【課題】面内におけるいかなる方向の外部磁場に対しても応答を示し、かつ外部磁場の方向を検出可能で、スイッチ素子として利用可能な薄膜磁気抵抗素子を提供すること、及びこれを用いた実用的な薄膜磁気センサを提供すること。
【解決手段】薄膜磁気抵抗素子については、絶縁基板１上に形成された内側軟磁性膜２、外側軟磁性膜３、薄膜磁気抵抗素子４及び必要な配線５を有し、内側軟磁性膜２の外縁部と外側軟磁性膜３の内縁部との間の間隙６内に磁気抵抗効果膜４が形成され、外側軟磁性膜３は、互いに直交する方向に形成された切欠部７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄにより、４個の扇状外側軟磁性膜３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄに分割されているという構成にする。薄膜磁気センサについては、この薄膜磁気抵抗素子を可変抵抗部とするブリッジ回路を組むという構成にする。 （もっと読む）

【課題】携帯機器内部の電流で発生する磁界を抑圧し、地磁気センサが感知しないようにすることで方位角センサの表示の誤差を低減すること。
【解決手段】往路導体１３ａと復路導体１３ｂのどちらかの電流導体１３を２分割し、片方の電流導体１３を２分割した他方で挟み込むように配置すれば、往路導体１３ａと復路導体１３ｂの電流によって発生する磁界は相殺されて雑音磁界として発生する成分が減少する。往路導体１３ａと復路導体１３ｂの配線の中央部直上だけでなく、水平方向に離れた点においても発生する雑音磁界成分は少なくなり、磁気センサ１１の配置に対しての制約が少なくなる。 （もっと読む）

【課題】より高精度に磁気を検出することが可能な磁気センサを用いた外部磁界の測定方法を提供する。
【解決手段】外部磁界により磁気特性が変化する感磁体と、感磁体に電流を供給する駆動回路と、感磁体の磁気特性の変化を電圧の変化として誘起する検出コイルと、検出コイルに誘起された電圧の大きさである誘起電圧値をサンプルホールドするサンプルホールド回路を備えた磁気センサを用いて、誘起電圧値に基づき外部磁界Ｈ_ｅｘｔの大きさを測定する際、駆動回路から感磁体に供給される電流Ｉは、通電方向が第１の方向からその反対である第２の方向に逆転する波形を有するパルス電流であり、サンプルホールド回路は、通電方向が第１の方向からその反対である第２の方向に逆転する期間のうち第２の方向に反転しているときに同期して誘起電圧値をサンプルホールドする。 （もっと読む）

【課題】磁石を取り付ける際の部品点数を低減しつつ、その工程数を削減すること。
【解決手段】軟磁性体からなる筐体２（第１ケース２１、第２ケース２２）と、自身の磁力の吸着力により筐体２（第１ケース２１、第２ケース２２）の固定面に固定される磁石５１、５２とを具備し、筐体２（第１ケース２１、第２ケース２２）の固定面に磁石５１、５２の位置決め用の凸部８を設けたことを特徴とする。また、磁石５１、５２を長尺形状とし、当該磁石５１、５２のそれぞれの端部が位置する筐体２の固定面に少なくとも２つの凸部８を設けたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】作製が容易で、磁気センサから出力された出力信号に基づいて線形性の高い増幅信号を出力する増幅回路を提供する。
【解決手段】センサ装置１は、ＭＲセンサ２と、差動増幅回路３と、を備えている。差動増幅回路３は、磁気抵抗素子で作製された第５及び第６のＭＲ素子（Ｒ１）３１、３２と第７及び第８のＭＲ素子（Ｒ２）３３、３４を有しており、ＭＲセンサ２から出力される出力電圧Ｖ_１、Ｖ_２の差分Ｖ_１−Ｖ_２を増幅率Ｒ_２／Ｒ_１によって増幅する。この増幅率Ｒ_２／Ｒ_１が、磁界の角度の関数であるので差動増幅回路３は、線形性の高い出力電圧Ｖ_ｏｕｔを出力することができる。 （もっと読む）

【課題】磁気センサデバイスの製造方法において、磁気センサデバイスの性能を向上させるために導電部形状の高精度化を図る。
【解決手段】磁気センサデバイスの製造方法は、バリア層の上側に、開口部６を有する犠牲層パターンとしてのシリコン酸化物層７を形成する工程と、これを覆うように金属膜を形成する工程と、これを等方性エッチングすることによって、この金属膜のうち開口部６の底部にある部分を除去し、前記犠牲層パターンの上側を覆う部分およびその周囲に張り出す部分を選択的に残す工程と、これらの上側から堆積するように導電層１１を形成する工程と、前記犠牲層パターンを除去することによって、前記金属膜パターンおよびその上側にある導電層１１を一括して除去し、開口部６の底部にある導電層を導電部１２として残す導電層パターニング工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】作製が容易で、温度特性を有する磁気センサから出力された出力信号に基づいて安定した増幅信号を出力する増幅回路を提供する。
【解決手段】センサ装置１は、ＭＲセンサ２と、差動増幅回路３と、を備えている。ＭＲセンサ２は、第１〜第４のＭＲ素子２０〜２３を備え、第１〜第４のＭＲ素子２０〜２３の磁気抵抗値は、正の温度特性を有している。一方ＭＲセンサ２は、負の温度特性を有しているので、差動増幅回路３の第３及び第４の抵抗（Ｒ_２）３３、３４を負の温度特性を有する第１〜第４のＭＲ素子２０〜２３と同じ部材で作製することによって、ＭＲセンサ２の温度特性を補正することができ、センサ装置１は、安定した出力を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】磁性物を強制的に磁化することなく磁気インピーダンス効果型センサにより検出可能にする方法を提供する。
【解決手段】磁気センサ素子及びこの磁気センサ素子１ａ，１ｂに感磁軸方向磁界を通過させる永久磁石１ｃを備えた磁気センサを走行させ、該磁気センサが被検出磁性物Ｍを通過する際の前記永久磁石１ｃからの被検出磁性物Ｍへの磁界の通過による前記磁気センサ素子１ａ，１ｂにおける感磁軸方向磁界の変化で前記磁気センサの出力を変化させ、この変化から被検出磁性物を検出する。 （もっと読む）

【課題】直流磁界を発生する電子部品が近くに存在しても安定して磁気検出を行うことができ、しかも携帯電話機内の電子部品のレイアウトの自由度を低下させることがない電子機器を提供すること。
【解決手段】電子コンパス１ｃは、基板の主面に沿う方向を磁気抵抗効果素子に対するバイアス印加方向とするハードバイアス層を含み、このバイアス印加方向に直交する方向に感度軸を持つ。電子コンパス１ｃにおいては、直流磁界の方向Ｘがハードバイアス層のバイアス磁界を弱めない方向となるように設定する。すなわち、直流磁界の方向Ｘに対してハードバイアス層のバイアス磁界を弱めないようなバイアス印加方向となるように電子コンパス１ｃを基板上に実装する。 （もっと読む）

【課題】精度良く地磁気センサの出力を補正することができる方位検出装置の提供。
【解決手段】本発明は、移動体に搭載され、地磁気センサと、ＧＰＳ信号受信手段と、ＧＰＳ信号を用いて移動体を測位する測位手段とを備える方位検出装置であって、前記ＧＰＳ信号受信手段により受信されるＧＰＳ信号レベルが所定レベルより小さい場合には、前記地磁気センサの出力値を用いて最小２乗法によりゲイン補正量を算出し、ＧＰＳ信号レベルが所定レベル以上の場合には、ＧＰＳ信号から得られる情報に基づいて偏角補正量及び／又は伏角補正量を算出して、前記地磁気センサの出力値を補正することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】同一基体上に設けられ、かつ相互に異なる方向に磁化された磁性材料層を含む複数のＭＲ素子を有する磁気デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】同一基体３５上に、磁気リファレンス層を含むＭＲ素子４２Ａ〜４２Ｄを形成し、それらを覆うように保護層とハードマグネット層とを形成する。ハードマグネット層をパターニングし、ＭＲ素子４２Ｃ，４２Ｄを覆う第１のパターン４３Ａと、面内方向においてＭＲ素子４２Ａ，４２Ｂを挟むように第２および第３のパターン４３Ｂ，４３Ｃとを形成する。外部磁場中に暴露することで、第１〜第３のパターン４３Ａ〜４３Ｃを磁化する。外部磁場を取り除いたのち、ＡＦＭ層のブロッキング温度よりも高く、かつ第１から第３のパターン４３Ａ〜４３Ｃのキュリー温度よりも低い温度で全体を熱処理する。冷却したのち、第１から第３のパターン４３Ａ〜４３Ｃを除去する。 （もっと読む）

【課題】感度軸方向の感度と直交軸方向の感度との間の比を大きくとることができると共に、温度変化や中点電位ズレに対して有利である磁気センサを提供すること。
【解決手段】磁気抵抗効果素子１１と、この磁気抵抗効果素子１１を挟持する一対の軟磁性体１２とによりセンサ部材を構成している。磁気センサ１においては、磁気抵抗効果素子１１ａと、この磁気抵抗効果素子１１ａを挟持する一対の軟磁性体１２ａ，１２ｂとで一つのセンサ部材を構成し、磁気抵抗効果素子１１ｂと、この磁気抵抗効果素子１１ｂを挟持する一対の軟磁性体１２ｃ，１２ｄとで一つのセンサ部材を構成している。センサ部材における磁気抵抗効果素子１１及び軟磁性体１２は、磁気抵抗効果素子１１の磁化容易軸方向に沿って並設されている。一方のセンサ部材の軟磁性体と、他方のセンサ部材の軟磁性体との間には、それぞれ磁気抵抗効果素子１３が配置されている。 （もっと読む）

【課題】３００℃以上の高温域において従来のものよりも良好に動作する磁気センサを提供する。
【解決手段】ＧａＮからなり室温での電子濃度が１×１０¹⁶／ｃｍ³以下である第１層２ａと、Ａｌ_xＧａ_1-xＮ（０＜ｘ≦０．３）からなる第２層２ｂとを積層することで、ヘテロ接合界面を有する動作層２を形成する。これにより、二次元電子ガス領域２ｇにおけるキャリア移動度はより高められるとともに、キャリア濃度がより低減される。その結果、室温においては定電流駆動および定電圧駆動の双方で高い測定感度を有するとともに、高温でも定電流駆動によって室温と同程度の測定感度で使用できるホール素子が実現される。 （もっと読む）

【課題】静電気等による帯電から回路素子を保護し、回路素子の特性不良を防止できると共に、安価に製造することのできるセンサチップを提供する。
【解決手段】センサ素子３１と該センサ素子３１の制御回路３２とが同じ半導体基板１０に形成されてなるセンサチップ１００であって、制御回路３２が、半導体基板１０においてＰＮ接合分離された複数の回路素子３２ａ，３２ｂを有してなり、複数の回路素子３２ａ，３２ｂのうち、少なくとも１個の回路素子上に、該回路素子を取り囲む導電膜２１，２２が形成され、該導電膜２１，２２が、所定の電位Ｖ１，Ｖ２に固定されてなるセンサチップ１００とする。 （もっと読む）

【課題】 特に、固定磁性層及びフリー磁性層を有する磁気抵抗効果素子を用いて、従来に比べて高精度に原点検出を行えるようにした原点検出装置を提供することを目的としている。
【解決手段】 磁石１の中心１ｃが原点検出範囲にあるとき、各磁気抵抗効果素子のフリー磁性層には水平磁場成分Ｈ１が作用するためフリー磁性層をその水平磁場方向に向かせることができ、磁化を安定化でき、ヒステリシスを十分に小さくでき、高精度な原点検出を行うことができる。そして前記磁石１の中心１ｃが、原点検出範囲にあるとき、差動出力が生じ、前記原点検出範囲から離れると、差動出力がゼロになるため、差動出力の有無の判断により、原点検出を行うことができ、基準電圧設定回路が必要でない等、簡単な回路構成で、高精度な原点検出を行うことが可能である。 （もっと読む）

【課題】 外部からの水の浸入を防ぐことができ、さらに外部の温度変化に起因するセンサユニット内部の熱歪みによるセンサおよび周辺回路への水の浸入を防止し、製品の信頼性が高く、かつ製作コストの低減を図ることができるセンサユニットを提供する。
【解決手段】 表面張力を小さくする被膜ｆｍを、センサアッシ２の各部に形成しておき、絶縁性を有する液体ＬＱを被膜ｆｍを介して隙間等に含浸させてなる。 （もっと読む）

【課題】低ＲＡでも高ＭＲ比を有する磁気抵抗効果素子の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】 酸化性ガスに対するゲッタ効果がＭｇＯより大きい物質（但し、Ｔａ、ＣｕＮ、ＣｏＦｅ、Ｒｕ、ＣｏＦｅＢ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｃｒ、及びＺｒの１以上からなる、金属又は半導体を除く）を含有するターゲットをスパッタリングして、成膜室の内壁に被着する第一工程と、前記第一工程後に、前記成膜室においてＭｇＯターゲットに高周波電力を印加してスパッタリング法によりＭｇＯ層を形成する第二工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】数ミリ角程度の領域の磁気ベクトル分布が測定可能な、小型で高分解能の磁気ベクトル分布測定プローブを提供する。
【解決手段】被測定物である磁石６０の空６０ｈ内に挿入配置され、該空洞６０ｈ内における磁気ベクトル分布を測定する磁気ベクトル分布測定プローブ１００であって、一枚のチップ１０２に、スピンバルブ型のトンネル磁気抵抗（ＴＭＲ）素子１０が複数個形成され、該チップ１０２が、プローブ基体１０１の先端付近に装着されてなる磁気ベクトル分布測定プローブ１００とする。 （もっと読む）

【課題】磁気感度特性に優れ且つ簡易な構成でＭＩ素子の比例特性領域を利用して磁気を検出できる磁気検出装置を提供する。
【解決手段】本発明の磁気検出装置１において、直列に接続され且つ互いに平行に配置された複数のマグネトーインピーダンス素子１３、１３と、複数のマグネトーインピーダンス素子１３、１３の周囲に巻回したコイル５と、コイル５の電気出力を検出する出力検知部７と、コイル５に通電する通電部９と、コイル５の接続を通電部９と出力検出部７とに切り替えるスイッチ手段１１とを備え、通電部９からコイル５に通電してマグネトーインピーダンス素子１３、１３に一時的に磁界を加えた後に、スイッチ手段１１によりコイル５の接続を出力検出部７に切り替えてコイル５の電気出力を測定することにより、磁気を測定する。 （もっと読む）

【課題】発生後短時間で消滅する信号の存在を確実に検出し得る周波数検出装置を提供する。
【解決手段】磁化固定層、磁化自由層、および磁化固定層と磁化自由層との間に配設されたスペーサー層を備えた磁気抵抗効果素子（例えばＴＭＲ素子やＣＰＰ−ＧＭＲ素子など）２と、磁化自由層に磁場を印加する磁場印加部３と、入力端子４ａ，４ｂを介して磁気抵抗効果素子２に交流信号Ｓ１が供給されたときに磁気抵抗効果素子２の両端に発生する直流電圧を増幅して出力信号Ｓ２として出力する差動増幅部６とを備えている。 （もっと読む）