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Fターム[2G017AA10]の内容

磁気的変量の測定 (8,145) | 測定磁気量 (1,849) | 磁気抵抗 (272)

Fターム[2G017AA10]に分類される特許

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【課題】複数の磁気抵抗素子の温度を均一にできる構造の磁気センサを実現する。
【解決手段】基板11上には、磁気抵抗素子MR1を構成する感磁部121〜124と、磁気抵抗素子MR2を構成する感磁部131〜134とが形成されている。感磁部121〜124,131〜134は長尺状の半導体膜により形成されており、さらに感磁部121〜124の半導体膜上には導電性材料からなる短絡電極が長尺方向に沿って所定間隔で形成されている。感磁部121〜124,131〜134は、それぞれの長尺方向が平行に並び且つ近接するように形成される。この際、感磁部121〜124,131〜134は、磁気抵抗素子MR2の感磁部131,132、磁気抵抗素子MR1の感磁部121,122、磁気抵抗素子MR2の感磁部133,134、磁気抵抗素子MR1の感磁部123,124の順に配列されるように、形成される。 (もっと読む)


【課題】被検出体に複数の帯磁部が配列して備えられても、それぞれの帯磁部に応じて単純な波形が出力されるようにし、各帯磁部を正確に検出できる磁気センサ装置を実現する。
【解決手段】磁気センサ装置1は、磁気検出部10と差動増幅回路100とを備える。磁気検出部10は、磁気抵抗素子MR1,R1の直列回路と磁気抵抗素子R2,MR2の直列回路とが、並列接続されてなり、磁気抵抗素子MR1,R1によって出力電圧信号Vout−Aを生成し、磁気抵抗素子R2,MR2によって出力電圧信号Vout−Bを生成する。出力電圧信号Vout−Aと出力電圧信号Vout−Bとが差動増幅回路100により差動増幅されることで、帯磁部の検出信号である出力電圧信号Vout−Cが得られる。ここで、磁気抵抗素子MR1,MR2,R1,R2を構成する複数の感磁部は、帯磁部を備える被検出体の搬送方向に垂直な方向へ配列して設置される。 (もっと読む)


【課題】正磁界と負磁界を区別して検出可能であり、かつ、簡易な構成で低コストに製造することが可能な磁気スイッチを提供する。
【解決手段】磁気スイッチ10は、例えばスイッチング動作を行う集積回路(図示略)を備えた半導体基板11と、この半導体基板11の一面11a側に設けられ、面内方向に感磁方向を持つ磁気抵抗素子13と、半導体基板11の他面11b側に設けられ、磁気抵抗素子13に対してバイアス磁界を印加するバイアス磁石とを、少なくとも備えている。 (もっと読む)


【課題】煩雑な設計を行うことなく、用途に応じた切替位置、及び切替位置間の距離を容易に設定することができる磁気センサ及び磁気センサ装置を提供する。
【解決手段】スイッチ装置1は、磁界を発生する磁石3と、第1の切替位置21における角度が45°となる直線上に設けられたMRセンサ5Aと、を備えている。MRセンサ5Aは、磁石3が第1の切替位置21にあるとき、MRセンサ5Aを構成する磁気抵抗素子M1〜M4によって形成されたフルブリッジ回路からの出力が、ゼロになるよう構成されているので、切替位置に基づいて配置を容易に決めることができる。すなわち、スイッチ装置1は、用途に応じた切替位置を容易に設定することができる。 (もっと読む)


【課題】非接触によって、安定して4軸の操作位置を検出することができる4軸磁気センサを提供する。
【解決手段】ポジションセンサ1は、X軸支持部6に設けられたX軸磁石6Aと、Y軸支持部7に設けられたY軸磁石7Aと、操作部4に設けられたZ軸磁石4Aと、を有し、それぞれに対向するプリント配線基板3上に、X軸MRセンサ600と、Y軸MRセンサ700と、Z軸MRセンサ500と、を備えている。Z軸MRセンサ500は、印加された磁界に対して磁気抵抗値が飽和する第1の磁気検出部501によってZ軸周りの回転操作を検出し、飽和しない第2の磁気検出部504によってZ軸方向のプッシュ操作を検出する。ポジションセンサ1は、X軸MRセンサ600、Y軸MRセンサ700及びZ軸MRセンサ500から出力される出力信号に対して角度変換を行うので、温度変化の影響を受けない操作位置の検出を行うことができる。 (もっと読む)


【課題】検出対象が動作していないシステムスタート時でも確実に故障診断を行なうことができる磁気センサデバイスを提供する。
【解決手段】印加される磁界の方向に応じて抵抗値が変化する複数のMR素子をブリッジ状に接続し、抵抗値の変化に応じた検出信号を出力する検出回路10と、検出信号を増幅して出力する増幅回路20と、増幅回路20の入力端子に外部から所定の電圧を印加し、増幅回路20の出力を検出することにより正常に動作していることを診断するダイアグ端子を備えたダイアグ回路とを有する構成とする。ダイアグ端子(DIAG1、DIAG2)へ所定の電圧印加を行なうことで、磁気センサデバイス1の出力信号Vout1、Vout2に基づいて故障しているかどうかの判断を行なう。 (もっと読む)


【課題】入力信号が不定になることがなく、また、増幅ばらつきが少なく、温度特性に優れる磁気センサデバイスを提供する。
【解決手段】印加される磁界の方向に応じて抵抗値が変化する複数のMR素子をブリッジ状に接続し、抵抗値の変化に応じた検出信号を出力パッド111等から出力する検出回路10と、検出信号が入力される入力パッド221等を有し、入力された検出信号を増幅して出力する増幅回路20と、を有し、出力パッド111等と入力パッド221等がダブルワイヤボンディングで接続された構成とする。 (もっと読む)


【課題】 特に、DC耐圧性やESD耐性、磁気抵抗変化率の電圧依存特性に優れた100%以上の高い磁気抵抗変化率を有する磁気センサを提供することを目的とする。
【解決手段】 外部磁界に対して電気抵抗値が変動するTMR素子3を備える磁気センサ1であって、前記TMR素子3は、反強磁性層11、固定磁性層23、絶縁障壁層16、及びフリー磁性層24を順に積層して成り、前記絶縁障壁層16は、膜厚が16Å〜40ÅのMg−Oで形成されていることを特徴とするものである。また、TMR素子を構成する各層の界面と平行な面は、略円形状であり、直径が5μm〜100μmの範囲内であることが好ましい。またTMR素子3は、8個以上、直列接続されていることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】高価な設備、装置を必要とせず、製造効率に優れた高品質の磁気検出素子、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】アモルファス磁性材料22からなり、外部磁界Hによりインピーダンスが変化する感磁部20と、該感磁部20が取り付けられる基板10とを備える磁気検出素子であって、前記感磁部20の長手方向が、前記アモルファス磁性材料22の圧延方向および前記外部磁界Hの方向と平行となるように磁気検出素子を構成した。 (もっと読む)


【課題】電流注入位置や出力電圧検出位置の設計の自由度が高い磁気センサーを提供することを目的とする。
【解決手段】磁気センサーにおいて、基体1と、基体1上に設けられた非磁性導電層2と、非磁性導電層2の第一の部分及び基体1上に亘って設けられた磁化固定層3と、非磁性導電層2の第一の部分とは異なる第二の部分及び基体1上に亘って設けられた磁化自由層4と、磁化固定層3及び磁化自由層4のうちの少なくとも一方の層における非磁性導電層2と重なる部分上に設けられ、且つ一方の層の電気抵抗率よりも低い電気抵抗率を有する非磁性低抵抗層10a,10bと、を備える。 (もっと読む)


【課題】 検出感度の異方性を抑え、磁気的等方性を有し、検出感度も高く、且つ小型の磁気センサおよびそれを用いた回転角度検出装置を提供する。
【解決手段】 非磁性の中間層を介して2つの強磁性膜が積層されたスピンバルブ型磁気抵抗効果素子を用いた磁気センサであって、前記スピンバルブ型磁気抵抗効果素子は複数のリング型素子および/もしくはC字型素子が連なるとともに、前記複数のリング型素子および/もしくはC字型素子が全体的に屈曲もしくは屈折するように連なり、前記複数のリング型素子および/もしくはC字型素子が電気的に接続されている状態で通電され、外部磁場に対して前記スピンバルブ型磁気抵抗効果素子の電気抵抗が変化することを特徴とする磁気センサ。 (もっと読む)


【課題】400℃の熱処理プロセス後に、十分な反平行結合強度を有することで、高磁気抵抗素子の磁化自由層または磁化固定層に適用可能な、強磁性体/非磁性体/強磁性体の反平行結合膜構造体、その反平行結合膜構造体を用いたトンネル磁気抵抗素子および磁気デバイスを提供する。
【解決手段】強磁性体の一方は、CoFeB合金またはCoFe合金であり、他方はTa/Ru下地層上に成長した面心立方構造のCoFe合金またはNiFe合金であり、非磁性体がRuである。 (もっと読む)


【課題】 検出感度の異方性を抑えるため、磁気的等方性を有し且つ小型である磁気センサを提供する。
【解決手段】 非磁性の中間層を介して2つの強磁性膜が積層されたスピンバルブ型磁気抵抗効果素子を用いた磁気センサであって、前記スピンバルブ型磁気抵抗効果素子は複数のC字型素子がその外周部同士で連なった形状、若しくは複数のC字型素子がその開口部の一端同士で結合して連続的に連なる形状を有し、前記複数のC字型素子が電気的に接続されている状態で通電され、外部磁場に対して前記スピンバルブ型磁気抵抗効果素子の電気抵抗が変化することを特徴とする磁気センサ。 (もっと読む)


【課題】感度が高く、小型化を図ることができるマグネトインピーダンスセンサ素子を提供すること。
【解決手段】マグネトインピーダンスセンサ素子1は、基体2と、磁性アモルファスワイヤ3と、被覆絶縁体4と、検出コイル5と、端子搭載面61を有する端子台6と、端子搭載面61に形成したワイヤ用電極端子11及びコイル用電極端子12と、ワイヤ用電極端子11と磁性アモルファスワイヤ3に設けた一対のワイヤ通電端31とを電気的に接続するワイヤ用接続配線110と、コイル用電極端子12と検出コイル5に設けた一対のコイル通電端51とを電気的に接続するコイル用接続配線120とを有する。端子搭載面61は、その法線が磁性アモルファスワイヤ3の長手方向成分を有し、磁性アモルファスワイヤ3の長手方向における、磁性アモルファスワイヤ3の両端の間に配置されている。 (もっと読む)


【課題】 特に感度軸と直交する方向への磁気シールド効果を効果的に向上させることが可能な磁気センサ及び磁気センサモジュールを提供することを目的とする。
【解決手段】 磁気抵抗効果素子2、3を備えた磁気センサであって、前記磁気抵抗効果素子2,3は、磁気抵抗効果を発揮する素子部12を備え、感度軸方向(Y方向)である前記素子部12の両側方には、軟磁性体18が設けられており、前記感度軸方向に対し直交方向(X方向)の前記軟磁性体18の両側端部18bは、前記素子部12よりも前記直交方向に延出した位置にあり、前記両側端部18bの幅寸法は、前記両側端部を除く前記軟磁性体18の幅寸法に比べて大きい。 (もっと読む)


【課題】磁場センサまたはハードディスク内の読取ヘッドとして使用する磁気抵抗素子を得る。
【解決手段】磁気抵抗素子は第1および第2の端間を第1の方向に延び、シリコン等の非強磁性半導電性材料を含むチャネル(8)と、チャネルに接続されそれに沿って間隔がとられている複数のリード(12、12、12、12)と、チャネル内に反転層(25)を形成するように第1の方向に実質的に直角な第2の方向へ電場をチャネルに印加するゲート構造(13)と、チャネルの縁が面に沿って走るように構成された第1および第2の方向に実質的に直角である面(5)と、を含む。 (もっと読む)


【課題】 特に、接続パッドを小さく形成でき、また中点電位のずれを抑制することが可能な磁気センサを提供することを目的としている。
【解決手段】 磁界変化に対して電気特性が変化する磁気抵抗効果素子を備えたチップが複数個、基板上に搭載され、前記電気特性の変化に基づき、前記磁界変化が検知される磁気センサであって、各チップ22,23上には、前記磁気抵抗効果素子24の両端と接続する第1接続パッド25及び第2接続パッド26と、前記第1接続パッド25に接続されて延出形成された配線層32と、前記配線層32の端部に接続される第3接続パッド33とを有し、各チップ22,23の前記接続パッド間が電気的に接続されて前記磁気抵抗効果素子24と前記配線層32の配線抵抗を含む電気回路が構成されている。 (もっと読む)


【課題】熱圧着及び超音波ボンディングいずれの接合手法を採用した場合であっても、磁気抵抗素子の外部電極と外部端子の接合端部との間における充分な接合強度を確保することができる接合構造とされた磁気センサを提供する。
【解決手段】本発明にかかる磁気センサは、磁気抵抗素子1と、該磁気抵抗素子1の外部電極6に接合される接合端部7を有する外部端子2とからなるものであり、前記接合端部7は、スリット11を介して複数の接合片12に分岐させられたうえで前記外部電極6と接合されている。また、この際、スリット11を介して複数の接合片12に分岐させられた構造に代え、外部端子2の接合端部7を、複数の開口部13が形成されたものとしてもよい。 (もっと読む)


【課題】簡単で安価な方法で磁気抵抗素子と永久磁石との位置決め誤差を解消し、高精度でかつ小型化が可能な好適な磁気センサを提供すること。
【解決手段】検出対象物との間の相対的運動によって生じる磁界変化を検出する磁気センサにおいて、前記磁気センサは、基板と、この基板の表面に形成された磁気抵抗素子と、前記基板における前記磁気抵抗素子の形成面と反対面に形成された磁性体とを具備し、前記磁性体は、磁性粉と樹脂とを混合したものを前記基板の凹部に流し込んで硬化し、着磁したものからなる。 (もっと読む)


【課題】感度および製造歩留まりがともに高い磁気センサを提供する。
【解決手段】磁気センサ10は、磁性体を含む物体5の移動にともなう磁界分布の変化を検知するためのものであって、磁気抵抗効果膜12と、磁界を発生する機構8とを備えている。磁気抵抗効果膜12は、変曲点IPを有する磁気抵抗曲線MJにしたがう磁気抵抗効果を有している。磁界を発生する機構8は、物体5と磁気抵抗効果膜12とを含む領域に磁界分布を形成するためのものである。磁界を発生する機構8は、磁界分布の変化にともない変化する磁気抵抗効果膜12中の磁界の強さが変曲点IPにおける磁界の強さよりも小さくなるように磁界を発生する。 (もっと読む)


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