【課題】外的要因の印加を行うことなく、故障を診断することができる自己診断機能付センサを提供する。
【解決手段】自己診断機能付センサ１は、例えば、第１のハーフブリッジ回路２１及び第２のハーフブリッジ回路２２を有するセンサ部２と、第１のスイッチ部３１と第１の抵抗３２を有する第１の切替回路３ａ、及び第２のスイッチ部３３と第２の抵抗３４を有する第２の切替回路３ｂを有する制御ＩＣ３と、を備えている。制御ＩＣ３は、例えば、第１のスイッチ部３１及び第２のスイッチ部３３のオン及びオフを制御することによって得られる、第１のハーフブリッジ回路２１及び第２のハーフブリッジ回路２２のそれぞれの中間電位Ｖ_１及び中間電位Ｖ_２に基づいてセンサ部２の故障の有無を診断する制御部３０と、を備えて概略構成されている。 （もっと読む）

【課題】トンネル磁気抵抗素子を利用した生体磁気センサーにおいて、トンネル磁気抵抗素子の高感度を達成し、高精度に生体磁気を計測する。
【解決手段】ゼロ磁界での強磁性金属磁化自由層４の容易磁化軸４ａは、強磁性金属磁化固定層６の容易磁化軸６ａに対してねじれの位置にある。好ましくはねじれの角が４５度から１３５度である。また、当該固定層が自由層より上層に積層され、固定層の面積は自由層の面積に対して小さくされる。当該固定層及び自由層がそれぞれ３層とされ、極薄非磁性体金属層を介して第１の強磁性体の磁化の向きと前記第２の強磁性体の磁化の向きとが反平行になる交換結合力を有する反平行結合膜構造体とされる。絶縁層としてはＭｇＯ、極薄非磁性体金属層としてはＲｕが適用される。 （もっと読む）

【課題】第１の磁性部分と、第２の磁性部分と、第１の磁性部分と第２の磁性部分の間の
バリア層とを有するセンサスタックを含む磁気センサを提供する。
【解決手段】第１の磁性部分及び第２の磁性部分のうち少なくとも一方が、バリア層に隣接する正の磁気ひずみを有する第１の磁性層と、第２の磁性層と、第１の磁性層と第２の磁性層の間の中間層とを有する多層構造を含む。この磁気センサは、その抵抗−面積（ＲＡ）積が約１．０Ω・μｍ^２であるとき、少なくとも約８０％のＭＲ比を有する。 （もっと読む）

【課題】平面に適用された磁場を測定する方法を提供する。
【解決手段】第１の交流ドライブ電流を第１のストラップに適用し、第１のストラップの少なくとも一部が、磁気抵抗センサの上に横たわり、第１のストラップが、第１の方向Ｘに延びる大きさを有することを特徴とし、第２の交流ドライブ電流を第２のストラップに同時に適用し、第２のストラップの少なくとも一部が第１のストラップの少なくとも一部の上に横たわり、第２のストラップが第２の方向Ｙに延びる大きさを有し、第２の方向が、第１の方向と並行ではなく、第２の交流ドライブ電流が、第１の交流ドライブ電流と位相が異なり、磁気抵抗センサが、磁気抵抗センサの平面で回転する周期的回転磁気ドライブ磁場に影響を受けることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】薄膜積層型の機能性薄膜素子において、電極間の電流リークを防止する。
【解決手段】非導電性基板１１上に金属機能薄膜を成膜し、この金属機能薄膜から所定の機能パターン１２を形成した後に、その保護のために機能パターン１２の上に非導電性薄膜である保護膜１３を形成する。更に、電極膜を成膜してエッチングにより電極１４ａ、１４ｂを形成し、非導電性基板１１の切断に際し保護膜１３に設けた切断部１３ａ、１３ｂを共に切断し、保護膜１３の周囲に生じた電極膜の残渣Ｓによる電極１４ａ、１４ｂ間の電流リークを防止する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、小型化に優れると共に高精度な電気抵抗の調整が可能である磁気検出装置とその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】第一の短絡層４１と第二の短絡層４２とを、それぞれ第一の磁気抵抗効果素子層１１と第一の抵抗素子層２１とにのみ導通させ且つ一体に積層させて短絡することで、第一の磁気抵抗効果素子層１１と第一の抵抗素子層２１との電気抵抗を調整する。 （もっと読む）

【課題】ＭＲ素子の消費電力を低減する。
【解決手段】ＭＲ素子１０は、基板１１と、基板１１上に設けられたＭＲ膜１２とを備えている。ＭＲ膜１２は、ジグザグ状に折れ曲がる直線１２ａが更に多重にジグザグ状に折れ曲がる形状１２ｂを有する。直線１２ａは、複数の形状部１２１，１２２，１２３を形成している。それぞれの形状部１２１，１２２，１２３は、互いに平行な複数の長方形１２ｃがジグザグ状に直列に接続された形状を有し、かつジグザグ状に互いに直列に接続されている。 （もっと読む）

【課題】 小型で微小な磁極間の磁界評価や、評価対象近傍領域の磁界評価ができる磁気センサを提供すること
【解決手段】 磁気センサ１０は、外径１２５μｍの光ファイバークラッドからなる円柱状のベース部材１１の外周面に磁気抵抗薄膜１２を被膜すると共に、その磁気抵抗効果膜１２の軸方向両端に導体膜１３を成膜して形成される。導体膜が電極部となる。導体膜間にセンス電流を流すことで、このセンス電流ベクトルと外部磁界による円柱周囲の確気抵抗薄膜の磁化ベクトルとの成す角度に応じて、磁気抵抗薄膜の抵抗変化が生じ、端子間の電圧変化として検出可能となる。 （もっと読む）

【課題】生体内に生じた微弱電流などによる微弱な磁束を計測する磁気センサにおいて、入力初段で環境磁場を効率良く低減してＳＮ比を向上する。
【解決手段】強磁性体を有する相互に等しい一対の磁気検出素子３０１ａ，３０２ａを用い、それらを検出磁束Ｂと平行に、さらに磁化容易軸３０１１ａ，３０２１ａが前記検出磁束Ｂと直交し、かつ互いの磁化容易軸３０１１ａ，３０２１ａが直交するように、前記検出磁束Ｂの方向に互いに間隔を開けて配置する。したがって、地磁気などの広範に均等に到来する環境磁場（外部磁束）ＢＮに対してはほぼ等しい磁束（図では各５本）が入力するのに対して、生体からの信号磁束ＢＳは、生体に近い方の素子３０１ａに磁束（図では９本）を吸収され、透磁路の出口で発散する。したがって、素子３０１ａ，３０２ａの出力の差動を取ることで、環境磁場を効率良く低減してＳＮ比を向上することができる。 （もっと読む）

【課題】従来よりも高いＭＲ比を持った磁気抵抗素子とその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、磁気ディスク駆動装置の磁気再生ヘッド、磁気ランダムアクセスメモリの記憶素子及び磁気センサーに用いられる磁気抵抗素子、好ましくは、トンネル磁気抵抗素子（さらに好ましくは、スピンバルブ型トンネル磁気抵抗素子）に関し、基板、トンネルバリア層、Ｃｏ（コバルト）Ｆｅ（鉄）合金からなる強磁性層及びＢ（ボロン）を含有した非磁性金属層を有する磁気抵抗素子。 （もっと読む）

【課題】ＡＭＲ効果膜を利用して外部磁界に対して等方的に磁界を検出することができる磁気検出装置を提供する。
【解決手段】磁気検出装置１は、基板１１上に設けられ、感磁方向のベクトル和が相殺されるようなパターン形状を有する磁気抵抗素子１００〜１０７と、磁気抵抗素子１００〜１０７の最小抵抗値と同値の抵抗Ｒ０と、磁気抵抗素子１００〜１０７からなる回路Ｒ１と抵抗Ｒ０とから構成されるブリッジ回路とを有する。 （もっと読む）

【課題】構成を複雑化することなく、ＭＲ素子を用いて一方向磁界の強度を高感度かつ高精度に評価できるようにし、たとえば、直流電流センサに用いて直流電流を高感度および高精度に測定できるようにする。
【解決手段】磁気抵抗薄膜２２の抵抗値変化を検出することによって一方向磁界Ｍｘの強度を評価する磁界強度センサ１０であって、基板２１に磁気抵抗薄膜による導電パターンが形成された磁気抵抗薄膜素子と、この磁気抵抗薄膜素子を保持する保持具３０とを備え、上記基板は、保形性と可撓性を有する非磁性絶縁薄板からなり、上記保持具は、上記磁気抵抗薄膜面を磁界方向の鉛直面に対して所定角度θ傾斜させた状態で保持する。 （もっと読む）

【課題】全ダイナミックレンジで出力線形性を維持し、出力特性の良好さを維持する。
【解決手段】励磁電流として三角波電流を磁性体コアに対する励磁手段に通電し、この三角波電流の極性が切り替わるタイミングで磁性体コアに対して設けられた検出コイルから出力される正符号および負符号の各スパイク状電圧波形をそれぞれ検出し、一のスパイク状電圧波形と次に検出される逆符号のスパイク状電圧波形との時間間隔を計測し、この時間間隔に基づいて外部磁界の強度を検出する際に、前記時間間隔に基づいた外部磁界強度の強度信号を出力する信号処理回路と、少なくとも前記三角波の頂点より前に該三角波周期Ｔの１〜５％とされる前方停止時間、および、前記三角波の頂点から後に前記三角波周期の１〜５％とされる後方停止時間において、前記信号処理回路からの強度信号出力を停止するように制御するクロック制御回路と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 磁界感度異方性、広動作磁界および出力直線性に優れた磁気センサを提供すること。
【解決手段】 絶縁基板２０と、絶縁基板２０の表面に形成されたＧＭＲ素子２２ａ〜２２ｄと、絶縁基板２０の裏面に配置されたバイアス磁石２４とで磁気センサ２０を構成した。そして、ＧＭＲ素子２２ａ〜２２ｄを一方側と他方側との間を折り返しながら延びる線状のグラニュラ薄膜で構成し、バイアス磁石２４によるバイアス磁界をＧＭＲ素子２２ａ〜２２ｄの線状が延びる長手方向に印加した。また、ＧＭＲ素子２２ａ〜２２ｄを構成するグラニュラ薄膜を、Ａｇからなる母相中に、ＦｅＣｏからなる微粒子を分散させて構成した。 （もっと読む）

【課題】基板上にスピンバルブ素子を有する磁界検出装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１を準備する工程と、基板上に、固着層、絶縁層、および自由層を含むスピンバルブ素子１１〜１４を形成する工程と、スピンバルブ素子の近傍に集磁領域２１，２２を形成する工程と、Ｈ方向の磁界を基板に印加することにより、スピンバルブ素子の自由層を磁化する磁化工程とを含み、磁化工程は、集磁領域により、Ｈ方向とは異なる所定方向の磁界をスピンバルブ素子に印加して、Ｈ方向とは異なる所定方向にスピンバルブ素子を磁化する。 （もっと読む）

【課題】 磁気センサの出力を簡単に温度補正できるようにする。
【解決手段】 外部磁界が２つの磁気抵抗効果素子の抵抗値変化に差を生じさせない状態での磁気センサ１０の出力電圧Ｖoutを取得するとともに、出力電圧Ｖoutのオフセット電圧Ｏs1を取得する。オフセット電圧Ｏs1の場合と同一温度Ｔrtにおいて、外部磁界を２つの磁気抵抗効果素子に対して回転させたときの磁気センサの出力電圧の最大値と最小値の中央値を計算して出力振幅中心値として取得する。出力振幅中心値のオフセット電圧Ｏs2とオフセット電圧Ｏs1との差Ｏs2−Ｏs1を取得して、予め用意された比例定数Ａを用いて、磁気センサの温度がＴである条件下で、外部磁界の印加によって前記磁気センサから出力される出力電圧を、式Ｏａ(Ｔ)＝Ａ・(Ｏs2−Ｏs1)・(Ｔ−Ｔrt)＋Ｏs1によって規定される補正値Ｏａ(Ｔ)で補正する。 （もっと読む）

【課題】微小領域からの磁束が検出可能であり、高出力化の可能な磁気センサーを提供すること。
【解決手段】磁気センサー１は、半導体からなるチャンネル１１と、チャンネル１１を間に挟んで対向配置された第一絶縁膜２１及び金属体１３と、第一絶縁膜２１の上に設けられた強磁性体１２と、金属体１３に接続された第一参照電極３１と、金属体１３に接続された第二参照電極３２と、チャンネル１１における強磁性体１２と対向する部分を覆う磁気シールドＳ１と、チャンネル１１と磁気シールドＳ１との間に設けられた第二絶縁膜２２と、を備え、磁気シールドＳ１は、チャンネル１１における強磁性体１２と対向する部分に向かって延びる貫通穴Ｈを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】任意のサイズ、形状の磁性体の透磁率を計測でき、生産プロセスライン上のウエハ等において、切断や加工を施すことなく、プローブをスキャンすることにより、透磁率のウエハ内の分布を評価可能である磁性体の透磁率計測装置および磁性体の透磁率計測方法を提供する。
【解決手段】誘電体もしくは絶縁体を導体と地導体によって挟んだ構造を有し、その導体と地導体あるいは導体に磁性体を絶縁体を介して近接配置する。磁界印加部により導体から磁性体に磁界を印加し、磁界印加部による磁界印加の有無による信号の振幅情報あるいは複素情報の差分を信号計測器により測定する。信号計測器で測定された信号の差分から、磁性体の透磁率を最適化処理により求める。磁性体に対してプローブをスキャンすることによりウエハ内における透磁率の分布を評価可能である。 （もっと読む）

【課題】新規な金属−絶縁体系ナノグラニュラー薄膜、及び、これを含むナノグラニュラー複合薄膜、並びに、これらを用いた薄膜磁気センサを提供すること。
【解決手段】Ｃｏ₂Ｆｅ(Ａｌ_1-xＳｉ_x)（但し、０＜ｘ＜１）で表される組成を有する強磁性粒子と、前記強磁性粒子の周囲に充填された絶縁材料からなる絶縁マトリックスとを備えた金属−絶縁体系ナノグラニュラー薄膜。ＭｇＯ、ＮｉＯ、ＳｉＯ₂又はＡｌ₂Ｏ₃からなるバッファ層と、前記バッファ層の表面に形成された本発明に係る金属−絶縁体系ナノグラニュラー薄膜とを備えたナノグラニュラー複合薄膜。本発明に係る金属−絶縁体系ナノグラニュラー薄膜又はナノグラニュラー複合薄膜を備えた薄膜磁気センサ。 （もっと読む）

【課題】 無磁場を安定して検出しうる磁気センサを提供することである。
【解決手段】 磁気センサは、磁気抵抗効果素子１１が、軟磁性材料からなる磁束吸収体１２により覆われているから、この磁束吸収体１２が、回路基板１に与えられる磁界の磁束を、その飽和磁束量まで吸収して、当該磁束が磁気抵抗効果素子１１に与えられないようにすることができる。状態検出部２は、回路基板の出力電圧Ｖｏｕｔに基づいて、回路基板１に与えられた磁界の磁束量が閾値以下である第１の状態と、当該磁界の磁束量が閾値より多い第２の状態とを検出する。ここで、磁束吸収体は、その飽和磁束量が当該閾値となるように定まった形状、または大きさを有する。したがって、磁束吸収体１２の形状、または大きさを調整することによって、磁気センサの適用される環境条件に応じ、無磁場である第１の状態と、磁場が存在する第２の状態とのバランスを保つように当該閾値を好適に設定することができる。 （もっと読む）