【課題】測定値のヒストグラムにおいて、複数の主分布を含む場合であっても、主分布から外れた特異値を示す半導体装置を特定できる半導体装置のスクリーニング装置が、望まれる。
【解決手段】半導体装置のスクリーニング装置は、半導体装置の特性に関する測定結果から構成される測定値集合を、所定の規則に基づき分割することで、複数の測定値部分集合を生成するデータ分割部と、複数の測定値部分集合それぞれに含まれる測定結果の評価基準となる第１の評価値を算出する第１の評価値算出部と、第１の評価値に基づいて、複数の測定値部分集合それぞれに含まれる測定結果を変換するデータ変換部と、データ変換部が変換した後の測定結果の評価基準となる第２の評価値を算出する第２の評価値算出部と、第２の評価値に基づいて、測定対象である半導体装置の良否を判定する判定部と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】太陽電池パネルが備えるバイパスダイオードについて容易に診断することができる太陽光発電システムを提供する。
【解決手段】太陽光発電システム１は、バイパスダイオードを有し、太陽光を受けて発電する太陽電池ストリング３ａ，３ｂと、太陽電池ストリング３ａ，３ｂに診断電圧を印加することによって、発電時と同じ方向の電流を流す診断用電源１２ａ，１２ｂと、太陽電池ストリング３ａ，３ｂに診断電圧を印加するか否かを切り替えるスイッチ部１４ａ，１４ｂと、太陽電池ストリングに流れる電流を測定する電流検出部１５ａ，１５ｂとを備える。太陽光発電システム１はさらに、診断電圧が印加された場合に電流検出部１５ａ，１５ｂによって測定される電流の大きさと予め定められた診断閾値とを比較し、比較の結果に基づいてバイパスダイオードに不具合があるか否かを判断する制御部１７を備える。 （もっと読む）

【課題】テラヘルツ電磁波の検出精度を向上させることができるテラヘルツ放射顕微鏡、これに用いられる、光伝導素子、レンズ及びデバイスの製造方法を提供すること。
【解決手段】光伝導素子は、基材と、電極と、膜材とを具備する。前記基材は、光源から発生したパルスレーザーが、観察対象であるデバイスに照射されることにより発生するテラヘルツ電磁波が入射する入射面を有する。前記電極は、前記基材に形成され、前記基材の入射面に入射された前記テラヘルツ電磁波を検出する。前記膜材は、前記基材の前記入射面に形成され、前記テラヘルツ電磁波を透過させ、前記パルスレーザーを反射させる。 （もっと読む）

【課題】レーザパルス光の照射に応じて半導体デバイスにて発生する電磁波パルスの強度を非接触状態で向上させる技術を提供すること。
【解決手段】半導体デバイスを検査する半導体検査装置１００である。半導体検査装置１００は、半導体デバイスが形成されている基板１に対してレーザパルス光２を出射するレーザパルス光源１４と、レーザパルス光２が照射される照射位置１０に対して逆方向バイアスをかけるための逆バイアス用電磁波パルス４を照射する電磁波パルス照射部１８と、
レーザパルス光２の照射に応じて照射位置１０から放射される電磁波パルス３を検出する検出部１７とを備えている。 （もっと読む）

【課題】太陽電池の生産工程においてセルをラミネートする前に太陽電池の異常、特にはんだ付け不良を発見する方法及び装置であって、セルよりも小さな単位で異常を発見できるものを提供すること。
【解決手段】セルを分割した評価領域を評価するために、評価領域を含むセルに照射される光の照射量を他のセルよりも小さくし、評価領域に照射される光の照射量を変化させて太陽電池の特性値を測定する。特性値の変化に基づいて評価を行う。評価領域を変更して評価を行うことで、評価結果の異なる部分が異常であると判定することもできる。また、この評価をはんだ付けの後、セルをラミネートする前に行い、半田付け不良を発見して修復することを容易にすることができる。 （もっと読む）

【課題】低コストかつ簡易な構成で、長期の実使用状態においても、太陽照射時の発電を妨げることなく太陽電池アレイの電気特性を診断する。
【解決手段】太陽電池アレイ１２の出力が予め定めた閾値以下のときに、入力コンデンサ２６を太陽電池の開放電圧まで充電し、ＳＷ２をオフして、ＳＷ３ｉ以外のＳＷ３を中立接点ｃ、ＳＷ３ｉを接点ａに切り替え、入力コンデンサ２６に可変直流電源４０を直列接続して合計電圧をｉ列目の太陽電池モジュールストリング１６に印加し、過渡現象の電圧及び電流を測定し、電圧依存領域のＩ−Ｖ特性を取得する。ＳＷ３ｉを接点ｂ１に切り替えて、入力コンデンサ２６を一旦放電させ、ＳＷ３ｉを接点ｂ２に切り替え、入力コンデンサ２６の充電時の過渡現象の電流及び電圧を測定し、電流依存領域のＩ−Ｖ特性を取得する。両領域のＩ−Ｖ特性を結合し、直列抵抗Ｒ_Ｓ、分路抵抗Ｒ_ｓｈ等を推算し、太陽電池アレイの故障状態を診断する。 （もっと読む）

【課題】光出力が急激に低下する期間よりも前に、その劣化の兆候の検出が可能となる半導体レーザの劣化兆候検出装置を提供する。
【解決手段】半導体レーザ２０１の光出力に関する情報を取得する受光部２０３と、レーザの発振閾値以下での発光パターンの強度分布を取得する受光部２０２と、時間Ｔ１におけるレーザの光出力に関する情報と、発光パターンの強度分布に関する情報を保持する保持部２０４と、Ｔ１＜Ｔｎである少なくとも１回以上の時間Ｔｎにおけるレーザの光出力に関する情報と、時間Ｔ１におけるレーザの光出力に関する情報とを比較し大きな変化がない場合において、レーザの時間Ｔｎにおける発振閾値以下での発光パターンの強度分布に関する情報と、時間Ｔ１における発光パターンの強度分布に関する情報とを比較することにより、レーザの光出力急激低下兆候の有無を判定する判定部２０５と、判定部からの信号を出力する出力部２０６と、を有する。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体素子が積層された半導体装置を、非破壊で適正に検査する。
【解決手段】半導体装置１００Ａは、積層された半導体素子１１１〜１１３を含む。各半導体素子１１１〜１１３は、対応して配設されたＴＳＶ１２９ａ〜１２９ｃ、及び各ＴＳＶ１２９ａ〜１２９ｃ上に配設されたパッド１２５ａ〜１２５ｃを備える。半導体素子１１３側から見て、パッド１２５ｂはその上層のパッド１２５ｃからはみ出し、パッド１２５ａはその上層のパッド１２５ｂ，１２５ｃからはみ出す。各パッド１２５ａ〜１２５ｃに対する半導体素子１１３側からのエネルギービーム照射が可能になり、半導体装置１００Ａのエネルギービーム照射工程を含む検査が非破壊で実施可能になる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置としての耐久性能に影響を与えるボイドの有無や位置を精度よく検出することが可能な半導体装置の検査装置及び半導体装置の検査方法を提供する。
【解決手段】基板上にはんだ接合により半導体素子６を実装した半導体装置２の検査装置１において、半導体素子６にＯＮ電圧を印加する電源供給部１２と、半導体素子６にＯＮ電圧を印加したときに、半導体素子６に短絡電流を通電させる短絡回路１５と、はんだ接合部に生じるボイドのサイズ及び位置と短絡耐量時間との関係から予め設定された所定時間だけ半導体素子６に短絡電流を通電する制御手段１１と、を備える構成とする。 （もっと読む）

【課題】測定対象セルの抵抗成分を迂回して流れるバイアス電流を考慮し高精度で欠陥を検出することが可能な太陽電池の検査装置及び検査方法を提供する。
【解決手段】測定対象セルに光を照射するメイン光源３、他のセルに光を照射するサブ光源４、太陽電池Ｓの出力電流を電圧に変換するシャント抵抗７、電圧を増幅する増幅器８、この出力に含まれるバイアス電流を抽出するバイアス電流抽出回路９、増幅器の出力からバイアス電流を差し引くバイアス電流キャンセル回路１０、ディジタルデータに変換するＡ／Ｄ変換器１２、画像処理を行う画像処理装置１３、画像表示を行う表示器１４を備え、バイアス電流を考慮した、測定対象のセルが発電した起電流成分に基づいて検査を行う。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＳトランジスタ集積回路中のリング発振器では、使用期間が長くなるとそれを構成しているＭＯＳトランジスタの特性に劣化が生じ、発振周期が大になって来る。従って、劣化度合を量的に把握する必要があったが、個別の集積回路につき、ＭＯＳトランジスタの劣化度合を算出するようにしたものは従来なかった。
【解決手段】リング発振器２を集積するＭＯＳトランジスタ集積回路１内に、ＮＭＯＳトランジスタの劣化のみ生ずる構成にしたリング発振器４、ＰＭＯＳトランジスタの劣化のみ生ずる構成にしたリング発振器５を作り込む。それらの現時点での発振周期もしくは製造当初の発振周期を基に、劣化による増加遅延時間や発振周期を模擬算出装置７で算出する。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴアレイのソース・ドレイン間のWeak-SD欠陥と呼ばれる抵抗を介して導通状態にある欠陥を、保持時間を長くすることなく短時間で検出する。
【解決手段】ＴＦＴ基板のＴＦＴアレイに対して電圧を印加し、電子線照射により得られる二次電子を検出してＴＦＴアレイの欠陥を検出するＴＦＴアレイの欠陥検出において、ＴＦＴのソースおよび／又はゲートへの電圧を印加する電圧パターンにおいて、電圧値および／又は印加時期によってＴＦＴの内部リークによるリーク電流を増加させる特性パラメータに設定する。特性パラメータの設定において電圧値および／又は印加時期を設定することによってＴＦＴの内部リークによるリーク電流を増加させ、増加させたリーク電流によってＴＦＴの内部欠陥を検出する。 （もっと読む）

【課題】検査用電極を備えるＣＭＯＳ論理ＩＣパッケージおよびその検査方法の提供。
【解決手段】パッケージ内の各接続用電極パッドに近接する位置に設けられた検査用電極とバッファゲートを備えるＣＭＯＳ論理ＩＣパッケージを提供し、プリント配線基板に実装されたＣＭＯＳ論理ＩＣパッケージの検査用電極に低電圧の検査信号を印加したときの電源電流を測定することによりパッケージ内の接続用電極パッドとプリント配線基板の電極ランド間の開放故障（断線故障および半断線故障を含む）を検査するＣＭＯＳ論理ＩＣパッケージの検査方法およびそのＣＭＯＳ論理ＩＣパッケージ。 （もっと読む）

【課題】電源および負荷が設けられるように構成された回路内の過渡電圧保護デバイスをテストする方法を提供する。
【解決手段】過渡電圧保護デバイスと並列に検出器を設けるステップと、回路内に設けられたスイッチングデバイスを開路するステップと、スイッチングデバイスを開路することによって生じる、回路インダクタンス内の電流の変化率によって引き起こされる電圧スパイクの特性を検出して、保護デバイスの状態を決定するステップとを含む。そのピーク電圧など、電圧スパイクの検出された特性が、期待される所定の値ではない、または期待される所定の範囲内ではない場合は、過渡電圧保護デバイス内に障害が存在すると見なすことができる。それにより過渡電圧保護デバイスは、稼働寿命の間に信頼性良くテストすることができる。 （もっと読む）

【課題】太陽光発電パネルの発電状態を自動的に診断して外部の人間に容易に認識させることができる太陽光発電パネルの診断装置を提供する。
【解決手段】一の太陽光発電パネル１０の起電力と他の太陽光発電パネル１０の起電力との相対的な比較値が許容範囲であるか否かを判定するための判定式と、判定式で用いられる設定係数等を記憶する記憶部３１と、判定式と設定係数等に基づき、一の太陽光発電パネル１０の起電力と他の太陽光発電パネル１０の起電力との相対的な比較値が許容範囲であるか否かを判定し、その比較値が許容範囲外である場合に、判定で起電力の小さい方の太陽光発電パネル１０の異常を検出する判定検出部３２と、その異常の検出に応じて異常が検出された太陽光発電パネル１０の異常を告知する告知手段とを備える太陽光発電パネルの診断装置。 （もっと読む）

【課題】ビア、例えばＴＳＶの中のボイドのような故障を検出するために熱画像を調べる装置、方法を提供する。
【解決手段】制御された量の熱が光ビームを用いてスタックダイ中に注入され、伝搬された熱は、ダイの反対側からＬＩＴカメラで測定される。得られた熱画像は、既知のスタックレイヤからの位相シフトを較正するのに用いられるよう、またはスタックダイ中の欠陥を特定するのに用いられるよう、その特性が得られる。本プロセスは、将来のテストのためのレファレンスを生成するために、スタックの中のそれぞれのダイについて繰り返され得る。 （もっと読む）

【課題】前工程においてトランジスタごとに不純物の種類や量を変えることによる、製造コストや製造時間の増大を抑制する。
【解決手段】本発明による半導体装置の製造方法は、第１の閾値電圧及び第１のドレイン・ソース間電流を呈するようなデバイスパラメータをもって設計された第１のトランジスタを含む半導体回路を形成する半導体回路形成工程（ステップＳ１１）と、第１のトランジスタにストレス電圧を印加して第１の閾値電圧とは異なる第２の閾値電圧及び前記第１のドレイン・ソース間電流とは異なる第２のドレイン・ソース間電流の少なくとも一方を第１のトランジスタが呈するようにする特性制御工程（ステップＳ１４）と、第１のトランジスタが第２の閾値電圧及び第２のドレイン・ソース間電流の少なくとも一方を呈する状態で出荷する出荷工程（ステップＳ１６）とを備える。 （もっと読む）

【課題】直流電源装置の逆流防止用素子の検査を容易に行うこと。
【解決手段】容量素子ＣＤと抵抗素子ＲＤと整流素子Ｄとを並列接続した等価回路として表され、正弦波電圧に対する容量素子ＣＤによる虚数分電流と抵抗素子ＲＤによる実数分電流とが電流ベクトルの位相差をもって検出されるダイオード等の電流逆流防止用素子を複数並列接続した直流電源装置の逆流防止用素子オープンモード故障及びショートモード故障を検査するものであって、所定値の直流電圧と断続した正弦波交流電圧を重畳させた検査電流を電源装置１７の正負端子に供給し、検査電流の抵抗素子による実数分電流を除去することにより、電源装置１７の物理的インタフェースを変更することなく、並列接続された逆流防止用素子の故障を容易に検査することができる。 （もっと読む）

【課題】ディスプレイデバイスの劣化検出装置を提供する。
【解決手段】予め設定された劣化検出用電流を伝達する電源部と、互いに隣接した複数のピクセルユニットを備え、前記複数のピクセルユニット各々は、前記電源部からの前記劣化検出用電流を伝達されるピクセル部と、前記複数のピクセルユニット各々に対応する複数のスイッチグループを有し、前記複数のピクセルユニット各々に前記電源部からの前記劣化検出用電流を伝達して順次に電圧が検出されるようにするが、該当するピクセルユニットに前記劣化検出用電流が伝達される間、該当のピクセルユニットの次の順番のピクセルユニットに前記劣化検出用電流を予め伝達する伝達部と、前記ピクセル部の複数のピクセルユニットのうち前記劣化検出用電流が伝達されたピクセルユニットの電圧を順次に検出し、デジタル信号に変換するアナログ−デジタル変換部と、を含むことを特徴とする劣化検出装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】故障箇所の絞り込みが困難である高抵抗故障を比較的容易に特定することができる半導体集積回路の故障解析装置及び故障解析方法を提供する。
【解決手段】解析対象とする半導体集積回路８０１の特定の素子に対してレーザーを照射して特定の素子を加熱するレーザー照射装置１０２と、レーザーの照射と同期して半導体集積回路の入力端子にテストパターンを印加するテストパターンジェネレータ１０１と、テストパターンジェネレータが半導体集積回路の入力端子に印加するテストパターンに同期して半導体集積回路に過渡的に流れる電源電流を検出する過渡電源電流検出装置１０３と、を備える。 （もっと読む）