【課題】安価で簡素な電気回路であると共に、広範囲のレンジにおいて、可変抵抗の電気抵抗値を高精度に計測できる電気抵抗の計測装置を提供する。
【解決手段】定電流を供給する定電流回路１と、定電流回路１に接続された計測対象の可変抵抗２と、可変抵抗２に並列接続されたシャント抵抗３と、可変抵抗２に直列接続されたキャリブレーション用スイッチ４を備える。このキャリブレーション用スイッチ４が接続状態の場合には可変抵抗２とシャント抵抗３とによる並列回路を形成し、遮断状態の場合には可変抵抗２に電流が供給されずシャント抵抗３に電流が供給される非並列回路を形成する。そして、抵抗値算出部７において、非並列回路においてキャリブレーションを行うと共に、並列回路において可変抵抗２の電気抵抗値Raを計測する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、保護回路及びそれを含む絶縁抵抗測定装置に関する。
【解決手段】本発明の保護回路は、印加される電流が予め定められた第１の基準電流となるように電流制御を行う第１の定電流制御部と、第１の定電流制御部と並列に連結され、第１の定電流制御部に印加される電圧が予め定められた第１の基準電圧以上であると、第１の定電流制御部に印加される電流がバイパスされるように制御して電流制御を行う第２の定電流制御部と、を含み、高電圧が印加されても、定電流制御を行って絶縁抵抗を用意に測定することができる。 （もっと読む）

【課題】コンタクトチェック及び測定を高速に行うことのできる４端子式測定器を提供する。
【解決手段】４端子式測定器１は、測定レンジに対応させた電流検出抵抗Ｒ１１〜Ｒ１５の一端が、電流供給端子Ｌｃに接続されると共に差動増幅回路５の反転入力端子に接続され、電流検出抵抗Ｒ１１〜Ｒ１５とペアになるように抵抗選択用のスイッチＳＷ１１〜ＳＷ１５の一端が接続されており、スイッチＳＷ１１〜ＳＷ１５の他端が差動増幅回路５の出力端子に接続されている構成を含む電流検出部３を備え、スイッチＳＷ５，ＳＷ１１〜１５の各々が、直列接続された２つのアナログスイッチ、及びその直列接続点と基準電位との間に接続されたアナログスイッチの計３つのアナログスイッチで構成されており、オフにするときは直列接続された２つのアナログスイッチをオフに制御すると共に基準電位間に接続されたアナログスイッチをオンに制御する。 （もっと読む）

【課題】調整用容量素子の最小値よりも高い精度でオフセットを調整可能にすること。
【解決手段】電荷読取機構（１２）から積分器（１３）へ転送される電荷からオフセットを除去するオフセット調整回路（１４）を備えた容量検出装置（１０）において、オフセット調整回路（１４）は、複数の容量素子からなり電荷転送ラインに並列接続される容量素子数を切り替えて所定容量値に設定される可変容量素子（２１）と、可変容量素子（２１）と並列に接続され可変容量素子（２１）を構成する容量素子の最小値である調整用容量素子（２３）とを備え、可変容量素子（２１）でＭ回繰り返しオフセット除去する間に調整用容量素子（２３）でＮ回（Ｍ＞Ｎ；Ｍ、Ｎは自然数）だけオフセット除去するように駆動制御する。 （もっと読む）

【課題】共振周波数の変化によりＣＴＳＰのＩＴＯ抵抗Ｒ_ｐと静電容量Ｃ_ｐを同時に測定するように機能する、共振周波数シフトを用いた静電容量方式タッチスクリーンパネルの電気的特性検査装置を提供する。
【解決手段】本発明の共振周波数シフトを用いた静電容量方式タッチスクリーンパネルの電気的特性検査装置は、回路に電圧または電流を供給する電源部と、ＣＴＳＰのＩＴＯ電極の抵抗Ｒ_ｐおよび電極間の静電容量Ｃ_ｐを直列に配置したＣＴＳＰ部と、前記電源部に接続され、電気的共振を起こすＬＣ共振回路を含む共振部と、前記共振部に接続され、前記共振部の共振周波数を変化させる共振周波数変更部と、前記ＣＴＳＰ部と共振周波数変更部との間で動作し、前記ＣＴＳＰ部と前記共振周波数変更部とを接続する作動部とを含んでなり、前記作動部の動作によって前記ＣＴＳＰ部と前記共振部とを接続した状態で、共振周波数の変化により前記ＣＴＳＰ部の抵抗Ｒ_ｐと静電容量Ｃ_ｐを同時に測定することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】静電容量の計測精度を向上させる。
【解決手段】抵抗Ｒ１の一端はポートＰ１に、他の一端はコンデンサＣ１の一端に接続されている。コンデンサＣ１の他の一端はポートＰ２と、接続端子Ｔ１を介して検出電極１１２に接続されている。ＳＷ１の一端は電源Ｖｃｃに、他の一端はポートＰ１およびＳＷ２の一端に接続されている。ＳＷ２の他の一端は、グラウンドに接続されている。ＳＷ３の一端はポートＰ２に、他の一端はグラウンドに接続されている。電圧計測部１２１はポートＰ１に、電圧計測部１２２はポートＰ２に接続され、ともに電圧の計測結果をパラメータ計測部１２３に供給する。パラメータ計測部１２３は、ＳＷ１乃至ＳＷ３の開閉を制御するとともに、電圧計測部１２１、１２２の計測結果に基づいて、静電容量を計測する。本発明は、例えば、静電容量の計測装置に適用できる。 （もっと読む）

【課題】静電容量の計測精度を向上させる。
【解決手段】抵抗Ｒ１の一端はポートＰ１に、他の一端はコンデンサＣ１の一端に接続され、コンデンサＣ１の他の一端はポートＰ２に接続されている。コンデンサＣ２はポートＰ３とＰ４の間、接続端子Ｔ１はポートＰ４に、検出電極１１２は接続端子Ｔ１にそれぞれ接続されている。ＳＷ１は電源ＶｃｃとポートＰ１の間、ＳＷ２はポートＰ１とグラウンドの間、ＳＷ３は電源ＶｃｃとポートＰ２の間、ＳＷ４はポートＰ２とグラウンドの間、ＳＷ５はポートＰ５とグラウンドの間にそれぞれ接続されている。パラメータ計測部１２３は、ＳＷ１乃至ＳＷ５の開閉を制御するとともに、入力端子がポートＰ１に接続されている電圧計測部１２１、および、入力端子がポートＰ２に接続されている電圧計測部１２２の計測結果に基づいて静電容量を計測する。本発明は、例えば、静電容量の計測装置に適用できる。 （もっと読む）

【課題】静電容量の計測精度を向上させる。
【解決手段】コンデンサＣ１はポートＰ１とＰ２の間、抵抗Ｒ１はポートＰ２とＰ３の間、コンデンサＣ２はポートＰ３とＰ４の間、接続端子Ｔ１はポートＰ４に接続され、検出電極１１２は接続端子Ｔ１に接続されている。ＳＷ１はポートＰ１とグラウンドに接続されている。ＳＷ２はポートＰ４とグラウンドに接続されている。ＳＷ３は電源ＶｃｃとポートＰ２に接続されている。ＳＷ４はポートＰ２とグラウンドに接続されている。電圧計測部１２１は、入力端子がポートＰ２に接続されており、入力電圧の計測結果をパラメータ計測部２２１に供給する。パラメータ計測部２２１は、ＳＷ１乃至ＳＷ４の開閉を制御するとともに、電圧計測部１２１の計測結果に基づいて静電容量を計測する。本発明は、例えば、静電容量の計測装置に適用できる。 （もっと読む）

【課題】測定時の温度に依存せず容量素子の電圧を得ることが可能な容量センサ回路を提供する。
【解決手段】電源とグラウンドの間に接続されるｎ個の容量素子各々の電圧に応じた信号を検出する容量センサ回路であって、ｎ個の容量素子の各々にソース端が接続される略同一のサイズのｎ個のトランジスタからなるスイッチング部２と、ｎ個のトランジスタの各々のドレイン端と電源の間に接続される定電流源３と、ｎ個のトランジスタの各々のドレイン端と電源の間に接続されるリーク電流キャンセル用トランジスタＭ０と、ｎ個のトランジスタの各々のドレイン端に接続される検出器５と、スイッチング部２のｎ個のトランジスタの１つをオンしたときにその他のトランジスタをオフする制御信号を発生する制御信号発生回路４と、を備え、オフされたｎ−１個のトランジスタから生じるリーク電流は、リーク電流キャンセル用トランジスタＭ０から生じるリーク電流によりキャンセルされることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】インバータ回路のＯＮデューティー期間が変わる可能性があっても、精度のよい地絡抵抗の値に基づく交流回路部分の絶縁状態検出を可能にすること。
【解決手段】昇圧電源回路１の三相インバータ回路３の二次側において交流地絡が発生した場合、交流地絡による地絡抵抗ＲＬを含む充電回路の形成中にフライングキャパシタＣ１が連続充電状態となる場合は、直流地絡による正側の地絡抵抗ＲLpや負側の地絡抵抗ＲLnの求め方と同じ求め方で交流地絡による地絡抵抗ＲＬを求める。よって、交流地絡による地絡抵抗ＲＬを含む充電回路の形成中にフライングキャパシタＣ１が連続充電状態となる場合には、三相インバータ回路３の各半導体スイッチのスイッチングデューティー比が変化する場合であっても、三相インバータ回路３の各半導体スイッチのスイッチングデューティー比のデータを用いずに、交流地絡による地絡抵抗ＲＬの値を精度よく求めることができる。 （もっと読む）

【課題】回路規模および消費電力の増大を伴わずに低ノイズ特性を実現し、Ｓ／Ｎ比の高い正確な静電容量検出が可能な静電容量検出回路を提供する。
【解決手段】被検出キャパシタＣｓの容量値を電圧に変換して出力する静電容量検出回路であって、演算増幅器Ａ１の反転入力端子と演算増幅器Ａ１の出力端子との間に直列に第１のスイッチＳ１及びホールドキャパシタＣｈを接続する。そして、フェーズ１（第１のサンプリング期間）で第１のスイッチＳ１をオフし、フェーズ２（第２のサンプリング期間）で第１のスイッチＳ１をオンすることで、ホールドキャパシタＣｈに、フェーズ２の電荷のみを保持させるようにする。 （もっと読む）

【課題】単一のコイルでインダクタンスの変化を効果的に検出し、小型でありながら高精度な変位センサを実現するためのインダクタンス変化検出回路と、これを用いる変位検出装置及び金属検出装置を提供する。
【解決手段】コイルとコンデンサを直列接続した共振回路に対し、所定の電圧と接地とを交互に接続する。また、フリーホイールダイオードを二つ設けて、電圧或は接地から切断した直後にコイルから生じる起電力を受け流し、コンデンサに電荷を蓄積させると共に回路を安定化させる。その後、コンデンサ或はコンデンサとコイルの直列接続よりなる負荷の両端電圧を取得して、コイルに非磁性体金属が近接しているときと近接していないときに生じるインダクタンスの変化を検出する。 （もっと読む）

【課題】 回路規模が大きくなったり、またコストが高くなったりすることなく、センサに触れた際の接触座標の検出に加えて同時に押下の強弱等の他の検出が可能な、すなわち複数の検出機能を有する静電容量検出回路を提供することを目的とする。
【解決手段】 指や掌の接触による容量変化を検出する静電容量検出回路であって、さらに当該回路の放電経路中に放電用抵抗と機能切り替えスイッチにて切り替え可能で、かつ指や掌の押下強度により抵抗値が変化する圧力センサを付加することにより、接触座標の検出と押下圧を同時に検出できる機能を具備する複数の検出機能を有する静電容量検出回路。 （もっと読む）

【課題】ωＣが小さく、対地間抵抗が小さい電力系統などでも使用することができるとともに使用者でも容易に対地静電容量を測定することができる対地静電容量測定装置および方法を提供する。
【解決手段】ωＣ測定部１１は、残留電圧の電圧降下率と電力系統の零相等価回路の回路定数並びに零相等価回路に基づくωＣ演算二次方程式から求まるωＣ値の＋解および−解から算定したアドミッタンスの変化率から求まる残留電圧の電圧降下率とを比較し、ωＣ演算二次方程式から求まるωＣ値の＋解および−解のうち測定結果として採用すべき解を判別して対地静電容量Ｃを測定する。 （もっと読む）

【課題】人工地絡試験を行うことなく高精度かつ的確に地絡継電器の整定が行えるように線路特性を求めることができる線路特性演算装置および線路特性演算方法を提供する。
【解決手段】線路特性演算装置１０は、接地形計器用変圧器３のＧＰＴ三次制限抵抗Ｒ_GPTと並列に接続されたかつ直列接続された測定用抵抗Ｒ_mおよび切替スイッチＳＷと、切替スイッチＳＷの切替前後の接地形計器用変圧器３の三次電圧Ｖ₃に基づいてωＣ値（Ｙ_CまたはＹ_C−Ｙ_L）を測定するためのωＣ測定部１１と、ωＣ測定部１１によって測定されたωＣ値に基づいて地絡事故時の電力系統全体の地絡電流Ｉ₀を算定し、算定した地絡電流Ｉ₀に基づいて地絡事故時に第１乃至第ｎの配電線ｆ₁〜ｆ_nを流れる第１乃至第ｎの配電線地絡電流を算定して、第１乃至第ｎの配電線ｆ₁〜ｆ_nの線路特性を算定する線路特性演算部１２とを具備する。 （もっと読む）

【課題】チャンバー内の高周波パラメータを精度よく測定できるように高周波測定装置を校正する方法を提供する。
【解決手段】第１の３つの基準負荷の高周波測定装置による測定インピーダンスと真値から校正パラメータXを算出し(S1,2)、高周波測定装置の接続点とプラズマ処理装置のチャンバー内との間で測定されたＳパラメータから校正パラメータX'を算出し（S3,4）、校正パラメータX,X'を用いて校正した電圧信号と電流信号からチャンバー内のインピーダンスを算出し(S5)、S5で算出されたインピーダンスを含み、第１の３つの基準負荷より狭い範囲を囲むことになる第２の３つの基準負荷を決定し(S6)、第２の３つの基準負荷の高周波測定装置による測定インピーダンスと真値から校正パラメータX”を算出し(S7,8)、検出された電圧信号と電流信号とを校正パラメータX,X’,X”を用いて校正する(S9)。 （もっと読む）

【課題】 高周波測定装置によって検出された電圧と電流を高い精度で校正する方法を提供する。
【解決手段】 第１の３つの基準負荷の高周波測定装置による測定インピーダンスと真値とに基づいて、校正パラメータＸを算出し(Ｓ１，２)、校正パラメータＸを用いて校正した電圧信号と電流信号とに基づいて、プラズマ処理装置のインピーダンスを算出し(Ｓ３)、スミスチャート上で、Ｓ３で算出されたインピーダンスを含み、第１の３つの基準負荷のインピーダンスによって囲まれる範囲より狭い範囲を囲むことになる３つのインピーダンスを決定し(Ｓ４)、当該３つのインピーダンスをそれぞれ有する第２の３つの基準負荷の高周波測定装置による測定インピーダンスと真値とに基づいて、校正パラメータＸ’を算出し(Ｓ５，６)、検出された電圧信号と電流信号とを校正パラメータＸ、Ｘ’を用いて校正する(Ｓ７)。 （もっと読む）

【課題】専用検査器を必要とせず、コンデンサ１個当たりに要する検査時間を短縮してＤＣバイアス−容量特性を計測する。
【解決手段】計測装置１は、素子接続部４、制限抵抗３、ＤＣバイアス源２、電流測定器５、および演算部６を備える。素子接続部４はセラミックコンデンサ５０が接続される。制限抵抗３は既知の抵抗値であり、セラミックコンデンサ５０に直列に接続される。ＤＣバイアス源２は、制限抵抗３とセラミックコンデンサ５０とからなる直列回路７に既知のＤＣ電圧を印加する。電流測定器５は、直列回路７の電流瞬時値を測定する。演算部６は、電流瞬時値を既知の時間間隔で取得し、電流瞬時値に基づいてセラミックコンデンサ５０の容量瞬時値を導出し、ＤＣ電圧と抵抗値と電流瞬時値とに基づいてセラミックコンデンサ５０に印加される電圧瞬時値を導出し、電圧瞬時値および容量瞬時値によりＤＣ電圧値に対応した被測定素子の容量値を求める。 （もっと読む）

【課題】架空配電線路の接地極の接地抵抗値が精度良く測定でき、共同接地系の合成接地抵抗も求めることができる接地抵抗測定装置を提供する。
【解決手段】切替回路２０は、架空配電線路の接地極接続端子１４、補助接地極接続端子１６、共同接地線接続端子１５と電圧電源１７との接続を切り替えて２通りの回路を形成し、測定対象接地極の接地抵抗ＲＣ及び共同接地系の系統接地抵抗ＲＡを求める際に必要となる電流を測定する第１の電流検出部１８の検出抵抗の抵抗値ｒａ及び第２の電流検出部１９の検出抵抗の抵抗値ｒｂは、系統接地抵抗ＲＡが０．２〜１０Ω、測定対象接地極の接地抵抗ＲＣが１〜３００Ω、補助接地極の接地抵抗１６が１〜５００Ωの範囲で測定可能となるように選定された検出抵抗を有し、また、ノイズ除去のためのフィルタ部、抵抗測定のための演算部を有し合成抵抗を測定できる。 （もっと読む）

【課題】簡単な作業のみで高周波部品のＳパラメータを補正することができる高周波部品のＳパラメータを補正する方法、及び補正したＳパラメータに基づいて高周波部品を搭載したモジュールの特性算出方法を提供することを目的とする。
【解決手段】全ての第１端子及び第２端子からの入射波に基づく反射波及び通過波を測定して高周波部品２のＳパラメータである第１パラメータを取得する第１ステップと、第２端子を終端状態として、全ての第１端子からの入射波に基づく反射波及び通過波を測定して高周波部品２のＳパラメータである第２パラメータを取得する第２ステップと、第１ステップで取得した第１パラメータの第１端子に関する各要素を、第２ステップで取得した第２パラメータの対応する各要素に基づいて補正する第３ステップとを含む。また、補正したＳパラメータに基づいて高周波部品２をモジュール基板に実装したモジュールの高周波特性を算出する。 （もっと読む）