【課題】 熱抵抗測定の際の半導体の温度ができるだけ均一となるような発熱手段を用いる半導体の熱抵抗の測定方法を提供する。
【解決手段】 本発明による半導体装置における熱抵抗の測定方法は、複数の回路ブロックを有し、該回路ブロックは複数のｐｎ接合の並列する構造が存在している半導体装置にて、該半導体装置の温度を変化させるとともに、前記複数のｐｎ接合のうち、所定の第１のｐｎ接合に発熱に影響しない順方向の微小な電流を流して発生する発生電圧を測定し、該発生電圧から半導体装置の熱抵抗を算出する、半導体装置における熱抵抗の測定方法において、前記半導体装置の温度を変化させる方法は、前記複数のｐｎ接合のうち、前記第１のｐｎ接合以外の第２のｐｎ接合が降伏状態になるように電流を流して発熱させる方法であることを特徴とする。そのため、半導体装置の熱抵抗を精度よく測定できる。 （もっと読む）

【課題】アバランシェ破壊した半導体素子に電流が流れ続けることを抑えることができる、半導体素子の試験装置を提供すること。
【解決手段】コイル１４と、コイル１４に接続される半導体素子１０がアバランシェ破壊した後にコイル１４に流れる電流を還流させる還流回路（コイル１４→リレー４→ダイオード１６→コイル１４の電流経路）とを備え、前記還流回路が、コイル１４と半導体素子１０が構成された閉回路（コイル１４→半導体素子１０→ダイオード１３，２１→コイル１４の電流経路）よりも低いインピーダンスを有する、半導体素子の試験装置。 （もっと読む）

【課題】テラヘルツ電磁波の検出精度を向上させることができるテラヘルツ放射顕微鏡、これに用いられる、光伝導素子、レンズ及びデバイスの製造方法を提供すること。
【解決手段】光伝導素子は、基材と、電極と、膜材とを具備する。前記基材は、光源から発生したパルスレーザーが、観察対象であるデバイスに照射されることにより発生するテラヘルツ電磁波が入射する入射面を有する。前記電極は、前記基材に形成され、前記基材の入射面に入射された前記テラヘルツ電磁波を検出する。前記膜材は、前記基材の前記入射面に形成され、前記テラヘルツ電磁波を透過させ、前記パルスレーザーを反射させる。 （もっと読む）

【課題】レーザパルス光の照射に応じて半導体デバイスにて発生する電磁波パルスの強度を非接触状態で向上させる技術を提供すること。
【解決手段】半導体デバイスを検査する半導体検査装置１００である。半導体検査装置１００は、半導体デバイスが形成されている基板１に対してレーザパルス光２を出射するレーザパルス光源１４と、レーザパルス光２が照射される照射位置１０に対して逆方向バイアスをかけるための逆バイアス用電磁波パルス４を照射する電磁波パルス照射部１８と、
レーザパルス光２の照射に応じて照射位置１０から放射される電磁波パルス３を検出する検出部１７とを備えている。 （もっと読む）

【課題】短時間で簡易に半導体素子を検査できる半導体素子の検査方法、検査装置および検査システムを提供する。
【解決手段】半導体素子の検査システムは、電流源１と、電流計２と、電圧計３と、電流制御部４と、電圧読出部５と、判定部６とを備えている。半導体素子に大きな順方向電流を印加してＰＮ接合の温度を上昇させ、高温時の順方向電圧を計測する。そして、常温時の順方向電圧との差に基づいて、半導体素子が良品か不良品かを判断する。そのため、簡易な検査システムで短時間に半導体素子の検査を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】電界効果トランジスタにおける電流コラプスの発生の有無を迅速に判定する。
【解決手段】電界効果トランジスタ１０１をオン状態にするとともに、電界効果トランジスタ１０１のドレインに第１電圧を印加した状態において、電界効果トランジスタ１０１の第１オン抵抗を算出する第１の工程と、電界効果トランジスタ１０１をオフ状態にし、前記第１電圧よりも大きい第２電圧を、電界効果トランジスタ１０１のドレインに印加する第２の工程と、電界効果トランジスタ１０１をオン状態にするとともに、電界効果トランジスタ１０１のドレインに前記第２電圧を印加した状態において、電界効果トランジスタ１０１の第２オン抵抗を算出する。 （もっと読む）

【課題】極めて短時間の放電光を安価な構成で検出できる放電光検出回路を提供する。
【解決手段】放電光検出回路１４は、端子１０ａに基準値以上の電圧が加えられた時に導通する電子部品１０において発生し得る放電光を検出する。放電光検出回路は、受光素子１４ａと、増幅部１４ｂと、判定部１４ｃと、オフディレイ部１４ｄと、制御部１４ｅとを備える。受光素子は、検査電極１１から端子に基準値以上の検査電圧または所定の検査電流が加えられた時に発生し得る放電光Ｌを受光して、電気信号Ａに変換する。増幅部は電気信号を増幅する。判定部は、増幅された電気信号Ｂが予め定められた判定値Ｘ以上である期間に判定信号Ｃを出力する。オフディレイ部は、判定信号のオフタイミングを遅延させた遅延判定信号Ｄを出力する。制御部は、遅延判定信号が出力されているか否か定期的に判定し、遅延判定信号が出力されている場合に放電光検出信号Ｅを出力する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子におけるラッチアップによる不良の特定を容易に行なう。
【解決手段】時間分解能を有するエミッション顕微鏡を用いた半導体素子の検査方法において、検査される半導体素子に電圧パルスを印加する工程と、前記電圧パルスが印加された状態における前記半導体素子より、放出されるフォトンを経過時間ごとに検出する工程と、前記半導体素子がオフ状態からオン状態となった後のオン状態の時間において、前記フォトンが検出されているか否かを判断する工程と、を有することを特徴とする半導体素子の検査方法を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】パワー半導体素子の動特性と、静特性たる飽和電圧とを１台の装置で精密に検査すること。
【解決手段】パワー半導体素子たるスイッチング素子６をスイッチング動作させて電気的な動特性を検査するとともに、検査時の短絡電流の発生に伴って前記スイッチング素子６を電気的に遮断するトランジスタ５３を備えた半導体検査装置１において、前記トランジスタ５３を定電流出力動作させる定電流回路６０を構成し、前記定電流回路６０によって前記トランジスタ５３が出力する定電流を前記スイッチング素子６に与えて飽和電圧Ｖｃｅ（ｓａｔ）を検査する構成とした。 （もっと読む）

【課題】ラッチアップ試験において、被試験端子の状態がハイインピーダンス状態であるか否かを把握するとともに、被試験端子へ電流パルスを印加した際に被試験端子の論理状態が反転することによるラッチアップの誤判定を防ぐこと。
【解決手段】ラッチアップ試験装置は、被試験端子の電位をプルアップおよびプルダウンして被試験端子がハイインピーダンス状態であるか否かを検出するとともに、プルアップおよびプルダウン動作に伴って被試験端子の論理状態が反転する前後において、定電圧源から被試験デバイスの電源端子へ供給される電源電流を測定して両者の差分を第１の差分とするとともに、被試験端子に電流パルスを印加する前後において定電圧源から電源端子へ供給される電源電流を測定して両者の差分を第２の差分とし、第１の差分と第２の差分とを比較することで、ラッチアップが発生したか否かを判定する。 （もっと読む）

【課題】低い耐圧特性、及び大きな電流が流れる被検査半導体装置を、破壊することなく実際の使用環境と略一致の条件にて耐圧検査する。
【解決手段】
被検査半導体装置に電圧を印加するための電源を二つ設ける。片方の電源は、被検査半導体装置の破壊電圧以下の電圧を常に印加する。もう片方の電源は、所望の検査条件の電流を流すために必要な電圧を、被検査半導体装置の制御信号と同期させて印加する。この結果、被検査半導体装置には実際の使用環境と同様に、常に一定のストレスが印加された状態となり、実用的な耐圧検査が可能となる。 （もっと読む）

【課題】従来の冷却装置を用いずに電子装置等の被測定物を冷却しつつ電気的特性を測定可能な動作試験装置を提供する。
【解決手段】冷却液３を貯留させる容器１０と、この容器１０内の冷却液３を容器１０外に流出させるとともに流出した冷却液３を容器１０内に再流入させる冷却液排出管４、ポンプ３０、熱交換管５、熱交換機２０のラジエータ２２、及び冷却液供給管６により構成される循環閉路管とを有する動作試験装置１である。容器１０には、稼働時に発熱する電子装置２を、貯留させた冷却液３に浸漬させた状態で稼働させ、これにより稼働中の電子装置２の電気的特性の測定を可能にする収容領域が形成されている。循環閉路管の近傍には、当該循環閉路管を流れる不活性液体を冷却させる熱交換機２０が介在する。 （もっと読む）

【課題】時間的に連続した負荷を被試験体に印加して、被試験体の試験を行うことを可能とする、評価試験装置および評価試験方法を提供する。
【解決手段】評価試験装置は、複数の外付端子を有するデバイス（被試験体）の前記複数の外付端子それぞれに、試験負荷信号を印加する複数の第１のバッファアンプを備えている。また、前記複数の外付端子の負荷状態をそれぞれ測定して測定結果信号として出力する複数の第２のバッファアンプを備えている。さらに、前記複数の第１のバッファアンプから前記試験負荷信号を印加させながら、前記複数の第２のバッファアンプを順次駆動して前記測定結果信号を出力させるよう制御する制御手段を備えている。 （もっと読む）

【課題】検査用電極を備えるＣＭＯＳ論理ＩＣパッケージおよびその検査方法の提供。
【解決手段】パッケージ内の各接続用電極パッドに近接する位置に設けられた検査用電極とバッファゲートを備えるＣＭＯＳ論理ＩＣパッケージを提供し、プリント配線基板に実装されたＣＭＯＳ論理ＩＣパッケージの検査用電極に低電圧の検査信号を印加したときの電源電流を測定することによりパッケージ内の接続用電極パッドとプリント配線基板の電極ランド間の開放故障（断線故障および半断線故障を含む）を検査するＣＭＯＳ論理ＩＣパッケージの検査方法およびそのＣＭＯＳ論理ＩＣパッケージ。 （もっと読む）

【課題】自己発熱により電気的特性が変化しうる半導体素子の自己発熱のない状態における電気的特性を正確に決定する。
【解決手段】半導体素子に電圧の印加を開始してから半導体素子を流れる電流値が定常状態に至るまでの期間に含まれる複数の時刻において電流値を測定する電流測定部と、前記期間を第１の期間と第１の期間よりも後の第２の期間に分割した場合において、第２の期間に含まれる時刻において測定された電流値の時間変化を近似的に表す曲線を求めたときに、第１の期間に含まれる時刻において測定された電流値と該曲線を該時刻に外挿して求めた電流値との差が所定の閾値以上となるように前記期間を分割する期間分割部と、第１の期間に含まれる時刻において測定された電流値を近似的に表す曲線を求め、該曲線を外挿して前記開始時刻に半導体素子を流れる電流値を推定する電流推定部と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】電源および負荷が設けられるように構成された回路内の過渡電圧保護デバイスをテストする方法を提供する。
【解決手段】過渡電圧保護デバイスと並列に検出器を設けるステップと、回路内に設けられたスイッチングデバイスを開路するステップと、スイッチングデバイスを開路することによって生じる、回路インダクタンス内の電流の変化率によって引き起こされる電圧スパイクの特性を検出して、保護デバイスの状態を決定するステップとを含む。そのピーク電圧など、電圧スパイクの検出された特性が、期待される所定の値ではない、または期待される所定の範囲内ではない場合は、過渡電圧保護デバイス内に障害が存在すると見なすことができる。それにより過渡電圧保護デバイスは、稼働寿命の間に信頼性良くテストすることができる。 （もっと読む）

【課題】簡便な構成により電源電圧を一定に保つことが可能な試験装置を提供する。
【解決手段】半導体デバイスに電源電圧を供給する電源装置が提供される。メイン電源１０は、半導体デバイスの電源端子Ｐ１に電力を供給する。電源補償回路１２のソーススイッチ１２ｂは、電源端子Ｐ１と接地端子の間に設けられる。電源補償回路１２は、ソーススイッチ１２ｂをノーマリオンとして電流Ｉ_ＤＣを発生させ、スイッチングによってソーススイッチ１２ｂをオフしたときの電流の変化量を、ソース補償電流Ｉ_ＳＲＣとして半導体デバイスの電源端子Ｐ１に注入する。 （もっと読む）

【課題】安定的な振幅を有し、かつ高速にスイッチングする補償電流を生成可能な回路を提供する。
【解決手段】シンク補償回路１２ｃは、補償パルス電流Ｉ_ＳＩＮＫを生成し、この補償パルス電流をＤＵＴ１とは別経路に引きこむ。電流Ｄ／Ａコンバータ１４は、デジタル設定信号Ｄ_ＳＥＴに応じた基準電流Ｉ_ＲＥＦを生成する。第１トランジスタＭ１、第２トランジスタＭ２は、ＭＯＳＦＥＴであり、カレントミラー回路を構成する。スイッチ素子ＳＷ１は、第１トランジスタＭ１のゲートと、第２トランジスタＭ２のゲートの間に設けられる。 （もっと読む）

【課題】ビア、例えばＴＳＶの中のボイドのような故障を検出するために熱画像を調べる装置、方法を提供する。
【解決手段】制御された量の熱が光ビームを用いてスタックダイ中に注入され、伝搬された熱は、ダイの反対側からＬＩＴカメラで測定される。得られた熱画像は、既知のスタックレイヤからの位相シフトを較正するのに用いられるよう、またはスタックダイ中の欠陥を特定するのに用いられるよう、その特性が得られる。本プロセスは、将来のテストのためのレファレンスを生成するために、スタックの中のそれぞれのダイについて繰り返され得る。 （もっと読む）

【課題】電源の出力低下を引起こさずに試験対象の半導体装置への大電流かつ高速の断続通電を可能にする。
【解決手段】パワーサイクル試験装置１は、抵抗部ＤＥと電源部１０とを備える。抵抗部ＤＥは、試験対象の半導体装置ＴＥの通電時の抵抗値とほぼ等しい抵抗値を有し、試験対象の半導体装置ＴＥと並列に設けられる。電源部１０は、試験対象の半導体装置ＴＥと抵抗部ＤＥとに交互に通電する。 （もっと読む）