【課題】素子形状等による感度及びガス検知の応答性への影響を抑制するセンサ装置を提供する。
【解決手段】素子３００をケース２００内に収容して備え特定ガスを検出する装置１００であって、ケース２００は素子３００を収容している凹形状をなす収容部２１１を有するケース本体部２１０と、天板２２１を有すると共に本体部２１０に装着されて収容部を閉塞している内蓋部２２０と、内蓋部２２０を覆って内蓋部の天板の外表面との間に対象ガスを導く間隙を形成している外蓋部２３０とを備え、内蓋部２２０の天板２２１は、収容部２２１内に収容された素子３００に向かって突出して形成されると共に素子３００に近い側の端部に測定対象ガスを導くガス流通口を形成してなる筒状部２２２を備え、その端部に、ガス流通口を閉塞する形態でフィルタ２２４が配置されている。 （もっと読む）

【課題】複雑な演算を伴うことなく、還元性ガスを検出する。
【解決手段】ヒータコイル１２への電圧印加を電圧印加サイクルに従って１サイクル変化させた場合におけるセンサ素子１０の出力信号Ｖｓを取得する。この取得したセンサ素子１０の出力信号Ｖｓから極値出現時刻検知部２４によって極値出現時刻を取得する。ガス種特定部２５によって極値出現時間記憶部２３に記憶された還元性ガスのガス種毎の極値出現時間に対応した値と、極値出現時刻検知部２４が検知した最初の極値の出現時刻に対応した値とを比較して還元性ガスのガス種を特定する。 （もっと読む）

【課題】ガス感応層（ＳｎＯ_２層）の導入孔を大きくし、ガス感応層（ＳｎＯ_２層）内部におけるガスの浸透能力を向上させた薄膜ガスセンサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】一対の感知電極層５１，５１を渡すように電気絶縁層４上に設けられるガス感応層５２は、電気絶縁層４の表面に対して傾斜する多数の傾斜柱状晶５２１を成長させることで導入孔５２２が多数形成されるような層とした。大きくなった導入孔５２２を通じてガスがガス感応層５２の内部へ浸透し、検出能力を高める。 （もっと読む）

【課題】ガス漏れ警報機能及び不完全燃焼警報機能を併せ持つガス警報器において、点検を実施する際に誤作動を防止することができるガス警報器を提供すること。
【解決手段】点検モード時に、メタンガスの代用となる水素ガスと一酸化炭素ガスとを含む点検用ガス中の一酸化炭素ガス濃度に応じた感知素子３ａ出力を検出する点検用一酸化炭素ガス濃度出力検出手段１１Ａと、検出した一酸化炭素ガス濃度が不完全燃焼警報濃度に達した否かを判定する点検用一酸化炭素ガス濃度判定手段１１Ｂと、不完全燃焼警報出力手段１１Ｃと、点検用ガス中の水素ガス濃度を検出する点検用水素ガス濃度出力検出手段１１Ｄと、点検用水素ガス濃度判定手段１１Ｅと、ガス漏れ警報出力手段１１Ｆと、点検時のヒートサイクルを通常モード用ヒートサイクルより短縮するように変更するヒートサイクル変更手段１１Ｇとを備えている。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成を追加することでセンサ特性に与える影響を最小限に抑えつつガス感応層とガス選択燃焼層との接合強度を増大させ、パルス駆動時の昇温・降温による歪みに影響されにくくした薄膜ガスセンサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】電気絶縁層４・一対の感知電極層５１，５１・ガス感応層５２を覆う島状あるいは網目状の接合層５３と、この接合層５３を介して一対の感知電極層５１，５１の一部・ガス感応層５２の全部・これらの周囲の電気絶縁層４の一部を覆うように設けられるガス選択燃焼層５４と、を備えるような薄膜ガスセンサ１とした。そこで、接合層５３を薄くして島状あるいは網目状に形成する製造方法を採用した。 （もっと読む）

【課題】 特定のガス分子の高選択検出を行うことが可能であるセンサを提供することを目的とする。
【解決手段】 そこで、本発明は、複数のメソ孔を有し、且つ酸化物を含む半導体膜と、前記半導体膜と電気的に接続している電極とを備え、前記メソ孔内の表面の少なくとも一部が、有機物又は無機酸化物で被覆されているセンサを提供するものである。
また、本発明は、複数のメソ孔を有し、且つ酸化スズを含む半導体膜と、前記半導体膜と電気的に接続している電極とを備え、前記メソ孔内に無機物の粒子が担持されているセンサを提供するものである。 （もっと読む）

【構成】 Ｓｎ(ＯＨ)_６^２−を内包する逆ミセル溶液に硝酸の逆ミセル溶液を混合して、逆ミセル内にＳｎ(ＯＨ)_４を析出させる。次いで、Ｐｄ^２＋を内包する逆ミセル溶液を混合し、Ｓｎ(ＯＨ)_４上にＰｄ(ＯＨ)_２を析出させる。Ｐｄ(ＯＨ)_２を析出させたＳｎ(ＯＨ)_４を分離、洗浄乾燥し、焼成してＳｎＯ_２とする。
【効果】 ＳｎＯ_２に、均一に触媒を担持させることができる。 （もっと読む）

【課題】周囲のガスや周囲温度の影響を受けることなく、断線や劣化等の異常を確実に検知可能とした薄膜ガスセンサの異常検知方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ基板１のほぼ中央部がダイアフラム様にくりぬかれた基板面上に熱絶縁支持層２を介してヒータ層３を形成し、電気絶縁膜４を介して一対の感知層電極５ｂを形成すると共に、これらの感知層電極５ｂに接するように半導体薄膜により感知層５ｃを形成し、この感知層５ｃの最表面を、触媒を担持したガス選択燃焼層５ｄにより覆う構成とした薄膜半導体薄膜ガスセンサにおいて、ヒータ層３の通電時におけるヒータ層温度とヒータ層３の非通電時におけるヒータ層温度との差を求め、この温度差が所定温度範囲外である場合に薄膜ガスセンサの異常と判断して報知する。 （もっと読む）

【課題】点検用のブタンガスを用いたメタンガスの検出動作の検査、点検を、警報濃度レベルを通常のレベルから変えることなく、感知素子の出力が警報濃度レベルに達するような濃度のメタンガスと同程度の低濃度のブタンガスを用いて、短時間で通常動作に戻れるように行うこと。
【解決手段】ヒータ３ｂにより高低２段階に交互加熱される感知素子３ａの高温加熱期間から低温加熱期間への移行直後の過渡加熱期間期間に、点検用ガス濃度出力検出手段１１Ａが検出した、点検用のブタンガスの濃度に応じた感知素子３ａの出力が、ヒータ３ｂの高温加熱期間におけるメタンガス濃度の警報濃度レベルに達したと、点検用判定手段１１Ｂが判定した際に、その旨を示す警報信号を警報出力手段１１Ｃが出力させる。 （もっと読む）

【課題】高湿度の時にも他の可燃性ガス成分の影響を受けること無しに、メタンガスを検出することが可能なガスセンサを得る。
【解決手段】基板３と膜状酸化物半導体４と、この膜状酸化物半導体４の表面を覆うように設けられた触媒層５を有するガスセンサであって、膜状酸化物半導体４が、基板表面に垂直あるいはほぼ垂直の方向に配列した径０．００５〜０．５μｍの柱状構造粒子の集合体として形成され、触媒層５中の何れかの部分における触媒層構成材料１ｇ当たりの白金の表面積を１．１ｍ²以上とし、この部分により膜状酸化物半導体４の表面が覆われて形成されて、メタンガスを検出対象ガスとする。 （もっと読む）

【課題】 高温，高湿下でもセンサ抵抗値の経時安定性が優れた、電池駆動式の薄膜ガスセンサを提供する。
【解決手段】 薄膜状の支持膜の外周部または両端部をＳｉ基板により支持し、外周部または両端部が厚く中央部が薄く形成されたダイアフラム様の支持基板１，２上に薄膜のヒーター３を形成し、この薄膜のヒーター３を絶縁層４で覆い、その上にガス感知膜用の電極５を形成し、さらに半導体薄膜からなるガス感知層（ＳｎＯ２）６を形成し、ガス感知層６を被覆するように選択燃焼層７を形成した薄膜ガスセンサにおいて、ガス感知層６の表面にＰｄ，Ｐｔなどの貴金属触媒を担持させることにより、経時変化安定性を持たせる。 （もっと読む）

【課題】 水素検知におけるメタンとの弁別性の向上を図り、高精度なメタン検知を可能とするガス検知装置を提供する。
【解決手段】 金属酸化物半導体を主成分とするメタン及び水素に感応するセンサ素子を備えたセンサ部３と、センサ素子の温度が高温状態と低温状態間を周期的に遷移するように加熱制御を行う加熱制御部５と、センサ素子のセンサ抵抗を検出する抵抗検出部６ａと、抵抗検出部６ａの検出したセンサ抵抗に基づいて、メタンと水素の存在を各別に判定するガス判定部６ｂを備える。抵抗検出部６ａが、センサ素子が高温状態にあるときの第１センサ抵抗を検出し、センサ素子が高温状態と低温状態の間を遷移している中間状態にあるときの第２センサ抵抗を検出する。ガス判定部６ｂが、第１センサ抵抗に基づいてメタンの存在判定を行い、第２センサ抵抗と第１センサ抵抗を比較した比較結果値に基づいて水素の存在判定を行う。 （もっと読む）

【課題】 検知対象ガスの検知を干渉する雑ガスの影響を排除して高精度なメタン検知を可能とするガス検知装置を提供する。
【解決手段】 金属酸化物半導体を備えたセンサ素子の温度が周期的変化するように加熱制御する加熱制御部５と、センサ素子のセンサ抵抗を検出する抵抗検出部６ａと、センサ抵抗に基づいてメタンの存在を判定するガス判定部６ｂを備える。抵抗検出部６ａが、センサ素子の高温状態における第１センサ抵抗と高温状態と低温状態の中間状態における第２センサ抵抗を検出する。ガス判定部６ｂが、第１センサ抵抗の増減方向と、第１センサ抵抗と第２センサ抵抗を比較した比較結果値または第２センサ抵抗の増減方向で規定される２次元直交座標空間内において、第１センサ抵抗と比較結果値または第２センサ抵抗で定まる座標点が当該２次元直交座標空間内の所定領域内に存在するか否かに基づいてメタンの存在を判定する。 （もっと読む）

【課題】一時的にガスセンサのヒーター故障を検出した際に正常状態に復帰させることができるガスセンサのヒーター故障検出装置を提供すること。
【解決手段】ヒーター電流供給手段１に設けられ、ヒーター電流を予め設定された制限電流値に制限する電流制限手段７と、電流検出手段Ｒｄ，３で検出されるヒーター電流を正常時ヒーター電流値と比較し、ヒーター電流が前記正常時ヒーター電流値より高い異常値以上になった場合に、電流制限手段７を作動させる制御手段４と、電流制限手段７の作動後電流検出手段Ｒｄ，３で検出されるヒーター電流を制限電流値より低く予め設定された正常電流判定値と比較し、ヒーター電流が正常判定値になった場合に電流制限手段７の作動を解除する解除手段４とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 従来のものに比べてより一層低消費電力化を図り、感度の向上を図る。
【解決手段】半導体ガスセンサのヒーターを駆動するに当たり、前以てクリーニングするために、−２００〜０msの期間（３０mWで約４５０℃に加熱する状態）を経た後、ガス検知するための低温の状態、ここでは約５０〜４００msの期間（４．５mWで約１００℃に維持する状態）に移行するとき、センサへのパワー供給を一定値以下、例えば１５０msだけ停止することにより、この時間分だけパワー消費を低減させ、感度も向上させる。 （もっと読む）

【課題】従来検出困難であったガス検出装置における半導体式ガスセンサおよびその他の構成要素の故障を検出し、故障の内容を判別できるガス検出装置を提供すること。
【解決手段】検出抵抗切り替え手段１２によって、ヒータ電源１１より所定のヒーター電圧が供給されている間に、プレート電源Ｖｃｃとプレート電極３ｂ間にそれぞれ異なる抵抗値を有する第１の検出抵抗Ｒ１または第２の検出抵抗Ｒ２を切り替え接続する。また、センサ出力差分測定手段１０ｂによって、プレート電極３ｂに第１の検出抵抗Ｒ１が接続されている時の半導体式ガスセンサ３のセンサ出力電圧と、プレート電極３ｂに第２の検出抵抗Ｒ２が接続されている時の半導体式ガスセンサ３のセンサ出力電圧の差分を測定する。第１の故障判定手段１０ｄによって、センサ出力差分測定手段１０ｂで測定された差分が予め設定された正常範囲内にない場合に、半導体式ガスセンサ３の故障と判定する。 （もっと読む）

【課題】運搬が容易で、牛や馬の呼気ガスに含まれる低濃度域の水素と高濃度域のメタンを共に検出することができる畜産用呼気検査装置を提供する。
【解決手段】畜産用呼気検査装置は、清浄空気と共に牛又は馬の呼気ガスが供給され、呼気ガス中のガス成分に応じて流動遅延を生じさせる部材を充填したガス分離カラムと、１〜１００ｐｐｍの濃度範囲の水素、１０〜４０００ｐｐｍの濃度範囲のメタン及び１０〜１００ｐｐｍの濃度範囲の一酸化炭素に対して感度を有し、ガス分離カラムの排気側に設けられて、呼気ガスに含まれるＨ_２、ＣＨ_４、ＣＯのガス濃度に応じた出力を順次発生する半導体ガスセンサ３０と、半導体ガスセンサ３０の出力のピークおよびリテンションタイムをもとにＨ_２、ＣＨ_４、ＣＯのガス濃度をそれぞれ求める演算処理部３３とを備える。 （もっと読む）

【課題】熱圧着工程により金属酸化物の微細構造が速い応答速度と高感度センシングのためのガス拡散性及び比表面積が大幅に増加したナノロッド及び／又はナノグレイン構造を有し、多孔性の金属酸化物繊維とセンサ基板との接着性を増大し得る超高感度の金属酸化物ガスセンサ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】センサ電極と、該センサ電極上に形成され、単結晶のナノロッドを含むナノ繊維のネットワーク構造を有する多孔性金属酸化物薄層とを金属酸化物ガスセンサが備えるように構成する。 （もっと読む）

【課題】複数の検知対象ガスを応答良く選択的に検出することができるガス警報器を提供すること。
【解決手段】ガスセンサ１で検知された検知対象ガスの濃度が予め設定された警報濃度以上となった際に、ガス濃度が異常となった旨の警報を報知するガス警報器１０であって、
ガス濃度の検出期間中に、第１のガス濃度が所定の第１のガス検出期間延長判定点に達しかつ第２のガス濃度が所定の第２のガス検出期間延長判定点に達した際に、第１および第２のガスのうち応答必要時間が短い方のガスの検出期間を優先して所定時間だけ延長して、当該ガス濃度の検知を継続する検出期間延長手段１６４を備えている。 （もっと読む）

【目的】長期のパルス駆動においてもPt感知膜電極とSnO₂ガス感知膜の間に問題の発生しない薄膜ガスセンサおよびその製造方法を提供する。
【構成】Si基板Bの貫通孔の一端を覆って張られその周縁がSi基板に固定された、酸化ケイ素または／および窒化ケイ素などからなる支持膜L1〜L3（ダイヤフラム構造という）上に、少なくとも、薄膜ヒータHが形成され、これを被覆する絶縁膜L4上に一対のPt感知膜電極Eを有するSnO₂ガス感知膜Sが形成されてなる薄膜ガスセンサにおいて、前記Pt感知膜電極と前記SnO₂ガス感知膜の間に、Sn-Ptからなる合金中間層Iを設ける。 （もっと読む）