【課題】回折構造体の測定パラメータモデルを利用する分光散乱システムおよび方法を提供する。
【解決手段】モデルの固有値を事前計算し、記憶し、ある共通の特性をもつ他の構造体に対して後に再利用する。１つ以上のパラメータの値を求めるために用いられる散乱データは、下敷フィルム特性に対して感度が低くなる波長におけるデータだけに制限することが可能である。代表的な構造体をスラブ２００’（ｉ）のスタックにスライスし、各スラブの近似を行うため四角形ブロック２１０，２１２，２１４，２１６，２１８のアレイを作成することによって三次元グレーティングに対するモデルを構築することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】テクスチャ構造を有する対象物上に形成された薄膜の形状を容易かつ高精度に取得する。
【解決手段】膜形状取得装置１では、上面に複数のテクスチャ凸部を有する基板９上に形成されたシリコン膜の光学モデルにおいて、複数のテクスチャ凸部に一致する薄膜凹部およびその上方に位置する薄膜凸部が設定される。そして、薄膜凸部、薄膜凹部、および、薄膜凸部と薄膜凹部との間の中間部の形状を表すパラメータ群に含まれる各パラメータを有効膜厚にて表現し、有効膜厚を変更することにより各パラメータの値を変更して理論スペクトルの測定スペクトルに対するフィッティングが行われる。これにより、シリコン膜の形状を容易かつ高精度に取得することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体内の多重励起子の生成状態を評価する。
【解決手段】回折格子の背後に標準試料を移動可能に配置し、前記回折格子を通して前記標準試料に、励起光としての第１のレーザー光及びプローブ光としての第２のレーザー光を入射させると共に、前記第１のレーザー光によって縞状の強度分布を持つ光を前記標準試料内に発生させ、前記回折格子及び前記標準試料からの回折光を観察することで、前記標準試料の複素屈折率の虚数部の変化による回折光が消失する前記標準試料の位置を特定し、特定した前記位置に半導体を含む測定試料を配置し、前記回折格子を通して前記測定試料に、前記第１のレーザー光及び前記第２のレーザー光を入射させると共に、前記第１のレーザー光によって縞状の強度分布を持つ光を前記測定試料内に発生させ、前記回折格子及び前記測定試料からの回折光を観測する。 （もっと読む）

【課題】基板に形成された凹部の深さを、加工方法の制約を受けず、かつ、任意の時間に、非破壊、非接触で測定する技術を提供する。
【解決手段】基板９に形成された貫通ビア９Ｈ（凹部）の深度を検査する基板検査装置１００であって、基板９に向けて電磁波パルスを照射する電磁波パルス照射部１３と、電磁波パルスを検出する電磁波パルス検出部１５とを備える。また、基板検査装置１００は、貫通ビア９Ｈが形成されているビア形成領域９２Ｒを透過した電磁波パルスの時間波形と、ビア形成領域９２Ｒとは異なる参照領域を透過した電磁波パルスの時間波形とを比較して、その位相差を取得する位相差取得部２５と、前記位相差に基づいて、前記ビア形成領域に形成された貫通ビアの深度を取得するビア深度取得部２７とを備える。 （もっと読む）

【課題】回折格子の形状特徴物などの小寸法の形状特徴物のプロフィールを見出すためのシステムを提供する。
【解決手段】シード・プロフィールのギャラリが作られ、半導体装置についての製造プロセス情報を用いて該プロフィールに関連する初期パラメータ値が選択される。回折構造および関連するフィルムを測定するとき、反射率Ｒ_s，Ｒ_pなどのいろいろな放射パラメータおよび楕円偏光パラメータを使用することができる。放射パラメータのうちのあるものは、該プロフィールまたは該フィルムのパラメータ値の変化に対してより敏感な１つ以上の放射パラメータを選択してより精密な測定に到達することができる。プロフィール・パラメータのエラーを補正するために上述した手法をトラック／ステッパおよびエッチャに供給してリソグラフィおよびエッチングのプロセスを制御することができる。 （もっと読む）

【課題】インプリント装置により基板に形成されたパターンの残膜厚を計測する精度の点で有利な技術を提供する。
【解決手段】インプリント装置により透過膜を有する基板に形成されたレジストの凹凸パターンの凹部の厚さを計測する計測装置の計測感度の目標値を設定し、当該目標値を満たす透過膜の厚さを前記基板に形成すべき透過膜の厚さとして決定する決定ステップを有し、前記計測感度は、前記凹凸パターンの形状の変化に対する前記凹凸パターンからの反射光の強度の変化又は位相の変化で定義され、前記決定ステップでは、複数の厚さの透過膜のそれぞれについて、前記凹凸パターンの形状の変化に対する前記凹凸パターンからの反射光の強度の変化又は位相の変化に基づいて前記計測感度を示す情報を取得し、当該情報から前記目標値を満たす透過膜の厚さを特定することを特徴とする決定方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】
試料表面に非接触で超音波励起を行い、超音波を励起した点を光干渉計測する手段を用いた非接触で試料内部の観察を行うことにより、稼動部分が無く、コンパクトな構成で、高感度で非破壊・非接触に内部欠陥を検査する。
【解決手段】
検査対象の試料から離れた場所から超音波を発射してこの超音波を試料に照射し、この試料の表面の超音波が照射された箇所に偏光の状態が制御された偏光光を照射し、この偏光光が照射された試料の表面からの反射・散乱光のうち照射した偏光光と同じ偏光特性を持つ光を光検出器で検出し、この光検出器で検出した信号を処理して試料の内部の欠陥を検出する内部欠陥検査方法及びその装置とした。 （もっと読む）

【課題】測定対象物に対して、可視観察のみならず、近赤外観察や蛍光観察といった特殊観察を行うことを可能とした光学式測定装置を提供する。
【解決手段】白色光を出射する白色光源と、白色光源と測定対象物との間に配され、白色光源から出射された白色光と、測定対象物からの戻り光と、を通過させる第１対物レンズと、第１対物レンズを通過した戻り光を所定の倍率に変倍する複数のチューブレンズと、複数のチューブレンズのうち戻り光上に配置させる一のチューブレンズを選択的に切り替え可能なレンズ切替機構と、を備える可視観察部と、特殊光を出射する特殊光源と、特殊光源と測定対象物との間に配され、特殊光源から出射された特殊光と、測定対象物からの戻り光と、を通過させる第２対物レンズと、を備える特殊観察部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】封止部材を透過する水蒸気をデバイスが封止された状態で簡便かつ高感度に測定することができる水蒸気透過測定装置および水蒸気透過測定方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る水蒸気透過測定装置１０は、光源２１と、結露促進部１２と、受光部２２と、液体凝縮解析部３２と、封止部材１３と、を有する。結露促進部１２は、光源２１が照射した光の一部をプラズモン吸収する。受光部２２は、結露促進部１２による反射光および透過光の少なくとも一方を受光する。液体凝縮解析部３２は、受光部２２により受光された反射光および透過光の少なくとも一方にもとづいて結露促進部１２の上面の液体の凝縮を解析する。封止部材１３は、太陽電池デバイス１４の一部または全部および結露促進部１２を封止する。 （もっと読む）

【課題】所望の被測定箇所における不純物の検出下限値を向上させ、正確に不純物濃度を測定する。
【解決手段】本発明の表面不純物測定方法は、まず、被測定物２００の表面における被測定箇所に溶媒を滴下する。このとき、溶媒を留めておくための溶液保持部材（たとえば小片化基板４２０）を、被測定物２００の一部領域上に載せた状態で、溶媒を保持することにより試料溶液３００を作製する。次いで、試料溶液３００を溶液抽出部５６０で抽出する。その後、試料溶液３００の不純物分析を行う。 （もっと読む）

【課題】本発明は、非破壊であって測定環境をコントロールすることなく、基板上に導電性を持つ導電層を介して半導体層を形成した測定対象物における前記半導体層の結晶性を評価し得る半導体薄膜結晶性評価装置および該方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体薄膜結晶性評価装置Ｄａは、基板ＬＡ１上に導電性を持つ導電層ＬＡ２を介して半導体層Ａ３を形成した測定対象物ＷＡに、半導体層ＬＡ３の厚さよりも短い浸透長となる波長域の測定光を照射して、測定対象物ＷＡで反射した測定光の反射光を測定する測定部１と、測定部１の出力に基づいて反射スペクトルにおける所定のピークに関する情報を求め、この求めた前記情報に基づいて半導体層ＬＡ３における結晶性の評価を表す評価指標を求める演算部２とを備える。 （もっと読む）

【課題】試料の光吸収係数を高感度で測定する装置を実現する。
【解決手段】リングダウン分光装置は、波長可変フェムト秒ソリトンパルス光源１を用いる。パルス光は、第１光伝送路４、光切換スイッチ５を介して、ループ状の光ファイバー６に入力する。リングダウンパルス光は、光切換スイッチ５を介して、ホモダイン検波器４０に入力する。一方、第１光伝送路４を伝搬するパルス光は、光方向性結合器８、第１光スイッチ素子１２を介して、第２光伝送路２０を構成する各光伝送路に分岐入力される。この第２光伝送路２０を伝搬するパルス光が参照光として、ホモダイン検波器４０に入力して、同期検波される。第２光伝送路２０を構成する複数の光伝送路の光路長は、光ファイバー６の長さだけ、順次、異なると共に、それぞれの光伝送路は、光路長を微小変動させることができる。 （もっと読む）

【課題】数秒／枚程度で生産されるパターンドメディアを全面を全数に亘って検査することを可能にするパターンドメディアの形状欠陥検査方法及びその装置を提供する。
【解決手段】基板に形成された寸法が１００nm以下の繰り返しパターンを検査する方法において、基板に複数の波長成分を含む光を照射し、この光を照射した基板からの反射光を分光して検出し、この分光して検出して得た信号を処理して分光反射率を求め、この求めた分光反射率から評価値を算出し、予め求めておいた評価値とパターン断面形状との関係に基づいて分光反射率から算出した評価値からパターンの形状欠陥を判定するようにした。 （もっと読む）

【課題】細孔を有した薄膜に対して超臨界流体とエリプソメータを利用して膜厚を計測する方法において、容器の窓における光弾性効果を補正する方法を提供
【解決手段】あらかじめ大気中で試料５０の反射光の偏光状態を測定し，続いて試料を超臨界流体容器内に配置し超臨界流体を封入ないし流通させた状態で反射光の偏光状態を測定し，続いて試料を超臨界流体容器内に配置し超臨界流体を封入ないし流通させた状態でプローブ材料を添加し偏光状態を測定し，前記大気中偏光状態と前記超臨界流体中偏光状態とから入力窓１１０と出力窓１１２の光弾性効果を求め，さらに入力窓と出力窓の光弾性効果の結果を利用し，プローブ材料を添加した場合の偏光状態から，超臨界流体中にプローブ材料を添加した場合の試料の光学的状態を求める、細孔を有する薄膜の測定方法。 （もっと読む）

【課題】連続的な広い周波数範囲にわたって信号対雑音比のよい測定ができる分光装置を提供する。
【解決手段】インコヒーレント光の光源であるブロードエリア半導体レーザ１と、インコヒーレント光を平行化して集光する一対のレンズ２ａ、２ｂと、一対のレンズ２ａ、２ｂを通過したインコヒーレント光を通過させるためのピンホールが形成されたピンホール部材６と、ピンホールを通過したインコヒーレント光を２つに分割するビームスプリッタ７と、分割された後の２つのインコヒーレント光のうちの一方のインコヒーレント光の照射に基づき第１電磁波を放射する電磁波放射用光伝導素子８と、第１電磁波を試料に透過または反射させた第２電磁波と上記２つのインコヒーレント光のうちの他方のインコヒーレント光とが入射され、第２電磁波と他方のインコヒーレント光との相互相関信号を得る電磁波検出用光伝導素子９とを備える。 （もっと読む）

【課題】複数種類の計測方法を組み合わせることにより、検査可能な試料を制限することのない試料検査装置及び試料検査方法を提供する。
【解決手段】試料検査装置は、入射部１１、反射光受光部１２及び分析部１３（エリプソメータ部）と、Ｘ線源２１、蛍光Ｘ線検出部２２及び分析部２３（Ｘ線測定部）と、レーザ光源３１、ビームスプリッタ３４、ラマン散乱光検出部３２及び分析部３３（ラマン散乱光測定部）とを備える。試料６に応じた適切な手法を用いて試料の厚みの計測が可能である。またエリプソメトリ及び蛍光Ｘ線分析を組み合わせることにより、試料６の厚みと屈折率等の光学特性とを独立に計測することができる。また試料６が多層試料である場合は、各層を適切な試料で検査することができる。 （もっと読む）

【課題】薄膜化されたレジストを有する測定パターンの構造をスキャトロメトリ法で測定する場合、構造を十分な測定感度で測定できない部位が生じ、測定パターンの構造を精度良く測定できないことがある。
【解決手段】光源２０１は、光ビームを測定パターン３０１に照射するスペクトル測定部２０４は、光ビームの測定パターン３０１による反射回折光のスペクトルである実スペクトルを検出する。制御部２０５は、実スペクトルと、予め用意されたモデルパターンから算出される理論スペクトルとの波形フィッティングを、その実スペクトル内の複数の波長領域のそれぞれについて行い、測定パターンの構造を測定する。 （もっと読む）

【課題】単一ビームや単針を走査する方法と比べて短時間にパターンを検査することができるパターン形成部材の検査方法及び装置、並びにパターン形成部材を提供する。
【解決手段】被転写材料に転写すべきパターン３とプラズモン共鳴構造体４とを有するパターン形成部材１を準備し、プラズモン共鳴構造体４に光を照射してプラズモン共鳴構造体４のプラズモン共鳴の吸収特性を計測し、吸収特性に基づいてパターン３を検査する。 （もっと読む）

【課題】広スペクトル範囲で動作可能な反射屈折光学システムを提供する。
【解決手段】一実施形態では、反射屈折光学システムは、放射を反射するように位置決めされかつ構成された第１の反射面と、第１の反射面から反射された放射を平行ビームとして反射するように位置決めされかつ構成された第２の反射面であって、第２の反射面を通る放射の透過を可能にするアパーチャを有する第２の反射面と、アパーチャから第１の反射面に向かって延在し、第１の反射面と第２の反射面との間に第１の反射面に放射を供給するアウトレットを有するチャネル構造とを含む。 （もっと読む）

【課題】被洗浄基板の洗浄水中の不純物が被洗浄基板の汚染に及ぼす影響を評価する方法を提供する。
【解決手段】被洗浄基板としてのシリコンウエハの表面の汚染は、シリコンウエハ上に存在するＳｉＯＨに由来するＯＨ基が吸着活性点となり、ここ金属含有成分、有機物等が吸着することにより生じる。そこで超純水製造システム１を基本システムとして洗浄した後のＳｉＯＨ（ＯＨ基）の量と、シリコンウエハの洗浄条件や水質条件等の洗浄処理条件を変動させて洗浄した後のＳｉＯＨの量とを測定し、両者の比に基づき最適な水質を設定し、さらに当該設定水質の超純水を供給し得る最適なシステム設定となるように基本システムを組み換えたり、基本システムの構成要素の仕様を変更したりする。 （もっと読む）