【課題】 核種を同定できると共に含有量を定量化できるようにする。
【解決手段】 分析対象試料１８に、外部中性子源からパルス中性子を照射し、透過する中性子のエネルギー分布を中性子検出器２２で検出し、飛行時間測定法によって核種毎に依存する中性子共鳴ピークの凹みを観測することにより、前記試料中に含まれる核種の同定と含有量の定量を行う。分析対象試料を１次元あるいは２次元の試料駆動台１６に載せて、試料を移動してコリメートされたパルス中性子を照射し、遮蔽体によりバックグラウンドを除去した状態で透過中性子を中性子検出器によって測定すると、試料中に含まれる核種の種類と含有量の位置依存性も求めることができる。 （もっと読む）

【課題】画像のエッジ鮮明度をシャープにできるＸ線検査装置のためのフレームの提供。
【解決手段】Ｘ線検査装置のためのフレーム（１０）が、弧状フレーム（２１）が枢着された構造部材（１６）を有する。Ｘ線源（１２）が、使用にあたり、構造部材（１６）に直接取り付けられ、Ｘ線検出器（１３）が、フレーム（２１）回りに動くことができる。画像化されるべき物品のための３軸サンプル支持体が、Ｘ線源（１２）とＸ線検出器（１３）との間に配置されている。本発明のフレームは、剛性が特に高い。 （もっと読む）

【課題】 蛍光Ｘ線の検出感度の向上及び装置の小型化を図ることができる蛍光Ｘ線分析装置を提供する。
【解決手段】 リング状に形成されかつ軸方向の一端部（端部）２ａからリング状の１次Ｘ線ａをその少なくとも一部が集束するように放射するＸ線発生器２と、このＸ線発生器２で包囲された内部空間１１に中心軸がＸ線発生器２の中心軸Ｄと一致するようにかつＸ線発生器２の中心軸Ｄ上の一端部２ａ近傍に配置した試料１０と対向するように挿入されると共に、１次Ｘ線ａの照射により試料１０から発生する蛍光Ｘ線ｂを検出するＸ線検出器３と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】
コンタクトホール等の半導体製造工程中の高い段差のあるパターンを持つウエハ上の欠陥を検査し、ドライエッチングによる非開口欠陥等の欠陥の位置や欠陥の種類等の情報を高速に取得可能とする。また、得られた欠陥情報から欠陥の発生プロセスや要因の特定を行ない、歩留まりを向上やプロセスの最適化の短期化を実現する。
【解決手段】
半導体製造工程中の高い段差のあるパターンを持つウエハに１００ｅＶ以上１０００ｅＶ以下の照射エネルギ−の電子線を走査・照射し、発生した２次電子の画像から高速に欠陥検査を行う。二次電子画像取得前にウエハを移動させながら高速に電子線を照射し、ウエハ表面を所望の帯電電圧に制御する。取得した二次電子画像から欠陥の種類の判定を行ない、ウエハ面内分布を表示する。 （もっと読む）

パッケージ、荷物又は衣類内の爆発物又は化学兵器のような禁制品を検出するためのシステムが、１つ又は複数のテラヘルツ・モジュールを含む。それぞれのモジュールは、テラヘルツ放射の発生又は受信、或いは発生および受信の両方を行う。テラヘルツ放射の一部は物品から反射され、テラヘルツ放射の残りは物品を透過する。処理装置は、物品の特性を決定するために、反射及び透過テラヘルツ放射を解析する。
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サンプルを分析するために、Ｘ線、中性子線、ガンマ線、または粒子ビーム放射を使用して、分析エンジンの放射境界面にサンプルを呈示する技法が開示される。保護障壁は、放射に対して透過性であり、かつサンプルをエンジンから分離し、障壁移動システムを使用して、放射境界面に対して可動である。一実施形態の障壁は、サンプルが配置される空洞にわたって可動であり、空洞にわたって膜のほぼ連続的な供給を提供および回収するリールシステムで可動である膜である。空洞は、サンプルが通って可動であるサンプル経路の一部を形成することが可能である。サンプル経路が加圧される場合、膜は、分析エンジンによるサンプルの分析中に圧力を維持する。

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【課題】 試料を支持する試料板からの回折Ｘ線の影響を排除して、試料に関する正確なＸ線回折測定をできるようにする。
【解決手段】 単結晶試料板２１によって支持する試料ＳにＸ線を照射し、試料Ｓから発生する回折Ｘ線を２次元Ｘ線検出器２によって検出し、検出された回折Ｘ線の座標及び強度をＸ線読取り装置によって読み取り、そしてその読取り結果に基づいて演算を行って回折Ｘ線強度分布を求めるＸ線測定装置である。単結晶試料板２１から出る回折Ｘ線が２次元Ｘ線検出器２によって検出される座標位置を、回折Ｘ線強度分布の演算に寄与させないブランク領域として認識する。単結晶試料板２１からの回折Ｘ線がＸ線強度の演算に算入されないので、試料Ｓからの回折Ｘ線だけに関して正確にＸ線強度分布を求めることができる。 （もっと読む）