【課題】応力による感応部の変形を低減することができるガスセンサ素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】開口部５を有する空洞部７を備えた支持体３の表面３Ａに、ヒータ配線パターン１９を内蔵して支持体３の表面３Ａに固定される固定部１５と開口部上に位置する非固定部１７を有するベース絶縁層９とを設ける。ベース絶縁層９の非固定部１７の中央部２１に電極配線パターン２７と感応膜３１を形成する。非固定部１７が、中央部２１及び中央部２１と固定部１５とを連結する複数本の連結部２３を構成する。４本の連結部２３を基部３３と延伸部３５とから構成する。連結部２３の基部３３は、開口部５の縁部５Ａに沿って延びるように構成する。延伸部３５は、基部３３から中央部２１に向かって延びて中央部２１に連結するように構成する。連結部２３は、基部３３の最大幅寸法Ｗ１が、延伸部３５の最大幅寸法Ｗ２よりも大きくなるように構成する。 （もっと読む）

【課題】流路において露出したナノ構造体を有するセンサ素子であり、簡易に形成でき、信頼性が高く、検出が高性能で行えるセンサ素子を提供する。
【解決手段】センサ素子１は、溝部５が設けられた面を有する基板２と、溝部５内で当該溝部５の両側壁に懸架して設けられ、かつ、基板５と一体に構成されたシリコンナノワイヤ３と、を有し、シリコンナノワイヤ３は、溝部５の底面から離間している。 （もっと読む）

【課題】最小限の加熱操作で従来では望むことの出来ない高感度な検出が可能なガスセンサー素子を提供する。
【解決手段】半導体基板上にショットキー電極とオーミック電極とが配置され、ガスの存在を感知したときに生じるショットキー電極とオーミック電極間の電流−電圧特性の変化によってガスの存在を検知する原理のガスセンサー素子であって、ガスセンサー素子は、ショットキー電極と基板との界面に絶縁膜が設けてある。 （もっと読む）

【課題】定電圧源の不安定性や周囲温度の変動等により影響を受けずに、高精度にガスを検出する。
【解決手段】第１のガス検出装置は、ガス検出部と基準信号出力部と差分検出部と加熱制御部とを備える。ガス検出部は、第１の半導体式ガスセンサと、第１の半導体式ガスセンサに電流を流す第１の定電圧電源と、加熱信号を入力して第１の半導体式ガスセンサを加熱する第１の加熱部と、第１の加熱部の温度を検出する第１の温度センサとを有する。基準信号出力部は、基準信号を出力する。差分検出部は、第１の半導体式ガスセンサを流れる電流値を表す感応信号と基準信号との差を検出する。加熱制御部は、差分検出部で差が検出されると第１の加熱部の発熱量を大きくするように加熱信号を出力する。 （もっと読む）

本発明は、毒性が高い気体状の、または蒸発した有害物質または戦争薬剤を検出するための検出器に関する。そのような物質を常温で迅速に、容易に検出できるようにするために、水素(Ｈ)末端を有する、または水素化された表面を含んでなる基材を戦争薬剤検出器として使用する。この基材は、水素(Ｈ)末端を有する、または水素化された表面上の表面電荷のシフトを測定するための測定機器を備えている。この基材は、半導体材料または表面導電性を有する非導電性材料から製造する。 （もっと読む）

【課題】熱ストレスによる割れが生じにくく、電極と検知膜との間で金属が相互拡散しない耐久性が高い水素センサを提供する。
【解決手段】基板と、該基板上に形成された希土類金属からなる検知膜と、該検知膜上に形成された保護膜であって前記保護膜はセラミックス材料中に水素透過性金属粒子を分散してなる保護膜と、該保護膜上に離間して形成され該保護膜を介して検知膜と電気的に接続される一対の電極と、を有する水素センサ。前記水素透過性金属粒子は、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｂ、Ｖ、Ｔａであり、その好ましい含有量は２０〜７０質量％である。保護膜の電極間方向の抵抗値は１０〜１０００００Ω、検知膜の電極間方向の抵抗値は保護膜の電極間方向の抵抗値より小さい値であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】
ＭＥＭＳ構造を有するガスセンサは，大量生産に向きコスト的にも低価格を実現できる可能性がある。しかし，車載を目的とする用途の様に機械的な特性，耐熱衝撃性，耐久性などの特性でまだ実用化の段階に達していない。上記用途の様に機械的な特性，耐熱衝撃性，耐久性が更に必要な場合に向けて先願特許 特願２００５−３２５４５５は発明された。しかし、ブリッジ方向に発生する膨張収縮による応力を更に緩和する必要があった。
【解決手段】
シリコン基板とＳｉＯ２層及びＳｉＮｘ層等からなるダイアフラム構造体において，該ダイアフラム部の一部を除去して形成される４本のブリッジを有するブリッジ構造体であって，相対する対をなすブリッジを平行な位置に配置する。 （もっと読む）

【課題】既存のＭＥＭＳ構造を有するガスセンサは，ダイアフラム２上に，ヒーターパターン５，絶縁層，検出電極パターン，更にその上にガス感応層が重ねられた多層構造からなっているため素子温度のスイッチングで疲労が発生して破損してしまう欠点がある。本発明の目的はマイクロマシーニング技術を利用して大量生産が可能で，低消費電力の加熱手段，機械的特性，耐熱衝撃性及び耐久性などの特性に優れたガスセンサの構造を提供することにある。

【解決手段】シリコン基板とＳｉＯ２層及びＳｉＮｘ層等からなるダイアフラム構造体（図１）において，該ダイアフラム部の一部を除去して形成される４本のブリッジ１３を有するブリッジ構造体（図４）であって，該ブリッジ構造体中央の４本のブリッジで支えられたステージ１４上に１対の電極とヒーターを同一平面上に形成し，電極部分の上部にはガス感応膜を形成したことを特徴とするガスセンサの構造を提供する。 （もっと読む）

【目的】熱応力によってガス感知部や支持薄膜にクラックが発生しない薄膜ガスセンサおよびその製造方法を提供する。
【構成】少なくとも、中央に貫通孔有する基板１と、
この基板面上に形成され、少なくとも、薄膜ヒータ３と、薄膜ヒータ３を被覆する層間絶縁膜４と、その上に形成された金属電極５を有する酸化物半導体を主成分とするガス感知膜６からなる構成部品が、貫通孔１１を覆う部分に形成された支持薄膜とからなる薄膜ガスセンサにおいて、支持薄膜には、貫通孔の縁部に沿ってＣ字形のスリット２ｓを形成し、構成部品を有する部分の支持薄膜（センサ部２ｃという）をＣ字形の開口部に当たる支持薄膜（腕部２ｂ）によってのみ支持するようにする。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、複数のガスに対するガス感知層を１チップ化することを目的とする。
【解決手段】 薄膜ガスセンサであって、外周部より薄いダイヤフラム部または開口部を中央部に有する基板１と、基板の上に設けられた支持層２と、支持層の上であって、前記中央部に対応する位置に設けられたヒーター５と、ヒーターの上に設けられた電気絶縁層６と、環境中のガスの組成に応じて抵抗値が変化する第１および第２のガス感知層１０，２０であって、電気絶縁層の上であって、前記中央部に対応する位置に、ヒーターにより温度が制御可能なように、間隙を隔てて設けられた第１および第２のガス感知層と、第１のガス感知層と電気的に接触して設けられた第１の電極対１５，１６と、第２のガス感知層と電気的に接触して設けられた第２の電極対２５，２６とを備えるセンサが提供される。 （もっと読む）

金属または金属合金から構成されたナノワイヤまたはナノ粒子の厚みのフィルムのアレイから製造された、水素センサーおよび／またはスイッチ。上記センサーおよび／またはスイッチは、製造材料および製造方法に起因して、広範な作動温度範囲および短縮された応答時間を実証する。上記ナノワイヤまたはナノ粒子の厚みのフィルムは、水素の存在下で導電率の上昇を実証する。本発明の実施形態は、パラジウム−銀合金のナノワイヤの技術に関し、これは、（１）パラジウムナノワイヤの予測不可能な形成；（２）作動の狭小な温度範囲；および（３）水素濃度に対する感度の狭小な範囲を解消する。 （もっと読む）

【課題】水素吸収体の水素吸収能力を高めて雰囲気中の水素ガス濃度を段階的又は連続的に検出可能な水素センサを提供する。
【解決手段】絶縁基板１と、絶縁基板１の上面のほぼ全面に形成された層状の半導体２と、半導体２の上面中央部に形成された水素吸収体３と、半導体２の表面上であって水素吸収体３の左右両側に形成された内側電極５，５と、半導体２の表面上であって内側電極５，５の外側に形成された外側電極６，６とから水素センサを構成する。水素吸収体３を金又は金を主成分とする金とパラジウムとの合金をもって形成する。 （もっと読む）

【課題】保護膜としての機能を果たしながら応答速度の低下を抑制できる水素透過膜を提供する。また、この水素透過膜を水素センサに適用して、応答速度が速い水素センサおよび水素検知方法を提供する。
【解決手段】本発明の水素透過膜は、リンを添加した酸化珪素からなる。また、本発明の水素センサは、半導体と、半導体の表面の少なくとも一部に付設する水素吸収体と、水素吸収体の露出した面を覆うとともに水素を透過する水素透過膜と、水素吸収体の付設位置を挟んで、半導体に水素吸収体によって導通しないように配置した対になる電極とを具備してなり、水素透過膜がリンを添加した酸化珪素からなり、水素吸収体への水素吸収の有無に対応する半導体の抵抗値変化を対になる電極間で計測することにより、水素の存在を検知可能とされてなる。 （もっと読む）

【課題】
第一ガス選択燃焼層に従来よりも容積が大きい空隙を形成し、応答性、選択性および耐環境性を向上させた薄膜ガスセンサを提供する。
【解決手段】
薄膜ガスセンサ１０のガス感知層５は、詳しくは、接合層５ａ，感知電極層５ｂ，感知層５ｃ，第一ガス選択燃焼層５ｄを備える。この感知層５ｃはＳｂ−ｄｏｐｅｄ ＳｎＯ_２層であり、第一ガス選択燃焼層５ｄはＰｄ担持Ａｌ_２Ｏ_３焼結材である。このうち、第一ガス選択燃焼層５ｄは、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）小径粉末およびアルミナ大径粉末の混合物に第一の触媒を担持させてなる触媒粉末を含む焼結材を焼結させた多孔質体による層を採用した薄膜ガスセンサとした。 （もっと読む）

【課題】触媒膜に金属酸化物および金属窒化物を添加させることによって、触媒膜の膜厚を薄くすることなしに、触媒膜が検知膜の保護を行い、且つ、ガス感度が高いガスセンサを提供する。
【解決手段】特定のガス分子を解離させ、且つ、検知膜２０の保護を行う触媒膜３０と、前記解離されたガスイオンにより、電気抵抗率が変化する検知膜と、前記触媒膜３０と検知膜２０の合成抵抗を測定する一対の電極とを備えるガスセンサにおいて、前記触媒膜３０は、触媒材料に金属酸化物または金属窒化物を添加させことにより、触媒膜３０の電気抵抗を高くして、ガス感度を向上することができる。 （もっと読む）