【課題】精度の高い磁界検出方法を提供する。
【解決手段】
トンネル磁気抵抗効果素子１０を用いて外部磁界を検出する磁界検出方法が提供される。磁界検出方法は、トンネル磁気抵抗効果素子１０の自由層１５の磁化方向を変化させるバイアス磁界Ｈｂと外部磁界Ｈｅｘとを同時に、もしくはバイアス磁界Ｈｂと外部磁界Ｈｅｘとを個別にトンネル磁気抵抗効果素子１０に印加したときの電気特性を測定するステップと、バイアス磁界Ｈｂおよび外部磁界Ｈｅｘに応じて測定されたトンネル磁気抵抗効果素子１０の電気特性に基づいて外部磁界を算出するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】 動作点の変動と抵抗値比のばらつきを抑制することができると共に、温度特性を改善した磁気センサを提供する。
【解決手段】 磁気センサ１は、センサ回路部２を備える。このセンサ回路部２は、第１および第３の磁気抵抗素子Ｒ1，Ｒ3を直列接続した第１の直列回路６と、第２および第４の磁気抵抗素子Ｒ2，Ｒ4を直列接続した第２の直列回路７とを備え、第１の直列回路６と第２の直列回路７とを並列接続したブリッジ回路５によって構成される。第１ないし第４の磁気抵抗素子Ｒ1〜Ｒ4の表面は絶縁膜１２によって覆われる。また、第３の磁気抵抗素子Ｒ3および第４の磁気抵抗素子Ｒ4の表面には、絶縁膜１２を挟んで磁性材料からなる磁束集磁膜１３が形成される。 （もっと読む）

【課題】ウエハの状態で複数個の磁気センサを同時にかつ高精度に検査する。
【解決手段】ウエハ状態に並べられた複数の磁気センサが載置され水平方向及び垂直方向に移動可能なステージ１２と、このステージ１２の上方に対向配置され磁気センサのうちの少なくとも複数個を含む検査領域の各磁気センサに同時に接触可能なプローブ群１３を有するプローブカード９と、このプローブカード９を介して対峙しプローブ群１３の周辺に磁場を発生する複数の磁場発生コイル３〜８と、プローブカード９におけるプローブ群１３の外側を囲むように配設された複数の磁場環境測定センサ１４〜１７と、これら磁場環境測定センサ１４〜１７の測定結果に基づき磁場発生コイル３〜８の出力を制御する磁場制御部とを備える。 （もっと読む）

【課題】 抵抗及び小さな静電容量を用いた回路により、検出素子の出力信号を直流成分を除いて増幅する小型な信号処理装置を得る。
【解決手段】 入力信号が第１のインピーダンスを介して反転入力端子に入力される第１のオペアンプと、第１のオペアンプの反転入力端子と出力端子とに接続された第２のインピーダンスと、基準電圧が非反転入力端子に入力され、出力端子が第１のオペアンプの非反転入力端子に接続された第２のオペアンプと、第２のオペアンプの反転入力端子と出力端子とに接続された第１の静電容量と第１のスイッチと、第２のスイッチを介して第１のオペアンプの出力端子と前記第２のオペアンプの反転端子とに接続された第３の抵抗と、第３のスイッチを介して第１のオペアンプの出力端子と第２のオペアンプの反転端子とに接続された第４の抵抗とを備えた。 （もっと読む）

【課題】 小型で微小な磁極間の磁界評価や、評価対象近傍領域の磁界評価ができる磁気センサを提供すること
【解決手段】 磁気センサ１０は、外径１２５μｍの光ファイバークラッドからなる円柱状のベース部材１１の外周面に磁気抵抗薄膜１２を被膜すると共に、その磁気抵抗効果膜１２の軸方向両端に導体膜１３を成膜して形成される。導体膜が電極部となる。導体膜間にセンス電流を流すことで、このセンス電流ベクトルと外部磁界による円柱周囲の確気抵抗薄膜の磁化ベクトルとの成す角度に応じて、磁気抵抗薄膜の抵抗変化が生じ、端子間の電圧変化として検出可能となる。 （もっと読む）

【課題】ＳＱＵＩＤ磁束計で用いられる１．５ＧＰａ以上の超高圧が発生可能で磁化の小さな物質の磁化測定も可能で高圧発生空間が比較的大きく廉価な高圧発生装置及び磁化測定装置を提供する。
【解決手段】高圧発生装置１０は、両端部にボルト部１１が形成されたシリンダー１２と、シリンダー内に設けられた一対のアンビル１３と、一対のアンビルの間に高圧発生空間を形成するために設けられたガスケット１５と、一対のアンビルの両端から押さえるピストン１６と、ピストンを介して一対のアンビルを加圧する加圧棒１７と、加圧棒で加圧した後に一対のアンビルを加圧した状態でピストンを固定するためにボルト部でねじ締めするクランプナット１８と、を備え、シリンダー１２とアンビル１３とガスケット１５とピストン１６とクランプナット１８は、非磁性物質により形成されている。 （もっと読む）

【課題】 磁気の遮蔽材を用いず、温度特性に優れた磁気センサおよび磁気センサ装置を提供すること。
【解決手段】 磁化方向が所定方向に固定された固定磁化層と該固定磁化層に絶縁層を介して積層され外部磁界により磁化方向が変わる自由磁化層とを有する第１のスピンバルブ型磁気抵抗素子５Ａおよび第２のスピンバルブ型磁気抵抗素子５Ｂと、第１のスピンバルブ型磁気抵抗素子が設置された第１の板部６Ａおよび第２のスピンバルブ型磁気抵抗素子５Ｂが設置された第２の板部６Ｂとを備え、第１のスピンバルブ型磁気抵抗素子５Ａが、検出しようとする外部磁界の向きＭに対して固定磁化層を平行にして設置され、第２のスピンバルブ型磁気抵抗素子５Ｂが、検出しようとする外部磁界の向きＭに対して固定磁化層を直交させて設置されている。 （もっと読む）

【課題】光の照射される領域に原子が析出することを抑制するために、適切なタイミング
でセル内部に温度勾配を発生させる。
【解決手段】磁場測定装置は、指示を示す指示信号を取得する取得手段と、光により励起
されると磁場に応じて直線偏光の偏光面を回転させる原子を内部に封入し、当該原子に照
射される前記直線偏光を透過させるセルと、前記セルを透過した前記直線偏光の偏光面の
回転角を計測する計測部と、前記セルを外部から加熱する加熱部と、前記取得手段が前記
計測部による計測を停止する旨の指示を示す指示信号を取得すると、前記計測部に計測を
停止させ、前記加熱部に加熱を停止させるとともに、前記セルのうち前記光が照射される
部分よりも温度が低い前記光の照射されない部分が存在するように前記セルの内部に温度
勾配を発生させる温度勾配発生部とを備える。 （もっと読む）

【課題】温度が変化しても磁性体コアが磁気飽和するまでの時間が変化しないようにし、同期検波の位相ずれによる出力誤差を低減する。
【解決手段】磁性体コア１１に励磁コイル１２と検出コイル１３が巻回されたセンサ部１０を有し、検出コイル１３より得られる検出出力から直流成分を除去した出力を励磁コイル１２を励磁する励磁周波数の２倍の周波数信号により同期検波し、検波後の出力を積分して検出コイル１３に負帰還する地磁気センサにおいて、励磁周波数信号と励磁周波数の２倍の周波数信号とその２倍の周波数信号と位相が９０度ずれている信号を出力する発振回路７０と、前記直流成分を除去した出力と励磁周波数の２倍の周波数信号と位相が９０度ずれている信号の位相差を検出して出力する位相差検出部５０と、位相差検出部５０の出力を積分する積分器６０と、積分器６０の出力により励磁コイル１２に流れる励磁電流を制御する励磁制御部３３を具備する。 （もっと読む）

【課題】 特にＳＦＰ構造における第１磁性層の膜厚を、耐熱性及びΔＭＲの観点から適正化してなるセルフピン止め型の磁気検出素子及びそれを用いた磁気センサを提供することを目的とする。
【解決手段】 固定磁性層とフリー磁性層とが非磁性材料層を介して積層された積層構造を備え、固定磁性層３は、第１磁性層３ａと第２磁性層３ｃとが非磁性中間層３ｂを介して積層され、反平行に磁化固定されたセルフピン止め型であり、第１磁性層３ａは第２磁性層よりも高保磁力材料のＦｅ_xＣｏ_100-x（ただしｘは、５５ａｔ％以上で６５ａｔ％以下）で形成され、第１磁性層３ａの膜厚ｔ１は１４Å以上で２０．５Å以下の範囲内で第２磁性層よりも薄く、第１磁性層３ａと第２磁性層３ｃの磁化量の差が実質的にゼロである。 （もっと読む）

【課題】単一のコイルで直流オフセットを効果的に抑止し、小型でありながら高精度な磁気センサを提供する。
【解決手段】ヨーク２０１を伴うコイルＬ１０４とコンデンサＣ３０５を直列接続した回路に対し、矩形波を供給する。矩形波の周期内でヨーク２０１に飽和現象を発生させ、その電流変化を電流電圧変換回路を通じて検出した後、積分する。この積分出力信号に基づく電流を電圧電流変換回路で作り、コイルＬ１０４にフィードバックさせる。フィードバック電流は外部磁界に比例するので、直線性の良い磁気センサを得ることができる。従来技術とは異なり、コイルＬ１０４に双方向の電流を流すので、回路定数が変化した場合でも検出電圧の変化が電流方向の違いでそれぞれ同じ大きさになり相殺される。このため無磁界時のオフセットが生じ難い。したがって、従来技術のように二つのコイルを設ける必要がなく、部品点数が少なくなるので、低コストで高精度な磁気センサを実現できる。 （もっと読む）

【課題】少ない部品点数で、磁気抵抗センサの出力温度特性を改善する。あるいは、既製品を利用して、大幅な設計変更をせずに磁気抵抗センサの出力温度特性を改善する。あるいは、磁気抵抗センサについて多相出力がある場合に、それらの出力温度特性を一括して改善する。
【解決手段】磁気抵抗センサの電源回路１０１ａは、磁気抵抗センサに電圧を印加する電源回路であって、磁気抵抗センサに印加する電圧を磁気抵抗センサの温度に応じて可変とすることにより、磁気抵抗センサの温度補償をする温度補償回路を備える。 （もっと読む）

【課題】 磁気センサの出力を簡単に温度補正できるようにする。
【解決手段】 外部磁界が２つの磁気抵抗効果素子の抵抗値変化に差を生じさせない状態での磁気センサ１０の出力電圧Ｖoutを取得するとともに、出力電圧Ｖoutのオフセット電圧Ｏs1を取得する。オフセット電圧Ｏs1の場合と同一温度Ｔrtにおいて、外部磁界を２つの磁気抵抗効果素子に対して回転させたときの磁気センサの出力電圧の最大値と最小値の中央値を計算して出力振幅中心値として取得する。出力振幅中心値のオフセット電圧Ｏs2とオフセット電圧Ｏs1との差Ｏs2−Ｏs1を取得して、予め用意された比例定数Ａを用いて、磁気センサの温度がＴである条件下で、外部磁界の印加によって前記磁気センサから出力される出力電圧を、式Ｏａ(Ｔ)＝Ａ・(Ｏs2−Ｏs1)・(Ｔ−Ｔrt)＋Ｏs1によって規定される補正値Ｏａ(Ｔ)で補正する。 （もっと読む）

【課題】 特に、固定抵抗素子を磁気抵抗効果素子よりも少ない積層数にて、電気抵抗値Ｒｓ及び抵抗温度係数（ＴＣＲ）が磁気抵抗効果素子とほぼ同等になるように調整できる磁気センサを提供することを目的とする。
【解決手段】 本実施形態における磁気センサ１は、基板２上に、反強磁性層、固定磁性層、非磁性材料層及びフリー磁性層が積層されて成る磁気抵抗効果素子１０と、前記磁気抵抗効果素子１０と電気的に接続された固定抵抗素子２０とを有し、前記固定抵抗素子２０は、Ｆｅ単層２２と、前記Ｆｅ単層２２よりも抵抗温度係数（ＴＣＲ）が低い非磁性層２１とを積層して構成され、前記磁気抵抗効果素子１０よりも積層数が少ないことを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】信頼性試験等におけるパッケージ応力の変動に伴い、ホール起電力も変動する。ホール素子に対するパッケージ応力の変動による影響を低減させる。
【解決手段】シリコン基板上において、対称型ホール素子のホール起電力の温度補正用の抵抗素子を構成する抵抗器を、対称型ホール素子に隣接するように配置する。特に、ブリッジ型に構成される複数の抵抗器を、ホール素子の周辺を取り囲むように配置する。また、ホール素子は、ホール素子に流れる駆動電流が<011>方向に流れるようにシリコン基板上に配置し、温度補正用抵抗素子は、抵抗素子に流れる電流方向がホール素子の駆動電流の電流方向に対して平行、垂直、又は４５度の角度をなすように配置する。 （もっと読む）

【課題】高感度で消費電力が低く、かつ、温度特性にも優れたホール素子の提供すること。
【解決手段】Ｉｎ_Ｘ１Ｇａ_１−Ｘ１Ａｓ_Ｙ１Ｓｂ_１−Ｙ１（０≦Ｘ１≦１、０≦Ｙ１≦１）からなる活性層の上下に、この活性層より大きな禁制帯幅を有する化合物半導体層を配置した半導体薄膜と、金属電極層を形成する領域の上部の化合物半導体層をエッチングして活性層が露出された半導体薄膜をすべて覆うように設けられた第一保護層と、パターンニングした第一保護層をマスクとして用いて半導体薄膜の感磁部及び電極接触部以外をエッチングして露出した基板と半導体薄膜の側面及び第一保護層を被覆した第二保護層と、この第二保護層と第一保護層とをエッチングして露出された活性層のみに接触する金属電極層とを備えた。 （もっと読む）

【課題】 磁気センサの素子面上に保護金属カバーを備えた磁気センサ組立体において、
磁気センサの磁気抵抗効果素子を形成する抵抗ブリッジの中点電位差が環境温度の影響を
受けて大きく変化し、設計値に対してオフセットを生じる。
【解決手段】 保護金属カバーのうち磁気抵抗効果素子と対向する面の一部を薄肉化して
凹部を形成する。磁気抵抗効果素子と保護金属カバーとの間隔が局部的に広くなることで
、環境温度の影響を受けて保護金属カバーと磁気センサの素子面との対向状態が変化して
も、磁気抵抗効果素子内の温度分布が不均一になり難く、中点電位差が変化しにくい磁気
センサ組立体となる。 （もっと読む）

磁気抵抗センサの二重変調は、前記センサに加えられた励起（例えば電圧または電流）と、前記センサに加えられたティックリング（tickling）磁界との両方の変調を含む。前記励起及び磁界は、各々、互いに異なる周波数ｆ_ｃ及びｆ_ｆに変調される。この二重変調の結果、センサ出力スペクトラルは、周波数ｆ_ｃのキャリアトーン（ＣＴ）と、周波数ｆ_ｃ±ｆ_ｆのサイドトーン（ＳＴ）とを含む。ＣＴ振幅とＳＴ振幅とのベースライン関係を求める（例えば、サンプルの非存在下におけるドリフト発生時のＣＴ振幅及びＳＴ振幅を測定することによって求める）。センサの作動中は、生のＳＴ測定値を、それに対応する生のＣＴ測定値を用いて修正し、修正されたＳＴ測定値をセンサ出力として提供する。 （もっと読む）

【課題】外部磁界に対して温度に依存しない高い感度を有する磁気抵抗性の多層デバイスを提供する。
【解決手段】積層体は磁気抵抗性スタックに向かって順に第１の磁性層、第１の中間層および第２の磁性層を有しており、第１の磁性層および第２の磁性層は非磁性の第１の中間層を介して相互に分離され、かつ相互に強磁性クロスカップリングされており、２つの磁性層の散乱磁界結合は強磁性クロスカップリングに対して反対方向となっている。 （もっと読む）

【課題】簡素な構造および製造方法を用いて、中点電圧偏差を小さくするとともに中点電圧の温度特性を良好にできる磁気検出回路素子を実現する。
【解決手段】半絶縁性基板１１上には、半導体膜１３Ａを有する磁気抵抗素子ＭＲ１と半導体膜１３Ｂを有する磁気抵抗素子ＭＲ２とが長尺状に形成されるとともに、入力電圧用電極１４、グランド接続用電極１５、出力電圧用電極１６が形成される。グランド接続用電極１５は半導体膜１３Ｂと接続電極１７Ｂを介して接続され、出力電圧用電極１６は半導体膜１３Ａ，１３Ｂと接続電極１７Ｃを介して接続される。接続電極１７Ｂには補正用電極１８１が接続され、接続電極１７Ｃには補正用電極１８２が接続される。補正用電極１８１，１８２は、互いの先端間に生じるリーク抵抗Ｒｃ１が、グランド接続用電極１５と出力電圧用電極１６との間のリーク抵抗による中点電圧偏差を抑制する抵抗値となるように形成される。 （もっと読む）