【課題】コンパクトな構成でありながら磁場の検出性能に優れ、かつ容易に製造可能な磁気センサを提供する。
【解決手段】磁化固着層６３と介在層６２と磁化自由層６１とを順にそれぞれ含むと共に、信号磁場によって互いに反対向きの抵抗変化を示す第１および第２のＭＲ素子を備える。ここで、第１のＭＲ素子における磁化固着層６３は、介在層６２の側から順にピンド層６３１と、結合層６３２と、ピンド層６３１と反強磁性結合するピンド層６３３とを含むシンセティック構造を有する。このシンセティック構造は、ピンド層６３３の総磁気モーメントがピンド層６３１の総磁気モーメントよりも大きなものである。一方、第２のＭＲ素子における磁化固着層６３は、単一もしくは複数の強磁性材料層からなる。 （もっと読む）

【課題】磁気センサの測定対象に合わせて、ノイズを低減し、かつ、検知の高感度化を図る。
【解決手段】磁気抵抗素子１０を並列または直列に接続して磁気抵抗素子群８とし、該磁気抵抗素群８を並列に接続したセル９を検知部として備えた磁気センサ２０と、該磁気センサ２０で検知する磁界発生源を電流源とし、その周波数、強度、および位相に基づいて、磁気抵抗素子群８および／またはセル９の組み合わせを切り替える制御手段４１と、を備える。 （もっと読む）

【課題】高精度でかつ安定的に電力を計測する電力計測装置を提供する。
【解決手段】この電力計測装置では、この磁性体薄膜３の出力を検出する検出部２０に、磁性体薄膜３の出力から交流と同じ周波数成分を低減した波形を出力する同期交流低減部２１を設けたことを特徴とする。そして磁性体薄膜３は、交流が流れる一次導体２００に対し、平行となるように配置される。そしてこの磁性体薄膜３は、一次導体２００に接続される。そしてこの磁性体薄膜３に素子電流を供給する入力端子を備えた給電部５が接続され、検出部２０において磁性体薄膜３両端の出力が検出される。 （もっと読む）

【課題】 高精度でかつ安定的に電力を計測する電力計測装置を提供する。
【解決手段】 第１乃至第４の磁性体成分３ａ乃至３ｄは、正方形の微小エレメント３ｓの接続体で構成されたミアンダ形状パターンで構成される。これにより、全体としては長いパターンでありながら、正方形の接続体であるため、形状異方性をもつことなく、磁化方向は、正方形の中心をとおりこの正方形の２つの辺に平行な方向となっている。従って磁化方向Ｐは電流経路Ｑに対して４５°の角度をなすように構成され、一次導体２００と平行な方向に電流経路をとることができ、高感度化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】 積層構造の側方に生成された付着物の影響を受けにくい磁気トンネル接合素子が求められている。
【解決手段】 基板上に形成された下部電極の一部の領域の上に、下部電極とはエッチング特性が異なる導電材料で形成されたバッファ層が配置されている。バッファ層の上に、アモルファスの強磁性材料で形成された第１磁化自由層が配置されている。第１磁化自由層の上に、結晶化した強磁性材料で形成された第２磁化自由層が配置されている。第２磁化自由層の上にトンネルバリア層が配置されている。トンネルバリア層の上に、磁化方向が固定された磁化固定層が配置されている。磁化固定層の上に上部電極層が配置されている。 （もっと読む）

【課題】感磁部と磁気感度および抵抗の調整を可能とするトリミング部とを備えた磁気センサを提供すること。
【解決手段】磁気センサは、基板２６に設けられた化合物半導体からなる十字形状パターンの感磁部２１を備え、入力端子２１ａ，２１ｂと出力端子２１ｃ，２１ｄの少なくとも一方の端子２１ａ，２１ｄに、化合物半導体を有するトリミング部２３ａ，２３ｂが接続電極２４を介して直列接続されている。ウェハプロービングを行いながら、接続電極２４を介して感磁部２１に直列接続された入力端子側のトリミング部２３ａを、レーザートリミングすることにより、定電圧駆動における磁気感度の調整を可能とし、同様に出力端子側のトリミング部２３ｂをトリミングすることにより出力抵抗の調整を可能にした。 （もっと読む）

【課題】 特に、従来よりも少ないチップ数で複数軸の外部磁界検知を可能とする磁気センサを提供することを目的とする。
【解決手段】 磁性層と非磁性層とが積層されて成る磁気抵抗効果を発揮する複数の磁気抵抗効果素子Ｓ１〜Ｓ３と、各磁気抵抗効果素子と絶縁層４を介して非接触の位置に設けられた軟磁性体３とを有し、平面視にて前記軟磁性体３のＸ１−Ｘ２の両側に夫々、固定磁性層の固定磁化方向Ｐ１が、Ｘ１−Ｘ２方向に向けられた磁気抵抗効果素子Ｓ１〜Ｓ３が配置されており、磁気抵抗効果素子Ｓ１，Ｓ３と磁気抵抗効果素子Ｓ２とで固定磁化方向Ｐ１が互いに逆方向にされている。 （もっと読む）

【課題】 特に、従来に比べて外乱磁場及び強磁場耐性に優れた磁気センサを提供することを目的とする。
【解決手段】 磁気抵抗効果を発揮する素子部は平面視にて第１素子部１５ａと第２素子部１５ｂとが交互にＹ方向に間隔を空けて配列されている。各素子部との間に永久磁石層１４が配置されている。平面視にて磁気抵抗効果素子１３ａ〜１３ｄに対しＸ方向の両側に磁気抵抗効果素子と非接触の軟磁性体３３が配置されている。Ｘ方向が感度軸方向Ｐである。各永久磁石層１４はＸ方向に着磁されるとともに、永久磁石層１４から第１素子部１５ａに対してＹ２方向に向く第１のバイアス磁界が供給されて、フリー磁性層の磁化方向ＦがＹ２方向に向けられ、第２素子部１５ｂに対して第１バイアス磁界とは逆方向の第２バイアス磁界が供給されて、フリー磁性層の磁化方向ＦがＹ１方向に向けられる。 （もっと読む）

【課題】 外部磁場耐性を向上させた磁気センサを提供することを目的とする。
【解決手段】 第１素子部９ＡのＸ方向の両側に第１バイアス層１０及び第２バイアス層１１が配置される。各バイアス層１０，１１は、Ｙ１方向に着磁される。第１素子部９ＡにはＸ１方向のバイアス磁界Ｂ１が供給される。第１軟磁性体１２ａは、第１バイアス層１０の中央に位置し、第２軟磁性体１２ｂは、第２バイアス層１１の中央に位置し、各軟磁性体１２ａ，１２ｂは、第１素子部９ＡのＹ方向の両側にてＸ方向にずれて配置されている。第３軟磁性体１２ｃが、第２軟磁性体１２ｂの第１軟磁性体１２ａとの対向側と反対側に配置されている。第１軟磁性体１２ａ及び第３軟磁性体１２ｃの端面はＹ方向に一致している。第１軟磁性体と第２軟磁性体との間隔Ｔ１と、第２軟磁性体と第３軟磁性体との間隔Ｔ２とが同じ大きさである。 （もっと読む）

【課題】演算増幅器、トランジスタ、コンデンサなどのような他の構成要素の内の１つ又はそれ以上を、磁気センサーと同じチップの一部として有する単一チップ設計、特に、チップ上に配置されているセット／リセットドライバー回路を有する設計を提供する。
【解決手段】磁気感知装置と、それを作成する方法及び使用する方法とが開示されている。感知装置は、１つ又は複数の磁気抵抗感知要素と、磁気抵抗感知要素を調整するための１つ又は複数の向き変え要素と、向き変え要素を制御するためのドライバー回路を有する半導体回路と、を有している。磁気抵抗感知要素、向き変え要素、及び半導体回路は、単一のパッケージ内に配置されており、及び／又は単一のチップ上にモノリシックに形成されている。 （もっと読む）

【課題】 同じ構造のＧＭＲ素子を使用し、反応する外部磁界の向きを異ならせることができる磁界検知装置を提供する。
【解決手段】 ＧＭＲ素子１０の長手方向ＬをＸ方向とＹ方向に対して４５度の向きで形成する。ＧＭＲ素子１０の固定磁性層の磁化の固定方向を、長手方向Ｌと直交する向きとし、バイアス用磁石２１，２２によって自由磁性層の磁化の向きを長手方向Ｌに揃える。第１の磁束案内層３１ａと第２の磁束案内層３２ａをＸ方向に細長くし、第１の磁束案内層３１ａと第２の磁束案内層３２ａをＧＭＲ素子１０を挟んでＹ方向に間隔を空けて配置する。Ｘ方向の磁界成分が、第１の磁束案内層３１ａと第２の磁束案内層３２ａの間で導かれてＧＭＲ素子１０にＹ方向の磁束として与えられる。 （もっと読む）

【課題】隣接する磁石同士の間隙部に生じる感度低下を抑制する。
【解決手段】磁気抵抗素子の感磁部２０は、磁気抵抗層の上面に電極材料からなる複数のショートバーが形成されたものである。磁気抵抗部はショートバー２２で覆われていない部分である。紙幣に印刷された磁性体が通過する際、その通過位置によって磁気抵抗素子の抵抗値の変化率（素子感度）が異なる。磁気抵抗素子の抵抗値の変化率は、感磁部における磁気抵抗部の密度が高いほど大きい。そのため、隣接する磁石同士の間隙部上または隣接する磁気抵抗素子の間隙部付近に位置する感磁部２０の磁気抵抗部の密度をその他の領域に比べて相対的に高めることにより、磁石同士の間隙部での感度低下が抑制される。 （もっと読む）

【課題】ノイズの影響が低減され、かつ、増幅歪みの少ない半導体磁気センサ及びそれを用いた磁性体検出装置を提供すること。
【解決手段】直列接続された第１の半導体磁気抵抗素子１１及び第２の半導体磁気抵抗素子１２と、第１の半導体磁気抵抗素子１１及び第２の半導体磁気抵抗素子１２の接続ノードにゲート電極が接続された電界効果トランジスタ１０とを備えている。電界効果トランジスタ１０のゲート電極の幅を第１の半導体磁気抵抗素子１１及び第２の半導体磁気抵抗素子１２の各中心点を結んだ直線に投影した時の長さが、第１の半導体磁気抵抗素子１１及び第２の半導体磁気抵抗素子１２の各中心点の直線距離の略偶数倍であるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】製造効率が高く、かつ磁気の測定精度に優れたマグネトインピーダンス素子の製造方法と、該製造方法によって製造したマグネトインピーダンス素子を提供する。
【解決手段】ＭＩセンサ素子１は、非磁性体からなる基板４と、複数の感磁体２と、複数の検出コイル３とを備える。複数の感磁体２は、アモルファス材料からなり、基板４に固定されており、互いに電気的に接続されている。検出コイル３は、個々の感磁体２に巻回形成され、互いに電気的に接続している。ＭＩセンサ素子１は、感磁体２にパルス電流または高周波電流を流すことにより、感磁体２に作用する磁界の強さに対応した電圧を検出コイル３から出力する。複数の感磁体２は、１本のアモルファスワイヤ２０を基板４に固定した後、切断して形成したものである。 （もっと読む）

【課題】 読み取り領域をカバーし、搬送される紙葉類の磁気情報を高精度で検出し、紙葉類の真偽判別可能な磁気センサ装置及びそれを用いた読み取り判別装置を提供する。
【解決手段】 挿入側の側壁にスリット部を設け、対向する排出側を開口端部とし、内部に中空部を有する平板状の筐体と、読み取り媒体と、読み取り媒体が搬送される筐体の中空部を形成する一方の平板壁の開口端部内側に載置され、スリット部に平行して磁気感受素子と出力端子とをパターン形成した基板と、筐体の中空部を形成する他方の平板壁の開口端部を除く一部にスリット部に沿って表面が絶縁性を有する導体を巻きつけ、導体に直流電圧を印加し、一方の平板壁と他方の平板壁との開口端部間に磁界を発生させるコイルと、基板の出力端子と電気接続され、共通線路を介して磁気感受素子の抵抗値変化を順次検出するシフトレジスタ回路とアナログスイッチ回路からなる半導体チップとを設けた。 （もっと読む）

【課題】 特に、感度軸が直交する２種類の磁気抵抗効果素子を同じチップ上に形成可能とした磁気センサを提供することを目的とする。
【解決手段】 同じセンサチップに第１磁気抵抗効果素子１５と第２磁気抵抗効果素子１６が設けられており、各磁気抵抗効果素子は、フリー磁性層と固定磁性層とが非磁性層を介して積層された素子部と、前記素子部に対してバイアス磁界を供給するためのハードバイアス層を有する。各素子部の固定磁性層は、第１磁性層と第２磁性層とが非磁性中間層を介して積層され、第１磁性層と第２磁性層とが反平行に磁化固定されたセルフピン止め構造である。第１磁気抵抗効果素子の第１素子部の磁化固定方向と第２磁気抵抗効果素子の第２素子部の磁化固定方向は直交している。第１ハードバイアス層及び第２ハードバイアス層は、同じ着磁方向であるが各素子部に供給されるバイアス磁界は直交している。 （もっと読む）

【課題】複数の素子部の抵抗値のバラツキを低減することができる磁気センサ装置を提供することを第１の目的とする。また、この磁気センサ装置を製造する方法を提供することを第２の目的とする。
【解決手段】基板１３の一面２６側に導体部３２が形成されている。この導体部３２の上には導体部３２の正極となる部分と負極となる部分とが開口するように絶縁層２７が形成されており、絶縁層２７の上にピン磁性層２８が含まれた磁気抵抗素子部１４が形成されている。そして、導体部３２に電流が流れると、導体部３２の周囲に磁界が形成されることにより、各磁気抵抗素子部１４のピン磁性層２８の磁化の向きおよび大きさが固定される。したがって、導体部３２に流す電流を制御することで各磁気抵抗素子部１４の抵抗値を揃えることができ、ひいては各磁気抵抗素子部１４の抵抗値のバラツキを低減することができる。 （もっと読む）

【課題】 三端子型磁気抵抗効果素子に関し、一次元線状巨大磁気抵抗素子の特性や磁壁の移動を外部から制御する。
【解決手段】 第１の強磁性体層と、前記第１の強磁性体層より保磁力の大きな第２の強磁性体層と、前記第１の強磁性体層と前記第２の強磁性体層との間に設けられた膜厚が単調に変化する非磁性体と、前記第１の強磁性体層上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極とを設ける。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体ウェハー素材を用いてホール素子などを作成するに当たり、無駄となる部分が多くコストの増加を招いていた。
【解決手段】 複合半導体素子が、基板（１１）と、基板上（１１）に備えられ有機材料を主材料とする平坦化層（１４）と、例えばホール素子を構成する化合物半導体素子を含み平坦化層（１４）上にボンディングされた半導体薄膜（１２）を有する。化合物半導体薄膜（１２）との電気的接続のための金属配線膜（２３）をさらに備え、化合物半導体薄膜（１２）と金属配線膜（２３）との間に、より高い不純物濃度の化合物半導体層（１７）を介在させても良い。 （もっと読む）

【課題】外部磁場がチャンネルに侵入することに起因するノイズやエラーを抑制することが可能なスピン伝導素子を提供すること。
【解決手段】スピン伝導素子１は、第一強磁性体１２Ａと、第二強磁性体１２Ｂと、第一強磁性体１２Ａから第二強磁性体１２Ｂまで延びるチャンネル７と、チャンネル７を覆う磁気シールドＳ１と、チャンネル７と磁気シールドＳ１との間に設けられた絶縁膜と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）