【課題】熱処理による磁気抵抗変化率の劣化を抑制することにより、良好な磁気特性を有する磁気抵抗効果素子を備えて優れた書き込み特性を有する磁気メモリ装置を提供する。
【解決手段】対の強磁性層（磁化固定層５と磁化自由層７）が中間層６を介して対向され、膜面に対して垂直に電流を流すことによって磁気抵抗変化を得る構成であり、対の強磁性層５，７のうち少なくとも一方は、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉを主成分とし、非晶質化のための添加元素として、Ｃ，Ｐ，Ａｌ，Ｇｅ，Ｔｉ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｚｒ，Ｍｏのいずれか１種以上を含み、結晶化温度が６２３Ｋ以上である非晶質強磁性材料を含む磁気抵抗効果素子１と、この磁気抵抗効果素子１を厚み方向に挟むビット線及びワード線とを備えた磁気メモリ装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】３６０度の測定範囲にわたって磁場角を精度良く測定可能であり、１チップ化も可能な磁場角センサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 ３つのタイプのＭＴＪ（magnetic tunnel junction：磁気トンネル接合）素子アレイ（Ａ〜Ｂ）を備える。複数の磁気トンネル接合素子は、リファレンス軸（Ｘ）方向への強磁場中において第１の熱処理が施されたのち、各素子が高アスペクト比を有し、そのピンドシンセティック複合層が高い形状異方性を有するようにパターニングされる。次いで、外部磁場のない雰囲気中において第２の熱処理が施され、交換ピンニング磁場が減少されると共に、発生応力によりピンドシンセティック複合層に異方性が生じ、ピンドシンセティック複合層の磁化方向が磁気トンネル接合素子の長軸方向に揃う。 （もっと読む）

【課題】相対変位測定センサーモジュール及びこれを用いた移動方向感知方法を提供する。
【解決手段】凸部と凹部が交代に形成されたグルーブパターンを有する対象物体の相対変位を測定するセンサーモジュールであって、磁場を発生させる磁石１４０、前記磁石と前記対象物体の間に設けられ、磁場の変化を感知して電気的信号を出力する巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）センサー１３０、前記巨大磁気抵抗センサーの出力信号を処理して矩形波を出力する信号処理部１５０、前記磁石、前記巨大磁気抵抗センサー及び前記信号処理部を支持するハウジング１１０を含む。これにより、対象物体の移動方向、移動距離、移動速度などを非接触式に安定的に測定できる。また、センサーモジュールはアクチュエーターの形態や種類に関係なく使用することができ、対象物体との接続点が狭い範囲に局限されても正確に感知できる。 （もっと読む）

【課題】製造における特性ばらつきを低減できるトンネル磁気抵抗効果素子の製造装置及び製造方法を提供する。
【解決手段】ラジカル発生器８により発生したラジカルがウエハ３表面へ供給され金属膜が酸化されることにより、ウエハ３上へ、酸化膜からなる絶縁体膜が形成される。ネットワークアナライザ１４で計測された高周波伝送特性は、酸化状態モニタ手段１５でモニタされる。そして、所望の酸化状態に達したと判断された場合には、ＲＦ電源７が停止され、酸化処理工程が終了する。 （もっと読む）

【課題】縦磁気バイアスを用いることなく、フリー層の磁区を安定化させることができ、外部大規模磁場によるノイズの発生を抑制することのできる磁気センサおよびこれを用いた電流検出装置を提供する。
【解決手段】 Ｕ型の導電体１０の対向する２つの直線部１０ａ，１０ｂ上の互いに対向する位置にＭＴＪセンサ４１，４２を設置する。ＭＴＪセンサ４１，４２は複数のＭＴＪ素子２１のアレイ構造を有する。各ＭＴＪ素子２１の平面形状は楕円形状となっている。この楕円形状の短軸（第一軸）方向の幅に対する長軸（第二軸）方向の長さの比（長さ／幅）は、フリー層が異方性磁化を保持するのに十分な値であり、その長さは、フリー層における磁区壁幅未満である。ＭＴＪセンサ４１，４２の各ＭＴＪ素子２１には、導体電流Ｉs によって互いに反対方向の誘導磁界Ｈ１，Ｈ２が発生し、ＭＴＪセンサ４１とＭＴＪセンサ４２とではフリー層７の向きが互いに逆方向となる。 （もっと読む）

【課題】磁界範囲の狭い高感度磁界検出素子を用いた場合でも、ノイズ磁界の影響を除去し、媒体の磁気特性に依らずに磁気分布を量的に検出可能な磁性体検出センサ及び磁性体検出装置を提供する。
【解決手段】磁界を発生する少なくとも１つの磁石１２と磁界の変化を検出する２つの磁界検出素子１３、１４とを含み、２つの磁界検出素子は磁石１２から互いに逆方向のバイアス磁界が印加され、２つの磁界検出素子１３、１４の出力の和に応じた信号を出力する。また２つの磁界検出素子１３、１４は直列に接続され、両端に発生する電圧に応じた信号を出力する。 （もっと読む）

【課題】磁気インピーダンス効果素子において、漏れ磁場によるバイアス磁界の変動を抑制する。
【解決手段】非磁性基板１１上に形成された硬磁性体膜からなる薄膜磁石１２と、薄膜磁石１２の上を覆う絶縁層１３と、絶縁層１３上に形成された一軸異方性を付与された１個または複数個の長方形状の軟磁性体膜からなる感磁部１４と、感磁部１４の複数個の軟磁性体膜を電気的に接続する導体膜１６を備え、感磁部１４の長手方向において、薄膜磁石１２の両端部は、感磁部１４の両端部の外側に位置し、絶縁層１３は、薄膜磁石１２のそれぞれの端部の上に開口部１３ａを有しており、絶縁層１３の上には、軟磁性体膜からなるヨーク部１５が、絶縁層１３の開口部１３ａを介して、薄膜磁石１２の端部から、感磁部１４の端部近傍に渡り形成されていることを特徴とする磁気インピーダンス効果素子１０。 （もっと読む）

【課題】抵抗値のばらつきを抑制し、オフセット電圧を低減する薄膜磁気センサ及びその製造方法を提案する。
【解決手段】所定のパターンを有するフォトマスクを用いて形成され、少なくとも第１及び第２の磁気抵抗素子を含んだ第１の抵抗ブリッジ回路と、前記フォトマスクを用いて形成され、前記少なくとも第１及び第２の磁気抵抗素子に対応する第３及び第４の磁気抵抗素子を含んだ前記第１の抵抗ブリッジ回路に対応する第２の抵抗ブリッジ回路とを備え、前記第１及び第２の抵抗ブリッジ回路を積層して構成され、前記第１及び第４の磁気抵抗素子の合成によって第１の合成磁気抵抗素子が形成され、前記第２及び第３の磁気抵抗素子の合成によって第２の合成磁気抵抗素子が形成されていることを特徴とする薄膜磁気センサ及びその製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】３０ｎｍ以下の微小くびれ部を有する磁気抵抗効果素子を容易に歩留まり高く製造できる方法と、大きな磁気抵抗効果を有する磁気抵抗効果素子とを得る。
【解決手段】第１の磁性領域２と、第２の磁性領域３と、第１の磁性領域２と第２の磁性領域３とを接続していると共に、基板表面に平行な一方向と直交する方向に関する長さが第１の磁性領域２及び第２の磁性領域３よりも短い微小くびれ部４とで構成される連続体を形成する。微小くびれ部４は、ＲＦスパッタエッチングによって狭小化された３０ｎｍ以下の幅のものである。第１の磁性領域２及び第２の磁性領域３における微小くびれ部４近傍の区域の外形線は、それぞれ、微小くびれ部４を頂点として９０°以下の角度をなすように形成される。 （もっと読む）

【課題】一対の磁気抵抗素子の薄膜ヨークが近接しても外部磁界の検出方向のずれの発生が抑制される磁気式角度センサを提供する。
【解決手段】磁気式角度センサ１０によれば、基板１４上に配置された一対の第１磁気抵抗素子１６および第２磁気抵抗素子１８が、それらの一対の薄膜ヨークの磁化容易方向が９０°よりも所定角度２θだけ小さい角度Ａとなるように予め配置されていることから、一対の第１磁気抵抗素子１６および第２磁気抵抗素子１８の薄膜ヨーク４０、４２が相互に近接させられてそれら薄膜ヨーク４０、４２に誘導される磁束が相互に影響するときに、一方の第１磁気抵抗素子１６の一対の薄膜ヨーク４０、４２の磁化容易方向と他方の第２磁気抵抗素子１８の一対の薄膜ヨーク４０、４２の磁化容易方向とが相互に略直角を形成するようになるので、外部磁界Ｈの検出方向のずれの発生が好適に抑制される。 （もっと読む）

【課題】均一なバイアス磁界が得られる磁気インピーダンス効果素子を提供する。
【解決手段】希土類元素を含む硬磁性体粉末またはＢａ、Ｓｒを含有するフェライトからなる硬磁性体粉末を、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド、シリコーン樹脂のいずれかあるいはそれらの混合物からなるバインダーポリマーに混合させてなるペースト磁石３と、軟磁性体膜２とを少なくとも備えることを特徴とする磁気インピーダンス効果素子。 （もっと読む）

【課題】導電性物の共存のもとでも磁性物を磁気インピーダンス効果センサにより確実に検知する。
【解決手段】導電性物と磁性物とが共存する対象物（または磁気インピーダンス効果センサ１０）に対し磁気インピーダンス効果センサ１０（または対象物）を移動させつつ磁気インピーダンス効果センサ１０の磁気インピーダンス効果素子に励磁電流を流して磁界を発生させ、導電性物からこの磁界に対する反作用磁界を発生させ、その反作用磁界と磁性物の磁気により励磁電流を変化させ、この変化に応じて出力を発生させ、前記導電性物の反作用磁界に応じた出力分を減算し、磁性物の磁気に応じた出力分のみを検出する。 （もっと読む）

【課題】磁気インピーダンス効果センサにより導電性物の検知を可能とする検知方法を提供する。
【解決手段】導電性物と磁性物とが共存する対象物（または磁気インピーダンス効果センサ１０）に対し磁気インピーダンス効果センサ１０（または対象物）を移動させつつ磁気インピーダンス効果センサ１０の磁気インピーダンス効果素子に励磁電流を流して磁界を発生させ、導電性物からこの磁界に対する反作用磁界を発生させ、その反作用磁界と磁性物の磁気により励磁電流を変化させ、この変化を検出して導電性物及び磁性物を検知する。 （もっと読む）

【課題】均一なバイアス磁界が得られる磁気センサ素子を提供する。
【解決手段】非磁性基板１上に形成された硬磁性体膜２と、硬磁性体膜２の上を覆う絶縁層３と、絶縁層３上に形成された軟磁性体膜４とを有し、硬磁性体膜２の着磁方向は、軟磁性体膜４の長手方向に対し角度θを有していることを特徴とする磁気センサ素子。非磁性基板１を上から見た平面視において、前記硬磁性体膜２が形成された領域は、前記軟磁性体膜４が形成された領域よりも広い範囲にあり、かつ前記軟磁性体膜４が形成された領域はすべて前記硬磁性体膜２が形成された領域に重なっていることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】バイアス磁界の変化を正確に検出することができる磁気検出装置を提供する。
【解決手段】バイアス磁界を印加する磁石１と、バイアス磁界を変化させる磁性移動体２と、バイアス磁界を検出して第１および第２検出信号ＯＰ１、ＯＰ２を出力する磁気検出部３と、第１および第２検出信号ＯＰ１、ＯＰ２に基づいて、バイアス磁界の変化を検出する信号処理部４とを備え、信号処理部４は、第１検出信号ＯＰ１と第１比較電圧Ｖｒｅｆ１とを比較し、第１比較信号Ｖｏｕｔ１を出力する第１比較回路２１と、第２検出信号ＯＰ２と第２比較電圧Ｖｒｅｆ２とを比較し、第２比較信号Ｖｏｕｔ２を出力する第２比較回路２２とを含み、第１および第２比較信号Ｖｏｕｔ１、Ｖｏｕｔ２は、第１比較回路２１および第２比較回路２２に入力され、第１および第２比較電圧Ｖｒｅｆ１、Ｖｒｅｆ２と、第１および第２検出信号ＯＰ１、ＯＰ２との少なくとも一方をオフセットさせる。 （もっと読む）

【課題】トンネル磁気抵抗効果素子の良否を判別する効果的な試験方法及び装置を提供する。
【解決手段】トンネル磁気抵抗効果を利用した再生素子の再生素子試験方法において、異なる電流に対する第１及び第２の抵抗値を測定する測定ステップと、同一の設計が施された前記再生素子の良品から求めた前記第１の抵抗値と前記第１と第２の抵抗値の差分と、トンネル磁気抵抗と電圧の理論式から求めた抵抗値差分曲線と、前記測定ステップで測定した第１および第２の抵抗値を比較する比較ステップと、前記再生素子の抵抗変化率の絶対値が前記抵抗値差分曲線よりも低い場合には、前記再生素子を不良品として判定する判定ステップとを備えることを特徴とする再生素子試験方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】磁界の印加角度に依存せずに磁気センサを動作させる。
【解決手段】互いに直交するＸ方向及びＹ方向について、それぞれの方向を向いて配置された磁気抵抗素子を２つずつ備え、これら４つの磁気抵抗素子がブリッジ回路を構成してなる磁気センサの動作方法であって、Ｙ方向を向いて配置された２つの磁気抵抗素子１１，１４に対してＸ方向にバイアス磁界を印加することにより当該磁気抵抗素子１１，１４の抵抗を飽和させてからブリッジ回路１０のブリッジ電圧Ｖｘを測定する第１工程、Ｘ方向を向いて配置された２つの磁気抵抗素子１２，１３に対してＹ方向にバイアス磁界を印加することにより当該磁気抵抗素子１２，１３の抵抗を飽和させてからブリッジ回路１０のブリッジ電圧Ｖｙを測定する第２工程、第１工程によるブリッジ電圧Ｖｘと第２工程によるブリッジ電圧Ｖｙとの和から磁気センサの出力を得る第３工程を行う。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成の磁気センサを用いて、磁界の大きさ及び符号を測定する。
【解決手段】コイルを用いて所定の大きさ及び方向のバイアス磁界を印加したときの磁気インピーダンス素子の出力を第１の出力Ｚ_１として得る工程と、同じコイルを用いて、前記所定の大きさと同じ大きさで方向が反対のバイアス磁界を印加したときの磁気インピーダンス素子の出力を第２の出力Ｚ_２として得る工程と、第１の出力Ｚ_１と第２の出力Ｚ_２との差分を求め、該差分に基づいて磁気インピーダンス素子の感磁方向に沿う磁界の大きさ及び符号を検出する工程とを行う。これにより、温度や経年変化で磁気インピーダンス素子の出力特性がドリフトしても、外部磁界に対する出力の差分には変化がないため、測定値の精度を確保することができる。 （もっと読む）

【課題】可動磁性体の近傍では磁気センサ出力軌跡が円ではなくなるため、磁気センサのオフセットを求めることができず、正確な方位を算出することもできないという課題があった。
【解決手段】２軸以上の地磁気を検出して磁気センサ出力を出力する磁気センサ１と、磁束発生源を移動可能とした可動磁性体２と、可動磁性体を駆動すると共に可動磁性体の姿勢情報を出力する制御手段３と、可動磁性体の姿勢により変化する磁気センサの出力の変化量を予め記憶するメモリ４と、姿勢情報と磁気センサの出力の変化量とに基づき磁気センサ出力を補正して補正後の磁気センサ出力を出力する補正手段５と、補正後の磁気センサからオフセットを算出するオフセット算出手段６と、オフセットに基づき方位を算出する方位算出手段７とを有する構成を採用した。これにより、オフセット求めることができ、その結果、方位を算出することができる様になる。 （もっと読む）

【課題】 磁気抵抗効果素子の磁化の向きの共振現象を工業的に利用した磁気デバイス及び周波数アナライザを提供する。
【解決手段】 交流電流ｉの極性は時間と共に変化するので、磁化の向きＦは、交流電流ｉの大きさと周波数に影響を受けて振動する。磁気抵抗効果素子１Ａのフリー層１Ａ_Ｆの磁化の向きＦの振動数ｆ_Ｆと、磁気抵抗効果素子１Ａを流れる交流電流ｉの周波数ｆが一致した場合、磁化の向きＦの振動が共振し、出力端子ＯＵＴＰＵＴ１，ＯＵＴＰＵＴ２の間の電圧Ｖが増加する。磁気ヨーク１Ｂは共振が生じるような磁場Ｈをフリー層１Ａ_Ｆに与えている。電流制御回路１Ｄから出力される電流Ｉを直流とし、この直流電流Ｉを掃引すると、特定の共振周波数毎の電圧Ｖがモニタ回路２によって検出される。 （もっと読む）