【課題】感度および製造歩留まりがともに高い磁気センサを提供する。
【解決手段】磁気センサ１０は、磁性体を含む物体５の移動にともなう磁界分布の変化を検知するためのものであって、磁気抵抗効果膜１２と、磁界を発生する機構８とを備えている。磁気抵抗効果膜１２は、変曲点ＩＰを有する磁気抵抗曲線ＭＪにしたがう磁気抵抗効果を有している。磁界を発生する機構８は、物体５と磁気抵抗効果膜１２とを含む領域に磁界分布を形成するためのものである。磁界を発生する機構８は、磁界分布の変化にともない変化する磁気抵抗効果膜１２中の磁界の強さが変曲点ＩＰにおける磁界の強さよりも小さくなるように磁界を発生する。 （もっと読む）

【課題】 特に、磁石と磁気抵抗効果素子を有する非接触式の磁気センサとを備え回転方向を検知できる回転検出装置を提供することを目的としている。
【解決手段】 基準状態では、固定部側である磁気センサ１３は回動部１０の回動中心から重力方向上に配置され、回動部１０に支持された磁石１１，１２は、回動中心から磁気センサ１３の左右両側に離れた位置に配置されている。基準状態から時計方向あるいは反時計方向の回転に伴って回動部１０が重力方向に向けて回動して重力方向に一定の姿勢を保つ。このとき、磁気センサ１３の磁石１１，１２との相対位置が近づくことで磁気センサ１３が磁石から外部磁界を受けて磁気抵抗効果素子の電気抵抗値が変化し、この電気抵抗変化に基づく磁気センサ１３からの出力により回転方向を知ることができる。 （もっと読む）

【課題】磁性粒子を磁気抵抗効果素子の近傍へ集め、且つ磁気抵抗効果素子の安定性を向上させる。
【解決手段】磁気センサは、基板１０４と、磁気抵抗効果素子１０３と、磁界印加手段と、を備えている。磁気抵抗効果素子１０３は基板１０４の表面に設けられている。磁気抵抗効果素子１０３は多層膜から成り、その膜面は基板１０４の表面と平行になっている。磁界印加手段は、複数の導線を互いに平行に配置してなる第１の導線群１０１と、複数の導線を互いに平行に配置してなる第２の導線群１０２と、を有している。第２の導線群を成す各導線は、第１の導線群の導線と交差する方向に沿っている。第１及び第２の導線群１０１，１０２は基板１０４中に設けられている。また各導線は、基板表面１０６に対して平行に設置されている。すなわち、導線は磁気抵抗効果素子１０３の膜面と平行に設置されている。 （もっと読む）

【課題】低磁界を、高感度に検出し、かつ低消費電力動作が可能な磁気センサおよびその動作方法。
【解決手段】フルブリッジ構成の磁気抵抗素子Ｒ１〜Ｒ４と、磁気抵抗素子Ｒ１〜Ｒ４の長手方向と平行に配置され、相反する２方向のバイアス磁界を磁気抵抗素子Ｒ１〜Ｒ４に印加するバイアス磁界発生用コイル１８とを備え、バイアス磁界発生用コイル１８のバイアス電流を制御して、感度および検出範囲を可変にする磁気センサ４０およびその動作方法。 （もっと読む）

【課題】ゲインを大きくすると共に、測定誤差を低減することが可能な磁界測定方法及び磁気センサを提供する。
【解決手段】磁化自由層３、非磁性層５、及び磁化固定層７を積層した積層体２を有し、長手方向を有する磁気抵抗効果素子１４と、磁界を発生する磁界印加手段２２とを備え、磁化固定層７の磁化方向７Ｍは、磁化自由層３の長手方向と４５度以下の角度を成す方向に固定され、磁界印加手段２２が発生する磁界は、磁化自由層３の長手方向と４５度以下の角度を成す磁気センサ５０を準備する工程と、磁界印加手段２２によって磁化自由層３の磁化を飽和させ、磁化自由層３をその長手方向に沿った一方の方向に磁化する磁界印加工程と、磁化自由層３に対して、その長手方向に沿った他方の方向に外部磁界を印加することによってその強度を測定する磁界測定工程とを有することを特徴とする磁界測定方法。 （もっと読む）

【課題】
３次元磁気センサの小型化、薄型化を図るために、高さの小さいＺ軸用マグネトインピーダンスセンサ素子を提供すること。
【解決手段】
Ｚ軸用マグネトインピーダンスセンサ素子は、非磁性体からなる基板と磁性アモルファスワイヤと磁性アモルファスワイヤ被覆絶縁体と磁性アモルファスワイヤ被覆絶縁体の周囲に形成された検出コイルと、これらを被覆する矩形状の素子絶縁体とを有し、素子絶縁体の端面に電極端子を有するものである。 （もっと読む）

【課題】ＧＭＲ膜を用いた薄膜磁気センサにおいて、高磁界と低磁界の双方を適切な分解能で同時に測定することが可能な磁気センサを提供すること。
【解決手段】巨大磁気抵抗効果を有するＧＭＲ膜と、前記ＧＭＲ膜の一端に電気的に接続された第１軟磁性材料からなる第１薄膜ヨークと、前記ＧＭＲ膜の他端に電気的に接続された第２軟磁性材料からなる第２薄膜ヨークとを備え、前記第１薄膜ヨークは、見かけの透磁率が前記第２薄膜ヨークとは異なる薄膜磁気センサ。 （もっと読む）

【課題】センサーが平面に配置していても、磁界の平面以外のＺ軸方向のベクトル成分を検知可能とする。
【解決手段】Ｓｉ基板１に、四面の逆ピラミッド構造を有する傾斜面２を設ける。基板１の平面には、フリー層とピン層を持ち、その磁化状態に応じた検知出力を発生させるトンネル型磁気抵抗素子（ＴＭＲ素子）３を設ける。フリー層の上部と傾斜面上に、磁界の大きさに応じて磁化されるパーマロイ膜４を配置する。 （もっと読む）

【課題】ＭＲ素子を用いた磁界強度センサにおいて、交換時の保守を容易とするとともに、交換に要する費用を低減し、多種多様な検査工程や測定対象にも対応可能とする。
【解決手段】狭小な幅で先端１３から基端１４に向けて延長する可撓性基板１１の先端側上面に基板の幅方向に延長するように細線状に形成された磁気抵抗薄膜１５と、基板先端側から磁気抵抗薄膜上を横断して基端側へ延長するとともに、末端が所定の形状となるように形成された少なくとも２本以上の導電パターンからなるリード配線１６とを備えたプローブ部１０と、先端から基端に向けて延長する棒状で、リード配線の末端パターン形状に対応する電気接点が形成されて基板の基端を着脱自在に保持するコネクタ２２と、電気接点に接続されてプローブ部と外部の電気回路との信号を仲介するための配線ケーブル２５とを備えたプローブ保持部とによって構成される磁界強度センサ１としている。 （もっと読む）

【課題】微小な磁場の印加でも、高い磁気抵抗変化率を得ることができる、強磁性セラミック組成物を提供する。
【解決手段】磁気抵抗素子１の磁気抵抗素体２として有利に用いられるものであって、Ｓｒ_２Ｃａ_ｘＦｅ_ｙＭｏＯ_６で示される強磁性セラミック組成物。低温（たとえば液体窒素温度）で用いられる場合には、０．０３≦ｘ≦０．２、０．８≦ｙ≦０．９９、およびｘ＋１．４ｙ≧１．２２の各条件を満たし、常温で用いられる場合には、０．０５≦ｘ≦０．２、０．９５≦ｙ≦０．９９、およびｘ−２．５ｙ≧−２．２２５の各条件を満たすようにされる。この強磁性セラミック組成物は、Ｓｒ_２ＦｅＭｏＯ_６のダブルペロブスカイト構造の基本組成に対して、ＢサイトのＦｅを理論組成値よりも所定の範囲減らしながら、Ｃａを添加することにより、このＣａをＢサイトに導入しながら、Ｃａの一部を結晶粒界に析出させたものである。 （もっと読む）

【課題】磁気特性の温度補償を容易に行うことができ、温度が変化しても出力電圧に影響を及ぼすことが無く、電気抵抗の抵抗値を制御することができ、さらには、加工性が良く、歩留まりを向上させることができる磁気センサを提供する。
【解決手段】感磁部の両端部に電極を設けてなる磁気抵抗素子を４個、電極部を介してブリッジを構成し、このブリッジのうち一方の対向する電極部間に直流電圧を印加し、他方の対向する電極部間の抵抗値の変化から磁界の変化を検出する磁気センサにおいて、これらの磁気抵抗素子のうち少なくとも一つの磁気抵抗素子１１は、強磁性薄膜からなる曲率半径ｒの半円状の感磁部１２と、この半円状の感磁部１２の両端部にそれぞれ設けられた導電性薄膜からなる電極１３、１４とにより構成されている。 （もっと読む）

【課題】従来よりも構成が簡単であり、全体の形状の小型化を図ることができ、製造コストの低い磁気センサ、及び、そのような磁気センサを用いた磁場強度測定方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る磁気センサ５０は、磁化自由層３と、非磁性層５と、磁化固定層７とがこの順に積層された積層体２を有し、その積層方向と垂直な一方向を長手方向とする磁気抵抗効果素子１４と、磁気抵抗効果素子１４と積層方向に離間するように磁気抵抗効果素子１４に絶縁層１８を介して設けられ、電流が供給されることにより磁場を発生させる電流経路層２２とを備え、電流経路層２２は、積層方向から見て磁気抵抗効果素子１４の長手方向と０度以上４５度以下の角度をなす方向に沿って伸びている。 （もっと読む）

【課題】より大きなＭＲ変化率を実現できる磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】磁化方向が実質的に一方向に固着された磁化固着層と、磁化方向が外部磁界に対応して変化する磁化自由層と、前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に設けられた中間層と、前記磁化固着層または磁化自由層の上に設けられたキャップ層と、前記磁化固着層中、前記磁化自由層中、前記磁化固着層と前記中間層との界面、前記中間層と前記磁化自由層との界面、および前記磁化固着層または磁化自由層と前記キャップ層との界面のいずれかに設けられ、酸素または窒素を含有する材料で形成された機能層とを含む磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜の膜面に垂直に電流を流すための一対の電極とを有し、前記機能層の結晶配向面が、その上または下の隣接する層の結晶配向面と異なることを特徴とする磁気抵抗効果素子。 （もっと読む）

【課題】より大きなＭＲ変化率を実現できる磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】磁化方向が実質的に一方向に固着された磁化固着層と、磁化方向が外部磁界に対応して変化する磁化自由層と、前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に設けられた中間層と、前記磁化固着層または磁化自由層の上に設けられたキャップ層と、前記磁化固着層中、前記磁化自由層中、前記磁化固着層と前記中間層との界面、前記中間層と前記磁化自由層との界面、および前記磁化固着層または磁化自由層と前記キャップ層との界面のいずれかに設けられた機能層とを含む磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜の膜面に垂直に電流を流すための一対の電極とを有し、前記機能層は、Ｆｅ含有量が５原子％以上である金属材料と窒素とを含有する層からなることを特徴とする磁気抵抗効果素子。 （もっと読む）

【課題】ＩＣチップ化された高感度磁気センサを、ケーブル等の被測定対象に流れる電流測定用に応用したＩＣチップ形電流センサを提供し、小形化と大幅な感度向上を図る。
【解決手段】被検出電流によって発生する磁界の検出により被検出電流を検出するようにした電流センサにおいて、磁気抵抗素子Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４で構成したブリッジ回路７と、該ブリッジ回路７の磁気抵抗素子Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４を磁化するセット／リセットコイル８と、該ブリッジ回路７の出力電圧調整用オフセットコイル９とを備えたＩＣチップから成る磁気センサ１０を用い、上記ブリッジ回路７の電圧出力で上記出力電圧調整用オフセットコイル９を付勢するフィードバック回路Ｆ′を形成し、該出力電圧調整用オフセットコイル９を被検出電流によって発生する磁界を常に略ゼロに近づくように制御するフィードバックコイル１７として転用したＩＣチップ形電流センサ。 （もっと読む）

【課題】 真空内に配置しても排気初期でのベーキングにて速やかに目標の到達真空度までガス放出速度を低減できる真空用封止樹脂および真空用機器を得る。
【解決手段】 本発明の真空用封止樹脂は、エポキシ樹脂に充填材を配合したもので、この充填材は、粒子径が０．５μｍ〜２ｍｍのポリオレフィン、フッ素樹脂またはそれらの混合物を少なくとも１種であり、その配合率を３０Vol％〜７０Vol％としたものである。また、真空用封止樹脂を用いた真空用機器は、磁性材料、電気配線、コイル、電子部品、絶縁材料またはそれらを組み合わせた部品をケースやフレームなどの金属枠内に備え、真空用封止樹脂を封入したものである。 （もっと読む）

【課題】 固定抵抗素子及び磁気抵抗効果素子の抵抗変化温度係数（ＴＣＲ）を従来に比べて等しくでき、また、抵抗値を合わせ込む必要ない等、前記固定抵抗素子を従来よりも簡単に製造できる磁気センサを提供することを目的とする。
【解決手段】 固定抵抗素子４、５は、磁気抵抗効果素子２，３と同じ素子部１２を備え、前記素子部１２の固定磁性層の固定磁化方向は、素子長さ方向（Ｙ方向）に向けられている。固定抵抗素子を構成する素子部１２の上方には間隔を空けて、幅寸法Ｗ２が素子部１２の素子幅Ｗ１よりも大きく前記素子部１２の素子幅の両側から素子幅方向に延出する延出部を備えるとともに、長さ寸法Ｌ２が前記素子長さＬ１よりも大きく前記素子部１２の素子長さ方向の両側から素子長さ方向に延出する延出部を備え、且つ前記長さ寸法Ｌ２が前記幅寸法Ｗ２よりも大きい第１軟磁性体２３が配置されている。 （もっと読む）

【課題】垂直磁化膜を磁気センサやメモリデバイスとして利用する場合、その磁化反転磁界を低減することが重要である。また、垂直磁化膜と関連して作製される均一な絶縁膜等を必要としない構成が重要である。
【解決手段】磁気センサやメモリデバイスに利用される電流磁気効果素子は、非導電性の基板１０と、膜面に垂直な方向に磁気異方性を有する第１磁性層１１と、第１磁性層１１の上に形成された強磁性体の第２磁性層１２を有する。第２磁性層上には、２点間で電流を流すために電流電極１４ａと１４ｂが配置され、電流を流す方向と直角方向の別な２点間でホール電圧を検出するために電圧電極１５ａと１５ｂが配置される。 （もっと読む）

【課題】室温で動作する薄膜磁界センサにより心磁界を計測する手段を提供する。
【解決手段】誘電体基板をミアンダ型導体と地導体ではさんだ構造の伝送線路と、ミアンダ型導体に電気的絶縁層を介して配置した軟磁性薄膜と、該軟磁性薄膜へバイアス磁界を印加し心臓近傍の体表面に配置するバイアスコイルと、ＤＭＴＤ法による位相差計測回路もしくは時間差計測回路により構成される磁界センサを組み合わせることにより心磁界を計測できる。 （もっと読む）

【課題】面内におけるいかなる方向の外部磁場に対しても応答を示し、かつ外部磁場の方向を検出可能で、スイッチ素子として利用可能な薄膜磁気抵抗素子を提供すること、及びこれを用いた実用的な薄膜磁気センサを提供すること。
【解決手段】薄膜磁気抵抗素子については、絶縁基板１上に形成された内側軟磁性膜２、外側軟磁性膜３、薄膜磁気抵抗素子４及び必要な配線５を有し、内側軟磁性膜２の外縁部と外側軟磁性膜３の内縁部との間の間隙６内に磁気抵抗効果膜４が形成され、外側軟磁性膜３は、互いに直交する方向に形成された切欠部７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄにより、４個の扇状外側軟磁性膜３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄに分割されているという構成にする。薄膜磁気センサについては、この薄膜磁気抵抗素子を可変抵抗部とするブリッジ回路を組むという構成にする。 （もっと読む）