第１のモードおよび第２のモードで動作するように設定された干渉計システムを備える装置を開示する。この際、第１のモードは、試験光による試験対象物の異なる照射角に対応する、第１セットの複数の干渉計シグナルを生成し、第２のモードは、試験対象物の異なる表面位置に対応する、第２セットの複数の干渉計シグナルを生成する。干渉計システムに連結される電子プロセッサは、第１のセットの干渉計シグナルを受けるよう設定されており、かつ第１セットの複数の干渉計シグナルから導き出せる情報を試験対象物の複数のモデルに相当する情報と比較して、試験対象物の１つ以上の特徴を測定し、かつ情報を出力するようプログラムされている。一部の実施形態は、解像限界以下の特徴を含む。
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【課題】テラヘルツ波を用いて対象物の内部構造の情報を高い分解能で取得できる情報取得装置及び方法を提供する。
【解決手段】情報取得装置は、発生器9と検出器10と第1遅延手段15と第2遅延手段16と算出手段を有する。発生器9は、第1の光で励起されてテラヘルツ波をパルスで発生する。検出器10、第1の光とコヒーレントな第2の光で励起されて、テラヘルツ波のパルスで照射される対象物2からのテラヘルツ波を検出する。第1遅延手段15は、対象物2からのテラヘルツ波のパルス信号を検出器10で検出できる様に遅延時間を変更する。第2遅延手段16は、検出器10で検出されるパルス信号の時間幅以下で遅延時間を変更する。算出手段は、第1遅延手段15による遅延時間において第2遅延手段で遅延時間が変更されるときに検出器10で検出される信号の情報を基に、対象物2からのテラヘルツ波のパルス信号のピークの時間位置の情報を算出する。 （もっと読む）

【課題】多くの基準となる板状部材の膜厚とパラメータとの関係を用いなくても広い範囲の膜厚測定が可能となる膜厚測定方法及び膜厚測定装置を提供することである。
【解決手段】板状部材に含まれる膜層の厚さを測定する膜厚測定方法及び装置であって、前記板状部材の面に対して透過可能な検査光を、その波長を所定範囲にわたって変化させつつ照射し、照射される各波長の検査光が前記板状部材を透過して出てくる透過光の強度を検出し、前記検査光の各波長とその透過光の強度との関係を表す特性曲線における極大点及び極小点に基づいて注目波長を決定し、前記決定された注目波長から前記膜層の厚さを算出するようにした膜厚測定方法及び装置である。 （もっと読む）

【課題】ポンププローブ測定装置とこの測定装置を利用した走査プローブ顕微鏡装置を提供する。
【解決手段】ポンププローブ測定装置１は、ポンプ光となる第１の超短光パルス列及びプローブ光となる第２の超短光パルス列を発生させる超短光パルスレーザー発生部１１と、超短光パルス列の遅延時間を調整する遅延時間調整部１５と、第１及び第２の超短光パルス列のそれぞれを入射させて任意の繰り返し周波数で１パルスを透過させて光パルスの実効的な繰り返し周波数を低減させる第１及び第２のパルスピッカー１３，１４と、パルスピッカーから通過させるパルスの選択箇所を周期的に変更する遅延時間変調部１０と、ポンプ光及びプローブ光を試料１９に照射する照射光学系１６と、試料からのプローブ信号を検出する測定部２０と、ロックイン検出部１８と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】 検出器に充分な光量が到達しない場合でも、センターバースト位置を適確に決定することができるフーリエ変換型赤外分光光度計を提供する。
【解決手段】 フーリエ変換型赤外分光光度計１００であって、コントロール干渉計部からの干渉信号と、主干渉計部からのインターフェログラムとが複数個入力され、各インターフェログラムにおける移動鏡４の位置のずれを補正して、インターフェログラムの強度の加算処理を実行した積算インターフェログラムに基づいて、積算インターフェログラムの強度が最大値となるセンターバースト位置を検出するセンターバースト位置検出部１０６と、センターバースト位置を記憶するセンターバースト位置記憶部１０８と、測定処理時には、センターバースト位置記憶部１０８に記憶されたセンターバースト位置に基づいて、移動鏡４の測定開始位置を決定する測定開始位置決定部１０７とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】オリフラに対する結晶面のずれを測定する際に、ばらつきを減少するとともに、容易に測定できる半導体ウエハの結晶方位測定方法および半導体ウエハの結晶方位測定装置を提供する。
【解決手段】半導体ウエハの結晶方位測定方法は、特定方向の結晶面に沿って割れるへき開性を有するとともに、オリエンテーションフラット１１が形成された半導体ウエハ１０を準備する準備工程を実施する。そして、オリエンテーションフラット１１に現れる段差の数を測定する測定工程を実施する。そして、段差の数により、オリエンテーションフラット１１と結晶面とのずれを判断する判断工程を実施する。準備工程では、化合物半導体ウエハを準備することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、光計測に関し、より具体的には光計測装置のドリフト補償に関する。
【解決手段】 光計測装置のドリフトは、光計測装置上に設けられた第１校正用構造の第１測定回折信号及び第２測定回折信号を得ることによって補償される。第１及び第２測定回折信号は、光計測装置を用いて測定される。第２測定回折信号は、第１測定回折信号が測定された後に測定される。第１ドリフト関数は、第１測定回折信号と第２測定回折信号との差異に基づいて生成される。第１ウエハ上に形成された第１構造での第３測定回折信号は、光計測装置を用いて測定される。第１調節回折信号は、第１ドリフト関数を用いて第３測定回折信号を調節することによって生成される。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体ウエハの表裏面を迅速かつ正確に判別することのできる化合物半導体ウエハ表裏面の検査方法および検査装置を提供する。
【解決手段】表面および裏面の両方にメサが形成された化合物半導体ウエハ表裏面の検査方法である。まず、化合物半導体ウエハ１の表面および裏面におけるメサ４ａの延びる方向に対して−４５°を超えて４５°未満の方向に、第１の光１２ａをそれぞれ照射する。そして、化合物半導体ウエハ１の表面および裏面におけるメサ４ａの延びる方向と垂直の方向に対して−４５°を超えて４５°未満の方向に第２の光１３ａをそれぞれ照射する。そして、化合物半導体ウエハ１の表面および裏面に形成されたメサ４ａの形状を反映した反射光を受光して、反射光量値をそれぞれ測定する。そして、反射光量値に基づいて、化合物半導体ウエハ１の表面および裏面を判断する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、光計測に関し、より具体的にはスペクトルの改善を利用して光計測装置を一致させる方法に関する。
【解決手段】 第１光計測装置を用いて測定された第１組の測定回折信号、及び第２光計測装置を用いて測定された第２組の測定回折信号を得ることによって、複数の光計測装置を一致させる。第１スペクトルシフト補正値は、第１組の測定回折信号と第２組の測定回折信号との差異に基づいて生成される。第１光計測装置の第１ノイズ重み付け関数は、第１光計測装置を用いて測定された測定回折信号に基づいて生成される。第１光計測装置を用いて測定された第１測定回折信号が得られる。第１調節回折信号は、第１スペクトルシフト補正値及び第１ノイズ重み付け関数を用いて第１測定回折信号を調節することによって生成される。 （もっと読む）

【課題】
多結晶シリコンの反射率を測定することにより、注入されたイオンにより非晶質となった半導体領域の深さ方向の結晶化率を精度良く非破壊で測定する方法を提供する。
【解決手段】
半導体の深さ方向の結晶化率の分布を複数の異なる結晶化率の層からなる構造と見なして、実際に測定した反射率スペクトラムと同一のスペクトラムを有する計算によって求めた反射率スペクトラムに対応する複数の結晶化率の積層構造を特定する。 （もっと読む）

【課題】例電気光学効果または熱光学効果を有する材料あるいは感光性材料等の屈折率が変化する材料の屈折率変化を所望の屈折率範囲において費用の増大を抑制しつつ容易かつ高精度に測定する。
【解決手段】屈折率変化の測定装置は、被測定物をキャビティに含むファブリーペロー型の干渉系を備え、光源１を通信波長帯のファイバ出力光源とし、光源１の出力に対し、光通信用測定器であるファイバ入力型の光スペクトラムアナライザ１４によってスペクトルのピーク波長を±０．０１ｎｍ以下の精度で測定し、このスペクトルのピーク波長の変化を所望の波長での屈折率変化（精度１０^−５以下）に変換する。 （もっと読む）

【課題】下地膜について正確な光学定数を算出することができ、もって基板の表面構造を正確に特定することができる光学定数算出方法を提供する。
【解決手段】ウエハＷにおいて各膜の積層後に有機絶縁膜３２が下方に成膜された酸化膜３３の反射率を測定し、酸化膜３３がプラズマによって除去された後に露出した有機絶縁膜３２の反射率を測定し、これらの反射率に基づいて加熱処理によって変質した有機絶縁膜３２の光学定数及びプラズマによって変質した有機絶縁膜３２の光学定数を算出する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの表面及び表面近傍の微小異物、構造的欠陥を、配線パターン等の影響を受けずに感度良くかつ迅速に検査する。
【解決手段】照光装置と、高屈折率の液体材料と、固体光学要素と、近接場光又は光線の散乱光を集光するレンズ系と、集光した散乱光を検出する光検出装置とを含む、半導体ウェーハの検査装置及び検査方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 液浸法を適用した露光装置等における基板上の液滴を検出する技術を提供すること。
【解決手段】 原版からの光を基板に投影する投影光学系を有し、該投影光学系と該基板との間隙を液体で満たした状態で該基板を露光する露光装置は、露光後の該基板に付着した液滴を検知する検知手段を有し、該検知手段は、該基板に対応した第１の画像データを予め記憶する記憶手段と、該基板の表面に向かって光を照射する照射手段と、該光が照射された該表面からの光を受光する受光手段と、を含み、該受光手段により得られた第２の画像データと、該第１の画像データとの比較に基づいて、該液滴を検知する、ものとする。 （もっと読む）

【課題】
多結晶シリコンの反射率を精度良く測定することにより、その結晶度合いを正確に測定できる方法、装置を提供する。また、その他の物質の反射率を精度良く測定する場合にも適用できる方法及び装置を提供する。
【解決手段】
屈折率および消光係数が既知の参照物質と絶対反射率を測定すべき被測定物質の反射率をそれぞれ測定し、それら測定された反射率の比を計算し、前記屈折率と消光係数とから計算により求めた上記参照物質の反射率と上記反射率の比とを乗じて上記被測定物質の絶対反射率を測定するようにした。 （もっと読む）

【課題】ｐおよびｓ偏光ビーム両方の測定にかかる時間を短縮する。
【解決手段】基板Ｗの特性を求めるために、基板Ｗから回折した後、２本の直交的に偏光したビームの同時測定を実行する。直交する方向に偏光された放射を有する直線偏光光源Ｐ、Ｓは、一方が他方に対して９０°回転した２つの非偏光ビームスプリッタを介して渡される。次に、組み合わせたビームは、基板Ｗで回折してから、非偏光ビームスプリッタを通して戻され、移相器およびウォラストンプリズム５０を通過してから、ＣＣＤカメラＣＣＤで測定される。この方法で、２つの偏光ビームの様々な位相段階で、位相および強度をこれによって測定することができ、ビームの偏光状態を求めることができる。移相器をゼロに変更する（つまり位相シフトがない）と、基板の回折格子は、そのパラメータが、同じ検出器システムでＴＥおよびＴＭ偏光で同時に測定される。 （もっと読む）

【課題】時間とコストがかからない光学計測システムを提供する。
【解決手段】光計測モデルを用いて半導体ウエハ上に形成されたパターニングされた構造を検査する装置は第１製造システム計測プロセッサを有する。その第１製造システムは、第１製造クラスタ、第１計測クラスタ、光計測モデル最適化装置、及びリアルタイムプロファイル推定装置を有する。また、計測プロセッサは第１製造システムと結合する。計測データプロセッサは、材料の屈折率に関するパラメータ及び計測装置に関するパラメータのうちの少なくとも１についてのある範囲内にある一定値を、受け取り、処理し、保存し、かつ伝送するように備えられている。 （もっと読む）

【課題】終端検出を誤り難い光学式終端検出装置およびこれを用いた研磨機を得ること。
【解決手段】被研磨部材Ｓでの研磨の進行に伴う光学定数の変移量を基に終端検出を行う光学式終端検出装置５０を備え、この光学式終端検出装置により終端検出を行いながら研磨材１と被研磨部材とを相対的に移動させて被研磨部材を研磨する研磨機６０を構成するにあたり、被研磨部材での研磨の進行に伴う光学定数の変移パターンに応じた複数種の終端検出用アルゴリズムを予め光学式終端検出装置の記憶部３１に記憶させると共に、被研磨部材での上記の変移パターンを特定する情報を基に複数種の終端検出用アルゴリズムの中から所定の終端検出用アルゴリズムを選定して終端検出を行う終端検出部４５を光学式終端検出装置に設ける。 （もっと読む）

【課題】時間とコストがかからない光学計測システムを提供する。
【解決手段】 光計測モデルを用いて半導体ウエハ上に形成されたパターニングされた構造を検査するシステムは、第１製造クラスタ、計測クラスタ、光計測モデル最適化装置、及びリアルタイムプロファイル推定装置を有する。 （もっと読む）

【課題】作業上の手間を抑制し、作業衛生上好ましい半田材検査方法を提供する。
【解決手段】検査対象の半田材が配された照射領域へ光を照射したときに計測領域における特定波数の赤外線の第一強度を検出し、比較対象の半田材が配された照射領域へ光を照射したときに計測領域における上記特定波数の赤外線の第二強度を検出する。そして、当該第一および第二強度に基づき、比較対象に対する検査対象の半田材の劣化度を相対的に検査する。さらに、第一および第二強度を検出する際、強度の検出対象とする半田材が照射領域に配されていない状態で照射領域に光を照射したときに計測領域における上記特定波数の赤外線の基準強度を自動的に計測し、上記第一および第二強度を当該基準強度で補正する。 （もっと読む）