【課題】非線形性やヒステリシスを低減することのできる磁気センサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】複数の磁気抵抗素子１３を備える。各磁気抵抗素子１３は楕円形状を有し、異方性軸およびそれに応じた異方性磁界Ｈk を有する。共通の上部電極２１にリセット電流Ｉr を流し、各磁気抵抗素子１３に対してリセット磁界Ｈr を印加する。リセット磁界Ｈr の方向は各素子の異方性軸に垂直であり、その大きさは異方性磁界Ｈk よりも大きい。フリー層の磁化方向はその異方性軸（長軸）に沿った優先方向に落ち着く。複数のＭＴＪ素子１３の半分では長軸方向のうち右向きが優先方向となり、残りの半分では左向きが優先方向となる。その結果、応答信号の非線形性やヒステリシスの主原因がなくなる。 （もっと読む）

【課題】検出対象物質を高精度に検出することができる磁気センサ素子を提供する。
【解決手段】複数の磁区が一方向に連なり、且つ隣り合う該磁区同士が互いに反対方向の磁化容易軸を有する多磁区構造体を備えている磁気センサ素子であって、前記多磁区構造体は表面領域を有し、該表面領域の内、前記多磁区構造体の一方の端から数えて２ｎ−１番目（ｎは自然数）の磁区と２ｎ番目の磁区との境界に位置する第１の表面部と、２ｎ番目の磁区と２ｎ＋１番目の磁区との境界に位置する第２の表面部とは、磁性粒子あるいは該磁性粒子に固定可能な物質に対する親和性が互いに異なることを特徴とする磁気センサ素子。 （もっと読む）

【課題】歯状磁性体の位置及び移動方向を正確に検出できる磁気検出装置を得る。
【解決手段】移動方向判定手段１３から得られる歯状磁性体の移動方向に基づき、第１信号について歯状磁性体の各歯における所定位置に対応する部分を磁性体位置として判定する磁性体位置判定手段１４と、磁性体位置判定手段１４から得られる磁性体位置と移動方向判定手段１３から得られる歯状磁性体の移動方向の情報を含む移動状態信号を出力する移動状態出力手段１５とを備え、移動状態信号は、３レベルの信号であり、レベルが変化する際のエッジ及びそのエッジにおける変化後レベルに、磁性体位置及び移動方向情報が対応している。 （もっと読む）

【課題】３６０度の測定範囲にわたって磁場角を精度良く測定可能であり、１チップ化も可能な磁場角測定装置を提供する。
【解決手段】磁場角測定装置は、第１ホイートストンブリッジ２００Ａ，第２ホイートストンブリッジ２００Ｂ、第１アンプ４３Ａ，第２アンプ４３Ｂおよびマイクロコントローラ４４を備える。各ブリッジ２００Ａ，２００Ｂは３つのタイプ（Ａ〜Ｃ）のＧＭＲ素子により構成される。磁場角θは、マイクロコントローラ４４において、第１アンプ４３Ａの出力（ΔＵ₁＝Ａ₁ｓｉｎθ）および第２アンプ４３Ｂの出力（ΔＵ₂＝Ａ₂ｃｏｓθ，Ａ₁＝Ａ₂）を基に、式θ＝ａｒｃｔａｎ（ΔＵ₁／ΔＵ₂）により決定される。 （もっと読む）

【課題】誤検出することなく磁性移動体の移動方向を検出することができる磁気検出装置を得る。
【解決手段】被検出対象の正方向への移動に基づく、第１磁電変化出力回路の出力と第２磁電変化出力回路の出力の相互の位相により、第１信号を出力し、ハイレベル１とローレベル１のパルスを発生し、被検出対象の逆方向への移動に基づく、第１磁電変化出力回路の出力と第２磁電変化出力回路の出力の相互の位相により、第２信号を出力し、ハイレベル２とローレベル２のパルスを発生する出力信号処理回路を備え、ハイレベル１とローレベル１のパルスが他方の比較レベルと交差しないようにすると共に、ハイレベル２とローレベル２のパルスが一方の比較レベルと交差しないようにする。 （もっと読む）

【課題】より高分解能で小型である磁気式エンコーダ用の磁気センサを提供すること。
【解決手段】本発明の磁気センサは、電子素子２３１上に実装されており、磁気抵抗効果素子を一対の軟磁性体で挟持してなる複数の磁気検出部２３２を備えた磁気センサであって、前記磁気検出部２３２は、磁界が通過する方向に沿って並設するＡ相用の磁気検出部２３２ａと、磁界が通過する方向に沿って並設するＢ相用の磁気検出部２３２ｂとを有し、前記磁気検出部２３２ａ及び前記磁気検出部２３２ｂは、隣接する磁気検出部が磁気的に干渉を及ぼさない距離だけ離した状態で、交互に配設される。 （もっと読む）

【課題】大きな磁気抵抗素子に掛かる応力を緩和し、性能低下を防ぐ磁気センサを提供する。
【解決手段】ＭＲセンサ１は、基板２と、第１のＭＲ素子３０が直列に接続された第１、第２、第５、第６のＭＲ素子群３Ａ、３Ｂ、３Ｅ、３Ｆと、第２のＭＲ素子３１が直列に接続された第３、第４、第７、第８のＭＲ素子群３Ｃ、３Ｄ、３Ｇ、３Ｈと、パッド４ａ〜４ｄとで構成され、第１〜第８のＭＲ素子群３Ａ〜３Ｈの周囲には、第１〜第８のＭＲ素子群３Ａ〜３Ｈに掛かる応力を緩和するための応力緩和用開口５が設けられている。第１〜第８のＭＲ素子群３Ａ〜３Ｈは、コモンセントロイド配置されており、ＭＲセンサ１のオフセット電圧の低減を可能にしている。 （もっと読む）

【課題】製造工数が少なく、同時に複数の軸を有する磁気センサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】複数のセンサブリッジ回路における一対の検知部を傾斜の法線方向が三次元的に交差する傾斜斜面上にそれぞれ配し、同一センサブリッジ回路内の一対の検知部は傾斜斜面の法線方向が同一である斜面上に配しているので、一方向の磁界を付与しながらの磁場中熱処理を１回行うだけで、同一ブリッジ内検知部のピンド層は同一方向に着磁でき、かつ各座標系のピンド層の磁化方向を三次元的に交差する三つの磁化方向に着磁できるため、製造工程の低減ができ、製造歩留まりの向上に繋がる。 （もっと読む）

【課題】接続ワイヤーを用いることなく、磁気センサの出力信号を生成することが可能な単一チップの磁気センサを提供すること。
【解決手段】磁気センサ１０は、単一の基板１０ａ、複数の磁気抵抗効果素子１１〜１８、複数の磁気抵抗効果素子を接続する配線部１９、及び、制御回路部３１を含む。制御回路部は、複数の磁気抵抗効果素子の抵抗値に基く物理量を配線部を介して取得し、且つ、その物理量を処理することにより外部に出力する出力信号を生成する。磁気センサは、基板上に積層された複数の層を含む。磁気抵抗効果素子はその複数の層の一つの層の上面に形成される。配線部及び制御回路部は、基板及び複数の層内に形成される。磁気抵抗効果素子と配線部と制御回路部とは、その複数の層内にてそれらの層の層面に交差する方向に伸びる導電性物質からなる接続部により互いに接続されている。 （もっと読む）

【課題】実施例は、複数の磁気抵抗（magnetoresistive）（ＭＲ）センサを有する無線周波数（radio frequency）（ＲＦ）センサシステムを含み、各ＭＲセンサは、ＭＲ素子の構成を含み、経時変化する外部磁場に応答して経時変化出力電圧を発生させるように適合される。
【解決手段】ＲＦセンサシステムは、複数のＭＲセンサに電気的に結合され、かつ、複数のＭＲセンサからの複数の経時変化出力電圧を受取り、組合せて、センサ出力電圧を生成するように適合されたコンバイナ回路も含む。別の実施例は、複数のＭＲセンサがアレイの構成で配置された電磁センサアレイを含み、各ＭＲセンサは、ホイートストンブリッジ回路を形成する複数のＭＲ素子を含み、各ＭＲセンサは、経時変化する外部磁場に応答して経時変化出力電圧を発生させるように適合される。さらに別の実施例は、電磁センサアレイの製造方法を含む。 （もっと読む）

本発明は第１の磁化が固定された磁気層（４１０）と磁気脱共役のために第１の分離層（４２０）によって分離されている高感度層である第２のフリー磁化磁気層（４３０）とを備える磁気抵抗センサに関する。前記センサは磁気脱共役のために第２分離層（４４０）によって前記高感度層から分離された第２の磁化が固定された磁気層（４５０）を更に備え、前記第１および第２の分離層は前記高感度層の両側に位置し、外部磁場がない場合、前記第１の磁化が固定された磁気層および前記高感度層の各磁化は実質的に垂直である。前記第２ピン層の磁化配向は選択される。 （もっと読む）

本発明は、ピン層である第１の磁化が固定された磁気層（４１０）と、外部磁場がない場合、前記ピン層の磁化に対して実質的に垂直な磁化を有し、磁気脱共役のために第１の分離層（４２０）によって前記ピン層から分離されている高感度層であるフリー磁化磁気層（４３０）とを備える磁気抵抗センサに関する。前記センサは、横方向のスピン移動を制御する役割を果たし、前記分離層の反対側で前記高感度層の横に位置する横結合層（４４０）を更に備える。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で紙葉類の厚みと磁気インク含有量とを同時に検出する技術を提供する。
【解決手段】紙葉類識別装置１０のセンサ部１００は、紙葉類の厚みと磁気インクの含有量に応じてインダクタンスが変化する可変インダクタンス部１１０と、可変インダクタンス部１１０のインダクタンスに応じて出力信号を生成する出力信号生成部１２０とを備えている。可変インダクタンス部１１０は、磁歪特性を有する接触端子１１２とその外周に設けられたコイル１１３とを備えている。接触端子１１２は、補助ローラ６３０を介してスプリング６３２から押圧力を受けるように配置されている。紙幣ＢＬの厚みｔに応じてスプリング６３２から受ける押圧力が変化すると、接触端子１１２の透磁率が変化して可変インダクタンス部１１０のインダクタンスが変化する。同時に、紙幣ＢＬの磁気インクの磁気量によっても可変インダクタンス部１１０のインダクタンスは変化する。 （もっと読む）

【課題】素子抵抗が低く、ＭＲ比の高いトンネル磁気抵抗効果素子（ＴＭＲ素子）を提供すること。
【解決手段】基板１１の上方に下地層１２、反強磁性層１３、ピンド層１４、非磁性結合層１５、リファレンス層１６、トンネルバリア層１７、フリー強磁性層１８、及びキャップ層１９が順に形成されたトンネル磁気抵抗効果素子（ＴＭＲ素子１０）において、トンネルバリア層１７を、ＭｇＯ膜等の結晶性酸化物膜を低酸素分圧（例えば１０^-7Ｐａ程度の高真空下）下で形成し、その後結晶性酸化物膜を酸素ガス又は酸素を含むガスと接触させる。このようにして形成された結晶性酸化物膜を備えたＴＭＲ素子１０によれば、従来よりも高いＭＲ比が得られる。 （もっと読む）

【課題】磁界の印加方向が磁気抵抗効果膜からなるセンサ素子の磁化容易方向に磁界を印加し、軟磁性の磁性粒子を容易に検出する検出装置を提供する。
【解決手段】第１の磁性膜（検出層）、非磁性膜、及び、第２の磁性膜（磁化固定層）がこの順に積層されたセンサ素子と、センサ素子に電流を供給する電源と、センサ素子の電圧を検出する電圧検出手段と、検出層の磁化容易方向に磁界を印加する磁気発生手段とを具備し、センサ素子に印加された磁界の強度とセンサ素子の電圧の大きさとから、磁性粒子を検出する検出装置であって、第２の磁性膜の磁化方向が磁気発生手段から印加される磁界の方向と平行であり、第１の磁性膜が、１００Ｏｅ以上で磁化反転する磁性膜であり、磁気発生手段から印加される磁界が、第２の磁性膜の一方向異方性の向きであることを特徴とする検出装置である。 （もっと読む）

【課題】ヒステリシス特性に優れた磁気センサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＧＭＲ素子とＣＶＤ酸化膜１１ｏとの間には，ＧＭＲバー１２ａ−２の表面を覆うように、基板１１の全面に亘って非酸化性雰囲気で成膜したＰＶＤ絶縁膜１１ｒが形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、マイクロマシニング技術で作製したマイクロメカニカル構造体において、その可動部に磁気センサを設けて磁気情報を得る磁気センシング装置を提供する。
【解決手段】基板１００に連結された可動部１０１の表面に磁気センサ１０２およびアクチュエータ１０３が設けられ、磁気センサ１０２は、検知した信号を読み取るための配線１０４、電極パッド１０５が接続されている。アクチュエータ１０３の作用により、可動部１０１が下方に反り、可動部先端に設けられた磁気センサ１０２が、基板１００の基準面に対してある角度をもって傾斜している。 （もっと読む）

【課題】ヒステリシス特性に優れた磁気センサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＧＭＲ素子とＣＶＤ酸化膜１１ｏとの間には、ＧＭＲ素子における少なくともフリー層ＦをＧＭＲバー１２ａ−２毎に覆う非磁性膜が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 磁石とこの磁石に対向して移動する検知器を用いて、位置検知を正確にできるようにした磁気抵抗効果素子を用いた位置検知装置を提供する。
【解決手段】 磁石２の円形の表面２ａがＮ極に着磁され、背面２ｂがＳ極に着磁されている。検知器１０は、磁石２の表面２ａから離れた位置でＸ−Ｙ平面内で移動する。検知器１０内にはＸ方向検知素子２０ｘとＹ方向検知素子２０ｙが設けられている。Ｘ方向検知素子２０ｘとＹ方向検知素子２０ｙは、それぞれ磁気抵抗効果素子である。磁石２の表面２ａを中心Ｏが突出するテーパ形状とすることにより、Ｘ方向検知素子２０ｘとＹ方向検知素子２０ｙとで、中心Ｏからの距離を正確に得ることができる。 （もっと読む）

【課題】センサを小型化でき、印加磁界の制御が容易な磁気近接スイッチを提供することを課題とする。
【解決手段】スイッチング動作を行う集積回路素子を備えた半導体基板１１と、半導体基板１１の一方の面上に設けられ、かつ面内方向に感磁方向を持つ磁気抵抗素子１２と、磁気抵抗素子１２にバイアス磁界を印加するためのコイル１３を少なくとも備え、コイル１３は、外部磁界が印加されていない状態では、磁気抵抗素子１２が形成された面内方向にバイアス磁界を印加するものであることを特徴とする磁気近接スイッチ１０。 （もっと読む）