【課題】
抵抗変化率が高く、かつフリー磁性層の磁歪が小さい、トンネル型磁気検出素子を得る。
【解決手段】
下から、磁化方向が一方向に固定される固定磁性層、絶縁障壁層、及び外部磁界により磁化方向が変動するフリー磁性層の順で積層されるトンネル型磁気検出素子において、前記絶縁障壁層は酸化チタン（Ｔｉ−Ｏ）で形成され、前記フリー磁性層上には、白金（Ｐｔ）あるいはルテニウム（Ｒｕ）のどちらか一方で形成された第１保護層が形成される。これにより、第１保護層が形成されない従来構造、あるいは第１保護層をＡｌ、Ｔｉ、Ｃｕ、ＩｒＭｎで形成した構造に比べて、高い抵抗変化率を維持しつつ、フリー磁性層の磁歪を効果的に低減できる。前記絶縁障壁層を酸化アルミニウム（Ａｌ−Ｏ）で形成した場合には、抵抗変化率が減少し、またフリー磁性層の磁歪が効果的に低減できない。 （もっと読む）

【課題】
フリー磁性層の磁歪の増大が低く、かつ抵抗変化率の高いトンネル型磁気検出素子を得る。
【解決手段】
下から、磁化方向が一方向に固定される固定磁性層、絶縁障壁層、及び外部磁界により磁化方向が変動するフリー磁性層の順で積層されるトンネル型磁気検出素子において、前記フリー磁性層上にマグネシウム（Ｍｇ）で形成された第１保護層が形成される。これにより、第１保護層が形成されない従来構造、あるいは第１保護層をＡｌ、Ｔｉ、Ｃｕ、ＩｒＭｎで形成した構造に比べて、フリー磁性層の磁歪が低く、かつ高い抵抗変化率を示す。 （もっと読む）

【課題】軽量で薄型にし、対象物に近接して高精度に微小な機械変位量を検出できる磁気センサを提供する。
【解決手段】ガラス基板上に保護層を形成し、さらにその上に所望の形状の感磁面としての磁性層２、電極導体層４、周辺回路ユニット６を形成した後、ガラス基板をエッチングあるいは剥離にて除去し、保護層１を磁気センサのセンサ表面として用いる。 （もっと読む）

【課題】自由層と固定層が微小な幅の導通部分を介して導通される磁気抵抗効果素子であって、導通部分の幅の制御が容易な磁気抵抗効果素子を実現する。
【解決手段】ＭＲ素子５は、積層体３０を備えている。積層体３０は、互いに反対側を向く第１の面および第２の面を有するスペーサ層２４と、スペーサ層２４の第１の面に隣接するように配置され、信号磁界に応じて磁化の方向が変化する自由層２５と、スペーサ層２４の第２の面に隣接するように配置され、磁化の方向が固定された固定層２３とを有している。スペーサ層２４は、少なくとも一部が導体以外の材料よりなり、電流の通過を阻止または全体が導体よりなる層に比べて電流の通過を制限する。ＭＲ素子５は、更に、積層体３０の外周面に配置されて、自由層２５と固定層２３とを導通させる導電膜４０を備えている。 （もっと読む）

【課題】磁気センサを複数組み合わせて分圧回路、ブリッジ回路等を組み立てる際に、各磁気センサの磁化方向を容易に識別できる磁気センサを得る。
【解決手段】磁気抵抗効果素子及び磁気抵抗効果素子の端子に接続する複数の接続用パッドが形成されたチップ上に、上記磁気抵抗効果素子の固定層の磁化方向を識別するマーキングを表示した。 （もっと読む）

本発明は磁気センサ素子を供する。当該磁気センサ素子は、変動磁場を印加することによって、磁性物体又は磁化可能物体(15)-たとえば磁性粒子-が結合位置へ結合する可能性を増大させる手段(11,14)を有する。本発明はさらに、当該磁気センサ素子を少なくとも1つ含むバイオチップ(40)、及び当該磁気センサ素子を用いることによって試料流体中の標的部分の検出及び/又は定量化を行う方法を供する。
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本発明は、プレート状の第１の部分（３０）を含む集積回路に関する。この構成要素はまた、第１の部分（３０）とは別の、第１の部分（３０）に取り付けられ、変形可能な接続手段（２２）によって第１の部分（３０）に接続され、第１の部分（３０）との間で非ゼロの角度を形成する少なくとも１つのプレート状の第２の部分（３２）を含む。
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【課題】 二次元磁気センサの使い勝手を向上させる。
【解決手段】 第一の基本ベクトル群の一次結合である２次元ベクトルデータであって２次元磁気センサから出力される磁気データを順次入力する入力手段と、前記磁気データの旧オフセットを新オフセットに更新するために複数の前記磁気データを母集団データ群として蓄える蓄積手段と、前記旧オフセットを用いずに前記母集団データ群から導出される仮オフセットの前記旧オフセットに対する位置ベクトルであって前記母集団データ群の分布の主軸方向の第二の基本ベクトル群の一次結合である仮の位置ベクトルの各係数を前記母集団データ群の分布の主値の比に応じて重み付けした値を係数とする前記第二の基本ベクトル群の一次結合を補正ベクトルとするとき、前記旧オフセットと前記補正ベクトルの和となる前記新オフセットを求めることを制約条件として、前記旧オフセットと前記母集団データ群とに基づいて前記新オフセットを導出するオフセット導出手段と、を備える磁気データ処理装置。 （もっと読む）

本発明は、交番励起磁界（Ｂ_１）の生成のための励起線、及び励起磁界に応じて磁性粒子（２）により生成される反応磁界（Ｂ_２）を検知するＧＭＲセンサー（１２）を有する磁気センサー装置に関する。更に、磁気センサー装置は、磁気センサー素子（１２）の感知方向にある全ての磁界（Ｂ_２、Ｂ_３）の所定のスペクトル成分を適応して打ち消す補償磁界（Ｂ_３）を生成する補償器（１５）を有する。ＧＭＲセンサー（１２）の測定は、前記センサーの利得変動に対し強靱にする。
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本発明は、検査領域内に励磁場Bを生成するための磁場発生器11、13と、当該検査領域内の結合部位3に結合されている、磁化した粒子2によって生成された磁気反応場B'を測定するための磁気センサ12とを有する、磁気センサ装置10に関する。磁場発生器11、13及び磁気センサ素子12の両方が電力で駆動され、これら部品で消費される電力の比は、事前に決められた範囲内に保たれる。磁場発生器は、励磁ワイヤ11、13によって好ましくは実現され、前記センサ素子12は、例えばGMR素子である磁気抵抗素子によって実現される。この場合、大体等しい量のパワーが、励磁ワイヤ11、13とGMR素子とで消費されることが好ましい。
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本発明は、磁気抵抗要素を有するセンサの表面の方からの及びその表面の方への粒子の磁気作動のシステム及び方法に関する。磁場の方向及びセンサに対する磁場発生手段の配置は、作動後、磁気抵抗要素の感度を保つ又は回復する。
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従来の磁気抵抗検出器の感度は定数ではなく、例えば、製造誤差、時効効果及び温度のような制御できない変数に依存する。従って、磁気抵抗検出器が実行する測定の実効利得も、これらの制御できない変数に左右される。公知の手法による問題解決では、必要なハードウェアの複雑度が増し、安定度が落ちる。
本願発明の目的は、良好な電気出力信号特性を有する磁気抵抗検出器装置、かかる磁気抵抗検出器を少なくとも１つ含む生体素子、及び磁気抵抗検出器の電気出力信号を安定化する方法を提供することである。この目的を本願発明による方法及び装置により達成する。

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【課題】強い磁界が加わった場合におけるオフセットの動きを抑制することができ、その結果、耐強磁界特性を向上させることができる磁気センサを提供する。
【解決手段】本発明の磁気センサ１は、石英基板２上に、磁気抵抗効果素子３１と磁気抵抗効果素子３１の両端に接続される永久磁石膜３２、３２とからなるＧＭＲ素子１１〜１４、２１〜２４を形成し、これら磁気抵抗効果素子３１、３１，…により２軸方向の磁界の大きさを検出するもので、磁気抵抗効果素子３１のピンド層のピン止めされた磁化の向きと、磁気抵抗効果素子３１の長手方向とは、４５°の角度をなすことを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、磁気励磁導線（１１，１３）及び磁気センサー要素を含む磁気センサーデバイスに関する。例えば、励磁導線によって作られた励磁磁界（Ｂ₁）に反応する磁性粒子（２）によって作られた磁気反応場（Ｂ₂）を測定するためのＧＭＲセンサー（１２）に関する。磁気センサー要素（１２）を、校正用磁界（Ｂ₃）で磁性粒子（２）を飽和することにより校正することができる。このように磁気センサー要素（１２）上の励磁磁界（Ｂ₁）の直接（漏話）作用を、磁性粒子（２）のかく乱寄与無しに決定することができる。
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【課題】 ＭＲ比が大きく磁歪が最小限となるような磁気トンネル接合素子を得る。
【解決手段】 ＭＲＡＭ等に用いられるＭＴＪエレメント３６において、ＮｉＦｅからなるフリー層５０の上に形成されたキャップ層５４を、非磁性のＮｉＦｅＸ層５１およびＴａ層５２からなる２層構造とする。あるいは、キャップ層５４を、ＮｉＦｅＸ層、Ｔａ層およびＲｕ層からなる３層構造とする。元素Ｘは、ＮｉおよびＦｅよりも酸化電位が大きい元素（Ｍｇ、Ｈｆ、Ｚｒ、ＮｂおよびＴａ等）である。ＮｉＦｅＸ層５１は、ＮｉＦｅターゲットおよびＸターゲットの並列スパッタリングにより形成する。ＭＲＡＭ用途の場合、元素ＸをＭｇとし、ＮｉＦｅＭｇ層中のＭｇ含有量が５０原子％以上になるようにすると、フリー層５０から酸素を除去する酸素ゲッタリングパワーが増大する。 （もっと読む）

【課題】強い磁界が加わった場合におけるオフセットの動きを抑制することができ、その結果、耐強磁界特性を向上させることができる磁気センサを提供する。
【解決手段】本発明の磁気センサ１は、石英基板２上に、磁気抵抗効果素子３１と磁気抵抗効果素子３１の両端に接続される永久磁石膜３２、３２とからなるＧＭＲ素子１１〜１４、２１〜２４を形成し、これら磁気抵抗効果素子３１、３１，…により２軸方向の磁界の大きさを検出するもので、磁気抵抗効果素子３１のピンド層のピン止めされた磁化の向きと、磁気抵抗効果素子３１の長手方向とは、４５°の角度をなすとともに、ピンド層のピン止めされた磁化の向きは、永久磁石膜３２、３２の着磁後の磁化の向きと同じであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ベース基板両面のセンサ感度がともに高く、それぞれの感度特性が安定し、薄型の磁気センサの提供を図る。
【解決手段】磁気センサ３１は、磁電変換素子３と、磁電変換素子３を主面側に搭載するベース基板２と、磁性体部材１９と、磁電変換素子３を封止するモールド樹脂４と、を備える。磁性体部材１９は磁性体材料を含むベース基板２とともに集磁効果を高める。磁電変換素子３は、磁電変換素子基板３Ａと、磁電変換素子基板３Ａの一方の主面に形成した薄膜感磁部３Ｂと、を備える。磁電変換素子３のバンプ電極７は、ベース基板２の接続電極５にバンプ接合し、磁電変換素子３の薄膜感磁部３Ｂをベース基板２に対向させる。 （もっと読む）

【課題】単一の基板上に三次元方向に交差するように配置された磁気抵抗効果素子を有する磁気センサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の磁気センサは、異なる感度方向をもつ同一の３個以上の磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子が配設される単一基板と、前記磁気抵抗効果素子を構成する磁気抵抗効果膜の磁化の向きが、互いに三次元方向に交差するように形成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】耐環境性に優れる磁気センサを提供する。
【解決手段】基板１１上にスピンバルブ型の磁気抵抗効果素子１２が配され、磁気抵抗効果素子１２の両端部には永久磁石膜からなるバイアス磁石層１４がそれぞれ接続されており、磁気抵抗効果素子１２およびバイアス磁石層１４の上面１４ａを被覆するように保護膜１７が設けられた磁気センサ１０において、磁気抵抗効果素子１２の両端部の下面１２ａが、バイアス磁石層１４の上面１４ａの略全域を覆うように、磁気抵抗効果素子１２を設ける。バイアス磁石層１４の周縁部において、保護膜１７側から磁気抵抗効果素子１２を見たとき、磁気抵抗効果素子１２の両端部の側面と、バイアス磁石層１４の側面との間隔が３μｍを超えないようにする。 （もっと読む）

【課題】高い周波数領域での検波や整流が可能な、高温でも安定して動作する、検波素子等に応用可能な細線を提供する。
【解決手段】本発明の細線は、導電性を有する強磁性体から成り、厚みが供給される高周波電力に応じたスキンデプスの10倍以下の細線である。細線内の磁気モーメントが不揃いである状態とし、該細線に所定の高周波電力を供給すると、該高周波電力の周波数が所定の共鳴周波数となった時に直流電圧が出力される。このとき、細線のインピーダンスも変化するため、本発明の強磁性細線を伝送路や伝送フィルタとしての利用も可能である。検波素子としての利用に限らず、RFIDのタグ、伝送路、伝送フィルタ、磁場センサ等に直ちに応用可能である。また、極めて単純な構造であるため、製造コストも低廉となり、動作の安定性も高い。 （もっと読む）