅ３に基づき、散乱電子の電子線強度Ｉを変数とする歪の近似式Ｅ＝Ｅ（Ｉ）を作成する工程と、減厚に伴い歪緩和が始まる臨界厚さに等しい厚さの結晶基材に、集束電子線を照射したとき測定される高角度散乱電子の臨界電子線強度Ｉｏを予測する工程と、臨界電子線強度Ｉｏを近似式Ｅ＝Ｅ（Ｉ）に代入して、被測定試料の歪Ｅｏを算出する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、設計データと輪郭線、或いは輪郭線間のマッチングを行うに当たり、両者の対応点を正確に特定する画像処理装置、及びコンピュータプログラムの提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、第１の線分によって形成される第１のパターンと、第２の線分によって形成される第２のパターン間の位置合わせを行うときに、第１の線分と第２の線分上にそれぞれ第１の対応点と、第２の対応点を設定し、第１の対応点と第２の対応点間の距離に基づいて、第１のパターンと第２のパターンの位置合わせを行うためのアライメント量を算出すると共に、第１の線分と第２の線分の形状差に応じて、第１の対応点、及び／又は第２の対応点の位置を変化させる。 （もっと読む）

【課題】収束電子回折を用いた、物性の新規な測定方法を提供する。
【解決手段】物性の測定方法は、透過型電子顕微鏡により、試料の収束電子回折実験像を取得する工程と、収束電子回折実験像のＺｅｒｎｉｋｅモーメントの強度を計算する工程と、試料に関し物性を変化させて計算された収束電子回折計算像のＺｅｒｎｉｋｅモーメントの強度と、収束電子回折実験像のＺｅｒｎｉｋｅモーメントの強度とを比較する強度比較工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、異なる帯電が混在するが故に、正確な検査，測定が困難になる可能性がある点に鑑み、異なる帯電現象が含まれていたとしても、高精度な検査，測定を可能ならしめる方法、及び装置の提供にある。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、荷電粒子線走査個所の表面電位の電位計測結果から、当該走査個所より広い領域の電位分布に基づいて得られる電位を減算する装置、及び方法を提案する。このような構成によれば、特性の異なる帯電現象が混在するような場合であっても、走査荷電粒子線装置による正確な検査，測定を行うことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路の線幅管理用に、ＣＤ−ＳＥＭが用いられているが、ＣＤ−ＳＥＭの自動測定機能は１次元対応で、２次元形状は、ＣＤ−ＳＥＭや他の顕微鏡から取得された画像を使って操作者が手動で検査しているので、この検査工程を自動化する技術を提供する。
【解決手段】「検査対象パターン画像」と検査対象パターンを製造するために使用する「設計データ」を用いるパターン検査装置であって、データから線分もしくは曲線で表現された基準パターン生成部１１と、検査対象パターン画像を生成する画像生成装置７と、検査対象パターン画像のエッジを検出し、検査対象パターン画像のエッジと線分もしくは曲線で表現された基準パターンとを比較することにより、検査対象パターンの測定値を得る検査部１２と、測定値の分布から、パターンの製造に関するフィードバック情報を取得する出力部１３とを備えた。 （もっと読む）

【課題】ノイズの多い微細ラインパターンのSEM観察像からエッジラフネスの程度を精確かつ迅速に評価するために、計測されるエッジラフネスの指標のうち、装置のランダムノイズの寄与を1枚の画像データをもとに計算する。またエッジラフネス指標の計測値から装置起因のラフネスを差し引いて、パターンに実際に存在するラフネスの程度を計算する。
【解決手段】エッジ位置のゆらぎのうち、ランダムなノイズに起因する量（分散値）は統計的にみて、エッジ位置データをN個平均したときに１／Ｎに減少する。この性質を利用し、１枚の画像に対してさまざまなパラメータＳの値で画像を縦方向に平均化したのち、エッジラフネス指標を求める。エッジラフネス指標のＳ依存性を分析し、分散値が１／Ｓに比例する項をノイズ起因とする。 （もっと読む）

【課題】ノイズの多い微細ラインパターンのSEM観察像からエッジラフネスの程度を精確かつ迅速に評価するために、計測されるエッジラフネスの指標のうち、装置のランダムノイズの寄与を1枚の画像データをもとに計算する。またエッジラフネス指標の計測値から装置起因のラフネスを差し引いて、パターンに実際に存在するラフネスの程度を計算する。
【解決手段】エッジ位置のゆらぎのうち、ランダムなノイズに起因する量（分散値）は統計的にみて、エッジ位置データをN個平均したときに１／Ｎに減少する。この性質を利用し、１枚の画像に対してさまざまなパラメータＳの値で画像を縦方向に平均化したのち、エッジラフネス指標を求める。エッジラフネス指標のＳ依存性を分析し、分散値が１／Ｓに比例する項をノイズ起因とする。 （もっと読む）

【課題】放射線の線量を少なくでき、簡易な方法でかつ従来と同様な精度の腐食調査が可能な腐食画像を得る方法及び装置を得る。
【解決手段】本発明に係る腐食画像取得方法は、放射線を被検査体に照射して前記被検査体を透過した放射線に基づいて前記被検査体の腐食状態を示す腐食画像を取得する腐食画像取得方法であって、前記被検査体を透過した放射線を検出する検出手段としてフォトンカウンティングセンサを用い、フォトンカウンティングセンサで得られた結果に基づいて腐食画像を形成するようにしたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、アスペクト比の大きなパターンの高さ（深さ）測定を実現することが可能な試料高さ測定方法、及び装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、試料上の第１の部分の高さと、第２の部分の高さの差違に関する情報と、前記第２の部分の輝度に関する情報を関連付けて記憶媒体に記憶させ、前記試料に荷電粒子線を走査したときに検出される荷電粒子に基づいて、前記第２の部分の輝度に関する情報を検出し、当該検出された輝度に関する情報と、前記記憶媒体に記憶された情報に基づいて、前記試料上の第１の部分と第２の部分との差違を求める方法、及び装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】
金属管の残厚を測定する際に腐食部の厚さを誤差要因であるエネルギー遷移や管内・外面の散乱状況を排除して平面撮像から定量的に評価する方法が無かった。
【解決手段】
放射線量を蓄積できる輝尽性蛍光媒体を表面に塗布したイメージングプレートを用いた１回の撮影結果から、金属管の長軸方向または周方向のイメージングプレートの測定輝度値の相関回帰式と減肉の無い場合の放射線透過厚さを用いて減肉があるときの金属管の残厚を定量化する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で、高精度かつ短時間の薄膜の膜厚測定と異常値検出を可能とする薄膜の膜厚測定方法を提供することを目的とする。
【解決手段】Ｘ線回折装置を用いて、評価試料の最上層の膜厚を測定する方法であって、Ｘ線回折装置以外の膜厚測定方法を用いて、標準試料の膜厚基準値を測定する基準値測定ステップと、前記標準試料のＸ線回折強度分布から検出された特徴量と、前記膜厚基準値とを対応付けた校正情報１０をあらかじめ生成する校正情報生成ステップと、評価試料のＸ線回折強度分布を取得する分布取得ステップＳ１００と、前記分布取得ステップＳ１００で取得されたＸ線回折強度分布から特徴量を検出する特徴量検出ステップＳ１０１と、前記特徴量検出ステップＳ１０１で検出された特徴量と、前記校正情報１０とから前記評価試料の最上層の膜厚を算出する膜厚算出ステップＳ１０６とを備えたことを特徴とする膜厚測定方法である。 （もっと読む）

本方法は機械的ワーク（１０）を断層撮影法によって測定するのに役立つ。本方法では前記ワーク（１０）と前記ワーク（１０）を透過する放射線（２４）とが徐々に相対移動される。前記ワーク（１０）と前記放射線（２４）との相互作用から前記ワーク（１０、１０’）の各移動位置において前記ワーク（１０、１０’）の２次元像（５０、５０’）が結像平面に生成され、前記２次元像（５０、５０’）から前記ワーク（１０）の３次元実像が算出される。前記ワーク（１０、１０’）の内部に存在する規則的な実構造体（１２、１２’）の、２つの異なる移動位置において生成される少なくとも２つの前記２次元像（５０、５０’）から前記２次元像（５０、５０’）内の高コントラストの移行部で点（５２ａ、５２ａ’、５２ｂ、５２ｂ’、５２ｃ、５２ｃ’）が検出され、前記点（５２ａ、５２ａ’、５２ｂ、５２ｂ’、５２ｃ、５２ｃ’）の位置から３次元等価体（６４）が判定され、前記等価体が所定の公称構造体と比較される。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、電子線照射によるダメージ等を抑制しつつ、試料の電位、或いは試料高さを正確に測定することが可能な走査電子顕微鏡を提供することを目的とする。
【解決手段】
上記課題を解決するために、試料に向かって電子線等の荷電粒子線等を照射する際に、当該荷電粒子線が試料に到達しないように、試料に電圧を印加した状態で得られる電子等の荷電粒子の検出結果を用いて、試料高さや試料電位を測定する走査電子顕微鏡を提案する。また、その一態様として、測定された試料高さや試料電位に基づいて、試料帯電によって変動する装置条件（例えば倍率，フォーカス，観察座標等）を補正する走査電子顕微鏡を提案する。 （もっと読む）

【課題】
電子線シミュレーションを利用した，ＳＥＭ画像によるパターン計測においては，シミュレーションの精度が非常に重要となる。シミュレーション画像と実画像のマッチングを行うためには，計測対象形状や材料を適切にモデル化し，シミュレーション画像に反映する必要がある。
【解決手段】
本発明では，ＳＥＭ画像やＡＦＭなど他の計測装置により得られた情報に基づいて，シミュレーションと実画像のマッチング計測の精度に与える影響が大きな形状や寸法を適切に設定したシミュレーション画像を用いることにより，高精度なパターン計測を実現するようにした。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクやウエハ上に形成されたパターンを、設計データとの比較により、回路パターンの欠陥を精度良く、かつ高速に検出する手段の提供。
【解決手段】半導体パターンを撮影した画像からパターンの輪郭データ０１０７を抽出する手段と、前記半導体の設計データ０１０２から、パターンの方向に関するデータを生成する手段と、前記輪郭データからパターンの方向のデータを求め、前記輪郭データのパターン位置に対応する前記設計データから生成したパターンの方向に関するデータとの比較により、パターンの欠陥を検出する手段を備えた評価方法、及び検査システムを構築する。 （もっと読む）

【課題】 ノイズがあるパターン画像から算出されるパターンの寸法やエッジの凹凸（エッジラフネス）を算出する際に、より真の値に近い値を得る。
【解決手段】画像内のエッジ近傍を表す帯状領域のうち、幅が狭い部分・広い部分でのエッジ位置の画像処理パラメータ依存性、あるいは、エッジ点がラインの外側にある部分・内側にある部分でのエッジ点位置の画像処理パラメータ依存性を算出し、計測値が真の値に十分近くなる画像処理条件を算出するか、あるいは、真の値を推定する。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、試料上の帯電によって生ずる荷電粒子線装置のフォーカスずれ，倍率変動，測長値誤差を低減するに好適な荷電粒子線照射方法、及び荷電粒子線装置の提供にある。
【解決手段】
上記目的を達成するために本発明では、荷電粒子線の搬入機構によって搬入される試料の通過中に、試料上の電位を測定する静電電位計によって試料上の電位分布を計測する手法を提案する。また、試料上の特定箇所の局所帯電を計測し、その帯電量から大域帯電量分を分離して計測する手法を提案する。更に、特定箇所の帯電量を、少なくとも２つの荷電粒子光学条件で計測し、特定箇所の帯電量変化に伴う荷電粒子線を用いた寸法測定値の変化を計測し、この変化に基づいて測長値、或いは倍率を補正する手法を提案する。 （もっと読む）