【課題】 特に、抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を増大させることが可能なトンネル型磁気検出素子を提供することを目的としている。
【解決手段】 第１軟磁性層１３と第２軟磁性層１５との間に、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｉｒ−Ｍｎ、ＲｕあるいはＰｔのうち少なくともいずれか１種で形成された金属挿入層１４が挿入されている。前記第１軟磁性層１３と前記第２軟磁性層１５は、磁気的に結合されて同一方向に磁化されている。前記第１軟磁性層１３と絶縁障壁層５との間にはエンハンス層１２が形成されている。これにより、絶縁障壁層５がＭｇ−Ｏで形成されたトンネル型磁気抵抗効果素子において、従来に比べて、抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を増大させることが可能である。 （もっと読む）

【課題】従来よりも簡素な工程を用い、且つ製造時の不良を低減することができる磁気センサの製造方法を提供する。
【解決手段】まず、樹脂ケース１０のピン端子挿入用貫通孔１６０に各ピン端子１３を装着する（Ｓ１０１）。次に、樹脂ケース１０の素子装着凹部１０１に磁気抵抗素子１１を設置し、リード端子１２が配列形成されたリードフレーム２０１を樹脂ケース１０の天面１１０側に配置する（Ｓ１０２→Ｓ１０３）。リード端子１２とピン端子１３とを熱圧着により接合する（Ｓ１０４）。樹脂ケース１０の切断用溝１２０に沿ってリード端子１２をリードフレーム２０１から切り離す（Ｓ１０５）。リード端子１２と磁気抵抗素子１１とを熱圧着により接合する（Ｓ１０６）。樹脂ケース１０にカバー１５を装着する（Ｓ１０７）。 （もっと読む）

【課題】 特に、フリー磁性層の磁歪λｓの増加を小さく抑えつつ、従来に比べて抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を増大させることが可能なトンネル型磁気検出素子を提供することを目的としている。
【解決手段】 絶縁障壁層５は、Ｍｇ−Ｏで形成され、前記フリー磁性層６は、下からエンハンス層１２、第１軟磁性層１３、Ｃｏ−Ｔａ層１４及び第２軟磁性層１５の順に積層されている。このように軟磁性層１３，１５間にＣｏ−Ｔａ層１４を挿入した構成とすることで、フリー磁性層６の磁歪λｓの増加を小さく抑えつつ、従来に比べて抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を増大させることが可能である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、複合材料体及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明の巨大磁気抵抗複合材料体は、高分子材料で形成したポリマー基材と、複数のカーボンナノチューブと、を備えている。前記複数のカーボンナノチューブは、前記ポリマー基材に埋め込まれ、前記ポリマー基材における複数のカーボンナノチューブが前記ポリマー基材に間隔を置いて設置される。 （もっと読む）

【課題】低保磁力、低磁歪および低ＲＡ値を確保しつつ、高いＴＭＲ比を得る。
【解決手段】フリー層１８は、トンネルバリア層１７の側から第１の強磁性層、挿入層および第２の強磁性層が順に積層された複合構造を有する。第１の強磁性層は、ＣｏＦｅ合金、または、そのＣｏＦｅ合金にＮｉなどを添加してなる合金を含み、かつ、正の磁歪定数を有する。挿入層は、Ｆｅ，ＣｏおよびＮｉから選択される少なくとも一種の磁性元素と、Ｔａ，Ｔｉ，Ｗ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｖ，ＭｇおよびＣｒから選択される少なくとも一種の非磁性元素とを含む。第２の強磁性層は、ＣｏＦｅやＮｉＦｅなどからなり、負の磁歪定数を有する。 （もっと読む）

【課題】素子抵抗を低減するのに適し且つ大きなＭＲ比を得るのに適した磁気検出素子、および、そのような磁気検出素子を備える磁気再生装置を提供する。
【解決手段】本発明の磁気検出素子Ｘ１は、ハーフメタルよりなり且つ相互に離隔する一対の電極１Ａ，１Ｂと、強磁性ハーフメタルよりなり且つ磁化反転可能な低抵抗層２と、一対の電極１Ａ，１Ｂおよび低抵抗層２の間に位置し且つ導体よりなって低抵抗層２よりも高抵抗である高抵抗層３とを備える。本発明の磁気再生装置は、磁気記録媒体と、当該磁気記録媒体からの信号磁界を読み取るための磁気検出素子Ｘ１とを備える。 （もっと読む）

【課題】 特に、従来に比べて、外部磁界の検知範囲を広くできるとともに、高精度に双極検知可能な磁気検出装置を提供することを目的としている。
【解決手段】 本実施形態では、第１磁気抵抗効果素子及び第２磁気抵抗効果素子にハードバイアス層を設けて、固定磁性層とフリー磁性層の磁化関係を直交させ、図１に示す外部磁界Ｈと出力値（差動電位）との関係を得ることで、従来に比べて外部磁界Ｈの検知範囲を広く設定でき、またヒステリシスが無く、外部磁界がゼロ付近でも出力値は直線状で鈍りが無いため、検知範囲の全域にて外部磁界Ｈを高精度に検知することが出来る。 （もっと読む）

【課題】外部磁界に対して温度に依存しない高い感度を有する磁気抵抗性の多層デバイスを提供する。
【解決手段】積層体は磁気抵抗性スタックに向かって順に第１の磁性層、第１の中間層および第２の磁性層を有しており、第１の磁性層および第２の磁性層は非磁性の第１の中間層を介して相互に分離され、かつ相互に強磁性クロスカップリングされており、２つの磁性層の散乱磁界結合は強磁性クロスカップリングに対して反対方向となっている。 （もっと読む）

【課題】簡素な構造および製造方法を用いて、中点電圧偏差を小さくするとともに中点電圧の温度特性を良好にできる磁気検出回路素子を実現する。
【解決手段】半絶縁性基板１１上には、半導体膜１３Ａを有する磁気抵抗素子ＭＲ１と半導体膜１３Ｂを有する磁気抵抗素子ＭＲ２とが長尺状に形成されるとともに、入力電圧用電極１４、グランド接続用電極１５、出力電圧用電極１６が形成される。グランド接続用電極１５は半導体膜１３Ｂと接続電極１７Ｂを介して接続され、出力電圧用電極１６は半導体膜１３Ａ，１３Ｂと接続電極１７Ｃを介して接続される。接続電極１７Ｂには補正用電極１８１が接続され、接続電極１７Ｃには補正用電極１８２が接続される。補正用電極１８１，１８２は、互いの先端間に生じるリーク抵抗Ｒｃ１が、グランド接続用電極１５と出力電圧用電極１６との間のリーク抵抗による中点電圧偏差を抑制する抵抗値となるように形成される。 （もっと読む）

【課題】簡素な構造および製造方法を用いて、中点電圧偏差を小さくするとともに中点電圧の温度特性を良好にすることができる磁気検出回路素子を実現する。
【解決手段】半絶縁性基板１１上には、半導体膜１３Ａを有する磁気抵抗素子ＭＲ１と半導体膜１３Ｂを有する磁気抵抗素子ＭＲ２とが長尺状に形成されるとともに、入力電圧用電極１４、グランド接続用電極１５、出力電圧用電極１６が形成されている。隣接する入力電圧用電極１４とグランド接続用電極１５との間には、補正用電極１６’が形成されている。補正用電極１６’は、半絶縁性基板１１の磁気抵抗素子ＭＲ１，ＭＲ２形成面上とは異なる領域で出力電圧用電極１６に接続する。この際、補正用電極１６’を、当該補正用電極１６’が形成されていない時に発生するリーク電流を、補正用電極１６’の形成により新たに発生するリーク電流で相殺するような設置位置および大きさに設定する。 （もっと読む）

【課題】 高い出力が得られるスピン蓄積型磁気センサ及びスピン蓄積型磁気検出装置を提供する。
【解決手段】 このスピン蓄積型磁気センサは、非磁性層２の第１領域上に設けられたピンド層５Ａと、非磁性層２の第２領域上に設けられたフリー層５Ｂとを備えている。非磁性層２とピンド層５Ａとの間に電流を供給し、非磁性層２とフリー層５Ｂとの間の電圧を測定する。非磁性層２はＣｕからなり、第１磁性層３Ａ及び第２磁性層３ＢはＣｏＦｅＢからなり、第１絶縁層４Ａ及び第２絶縁層４ＢはＭｇＯからなる。この構造の場合、出力電圧を飛躍的に増加させることができる。 （もっと読む）

【課題】複数の磁気センサを有した磁気計測装置におけるΔΣ型ＡＤＣの回路規模を抑制する。
【解決手段】ΔΣ変調器２２は、複数の磁気センサ８のうち所定の入力切換周期で切り換えて選択される１つからのセンサ信号を入力されΔΣ変調する。デジタルフィルタ２４は、ΔΣ変調器２２にて周期Ｔでオーバーサンプリングされたデータに基づいて計測データを生成する。デジタルフィルタ２４はカウンタ３４を有する。カウンタ３４は、選択された磁気センサ８について、周期Ｔ毎に入力されるデータを累積加算して計測データを生成して出力し、次に選択される磁気センサ８に対しては前回の磁気センサ８についての計数値をリセットして新たな累積加算を開始する。 （もっと読む）

【課題】従来よりも高いＭＲ比を持った磁気抵抗素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態では、基板の上に、スパッタリング法を用いて、磁化固定層、磁化自由層及びトンネルバリア層を成膜する工程において、磁化自由層成膜工程は、Ｃｏ原子、Ｆｅ原子及びＢ原子を含有する第１ターゲットと、Ｃｏ原子及びＦｅ原子を含有し、該第１ターゲット中のＢ原子含有量と相違する含有量の第２ターゲットと、を用いたコ−スパッタリング法により、Ｃｏ原子、Ｆｅ原子及びＢ原子を含有する強磁性体層を成膜する。 （もっと読む）

【課題】磁界測定装置において、高分解能・高精度での測定とダイナミックレンジの拡大との両立を図る。
【解決手段】磁気センサ８の入出力特性の線形領域に設定される磁界計測範囲では、ΔΣ変調器２２及びデジタルフィルタ２４からなるＡＤＣが磁気センサ８の出力を高分解能の磁界計測データＤ_Ｍに変換する。磁気センサ８には、コイル１０によりバイアス磁界を及ぼし、磁界計測範囲をシフトさせることができる。コイル１０への駆動電流は、電流ＤＡＣ２８により離散的に変化させる。バイアス磁界の変化による磁界計測範囲の移動ステップは、ＡＤＣによる磁界強度の分解能より大きく設定する。 （もっと読む）

【課題】高コスト化を招くことなく、小型で高い信頼性を有し、加速度及び地磁気を同時に検出することができるセンシング素子を提供する。
【解決手段】４つの磁気発生部材と、対応する磁気発生部材からの磁気を検出するための４つのＴＭＲ素子と、３軸方向に関する地磁気を検出するための３つのＴＭＲ素子とが、形成されたセンサ基板１２１Ａと、センサ基板１２１Ａをカバーするカバー部材を有している。そして、センサ基板１２１Ａは、錘部と、可動部とを有し、錘部に４つの磁気発生部材が形成され、可動部にＺ軸方向に関する地磁気を検出するためのＴＭＲ素子が形成されている。また、カバー部材は、可動部に機械的な力を作用させ、可動部に形成されているＴＭＲ素子を傾斜させる。 （もっと読む）

【課題】
往来の方法では静磁界検出を利用して電気回路の5V100mA程度の直流電気信号の検出が実用化の目処であり、電子回路信号（直流5V2mA）程度の電気信号を静磁界検出を利用して非接触で確実に読み取り検出することは殆ど実現不可能であり、検出する回路には電気的に接続するしかなく、真の電気信号測定にするためには測定器の内部抵抗も絡んでおり、きわめて産業上不利益をもたらしており、またエネルギー上も微小回路の微小な電力消費に対しても無視するしか無く諦められている部分であった。
【解決手段】
本発明は、検出する回路には電気的に接続することなく電子回路信号（直流5V2mA）程度の電気信号でも静磁場を利用して非接触で確実に読み取り検出し、外来磁気や地磁気の影響も安価な方法で無視でき、かつ微小な磁気信号を増幅し検出することで、その欠点を除くために考えたものである。 （もっと読む）

【課題】巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）効果に基づくハードディスクドライブのための読み取り／書き込みヘッドにおける現行の読み取り要素におけるスピントルクおよび熱誘導磁気ノイズに起因する問題を解消すること。
【解決手段】電界を検出するためのデバイスは、第１、第２および第３のリード線と、これらリード線の間に接合部とを備え、接合部とリード線とは１つの平面内に配置されており、接合部は平面に垂直な方向に量子閉じ込めを行うようになっており、第１のリード線は接合部の一方の側に配置され、第２および第３のリード線は接合部の反対側に配置されており、第１のリード線は接合部に進入する電荷キャリアの回転角方向の分布を制限するようになっており、よって電荷キャリアが第１のリード線から接合部に流入するときに、電荷キャリアは実質的に非発散ビームとして前記第１のリード線から現れる。 （もっと読む）

【課題】ＸＭＲ効果を利用する改良された磁界センサ装置を提供する。
【解決手段】磁気抵抗性の層構造のＸＭＲ効果を利用する少なくとも１つの磁界センサを用いて、層構造に対して垂直であるか、平行ではない、検出すべき磁界の既存の別の成分を、磁束線が磁界の水平成分を形成するように磁束コンセントレータの縁部領域において磁束線が偏向されるように層構造上に少なくとも１つの磁束コンセントレータが配置されていることによって検出する。 （もっと読む）

【課題】 フッ化物からなる絶縁マトリックスに分散したｎｍサイズの磁性グラニュール合金と、不可避的不純物とからなり、室温で５％以上の磁気抵抗比を示し、且つ１×１０⁴μΩcm以上の電気抵抗率を有する磁気抵抗膜の耐熱性を高める。
【解決手段】 組成が一般式Ｆｅ_aＣｏ_bＮｉ_cＳｉ_xＭ_yＦ_zで表わされ、ＭはＭｇ，Ａｌ,Ｃａ,Ｓｒ,Ｂａ及びＧｄのうちから選択される１種又は２種以上の元素であり、かつ組成比ａ,ｂ,ｃ,ｘ,ｙ,ｚは原子比率で、０≦ａ≦６０，０≦ｂ≦６０，０≦ｃ≦６０，２０≦ａ+ｂ+ｃ≦６０,０＜ｘ＜１０,９≦ｙ≦４０，１５≦ｚ≦５０，３０≦ｙ+ｚ≦７０で表わされる磁気抵抗膜。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で製造も容易であり、外部磁界に対して高感度で磁気を検出できる磁気検出装置を提供する。
【解決手段】本発明の磁気検出装置１は、磁気インピーダンス素子３と、磁気インピーダンス素子３のインピーダンス変化を電気信号として取り出すピックアップコイル５とを備え、磁気インピーダンス素子３の長さはピックアップコイル配置領域６よりも長くしてあり、ピックアップコイル５は磁気インピーダンス素子３の長手方向中間部４に配置してあると共に磁気インピーダンス素子３には長手方向中間部４に所定周波数の信号を印加する電極３ａ、３ｂを設けている。 （もっと読む）