【課題】表面プラズモンポラリトンベースデバイスと誘電体ベースデバイスとの高度混合集積を実現し、多種類の制御可能な光電気集積デバイスを実現すること。
【解決手段】本発明は、誘電体基板層と、前記誘電体基板層上に位置する誘電体導波路層と、前記誘電体導波路層上に位置する結合整合層と、前記結合整合層上に形成された、ショートレンジ表面プラズモンポラリトンを伝導するためのショートレンジ表面プラズモン導波路部とを含むことを特徴とする、ショートレンジ表面プラズモンポラリトンと一般誘電体導波路との混合結合構造である。また、本発明は、下から上に向けて、それぞれ、誘電体基板層と、誘電体導波路層と、結合整合層と、ロングレンジ表面プラズモン導波路部とを含むことを特徴とする、ロングレンジ表面プラズモンポラリトンと誘電体導波路との結合構造である。 （もっと読む）

【課題】熱処理時に処理対象基板にダメージを与えることを防止することができる熱処理装置を提供する。
【解決手段】光学測定系を用いて反射率が既知の標準ウェハー、パターン形成がなされていない無地ウェハーおよび実際に処理対象となる半導体ウェハーの反射強度を測定する。それぞれの反射強度にはスペクトル分解処理がなされる。そして、標準ウェハーの反射強度と無地ウェハーの反射強度とから無地ウェハーが吸収した光エネルギー値が算出され、標準ウェハーの反射強度と処理対象ウェハーの反射強度とから処理対象ウェハーが吸収した光エネルギー値が算出される。これらに基づいて無地ウェハーに対する処理対象ウェハーの光エネルギー吸収比率が算出され、その値と無地ウェハーに照射する光の適正エネルギー値とから処理対象ウェハーに照射すべき適正エネルギー値が算出される。 （もっと読む）

【課題】複雑な表面構造を有する対象物の表面トポグラフィおよび／または他の特性を、走査干渉分光法を用いて測定する。
【解決手段】試験対象物の第１の表面箇所に対する走査干渉分光信号から導出可能な情報と試験対象物の複数のモデルに対応する情報とを比較することを含む方法であって、複数のモデルは、試験対象物に対する一連の特性によってパラメータ化される方法。複数のモデルに対応する情報は、試験対象物の各モデルに対応する走査干渉分光信号の変換分（例えば、フーリエ変換分）の少なくとも１つの振幅成分についての情報を含んでもよい。第２の側面では、モデルは固定された表面高さに対応するとともに、固定された表面高さとは異なる一連の特性によってパラメータ化されている。第３の側面では、比較は、走査干渉分光信号の系統的な影響を明確にすることを含む。 （もっと読む）

【課題】ウェハ上の回折構造体の格子型パラメータを決める。
【解決手段】半導体ウェハ１２ａ上の回折構造体１２ｃからの回折の前に、必要な場合は、分光反射率計６０または分光エリプソメータ３４を使って構造体の下に位置する膜１２ｂの膜厚と屈折率とをまず測定する。そして、厳密なモデルを使って回折構造体１２ｃの強度またはエリプソメトリックな特徴的パラメータを計算する。次に、偏光放射線および広帯域放射線を用いた分光散乱計を使って回折構造体１２ｃを測定して回折構造体１２ｃの強度またはエリプソメトリックな特徴的パラメータを得る。この特徴的パラメータをデータベース内の特徴的パラメータと適合させて構造体の格子型パラメータを判定する。 （もっと読む）

【課題】ウェハ上の回折構造体の格子型パラメータを決める。
【解決手段】半導体ウェハ１２ａ上の回折構造体１２ｃからの回折の前に、必要な場合は、分光反射率計６０または分光エリプソメータ３４を使って構造体の下に位置する膜１２ｂの膜厚と屈折率とをまず測定する。そして、厳密なモデルを使って回折構造体１２ｃの強度またはエリプソメトリックなパラメータを計算する。次に、偏光放射線および広帯域放射線を用いた分光散乱計を使って回折構造体１２ｃを測定して回折構造体１２ｃの強度またはエリプソメトリックなパラメータを得る。これらパラメータと参照データベースを用いて格子型パラメータを決める。 （もっと読む）

【課題】 偏光解析装置、偏光解析による異常検出方法、磁気記録媒体の製造方法、及び、半導体ウェーハの製造方法に関し、試料の広範囲の平均的な膜厚、形状、物理特性を短時間、かつ精度よく計測する。
【解決手段】 試料上の分光光学特性を計測する計測機構と、前記計測機構からの計測光が前記試料に当たる位置を調整できるステージ機構と、前記計測光の前記試料上での照射位置を検出するためのステージ位置検出機構と、前記試料を移動させながら前記計測光が前記試料上の予め設定した所定の領域にある時のみ所定の波長の光学特性を加算して取得および記録する受光記録機構と、前記受光記録機構における記録を基に前記試料の表面の構造を解析するエリプソメーター或いはスキャトロメーターのいずれかの解析機能を有する偏光解析機構とを設ける。 （もっと読む）

被験物体からの試験光と参照光とを合成して、検出器上に干渉パターンを形成する光学系を含む広帯域走査干渉計システムから構成される装置。本装置は、共通の光源から検出器への試験光と参照光との間の光路差（ＯＰＤ）を走査するように構成されたステージと、一連のＯＰＤ増分の各々に対する干渉パターンを記録する検出器を含む検出系であって、各ＯＰＤ増分の周波数がフレームレートを定義する、検出系とを含む。光学系は、走査時のＯＰＤの変化を示す少なくとも２つの監視干渉信号を生成するように構成され、検出系は、監視干渉信号を記録するように構成される。本装置は、フレームレートより高い周波数において、ＯＰＤ増分への摂動に対する感度でＯＰＤ増分に関する情報を決定するように構成されたプロセッサを含む。
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【課題】 高精度に偏光特性を計測することが可能な計測方法及び計測装置を提供する。
【解決手段】 偏光特性を計測する計測方法において、マスクのパターンの像を前記像面に投影し、光源の波長以下の幅の第１（２）スリットを像面において移動させながら第１（２）スリットを透過した光を検出して、第１（２）スリットの移動方向における第１（２）光強度分布を取得する。そして、第１光強度分布の最大値及び最小値となる位置をそれぞれ決定して、第２光強度分布のうち該決定されたそれぞれの位置における光強度を用いて指標値を算出し、指標値と偏光特性との関係を表す情報を用いて、該算出された指標値に対応する偏光特性を求める。 （もっと読む）

外面（１６）と、当該外面に対して反対側に位置する内面（１７）と、を備える物体（２）の厚さを干渉分析法によって光学的に計測するための方法、計測装置（２３；２６；２７）、及び計測システム（１）に関する。低コヒーレンスの放射線ビーム（Ｉ）が放射され、そのようなビームは、放射線源（４ａ、４ｂ；４ｃ、４ｄ；４ｅｆ）によって放射され、所定帯域内で多数の波長からなっている。前記放射線源は、前記物体（２）の厚さに応じて、異なる波長帯域に属する少なくとも２つの異なる放射線ビーム、又は、単一の広範な波長帯域の放射線源を、選択的に採用し得る。前記放射線ビームは、光学プローブ（６）によって前記物体の前記外面へ向けて方向付けられている。前記物体によって反射される放射線ビーム（Ｒ）は、前記光学プローブによって集積されている。スペクトル計（５；５ａ、５ｂ；５ｄ、５ｅ；５ｆ、５ｇ）によって、前記物体に入り込むことなく前記外面によって反射される放射線ビーム（Ｒ１）と、前記物体に入り込んで前記内面によって反射される放射線ビーム（Ｒ２）と、の間の干渉の結果であるスペクトルを分析することができる。そして、前記物体の厚さは、前記スペクトル計によって提供されるスペクトルの関数として計算される。２つのスペクトル計が、前記異なる波長帯域の各々に属する放射線ビームに対して選択的に用いられ得る。
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【課題】金属ナノ構造体内において特定の波長で励起したプラズモンの密度分布を評価することを可能にする。
【解決手段】励起光が照射されると発光するかまたはラマン散乱光を発生する光発生膜が金属構造体上に形成された試料の表面に第１照射光を照射して前記金属構造体の表面にプラズモンを励起するとともに、第２照射光を照射して前記光発生膜から光を発光させるかまたは前記ラマン散乱光を発生させ、かつ金属粒子が先端に設けられたプローブで前記試料の表面を走査するステップと、前記プローブで走査しながら前記光発生膜から出射した光を受光するステップと、受光した光の画像を取得するステップと、を備えている。 （もっと読む）

【課題】ウェハ上の回折構造体の格子型パラメータを決める。
【解決手段】半導体ウェハ１２上の回折構造体１２ｃからの回折の前に、必要な場合は、分光反射率計６０または分光エリプソメータを使って構造体の下に位置する膜１２ｂの膜厚と屈折率とをまず測定する。そして、厳密なモデルを使って回折構造体の強度またはエリプソメトリックな署名を計算する。次に、偏光放射線および広帯域放射線を用いた分光散乱計を使って回折構造体を測定して回折構造体の強度またはエリプソメトリックな署名を得る。この署名をデータベース内の署名と適合させて構造体の格子型パラメータを判定する。 （もっと読む）

【課題】単色光の高均一度と高照度を共に満たすことを可能にした単色光照射装置を提供することにある。
【解決手段】アークランプ光源１と、アークランプ光源１からの光をコリメートするレンズ光学系２と、レンズ光学系２からの光を分光する分光光学系３と、分光光学系からの単色光を受光し集光するレンズ光学系４と、レンズ光学系４からの単色光の光量を調整する出射スリット５と、出射スリット５からの単色光の照度を均一化するホモジナイザ７と、ホモジナイザ７からの単色光をコリメートするレンズ光学系８とを有することを特徴とする単色光照射装置である。 （もっと読む）

【課題】少ない情報で波形ライブラリの作成を可能にし、かつ、小さな波形ライブラリで高い計測分解能を達成する。
【解決手段】プロセスパラメータを変化させてパターンの断面形状をシミュレーションにて予測し、予測した断面形状から分光波形をシミュレーションにて算出し、各プロセスパラメータに対応づけることにより波形ライブラリを形成する。該波形ライブラリを参照することにより、所望の形状が得られるように設定されたプロセスパラメータを用いて実際に作成された計測対象としてのパターンから実際に取得した分光波形に対応する最適なプロセスパラメータを算出し、得られた最適なプロセスパラメータに対応する最適なパターン断面形状を生成して計測を行う。 （もっと読む）

【課題】 離れた場所または隔離されている場所に置かれた被検体の分光透過率或いは分光反射率を同時測定可能で、さらに測定点数と被検体間の距離による制限がなく、測定を遠隔地で集中管理できる装置の提供。
【解決手段】 ファイバーにより投光、受光を行わせ、センサーとなる高速型分光器にＬＡＮ機能を設け、離れた空間、狭い空間、隔離された空間に置かれた被検体の分光透過率、分光反射率を被検体の数、大きさ、互いに置かれている距離に制限なく同時に多点で高速に測定し、遠隔監視を可能とする。 （もっと読む）

【課題】部分的に活性化されたドープ半導体領域の活性化の程度および活性ドーピングプロファイルを非破壊的手法で決定するための方法及び／又は手順を提供する。
【解決手段】ほぼ同じ既知の注入されたままの濃度および、既知の変化する接合深さを有する少なくとも２つの半導体領域のセットを用意する工程１０、これらの領域のうち少なくとも１つについて、注入されたままの濃度の決定工程２０、前記セットのうち少なくとも２つの半導体領域をＰＭＯＲ技術により部分的に活性化させる工程３０、反射プローブ信号の符号付き振幅を接合深さの関数として、少なくとも２つのレーザ間隔値について測定および／またはＤＣプローブ反射率を接合深さの関数として測定する工程４０、これらの測定値から活性ドーピング濃度を抽出する工程８０、全体の注入されたままの濃度および活性ドーピング濃度を用いて、不活性ドーピング濃度を計算する工程９０を含む。 （もっと読む）

【課題】測定周波数帯域の広帯域化と周波数分解能の高分解能化とを実現したテラヘルツ測定装置等を提供する。
【解決手段】ＴＨｚ波スペクトル測定装置（１）は、フェムト秒レーザーをポンプ光とプローブ光とに分岐するビームスプリッタ（１１）と、ポンプ光を受けてＴＨｚ波を発生させるＴＨｚ波発生源（１２）と、プローブ光をチャープパルスに変換するチャープ発生光学器（２２）と、チャープパルスを２つに分岐するビームスプリッタ（３１）と、分岐された一方の参照光を検出する参照光検出手段と、他方をＴＨｚ波の電気光学効果にて変調する電気光学結晶（４３）と、電気光学結晶（４３）から出力された信号光を検出する信号光検出手段と、同時に検出された参照光と信号光とに基づいてＴＨｚ波の時間波形を取得する演算回路（５０）とを有する。 （もっと読む）

【課題】被検査体における内部析出物、空洞欠陥、表面の異物ないしスクラッチ、表層のクラックの欠陥を精度よく検出し、欠陥の種類を特定して欠陥を分類できるようにする。
【解決手段】光源装置４からの光をポラライザー５を介して偏光を与えて被検査体Ｗに対し斜め方向に入射させ、その散乱光ＳＢを暗視野に配置された偏光分離素子９を有するＣＣＤ撮像装置７で撮像し、得られたＰ偏光成分画像とＳ偏光成分画像とについて成分光強度を得て、それらの比としての偏光方向を求める。被検査体に応力を印加していない状態と、応力を印加した状態の光散乱体の撮像により得られた画像から成分光強度、偏光方向を求め、所定の閾値と対比することにより欠陥の検出、分類がなされる。 （もっと読む）

【課題】概してセルステップのかなり前のアレイ試験ステップにおいてａ−Ｓｉ残留物欠陥を検出することができるようにする表面照射装置及び方法が提供される。
【解決手段】ａ−Ｓｉは露光されない場合に高い固有抵抗を有し、それにより従来のＴＦＴアレイ試験手順において検出するのは難しい。一方、ａ−Ｓｉ残留物が光で照射されるときに、その固有抵抗は減少し、それにより、ＴＦＴアレイセルの電気的特性が変化し、電圧画像化光学システム（ＶＩＯＳ）を用いてそれを検出することができる。一実施態様では、ＴＦＴアレイセルが照射用光パルスに露光され、ＶＩＯＳを用いて実行される試験中にＴＦＴパネルの上部側に影響を及ぼす。一実施態様では、表面照射はＶＩＯＳにおいて電圧画像化のために用いられる照射と同じ光路に沿って進行する。別の実施態様では、表面照射のための光源（複数可）が、ＶＩＯＳ変調器に極めて近接して配置される。
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【課題】パターン内に位置するターゲットの検出に関する。
【解決手段】本発明は、周囲パターンのフーリエ変換を除去することによって瞳面内で動作する。特に、当該方法は、反射した放射のデータに対してフーリエ変換を行ってフーリエ変換データを生成することと、フーリエ変換データの、ターゲットに対応する部分を除去して減少フーリエ変換データを生成することと、除去された減少フーリエ変換データの部分を補間して積フーリエ変換データを生成することと、フーリエ変換データから積フーリエ変換データを減じることと、を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体エピタキシャル結晶ウエハを破壊することなく、基板とバッファ層との界面の絶縁性を評価する方法の提供。
【解決手段】ＩｎＰ基板とＩｎＡｌＡｓからなるバッファ層との界面を流れる漏れ電流量を非破壊で検査するＨＥＭＴウエハの非破壊検査方法が、ＨＥＭＴウエハのフォトリフレクタンススペクトルを測定するスペクトル測定工程（ステップＳ１）と、フォトリフレクタンススペクトルに基づいて内部電界強度Ｆを算出する電界強度算出工程（ステップＳ２〜Ｓ４）と、予め求めた内部電界強度Ｆと漏れ電流量との関係と、内部電界強度Ｆとに基づいて漏れ電流量を推定する漏れ電流量推定工程（ステップＳ５）とを有する。 （もっと読む）