【課題】部品に位置ずれや振動が生じても分析の感度や精度の低下が生じにくく、且つ、分析前の細かな調整が不要な熱レンズ分光分析装置を提供する。
【解決手段】熱レンズ分光分析装置は、励起光Ｅの光源であるレーザー発光手段１と、プローブ光Ｐの光源であるレーザー発光手段２と、励起光Ｅ及びプローブ光Ｐを集光する１つの集光レンズ５と、試料溶液Ｓを収納する試料セル６と、プローブ光Ｐを受光する光ファイバ８を有するプローブ光Ｐの検出手段９と、を備えている。
集光レンズ５の開口数は０．１５以下である。また、光ファイバ８が、プローブ光Ｐのうち熱レンズＬにより変化した部分Ｐ’のみを受光し、熱レンズＬの影響を受けていない部分は受光しないように、光ファイバ８の径が設定されている。 （もっと読む）

【課題】 試料セルにおける容器部材及び封入される溶媒による発熱を極力防止することにより，高精度で試料分析を行うことが可能な光熱変換測定装置を提供すること。
【解決手段】 測定対象の試料が所定の試料セルに収容される場合に，フィルタ１１０ａにより，励起光Ｅのうちの前記試料セル（容器，及び溶媒）における主な光の吸収波長帯の成分を除去若しくは減衰させた後に前記試料に照射し，特性変化（例えば，前記試料セルに照射される測定光の位相変化等）を測定する光熱変換測定装置である。 （もっと読む）

【課題】測定信号に含まれる複数の周波数成分を容易に抽出することができる信号検出方法、熱レンズ分光分析システム、蛍光検出システム、信号検出装置、信号検出システム、信号検出プログラム、及び記憶媒体を提供する。
【解決手段】熱レンズ分光分析システムは、第１の光源ユニット１０と、第２の光源ユニット２０と、第３の光源ユニット３０と、第４の光源ユニット４０と、プローブ５１，５２，５３，５４と、試料６１，６２，６３，６４を備えるマイクロ化学チップ６０と、フォトダイオード７０と、ＩＶアンプ８０と、ＰＣ９０とを備える。ＰＣ９０は、ＩＶアンプ８０から出力される電気信号を高速フーリエ変換によって周波数分析して、横軸を周波数、縦軸をデシベル単位で表した測定信号強度とする周波数スペクトルに変換し、変調周波数Ｆ１，Ｆ２，Ｆ３，Ｆ４の±５０Ｈｚの周波数帯域におけるピーク値を検出する。 （もっと読む）

【課題】 試料中における光熱効果による特性変化の分布を，安定的に高精度かつ高感度で測定できること。
【解決手段】 試料５に励起光Ｐ３と測定光Ｐ１とを照射するとともに，その照射の際の試料５中における測定光Ｐ１の通過経路と励起光Ｐ３による励起部とが重複する測定位置Ｑを変化させ，その測定位置が変化した各状態における試料５を通過後の測定光Ｐ１の位相変化を光干渉法により測定する。測定位置Ｑを変化させる手段は，励起光Ｐ３を走査させる，試料５を変位させる，励起光Ｐ３を試料５中に集光させるレンズ４を変位させて試料５中における集光位置（焦点位置）を変化させる等の手段による。 （もっと読む）

【課題】高精度な分析を行うことが可能で、且つ、携帯可能な重さ及び大きさである熱レンズ分光分析装置を提供する。
【解決手段】熱レンズ分光分析装置は、励起光Ｅの光源を構成する第一半導体レーザー発光手段１と、プローブ光Ｐの光源を構成する第二半導体レーザー発光手段２と、熱レンズを透過したプローブ光Ｐを受光してその光強度に応じた電気信号を出力する受光手段と、電気信号を処理する信号処理手段と、第一半導体レーザー発光手段１及び信号処理手段に共通して使用される変調信号を発生させる機能とともにインターフェイス機能を有する変調信号発生手段と、を備える。第一半導体レーザー発光手段１及び第二半導体レーザー発光手段２が組み込まれた半導体レーザー発光ユニットと受光手段とを含む光学ユニットは、縦２００ｍｍ，横１４０ｍｍ，高さ８５ｍｍの直方体内に収納可能な形状である。 （もっと読む）

【課題】 内部に設置する供試体の位置に制限を受けず、真空チャンバの外側にセオドライトを置くスペースが不要で、作業者等がセオドライトを不用意に動かすおそれもない真空チャンバを提供する。
【解決手段】 内部に配設された供試体４に対して熱真空試験を行う際に、熱真空試験による供試体４のアライメントの変化を測定するセオドライト２を、外壁に組み込んだ真空チャンバ１。セオドライト２からの照射光の方向を可変とする光路変換機構を、セオドライト２からの照射光を、その光軸に対して直角に反射する第１の反射鏡９Ａと、第１の反射鏡９Ａで反射された光を、その光軸に対して直角かつ供試体４の方向に反射する、移動可能な第２の反射鏡９Ｂとで構成することができる。セオドライト２及び設置台６を回転させることにより、セオドライト２の測定範囲を広げ、供試体４の設置位置の自由度がさらに大きくなる。 （もっと読む）

【課題】 ロッドと被測定体の外周からの熱漏洩を妨げ、ｚ軸方向のみの理想的な一次元熱伝導を実現し、接触熱抵抗Ｒｃおよび熱伝導率ｋ_ｕを精度良く測定できる熱伝導率測定装置を提供する。
【解決手段】 加熱側ロッド２１及び冷却側ロッド２２の間に被測定体２３を挟持し、加熱側ロッド２１、被測定体２３及び冷却側ロッド２２を通して熱量を流入・流出させることにより被測定体２３の熱伝導率またはロッド２１，２２と被測定体２３との間の接触熱抵抗を測定する熱伝導率測定装置であって、加熱側ロッド２１、冷却側ロッド２２及び被測定体２３の外周に補償ヒータ３２をそれぞれ複数個配置し、各補償ヒータ３２の温度と、上記各補償ヒータ３２の温度計測点と同じ高さにある加熱側ロッド２１、冷却側ロッド２２及び被測定体２３の温度とが等しくなるように、補償ヒータ２３の発熱量を制御する。 （もっと読む）

【課題】機器に組み込まれた高分子材料がどの程度劣化を受けているかを非破壊的に検査する。
【解決手段】機器に組み込まれた高分子材料の一部がガラス転移する温度まで局所的に加熱し、そのガラス転移温度から高分子材料の劣化の程度を判定する。 （もっと読む）

【課題】 試料の光熱効果による特性変化を，安定的に高精度で測定でき，さらに，消費電力の増加や高コスト化，Ｓ／Ｎ比の低下，測定時間の長時間化を防止しながら高感度で測定できること。
【解決手段】 試料５の光熱効果による屈折率変化を，試料を通過（透過）させた測定光Ｐ１における励起光Ｐ３の照射による位相変化を光干渉法を用いて測定することによって，即ち，参照光（Ｐ２）と測定光（Ｐ１）との位相差によって測定する。測定光Ｐ１及び励起光Ｐ３は，各々異なる方向から試料５の測定部５ａに照射する。励起光Ｐ３はチョッパ２によって周期的に強度変調した光を用い，信号処理装置２１によってその強度変調周期と同周期成分の位相変化を測定してＳ／Ｎ比を向上させる。さらに，測定光を反射ミラー６で試料に往復通過させることにより，高感度で試料の屈折率変化を測定する。 （もっと読む）

本発明は、複数の狭小金属領域を有する構造を評価する方法に関し、各領域は、第2の非金属材料を有する隣接領域間に設置される。本方法は、熱グレーティングを形成するため、励起ストリップで構成される空間周期励起場を用いた照射によって、前記構造を励起するステップを有する。さらに本方法は、熱グレーティングの生じない検出レーザー光線を回折させて、信号光線を形成するステップと、時間の関数として信号光線を検出して信号波形を形成するステップと、信号波形の熱成分に基づいて少なくとも一つの構造特性を決定するステップと、を有する。
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形状記憶合金ワイヤまたは類似物を連続的に品質制御する方法であって、ａ）ワイヤを装置内に供給し、該ワイヤの材料に特有の各遷移温度を含む範囲をカバーする温度遍歴を該装置内で該ワイヤにさせる工程、ｂ）種々の既知温度に対応する該装置の各所定箇所で、該ワイヤの伸びを直接または間接にインラインで測定する工程、ｃ）温度と伸びのデータを用いて、箇所毎に、温度−伸び線図における上記材料のヒステレシス曲線を求める工程を含む方法。望ましくは、ワイヤを既知の速度と一定の張力で供給し、上記伸びの測定を、ワイヤの速度の想定によって行なう。上記方法を行なう装置であって、ワイヤ（Ｆ）の張力および供給速度を調節するのに適した供給ユニット（Ｂ、Ｂ'、Ｖ、Ｖ'）、ワイヤ（Ｆ）はアイドルプーリー（Ｍ）を含む一連の恒温槽（Ｔ）を通り、該プーリ（Ｍ）に滑らずに巻き付き、該プーリ（Ｍ）の回転速度を例えば高分解能エンコーダで測定することができる。
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