【課題】チップ面積を増大させることなく電流検出精度を向上することができる半導体装置を得る。
【解決手段】半導体素子１はエミッタ電極７を有する。引き出し線１０は、エミッタ電極７に電気的に接続され、エミッタ電極７の上方を通ってサイドに引き出される。電流センサー１１は、磁気抵抗素子１２を有し、引き出し線１０に流れる電流を検出する。磁気抵抗素子１２は、エミッタ電極７上、かつ引き出し線１０の下方に配置されている。磁気抵抗素子１２の抵抗値は、電流により発生した磁界に対してリニアに変化する。 （もっと読む）

【課題】 磁界の強度の影響を排除し、該磁界の向きを角度として正確に検出し得る磁気センサを提供する。
【解決手段】 第１のセンサ部１２０は、測定対象である磁界により磁化飽和する１以上の磁気抵抗効果素子を含み、磁界の向きに応じた角度信号Ｖ１，Ｖ２を出力する。第２のセンサ部１３０の磁気抵抗効果素子３０は、測定対象である磁界Ｂにより磁化飽和しないから、その特性上の不飽和領域、すなわち、磁界の強度変化に対して出力電圧が線形に変化する領域において磁界の強度を検出することができる。本発明に係る磁気センサは、強度信号Ｖ３に従って角度の算出値を補正するから、測定対象である磁界Ｂの強度Ｈに依存する角度誤差を低減し、正確に磁界の向きを角度として検出することができる。 （もっと読む）

【課題】従来よりも高いＭＲ比を持った磁気抵抗素子とその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、磁気ディスク駆動装置の磁気再生ヘッド、磁気ランダムアクセスメモリの記憶素子及び磁気センサーに用いられる磁気抵抗素子、好ましくは、トンネル磁気抵抗素子（さらに好ましくは、スピンバルブ型トンネル磁気抵抗素子）に関し、基板、トンネルバリア層、Ｃｏ（コバルト）Ｆｅ（鉄）合金からなる強磁性層及びＢ（ボロン）を含有した非磁性金属層を有する磁気抵抗素子。 （もっと読む）

【課題】磁気センサによって生体情報を得るにあたって、コストやスペースを削減する。
【解決手段】磁気センサ（３２）には、特に液化ガスによる冷却を行わず、常温域で微弱な磁気計測が可能なＴＭＲ素子などを用い、かつその磁気センサ（３２）を生体２上に複数設ける一方、前記磁気センサ（３２）上を覆うように被覆部材４を設けて、磁気センサおよび被測定部を外部磁場からシールドする。したがって、従来の生体内の微弱電流の測定装置であるＳＱＵＩＤのような液化ガスによる冷却が不要になり、また部屋全体を磁気シールドする必要もなく、コストやスペースを大幅に削減することができるとともに、メンテナンスも格段に楽になる。さらにまた、前記ＳＱＵＩＤで必要な断熱部材が不要になり、センサと生体との距離を近付け、該ＳＱＵＩＤで見られるような位置ずれの発生を抑え、また磁場の交差も最小限に抑えられるので、位置分解能を向上することもできる。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で磁気の有無をヒシテリシス特性を付与して検出する。
【解決手段】ブリッジ回路３Ａは、４個の磁気センサ素子１Ａ，１Ｂ，２Ａ，２Ｂ、第１ラダー抵抗Ｒａ、第２ラダー抵抗Ｒｂ、第１選択部Ｘ１及び第２選択部Ｘ２とを備える。第１選択部Ｘ１と第２選択部Ｘ２とによって第１ラダー抵抗Ｒａ及び第２ラダー抵抗Ｒｂのノードを切り替える。判定回路２０は、外部磁界の磁界強度がヒシテリシス特性の変化点で区分けした場合、どの範囲に属するかを第１信号１０ａに基づいて特定し、特定結果と前回の検出信号ＤＥＴとに基づいて今回の検出信号ＤＥＴを生成する。 （もっと読む）

【課題】減少された大きさ、改善された精度、および／または改善されたダイナミックレンジを有する外部磁界センサ等を提供することを目的とする。
【解決手段】 集積回路（１０）は、磁界感知素子（３０）を支持する第１の基板（１４）および他の磁界感知素子（２０）を支持する第２の基板（２６）を備えることができる。第１および第２の基板は、様々な構成で配列されてもよい。他の集積回路は、その表面に配置された第１の磁界感知素子および第２の異なる磁界感知素子を備えることができる。 （もっと読む）

【課題】回転磁界の方向が基準方向に対してなす角度を検出する回転磁界センサにおいて、検出角度の誤差を低減する。
【解決手段】第１の検出部１０は第１および第２の検出回路１１，１２を有し、第２の検出部２０は第３および第４の検出回路２１，２２を有している。検出回路１２，２２の出力信号の位相は、それぞれ検出回路１１，２１の出力信号の位相に対して、信号周期の１／４の奇数倍だけ異なっている。検出回路２１の出力信号の位相は、検出回路１１の出力信号の位相に対して、信号周期の１／２の整数倍を除く信号周期の１／６の整数倍だけ異なっている。回転磁界センサは、検出回路１１，２１の出力信号に基づいて第１の信号を生成し、検出回路１２，２２の出力信号に基づいて第２の信号を生成し、第１および第２の信号に基づいて角度検出値を算出する。 （もっと読む）

【課題】磁気検出素子の設置箇所を少なくしながら、ノイズ磁界に起因した検出角度の誤差を低減する。
【解決手段】磁界発生部２は、第１の位置における第１の部分磁界ＭＦ１と第２の位置における第２の部分磁界ＭＦ２とを含む回転磁界を発生する。部分磁界ＭＦ１，ＭＦ２は、磁界の方向が互いに１８０°異なり且つ同じ回転方向に回転する。第１の検出部１０は、第１の位置において、主成分として第１の部分磁界ＭＦ１を含む第１の印加磁界の方向が第１の方向に対してなす第１の角度を検出する。第２の検出部２０は、第２の位置において、主成分として第２の部分磁界ＭＦ２を含む第２の印加磁界の方向が第２の方向に対してなす第２の角度を検出する。第１の角度の検出値と第２の角度の検出値に基づいて、回転磁界の、基準位置における方向が基準方向に対してなす角度の検出値が算出される。 （もっと読む）

【課題】新規な金属−絶縁体系ナノグラニュラー薄膜、及び、これを含むナノグラニュラー複合薄膜、並びに、これらを用いた薄膜磁気センサを提供すること。
【解決手段】Ｃｏ₂Ｆｅ(Ａｌ_1-xＳｉ_x)（但し、０＜ｘ＜１）で表される組成を有する強磁性粒子と、前記強磁性粒子の周囲に充填された絶縁材料からなる絶縁マトリックスとを備えた金属−絶縁体系ナノグラニュラー薄膜。ＭｇＯ、ＮｉＯ、ＳｉＯ₂又はＡｌ₂Ｏ₃からなるバッファ層と、前記バッファ層の表面に形成された本発明に係る金属−絶縁体系ナノグラニュラー薄膜とを備えたナノグラニュラー複合薄膜。本発明に係る金属−絶縁体系ナノグラニュラー薄膜又はナノグラニュラー複合薄膜を備えた薄膜磁気センサ。 （もっと読む）

【課題】検出精度が低下することを抑制するトンネル磁気抵抗素子の製造方法を提供する。
【解決手段】平面形状が所定方向に延設された細長形状とされたピン層４０およびトンネル層５０と、トンネル層５０の表面を露出させた状態で、ピン層４０およびトンネル層５０を囲んで配置された第１保護膜８１と、を有する積層体９０を基板１０上に形成する工程と、平面形状がトンネル層５０における延設方向と垂直方向の長さより長い直径を有する円形状であって、トンネル層５０が内部を通過すると共に、トンネル層５０における延設方向と垂直方向にトンネル層５０から突出した部分を有する形状のフリー層６０を積層体９０上に形成する工程と、フリー層６０を覆う第２保護膜８２を配置する工程と、を含む工程を行う。 （もっと読む）

【課題】従来のセンサとは別の動作原理に基づくMEMS技術を応用した新たな高感度センサを提供する。
【解決手段】磁性膜センサは、磁気歪を発生する矩形状の磁性膜を有し、磁性膜に磁気歪を発生させる磁気歪構造を有している。磁気歪構造は、例えば磁性膜を湾曲させて磁気歪を発生させるように構成されている。また、磁気歪構造は、例えば表面に凹部が形成された凹部付絶縁層を設け、その凹部を跨ぐようにして磁性膜を形成することによって得られる。磁性膜は、ＧＭＲ膜等に永久磁石バイアス層が積層され、その永久磁石バイアス層によって磁性膜の短手辺に沿った方向の磁界がＧＭＲ膜に加えられている。 （もっと読む）

【課題】高感度領域で動作させた場合であっても動作が安定する磁気式スイッチを提供すること。
【解決手段】本発明の磁気式スイッチは、感度軸方向からの外部磁界に対して抵抗値が変化する磁気センサと、磁気センサの抵抗変化に基づいて変化するセンサ出力に基づいて、検出信号を出力する制御手段と、を具備し、磁気センサは、特定の方向に感度軸を持つ磁気抵抗効果素子１と、感度軸の方向において磁気抵抗効果素子１を挟むように配置された磁気増幅膜３と、磁気抵抗効果素子１及び磁気増幅膜３が占める領域よりも広い領域で磁気抵抗効果素子１及び磁気増幅膜３と重なるように配置された磁気シールド膜４と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 特に、機器本体に交換可能に取り付けられる各アタッチメントを判別可能な磁気検出装置を提供することを目的としている。
【解決手段】 磁気センサと磁石とを有して構成される磁気検出装置において、磁気センサ及び磁石の一方は、機器本体部に取り付けられ、他方は、前記機器本体部に対して交換可能に取り付けられる複数の異なるアタッチメントに夫々取り付けられており、磁気センサは複数設けられ、前記磁石は、前記磁気センサに対して外部磁界が作用する位置に配置されており、複数の前記磁気センサに対する前記磁石の着磁状態が、各アタッチメントを前記機器本体部に取り付けた各取付状態で異なっており、複数の前記磁気センサからの出力の組み合わせに基づいて、前記機器本体部に取り付けられた各アタッチメントが判別可能とされていることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗変化率が充分大きいことと、ピン層の保磁力が充分大きく、フリー層の保磁力を小さくすることとが両立された磁気センサを提供すること。
【解決手段】基板１上に下地層２と、シード層３と、ピン層４と、トンネル障壁層５と、フリー層６と、キャップ層７と、がこの順に設けられてなり、前記フリー層６及び前記ピン層４は、一部または全部がアモルファス磁性材料からなる磁化固定層を有し、前記フリー層６及び／または前記ピン層４が有する磁化固定層は、前記トンネル障壁層５側から順に、アモルファス磁性材料層Ｂと、アモルファス磁性材料層Ａとを少なくとも備え、前記アモルファス磁性材料層Ｂが含有するアモルファス磁性材料ｂは、前記アモルファス磁性材料層Ａが含有するアモルファス磁性材料ａよりも、結晶化温度あるいは微細結晶化温度が低いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ａ相／Ｂ相又はＡ相とＺａ相／Ｚｂ相又はＺ相との位相差を小さくし、磁気抵抗効果素子を小型化して回転体の原点検出精度を向上させること。
【解決手段】Ａ相／Ｂ相又はＡ相検出用の磁気抵抗効果素子２１とＺａ相／Ｚｂ相又はＺ相検出用の磁気抵抗効果素子２２とは、同一基板上に同一形状で並設され、かつ運動体に対する配置方向が前記運動体の運動方向に垂直方向である。磁気抵抗効果素子２１ａと磁気抵抗効果素子２１ｂとの中点の端子電極２１ＡからはＡ相の信号が、磁気抵抗効果素子２１ｃと磁気抵抗効果素子２１ｄとの中点の端子電極２１ＢからＢ相の信号が出力される。また、磁気抵抗効果素子２２ａと磁気抵抗効果素子２２ｂとの中点の端子電極２２ＡからＺａ相の信号が、磁気抵抗効果素子２２ｃと磁気抵抗効果素子２２ｄとの中点の端子電極２２ＢからＺｂ相の信号が出力される。 （もっと読む）

【課題】ウエハの表面に対して垂直方向の磁界を容易に発生させることができ、測定精度を高めることができる磁気抵抗評価装置を提供する。
【解決手段】磁場発生手段１３が、載置台１２に載置された磁気抵抗素子を有するウエハの両面側に、それぞれ２対の電磁石２４と、電磁石２４の各対毎に、それぞれの電磁石２４の芯から連続して伸びて１本に収束するよう設けられた１対の磁路延長部材２５とを有している。磁場発生手段１３は、各対のそれぞれの電磁石２４の中心軸が互いに垂直に交わるよう配置されている。磁場発生手段１３は、各磁路延長部材２５の先端２５ａが、ウエハの両面側でウエハの表面に対して所定の間隔をあけて配置されるとともに、ウエハの反対面側に配置された各磁路延長部材２５の先端２５ａと、ウエハを挟んで対向するよう配置されている。 （もっと読む）

【課題】アライメント精度を高めて、磁気センサとしての磁場感度を高めるとともに、そのばらつきを低減して、安定した磁気特性を有する磁気センサの製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板３１上に複数の磁気抵抗効果素子を形成する素子形成工程と、磁気抵抗効果素子を形成したシリコン基板３１をマグネットアレイ４８に重ね、磁気抵抗効果素子に磁界を付与した状態で熱処理することにより、磁気抵抗効果素子を規則化する規則化熱処理工程とを備え、素子形成工程では、シリコン基板３１の一部にアライメントマーク３２を形成しておき、規則化熱処理工程では、マグネットアレイ４８にシリコン基板３１を重ね合わせ、赤外線光学系５１によって赤外線を照射し、シリコン基板３１を透過した赤外線によりマグネットアレイ４８のアライメントマーク４６を撮像しながらそのアライメントマーク４６にシリコン基板３１のアライメントマーク３２を位置決めする。 （もっと読む）

【課題】ＴＭＲ素子などのスピントロニクス素子を用いた磁気センサに関し、ノイズを低減し、かつ、高感度化を図ることができる磁気センサを提供する。
【解決手段】磁気抵抗素子群を用いた磁気センサ２０は、検知素子１０を直列に接続して磁気抵抗素子群８ａ、８ｂ、８ｃとし、これらを並列に配置してセル９として磁気抵抗素子群を連動する。基準抵抗１１を直列に配置することにより、磁気抵抗値の変化につれて出力変化を実現する。 （もっと読む）

【課題】磁束発生源との間の間隔が広くても磁気検知することができる、磁気抵抗効果素子を用いた磁気センサを提供すること。
【解決手段】本発明の磁気センサは、第１の方向に感度軸を持つミアンダ形状を有し、外部磁界に対して磁化変動する一対のフリー磁性層で非磁性層を挟持してなる積層構造を有する第１磁気抵抗効果素子、及び平面視において前記第１磁気抵抗効果素子を挟持するように配置された一対の軟磁性膜で構成された第１磁気検知素子と、前記第１の方向と異なる第２の方向に感度軸を持つミアンダ形状を有し、外部磁界に対して磁化変動する一対のフリー磁性層で非磁性層を挟持してなる積層構造を有する第２磁気抵抗効果素子、及び平面視において前記第２磁気抵抗効果素子を挟持するように配置された一対の軟磁性膜で構成された第２磁気検知素子と、が同一基板上に設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】磁束発生源との間の間隔が広くても磁気検知することができる、磁気抵抗効果素子を用いた磁気センサを提供すること。
【解決手段】本発明の磁気センサは、第１の方向に感度軸を持つミアンダ形状を有し、外部磁界に対して磁化変動する一対のフリー磁性層で非磁性層を挟持してなる積層構造を有する第１磁気抵抗効果素子、及び平面視において前記第１磁気抵抗効果素子を挟持するように配置された一対の軟磁性膜で構成された第１磁気検知素子と、前記第１の方向と異なる第２の方向に感度軸を持つミアンダ形状を有し、外部磁界に対して磁化変動する一対のフリー磁性層で非磁性層を挟持してなる積層構造を有する第２磁気抵抗効果素子、及び平面視において前記第２磁気抵抗効果素子を挟持するように配置された一対の軟磁性膜で構成された第２磁気検知素子と、が同一基板上に設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）