【課題】 製造プロセスが簡単で、小型化、低消費電力とすることのできるスピンバルブ型巨大磁気抵抗効果素子を用いた方位計を提供する。
【解決手段】 平行な対辺対を持った四辺形をした平面コイルと、それに平行な平面に設けられたスピンバルブ型巨大磁気抵抗効果素子２個からなるスピンバルブ型巨大磁気抵抗効果素子対４組とを有する方位計である。素子対の２個の素子はその長手方向が互いに直交し、平面コイルの同じ１辺あるいは対向する各１辺のみと４５度で交差している。その２個の素子の一方の固定層はその長手方向に磁化されており、他方の固定層はその一方の固定層の磁化と同じ向きに磁化されている。各素子対の素子の一方の端部同士が接続されている。他の端部間に測定用電圧をかけているときに、素子の端部同士を接続している端部から中点電圧を取り出して、方位を求める。 （もっと読む）

【課題】 ＣＰＰ型磁気検出素子において、特に固定磁性層自体の一軸異方性によって固定磁性層の磁化をＣＩＰ型磁気検出素子では成し得なかった構造で強固に固定できる磁気検出素子を提供することを目的としている。
【解決手段】 固定磁性層２３の上下を非磁性金属製の磁歪増強層２２，４０で挟む。本発明のようにＣＰＰ型磁気検出素子の構造であれば、ＧＭＲ効果を低下させることなく前記固定磁性層２３の上下面を非磁性金属製の第１磁歪増強層２２と第２磁歪増強層４０とで挟み込み、これによって前記固定磁性層２３の磁歪定数を上下方向から大きくすることが可能になり、磁気弾性効果がより適切に発揮されて前記固定磁性層２３を、より強固に磁化固定することが出来る。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗素子に印加される磁気ベクトルの角度ばらつきを好適に抑制することのできる磁気センサおよび回転検出装置を提供する。
【解決手段】この回転検出装置は、磁気抵抗素子対７ａ、７ｂを備えるセンサチップ２と磁気抵抗素子対７ａ、７ｂにバイアス磁界を付与するバイアス磁石１とが、リードフレーム４に装着された状態で一体にモールド樹脂成形されている。そして、センサチップ２の近傍にて着磁ロータ６が回転するときにバイアス磁界と協働して生じる磁気ベクトルの変化を磁気抵抗素子対７ａ、７ｂの抵抗値の変化として感知して着磁ロータ６の回転態様を検出する。ここでは特に、バイアス磁石１の、センサチップ２側に位置する面に、同面を覆う態様で磁性体片８を設ける。 （もっと読む）

【課題】 Ｓ／Ｎ比の良好な磁気検出素子を提供する。
【解決手段】
磁気検出素子の多層膜Ｔ１の多層膜上流部Ａと多層膜下流部Ｂのスピンバルク依存散乱量を非対称にして、多層膜上流部Ａの磁気抵抗変化量×素子面積ΔＲＡを多層膜下流部ＢのΔＲＡよりも小さくする。これによって、デュアルスピンバルブ型磁気検出素子のフリー磁性層にかかるスピン伝達トルクを十分に相殺させることができる。本発明を用いると原理的にはフリー磁性層にかかるスピン伝達トルクをゼロにすることもできる。 （もっと読む）

【課題】製造時の組立てが容易であると共に、多極着磁された回転体の磁気検出精度等のバラツキを軽減できる車両用の磁気検出装置を提供する。
【構成】多極着磁された回転体100の回転に伴う磁界の変化に対応して抵抗値が変化する磁気抵抗素子と、該磁気抵抗素子の抵抗値変化に基づいて回転体100の多極着磁に対応した信号を出力する信号処理回路部を集積したＩＣ３と、ＩＣ３が実装されると共に、信号処理回路部の出力信号を外部に出力するための外部出力端子に接続されるリードフレーム１と、磁気抵抗素子へバイアス磁界を印加する磁石５と、磁石５の磁力線を矯正する磁性体ガイド２を備えた磁気抵抗素子であって、ＩＣ３、リードフレーム１及び磁性体ガード２は第一の組立体１０として、また、磁石５及び外部出力端子６は第二の組立体２０として、それぞれ予め一体的に組立てられている。 （もっと読む）

磁場強度を検知するためのセンサは、センサ素子と、センサ素子の抵抗のレベルを検出するための検出回路とを有し、抵抗のレベルは、検査対象の磁場と共に変化し、かつヒステリシスを有しており、電磁励起が起こると、抵抗は、２つ以上の安定したレベルの間で、検査対象の磁場が変化するにつれてスイッチすることができる。センサは、抵抗のレベルに応じたデジタル信号を出力する。センサ出力は、電磁励起が起こった際の状態の変化に関して、さらに解釈することができる。センサは、磁気メモリセルからの異なる特性をもはや必要としないので、アナログセンサよりもずっと容易に構成し、磁気メモリセルと統合することができる。励起信号は、抵抗がスイッチする、検査対象の磁場に対するしきい値を変化させ、異なるしきい値による複数の測定を可能にする。複数のセンサ素子は、異なる形状または大きさを持つことで、異なるしきい値を持つことができる。センサは、複数の入力電流が検知される場合の、電流検知、およびプログラマブル磁気ロジックにおける適用を有する。しきい値を変えることで、論理演算をＡＮＤおよびＯＲの間で変えることができる。
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リアルタイムセンサー出力信号の振幅境界値を適応的に追跡するための装置、システム及び方法である。本発明の方法によれば、ピーク又はミニマム振幅値であり、センサー出力信号の現在の振幅境界を表している振幅境界値は、デジタル計数器内に記憶される。２タップ式ＤＡＣを使って、デジタルで記憶されている振幅境界値を、振幅が振幅境界値に相当する基準信号レベルに変換する。ＤＡＣは、更に、振幅境界値を、振幅が、振幅境界値をＤＡＣ解像度の指定された倍数だけオフセットさせたものに相当するオフセット基準信号レベルに変換する。基準信号レベルとオフセット基準信号を、リアルタイムセンサー信号と比較して、デジタルで記憶されている振幅境界値は、基準信号レベルがリアルタイムセンサー信号を超えているか否かによって、調整される。
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本発明は、多層積層部における少なくとも１つの磁気感応性センサ層（６）有しており、該センサ層においては電気的な抵抗が当該センサ層（６）の磁気感応性センサ素子（２，３，４，５）により外部磁界（Ｈ_ｅｘｔ）に依存して可変である、マグネットセンサ装置に関している。さらにここでは補助磁界（Ｍ_ｉｎｉ）を生成するためのバイアス層が設けられている。前記センサ素子はセンサ層（６）において微細構造化された測定ストライプ（２，３，４，５）から形成されており、当該マグネットセンサ装置は、バイアス層の磁化（Ｍ_ｉｎｉ）方向と外部磁界（Ｈ_ｅｓｔ）の方向が、微細構造化された測定ストライプ（２，３，４，５）の長手延在軸に対してほぼ直角に延在するように構成されている。
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少なくとも１つの磁界検知性センサ層を集積ＧＭＲスピンバルブ多層システムに有するマグネットセンサ装置であって、磁界検知性センサエレメント（２，３，；４，５；１０，１１；１２，１３）が１つの測定ブリッジに接続されており、該センサエレメントの抵抗（Ｒ）は外部磁界に依存して変化する形式のマグネットセンサ装置が提案される。このセンサエレメントはそれぞれ少なくとも１つのほぼ線形の測定ストライプ（１０，１１，１２，１３）から形成されており、該測定ストライプはそれぞれ検出すべき磁界（Ｈ）の方向に対して垂直に伸長している。
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磁場を測定するプローブは、選択された測定軸に沿う磁場を感知する少なくとも一個の磁気抵抗または磁気誘導センサを備える。プローブは、その選択された測定軸が平行かつ、選択された測定軸に関して横方向に、互いにオフセットされるように、一つの場所において互いが固定して接続された少なくとも二個の磁気抵抗センサ１４、１６を備え、プローブは、その選択された測定軸に沿う各センサにより測定された磁場を表わす信号を提供するために、各磁気抵抗または磁気誘導センサに固有な出力端子を備える。
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磁場を測定するプローブは、所定の選択された測定軸に沿う磁場を感知する少なくとも一個の磁気抵抗センサ（１０２，１０４、１０６）を備える。そのプローブは、一つの場所においてお互いが固定して接続された少なくとも二個の磁気抵抗センサ（１０２，１０４、１０６）であって、それらの選択された測定軸の角度がずらされるような前記の磁気抵抗センサを備え、かつそのプローブは、それらの選択された測定軸に沿う各センサにより測定された磁場を表わす信号を提供するために、各磁気抵抗センサ（１０２，１０４、１０６）に固有な出力端子を備える。
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【課題】 下部シールド層と上部シールド層間にギャップ層を介して磁気抵抗効果素子が形成された再生用の薄膜磁気ヘッドに係り、特に前記下部シールド層と上部シールド層との耐腐食性を向上させることができ、再生特性を良好に保つことが可能な薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 下部シールド層２３と上部シールド層３２間を導電層３１によって導通接続させる。これによって前記下部シールド層２３と上部シールド層３２を同電位にでき、製造工程中に使用される溶剤や空気中の水分が保護層４７内を浸透して前記下部シールド層２３及び上部シールド層３２にまで到達しても電池効果によって前記下部シールド層２３及び上部シールド層３２が腐食するのを適切に抑制することができる （もっと読む）