【課題】書き込みエラーを生じることなく、短い時間で書き込み動作を行うことができる記憶素子及び記憶装置を提供する。
【解決手段】情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層１４と、磁化の向きが固定された磁化固定層１２と、上記記憶層１４と上記磁化固定層１２との間に配された非磁性体による中間層１３と、垂直磁気異方性誘起層１５とを含む層構造を有する記憶素子３を構成する。そして、上記記憶層１４が、第１の強磁性層１４ａと第１の結合層１４ｂと第２の強磁性層１４ｃと第２の結合層１４ｄと第３の強磁性層１４ｅとが同順に積層されて、上記第１の強磁性層１４ａが上記中間層１３に接し、上記第３の強磁性層１４ｅが上記垂直磁気異方性誘起層１５に接し、上記結合層１４ｂ，１４ｄを介して隣接する上記強磁性層１４ａ，１４ｃ，１４ｅの磁化の向きが膜面に垂直な方向から傾斜している。 （もっと読む）

【課題】 トンネル層における面抵抗の低減が図られたスピン伝導素子及び磁気ヘッドを提供する。
【解決手段】
本発明に係るスピン伝導素子（磁気センサー１）は、半導体で構成されるチャンネル層１０と、チャンネル層１０上に形成された強磁性層２０Ａ、２０Ｂと、チャンネル層１０と強磁性層２０Ａ、２０Ｂとの間に介在するように形成されたトンネル層２２Ａ、２２Ｂとを備え、トンネル層２２Ａ、２２Ｂが、ＭｇＯのＭｇの一部がＺｎで置換された材料で構成されている。発明者らの研究によれば、ＭｇＯのＭｇの一部をＺｎで置換したトンネル材料において、面積抵抗の低下が観測された。そのため、トンネル層２２Ａ、２２Ｂを、ＭｇＯのＭｇの一部がＺｎで置換された材料で構成することにより、トンネル層２２Ａ、２２Ｂの面積抵抗の低減が図られる。 （もっと読む）

【課題】 スピン注入効率の向上が図られたスピン伝導素子及び磁気ヘッドを提供する。
【解決手段】
発明者らは、Ｓｉで構成されるチャンネル層１０と、チャンネル層１０上に形成された強磁性層２０Ａ、２０Ｂと、チャンネル層１０と強磁性層２０Ａ、２０Ｂとの間に介在するように形成されたトンネル層２２Ａ、２２Ｂとを備え、トンネル層２２Ａ、２２Ｂが、ＮａＣｌ構造のアルカリ土類酸化物（たとえばＢａＯ）で構成されており、かつ、該アルカリ土類酸化物のアルカリ土類イオン（たとえばＢａイオン）の一部が、異なる種類のアルカリ土類イオン（たとえばＭｇイオン）に置換された磁気センサー１を新たに見いだした。 （もっと読む）

【課題】高温域におけるスピン注入効率の低下が抑制されたスピン伝導素子及び磁気ヘッドを提供する。
【解決手段】Ｓｉで構成されるチャンネル層１０と、チャンネル層１０上に形成された強磁性層２０Ａ、２０Ｂと、チャンネル層１０と強磁性層２０Ａ、２０Ｂとの間に介在するように形成され、ＢａＯで構成されるトンネル層２２Ａ、２２Ｂとを備える構造のスピン伝導素子。シリコンの格子定数は５．４３０９Åであり、ＢａＯの格子定数は５．５２６３Åである。シリコンの格子定数に対して、ＢａＯの格子定数は１．８％の差（不整合率）があり、この値は、シリコンとＭｇＯの格子定数の差と比較して１／５程度である。トンネル材料としてＢａＯを採用し、シリコンとトンネル材料との間の格子定数の差を従来材料に比べて低減することで、高温域におけるスピン注入効率の低下が抑制される。 （もっと読む）

【課題】バリア層の下面として平滑な界面を有するＴＭＲデバイスを提供する。
【解決手段】シード層１１上に、反強磁性層１２、外側ピンド層２０、ＡＦＭ 結合層１４、内側ピンド層１５、バリア層１６、フリー層１７およびキャップ層１８をこの順で備えている。外側ピンド層（ＡＰ２層）２０は、（ＣｏＦｅ）_outer 層２１（外側ＣｏＦｅ層２１）／ （ＣｏＦｅ_x ）Ｂ_y 層２２（非晶質層２２）／（ＣｏＦｅ）_inner 層２３（内側ＣｏＦｅ層２３）の積層構造を有している。デバイスのロバスト性が改善される。 （もっと読む）

【課題】磁気記憶装置において、精度のよい面積解像度に対応する低減された作動幅を有する変換素子を提供する。
【解決手段】磁気に反応する第１の面積範囲を有する自由層１３２と、第１の面積範囲よりも広い第２の面積範囲を有し、自由層に隣接する合成反強磁性（ＳＡＦ）層１３４を設ける。 （もっと読む）

【課題】磁気特性を損なうことなく、より小さなＦＬＷを有する磁気抵抗効果素子の形成方法を提供する。
【解決手段】この磁気抵抗効果素子の形成方法は、基体の上にＭＴＪスタックを形成することと、ＭＴＪスタックをパターニングしてＦＬＷが第１の幅であるＭＴＪ素子を形成することと、２０°未満の入射角のイオンビームを用いた第１のＩＢＥ処理を行い、ＦＬＷを第１の幅よりも狭い第２の幅とすることと、（ｄ）６０°を超える入射角のイオンビームを用い、弧を描くような掃引動作を伴いながら第２のＩＢＥ処理を行い、第１のＩＢＥ処理の際に生じた残渣を除去すると共に、ＦＬＷを第２の幅よりも狭い第３の幅とすることと、２０°未満の入射角のイオンビームを用いた第３のＩＢＥ処理を行い、第２のＩＢＥ処理で生じた側壁における損傷部分を除去すると共にＦＬＷを第３の幅よりも狭い第４の幅とすることとを含む。 （もっと読む）

【課題】磁気センサ装置において媒体の移動方向と直交する媒体幅方向での検出範囲を広げることのできる磁気センサ装置を提供すること。
【解決手段】磁気センサ装置２０において、磁気センサ素子４０のセンサコア４１では、幅方向Ｗ４０に延在する胴部４２から媒体移動路１１の側に向けて突出した複数の集磁用突部４３（集磁用突部４３１、４３２）が幅方向Ｗ４０で互い離間しており、かかる複数の集磁用突部４３には検出コイル４９（検出コイル４９１、４９２）が巻回され、胴部４２には励磁コイル４８が巻回されている。磁気センサ素子４０は、幅方向Ｗ４０および集磁用突部４３の突出方向（高さ方向Ｖ４０）の双方に対して直交する厚さ方向Ｔ４０が媒体１の移動方向Ｘに向くように配置されており、集磁用突部４３はおよび検出コイル４９は、媒体１の移動方向Ｘに対して直交する媒体幅方向Ｙで離間する位置に設けられている。 （もっと読む）

【課題】小さなサージ電流によって発生した磁界を検出することができ、かつ、磁気カードを大型化することなく大きなサージ電流によって発生した磁界を検出することができるように測定範囲を広げたサージ記録カードを提供する。
【解決手段】導線に接するように設置されたカード型の媒体に備えた磁性体材料が磁化することによって、導線に流れたサージ電流によって発生した磁界の大きさを記録するサージ記録カードにおいて、異なる透磁率をもつ複数の前記磁性体材料を前記カード型の媒体に備える。 （もっと読む）

【課題】熱アシスト磁気トンネル接合構造、特にメモリとして使用する熱アシスト磁気トンネル接合構造に用いるためのサーマル層を提供すること。
【解決手段】本明細書では、熱バリアを有する熱アシスト磁気トンネル接合構造が開示される。熱バリアは、熱バリアが低い熱伝導率および高い電気伝導率を有するように、不規則な形態のサーメット材料からなる。従来型の磁気トンネル接合構造に比べると、開示される構造はより高速に切り換えること可能であり、また標準的な半導体製造工程との適合性が改善される。 （もっと読む）

【課題】 調整可能なグラフェンを用いた磁界センサを提供する。
【解決手段】 グラフェンセンス層を採用する磁界センサであって、センス層内を移動する電荷キャリアに作用するローレンツ力が、グラフェン層内を移動する電荷キャリアの経路に変化をもたらす。磁界の存在を示すこの経路の変化を検出することができる。センサは、非磁性の電気的絶縁材料によってグラフェン層から分離される１つまたは複数のゲート電極を含む。ゲート電極へのゲート電圧の印加により、グラフェン層の電気抵抗が変化し、このゲート電圧の印加を用いて、センサの感度および速度を制御することができる。 （もっと読む）

本発明の具体例にかかる方法は、磁性層（４１）と、下部導電性電極（４３）と、その反対側で磁性層サブスタックを電気的に接続する上部導電性電極（４４）とを含む磁性層サブスタックを含む磁気スタックを形成する工程と、磁気スタックの上に犠牲柱（４６）を形成する工程であって、犠牲柱（４６）は上に横たわる第２の犠牲材料（４５）に対するアンダーカットと、磁気スタックに向かって断面寸法が大きくなる傾斜フットを有する工程と、犠牲柱を磁気スタックのパターニングのために使用する工程と、犠牲柱（４６）の周囲に絶縁層（７０）を堆積する工程と、犠牲柱を選択的に除去し、これによりパターニングされた磁気スタックに向かってコンタクトホール（８０）を形成する工程と、コンタクトホールを電気的な導電性材料（８１）で埋める工程とを含む。
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【課題】光磁気記録媒体に磁性を記録しながら磁区の磁性状態を動的に観察できるとともに、磁区ごとの磁性の記録速度（データの書込速度又は消去速度）を効率よく評価できる磁区観察装置を提供する。
【解決手段】磁区観察装置において、光磁気記録媒体の記録層に光を照射して加熱する記録用光源と、記録層の所定の磁区に所定の磁性（例えば、Ｎ極又はＳ極）を記録するために磁界を印加する磁界印加手段と、所定の磁区の磁性状態を画像として取得する撮像手段と、撮像手段によって撮像された画像のデータを記憶する記憶手段と、撮像手段により撮像するタイミングを制御する制御手段と、を備えるようにした。そして、制御手段は、記録用光源による加熱時間、及び磁界印加手段の磁界印加時間に基づいて、撮像タイミングを設定するようにした。 （もっと読む）

【課題】高いＭＲ比を有する高出力、高感度の磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】磁気抵抗効果素子を構成するＧＭＲ膜（３０）は、固定磁化層（３６、４６）と、自由磁化層（３８）と、前記固定磁化層と自由磁化層の間に挿入される非磁性層（３７、４７）とを備えるＣＰＰ型の磁気抵抗効果素子であって、前記自由磁化層と、前記固定磁化層の少なくとも一方はＣｏＦｅＧｅで構成され、当該ＣｏＦｅＧｅは、三元系の組成図において、各組成の座標を（Ｃｏ含有量，Ｆｅ含有量，Ｇｅ含有量）として表すと（各含有量はat％）、点Ａ（42.5，30，27.5）、点Ｂ（35，52.5，12.5）、点Ｃ（57.5，30.0，12.5）、および点Ｄ（45.0，27.5，27.5）を結ぶ領域内の組成を有する。 （もっと読む）

【課題】低抵抗領域（1平方ミクロンあたり１オーム以下の領域）において、巨大な磁気
抵抗比を持つＣＣＰ（current confined path: 電流狭窄）−ＣＰＰ（current perpendicular to plane: 電流が面直に流れる形状）型の巨大磁気抵抗素子、および当該巨大式抵
抗素子を用いた磁気センサを提供する。
【解決手段】ＣＣＰ−ＣＰＰ型巨大磁気抵抗素子Ａは、反強磁性層１と、磁化固定層３と、中間層７ａと、磁化自由層５による積層構造を有し、膜面に対して垂直に電流が流れる構造に形成されている。このとき、中間層７ａとして微小孔を有する（００１）方位に優先配向した極薄酸化マグネシウム層を使用することにより、磁化自由層５から磁化固定層３（あるいはその反対方向）に流れる電流が微小孔中の金属により狭窄され、電極層の寄生抵抗の影響が相対的に減少するため磁気抵抗比が増大する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、高出力でかつ磁界を検知する感度が良好な磁気抵抗効果素子、これを用いた磁気ヘッド、磁気記憶装置、および磁気メモリ装置を提供する。
【解決手段】ＧＭＲ膜３０は、下地層３１、反強磁性層３２、固定磁化積層体３３、非磁性金属層３７、拡散防止層３８、自由磁化層３９、保護層４０が順次積層された構成からなる。拡散防止層３８はＣｏ、Ｆｅ、およびＮｉからなる群のうち少なくとも１種の元素を含みかつＭｎを含まない強磁性材料からなり、自由磁化層３９を、三元系の組成図において、各組成の座標を（Ｃｏ含有量，Ｍｎ含有量，Ａｌ含有量）として表すと、点Ａ（４４，２３，３３）、点Ｂ（４８，２５，２７）、点Ｃ（６０，２０，２０）、点Ｄ（６５，１５，２０）、点Ｅ（６５，１０，２５）、点Ｆ（６０，１０，３０）として、点Ａ、点Ｂ、点Ｃ、点Ｄ、点Ｅ、点Ｆ、および点Ａをこの順にそれぞれ直線で結んだ領域ＡＢＣＤＥＦＡ内の組成から選択する。 （もっと読む）

【課題】 特に、簡単な構造で、直流抵抗値（ＤＣＲ）の上昇の抑制と、磁気的なトラック幅（Ｍｇ−Ｔｗ）の狭小化と、ノイズ発生の抑制とを可能とした磁気検出素子を提供することを目的としている。
【解決手段】 積層体２３の両側に軟磁性材料で形成された電極層３５と、前記電極層３５と積層構造を成し、前記電極層３５との間で交換結合磁界を生じさせる反強磁性層３４を形成する。前記電極層３５の少なくとも一部は、外部磁界に対しハイト方向に磁化成分を有する。これにより、前記電極層３５の膜厚を厚く形成し、直流抵抗値の上昇を抑制した上で、磁気的なトラック幅の狭小化を適切に図ることができる。さらに、前記反強磁性層との交換結合磁界によって前記電極層３５が外部磁界に敏感に反応するのを抑制し、外部磁界に対する前記電極層の磁化変動を小さくでき、これによって、ノイズの発生を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】デジタル磁気抵抗センサーを提供する。
【解決手段】 第１磁性体部と、外部磁場によって磁化され、第１磁性体との間で発生する磁気力によって弾性的に変形されて第１磁性体部と選択的に接触及び離隔される第２磁性体部と、を備え、第１磁性体部と第２磁性体部との間の抵抗値の変化を検出する磁気抵抗センサーである。 （もっと読む）