【課題】コンパクトな構成でありながら磁場の検出性能に優れ、かつ容易に製造可能な磁気センサを提供する。
【解決手段】第１から第４のＭＲ素子を構成する積層体１１，２１，３１，４１は、信号磁場に応じて磁化Ｊ６１の向きが変化する磁化自由層６１と、非磁性の介在層６２と、磁化固着層６３と、を順にそれぞれ含むものである。磁化固着層６３は、非磁性の結合層６３３を介して交互に積層されて互いに反強磁性結合する第１および第２の強磁性層６３１，６３２をそれぞれ１つまたは複数有する。但し、第１および第３のＭＲ素子を構成する積層体１１，３１における磁化固着層６３は、第１の強磁性層６３１を第２の強磁性層６３２よりも１つ多く含み、第２および第４のＭＲ素子を構成する磁化固着層６３は、磁化自由層６１の側から順に第２の強磁性層６３２と第１の強磁性層６３１とを同数ずつ含む。 （もっと読む）

【課題】検出方向の指向性が小さく、検出感度が高い近接センサ及びそれを用いた磁気検出装置を提供すること。
【解決手段】この近接センサ１３は、第１フリー磁性層４１と、第１フリー磁性層４１上に設けられる非磁性層４２と、非磁性層４２上に設けられる第２フリー磁性層４３と、を有する磁気抵抗効果素子を備える近接センサ１３であって、磁気抵抗効果素子は、磁化容易軸方向を磁界印加方向に対して略平行に配向した。また、磁気ヨーク１０３、１０４をセンサ面１０１上に設けることにより、更に検出感度が向上した。 （もっと読む）

【課題】オフセット電圧のバラツキを低く抑えることができる磁気センサのセンサパターン配置構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板２の表面には、センサエレメントをブリッジ状（ホイートストーンブリッジ）に組んだセンサパターン１０が複数（本例は１０ａ，１０ｂの２つ）設けられている。第１センサパターン１０ａは、磁気抵抗１１〜１４からなる。第２センサパターン１０ｂは、磁気抵抗２１〜２４からなる。本例の磁気センサ１は、基板２の中心線Ｌａ，Ｌｂに対して磁気抵抗１１〜１４，２１〜２４の基準線Ｋa1〜Ｋa4，Ｋb1〜Ｋb4が全て斜めを向く配置状態に形成される。 （もっと読む）

【課題】 調整可能なグラフェンを用いた磁界センサを提供する。
【解決手段】 グラフェンセンス層を採用する磁界センサであって、センス層内を移動する電荷キャリアに作用するローレンツ力が、グラフェン層内を移動する電荷キャリアの経路に変化をもたらす。磁界の存在を示すこの経路の変化を検出することができる。センサは、非磁性の電気的絶縁材料によってグラフェン層から分離される１つまたは複数のゲート電極を含む。ゲート電極へのゲート電圧の印加により、グラフェン層の電気抵抗が変化し、このゲート電圧の印加を用いて、センサの感度および速度を制御することができる。 （もっと読む）

【課題】高感度でかつ小形化が可能な利点を生かしつつ幅広い用途で使用可能な磁気検出センサを提供する。
【解決手段】非晶質材料で形成された検出電極１１と、導電性材料で形成されて検出電極１１に近接して配置された励磁用電極１２と、励磁用電極１２に対して交流電流Ｉｈを供給する交流電流出力部１３と、励磁用電極１２に対して交流電流Ｉｈが供給されている状態における検出電極１１の両端部間の電位差Ｖｄを検出する検出部１４とを備えている。この場合、検出電極１１および励磁用電極１２を直線的な線状にそれぞれ形成すると共に、互いに平行またはほぼ平行となるように配置する。 （もっと読む）

【課題】磁気検出部材とバイアス磁界発生源の磁石との間に実装バラツキが存在していても、バイアス磁界のバラツキを低く抑えることができる磁気センサの部品配置構造を提供する。
【解決手段】磁気センサは、複数の検出素子８ａ〜８ｄを持つ磁気検出素子チップ２と、この磁気検出素子チップ２にバイアス磁界を印加する磁石３とを備える。そして、磁石３の発磁面幅Ｗａを検出素子８のパターン幅Ｗｂよりも大きく設定し、磁石３の発磁面長さＫ１を、検出素子８のパターン間隔Ｋ２よりも小さく設定する。 （もっと読む）

【課題】磁性膜又は反磁性膜をエッチングする際に発生するパーティクルの混入を抑制し、高性能なTMR素子を製造する方法を提供する。
【解決手段】炭化水素類、アルコール類、エーテル類、アルデヒド類、カルボン酸類、エステル類及びジオン類からなるガス化化合物群から選択された少なくとも一種のガス化化合物を０．５×１０^１７分子数／分・ｍ^２以上、好ましくは２×１０^１７分子数／分・ｍ^２以上の分子流速の条件下において形成したプラズマ雰囲気下で、磁性膜又は反磁性膜をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】 １チップ内に作製できる構造の磁気センサを提供する。
【解決手段】 基板11に磁気センサ素子12e〜12h(12i〜12l)から配線に接続するビア部と、この配線から外部に出力を取り出すパッド部とを備えるとともに、基板11上に複数の突部15を連続して備え、複数の突部15は２つの連続する傾斜面15a,15bを有しており、同じ角度で傾斜する一方の傾斜面15a上に磁気センサ素子12eが形成されていて、傾斜面15a上に形成された複数の磁気センサ素子12e-2,12e-3は傾斜面15a上に形成されたリードおよびこのリードに連続する他方の傾斜面15b上に形成されたリード12e-6,12e-7により直列に接続されており、リードは配線を介してパッドに接続されている。 （もっと読む）

【課題】スピンの散乱を抑制しつつ、良好なスピン伝導性及び電気抵抗特性を実現可能なスピン伝導素子を提供すること。
【解決手段】スピン伝導素子１００Ａは、半導体材料からなるチャンネル７と、チャンネル７上に第１絶縁層８１を介して配置された磁化固定層１２Ｂと、チャンネル７上に第２絶縁層８２を介して配置された磁化自由層１２Ｃと、チャンネル７上に配置された第１電極２０Ａ及び第２電極２０Ｄと、を備え、チャンネル７のうちの第１絶縁層８１との接触面を含む第１領域７１、第２絶縁層８２との接触面を含む第２領域７２、第１電極２０Ａとの対向面を含む第３領域７４、及び第２電極２０Ｄとの対向面を含む第４領域７５のキャリア濃度は、チャンネル７全体の平均のキャリア濃度よりも高いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 特に、固定磁性層及びフリー磁性層を有する磁気抵抗効果素子を用いて、従来に比べて高精度に原点検出を行えるようにした原点検出装置を提供することを目的としている。
【解決手段】 磁石１の中心１ｃが原点Ｐにあるとき、各磁気抵抗効果素子のフリー磁性層には水平磁場成分Ｈ１が作用するためフリー磁性層をその水平磁場方向に向かせることができ、磁化を安定化でき、ヒステリシスを十分に小さくでき、高精度な原点検出を行うことができる。そして前記磁石１の中心１ｃが、原点Ｐに位置したとき、差動出力がゼロになり、それ以外の時には差動出力が生じているため、差動出力の有無の判断により、原点検出を行うことができ、基準電圧設定回路が必要でない等、簡単な回路構成で、高精度な原点検出を行うことが可能である。 （もっと読む）

【課題】帰還回路を用いることなく直線性及び温度特性に優れたマグネトインピーダンス素子およびマグネトインピーダンスセンサを提供すること。
【解決手段】一様な磁界の計測に用いられるマグネトインピーダンス素子１０であって、線状に形成され、外部から作用する磁界により電磁気特性が変化するとともに、一端１ａ側から他端１ｂ側へパルス電流が流される感磁体１を備える。導電層３が、感磁体１の外面上に絶縁層２を介して設けられている。感磁体１の軸線方向における他端部１ｂに、感磁体１と導電層３とを電気的に接続する接続部４が設けられている。パルス電流が感磁体１に流れた際に、感磁体１に作用する外部磁界の強度に対応した誘起電圧を出力する検出コイル６が、導電層３の外周に巻き回されている。そして、感磁体１に流れるパルス電流の向きと、導電層３に流れるパルス電流の向きとが逆向きになる。 （もっと読む）

【課題】磁界の検出感度の高い磁気センサ及び磁界測定装置を提供する。
【解決手段】半導体（シリコン）基板上にＴａ層を形成し、その上にＣｏＦｅＢ層である磁化自由層５０、Ｃｕ層である導電金属層４０、ＣｏＦｅ層である磁化固定層３０、ＭｎＩｒ層である反強磁性層２０及びアルミニウム層１０、をこの順で積層した多層膜をリソグラフィで線幅３０［μｍ］、長さ２００［μｍ］のセンサ部７０を形成する。さらに、センサ部７０の、磁化自由層５０の磁化容易軸の方向と直角方向の両端に、幅６００［μｍ］、長さ６００［μｍ］の電極部６０，６１とを形成する。この磁気センサ５をブリッジ回路９０の１辺に配置し、発振器８０からブリッジ回路９０に交番電流を印加し、磁化自由層の磁壁を振動的に移動させ、外部磁界に対する抵抗変化をしやすくすることにより、磁気センサ５の感度を向上させる。 （もっと読む）

【課題】磁気センサ全体を小型化することができ、しかも、使用中だけでなく製造工程においてもＴＭＲ素子のＥＤＳ耐性が高い薄膜磁気センサを提供すること。
【解決手段】以下の構成を備えた薄膜磁気センサ。（１）薄膜磁気センサは、ツェナーダイオード型のｐｎ接合を備えたダイオード基板と、その表面に形成されたＴＭＲ素子とを備えている。（２）ダイオード基板は、ｐ型半導体層及びｎ型半導体層を備えた半導体層と、ｎ型半導体層に接続されるように半導体層の表面に形成された第１基板電極と、ｐ型半導体層に接続されるように半導体層の表面又は裏面に形成された第２基板電極と、半導体層の表面の内、第１基板電極及び第２基板電極を露出させる領域以外の領域に形成された絶縁膜とを備えている。（３）ＴＭＲ素子は、少なくともその一端が第１基板電極と電気的に接続されるように、絶縁膜の上に形成されている。 （もっと読む）

【課題】磁気センサとして感度が高く、測定レンジの大きなＭＩセンサを提供する。
【解決手段】本発明のマグネトインピーダンスセンサは、零磁歪となる軟磁性合金のアモルファスからなる感磁ワイヤと前記感磁ワイヤの周囲に絶縁物を介して検出コイルを有し、前記感磁ワイヤに高周波電流を印加することで、外部磁場に応じて検出コイルより発生する電圧を検出するマグネトインピーダンス素子と、前記マグネトインピーダンス素子に高周波電流を供給する電流供給装置と、検出コイルからの出力を信号処理する信号処理回路を有するマグネトインピーダンスセンサにおいて、前記感磁ワイヤは少なくともワイヤの円周方向にスピン配列した表面層を有し、前記高周波電流は０．３以上、１．０ＧＨｚ以下の周波数を有する。 （もっと読む）

【課題】磁化率または飽和磁束密度が異なる複数種類の磁気情報のそれぞれを確実に検出できる磁気センサを実現する。
【解決手段】磁気センサ１の磁気検出部１０は筐体１１の天面付近に配置された磁気抵抗素子ＭＲ１及び抵抗素子Ｒ１と、これらの配置領域にバイアス磁界を印加する磁石１２を備える。この際、磁気抵抗素子ＭＲ１の感度のみによって設定される磁気検出信号Ｖｏｕｔ１の極大となる磁束密度が磁気抵抗素子ＭＲ１へ印加されるように設定する。例えば、バイアス磁界を１５０ｍＴよりも高く設定する。より詳細には、この設定するバイアス磁界は、被検出体９００の磁気パターン９０１，９０２の磁化率または飽和磁束密度に基づき、１５０ｍＴより高く４５０ｍＴ以下に設定する。 （もっと読む）

【課題】磁化自由層、磁化固定層、及びトンネル絶縁層の金属原子がチャンネル層へ拡散することを抑制し、良好な特性を有するスピン伝導デバイスを提供すること。
【解決手段】スピン伝導デバイス１００は、チャンネル層と、チャンネル層上に設けられ、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化亜鉛、及び酸化ベリリウムのうちのいずれか一つを含む金属酸化物層８と、金属酸化物層８上に設けられた酸化マグネシウム層９と、酸化マグネシウム層９の第一の部分上に設けられた磁化自由層１２Ｃと、酸化マグネシウム層９の第二の部分上に設けられた磁化固定層１２Ｂと、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 磁気センサの素子面上に保護金属カバーを備えた磁気センサ組立体において、
磁気センサの磁気抵抗効果素子を形成する抵抗ブリッジの中点電位差が環境温度の影響を
受けて大きく変化し、設計値に対してオフセットを生じる。
【解決手段】 保護金属カバーのうち磁気抵抗効果素子と対向する面の一部を薄肉化して
凹部を形成する。磁気抵抗効果素子と保護金属カバーとの間隔が局部的に広くなることで
、環境温度の影響を受けて保護金属カバーと磁気センサの素子面との対向状態が変化して
も、磁気抵抗効果素子内の温度分布が不均一になり難く、中点電位差が変化しにくい磁気
センサ組立体となる。 （もっと読む）

【課題】オフセット電圧の補正を使用時の状況に応じて設定する必要が無く、且つ十分な電圧レベルの検出信号を得ることができる磁気センサを実現する。
【解決手段】磁界変化検出部１０は、磁気抵抗素子ＭＲ１と抵抗素子Ｒ１との直列回路からなり、被検出体の搬送による磁気抵抗素子ＭＲ１の通過磁束密度の変化に応じた磁界変化検出信号Ｖｏｕｔψを出力する。積分部２０は、磁界変化検出信号Ｖｏｕｔψを積分処理してなる積分信号ＶｏｕｔＩを生成する。ここで、磁界変化検出信号Ｖｏｕｔψは定電圧となるオフセット成分と磁界の変化に応じた有効変動成分とからなり、有効変動成分は極短い期間で発生するので、積分信号ＶｏｕｔＩは、磁界変化検出信号Ｖｏｕｔψのオフセット成分に相当する。差動増幅部３０は、磁界変化検出信号Ｖｏｕｔψと積分信号ＶｏｕｔＩとを差増増幅することで、オフセット成分の除去されたセンサ検出信号Ｖｏｕｔを出力する。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗素子やトランスデューサ素子を用いたブリッジ回路では信号出力にオフセット電圧が発生し、計測精度が低下するという課題があった。
【解決手段】磁気抵抗素子やトランスデューサ素子を用いたブリッジ回路では信号出力にオフセット電圧が発生し、計測精度が低下するという課題があったので、磁気抵抗素子やトランスデューサ素子で構成するハーフブリッジをそれぞれ異なる励起電圧で励起することでオフセット電圧を除去し、計測精度を向上させた。 （もっと読む）

【課題】 特に、外部磁界の磁界強度変化に対する磁界検知信号を従来に比べて簡単に生成でき、また集積回路の標準化を可能とした磁気検出装置を提供することを目的としている。
【解決手段】 第１直列回路の第１出力取り出し部から得られる第１の出力波形Ａと、第２直列回路の第２出力取り出し部から得られる第２の出力波形Ｂは、（＋）方向の外部磁界Ｈが第１の磁界強度Ｈ１のとき、及び、（−）方向の外部磁界Ｈが第２の磁界強度Ｈ２のときに夫々交わり、前記第１の磁界強度Ｈ１及び前記第２の磁界強度Ｈ２よりも大きい磁界強度のときと、前記第１の磁界強度Ｈ１及び第２の磁界強度Ｈ２よりも小さい磁界強度のときとで、前記第１の出力波形Ａと前記第２の出力波形Ｂとの出力値の大小関係が反転する。これにより外部磁界の磁界強度変化に対する磁界検知信号を従来に比べて簡単に生成できる。 （もっと読む）