【課題】スキャタロメータの光学システムにおいて、Ｐ偏光とＳ偏光との間で異なる透過損失の効果を最小化する。
【解決手段】基板Ｗの特性を測定するように構成されたインスペクション装置が提供され、このインスペクション装置は、基板Ｗ上に放射を投影するように構成された放射プロジェクタ２と、基板Ｗから反射された放射およびリファレンスミラー１４から反射された放射を検出するように構成されたディテクタ１８と、偏光子１７によって規定されるＰ偏光およびＳ偏光によって受ける透過損失を考慮することによって、検出された放射ビームを正規化するように構成されたデータ処理ユニットとを備える。 （もっと読む）

【課題】動的な状態のキャリア移動度を短時間で且つ正確に測定することができる固体のキャリア移動度測定方法を提供する。
【解決手段】本発明の固体のキャリア移動度測定方法は、フォノンとプラズモンが結合しない測定対象である固体に対し、ポンプ−プローブ分光法を用いて、反射率変化又は透過率変化におけるプラズモンによる実時間振動構造を測定し、その測定データに対し、下記式（１）を用いて時間領域データのフィッティングを行うことにより、プラズモンの緩和時間τを求め、求めた緩和時間τの値を下記式（２）に代入することにより固体のキャリア移動度μを求めることを特徴とする。他に２つの手法がある。




（上記式中、Ａはプラズモンによる振動の振幅、τはプラズモンの緩和時間、ｔは時間、ω_Pはプラズモンの振動数、φはプラズモンの振動の初期位相、ｅは電子の電荷、ｍ^＊は
電子の有効質量である） （もっと読む）

【課題】 検出された反射波の時間波形を用いて、反射波の位相誤差を検出する計測方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る計測方法は、以下のステップを備えている：
（１）高周波電磁波（例えばテラヘルツ波）１３を試料１４に照射し、試料１４による反射波の時間波形を測定するステップ；
（２）前記時間波形の特徴を解析することにより、前記反射波の時間波形における位相誤差の情報を得るステップ。
前記した位相誤差の情報に基づいて、試料１４の表面における形状情報や、試料１４における誘電応答を得ることができる。
本発明によれば、半導体、金属、磁性体などの多様な物質に対して、材料の不均一性や表面形状を、非接触で精度よくかつ高速に決定することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】光学ウェハ検査装置に関し、ウェハの回転、及び、ウェハの中心から外周縁までの半径方向の移動を組み合わせたプローブ光の走査機構に簡単な改良を加えることで、プローブ光がウェハを透過することを可能にした構成を実現し、ウェハの厚さ方向全域の検査を行うことを可能にして多くの情報を取得しようとする。
【解決手段】ウェハ１３の材料特性を光学的に検査する装置で、プローブ光１２がウェハ１３を透過可能なように外周縁近傍のみを支持し且つウェハ１３を回転させる機構と、プローブ光１２のウェハ１３への入射角を変える為に傾斜させる機構２２と、ウェハ１３の中心から外周縁までを半径方向にプローブ光１２で走査する為にウェハ１３を移動する機構と、ウェハ１３の一面側からプローブ光１２を入射させる光源１１とウェハ１３を透過して他面側から出射さる透過光１４を検出する検出器１６をもつ光学系とを備える。 （もっと読む）

本発明は、半導体ウェハ、光学薄膜、ディスプレイスクリーンなどの基体における欠陥の物理的特性を決定して、特定して位置を定める方法に関する。方法は、基体を撮像するためにＰＣスキャナの使用を伴う。特に、透過モード撮像において用いられるＰＣスキャナは、基体の体積に関する情報を決定することを可能にする。方法は、干渉法技術の使用により、層厚、曲率および光学定数などの特性の決定を可能にし、偏光撮像の使用により、複屈折率および歪みの決定を可能にする。方法はまた、例えば、光ルミネセンスおよびエレクトロルミネセンスなどの基体におけるルミネセンスに刺激を与え、ルミネセンスマッピングのために刺激を与えた基体を走査することに関する。
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【課題】検査対象としている領域を効率よく、不備なく検査できる半導体デバイスの非破壊検査方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ステージに保持された電子部品にレーザを照射した際に発生する電磁波を電磁波検出手段で受信して複数の電子回路の故障診断を行うに際し、初回の検査領域１２を検査するための走査領域１３をあらかじめ大きさ設定し、その検査結果である電磁波放射分布から検査対象で半導体デバイス１００の設計データとの実構造物とのズレや半導体デバイスの設置ステージの移動精度を考慮して、次以降の検査領域へレーザ照射位置の移動量や走査領域を設定する。 （もっと読む）

【課題】高出力であるとともに広帯域な、さらには効率の高いテラヘルツ帯電磁波発生装置を提供すること。
【解決手段】超短パルス光を放射する光源と、電磁波放射用アンテナとを備えたテラヘルツ波発生装置であって、前記電磁波放射用アンテナは、ガリウムヒ素からなる半絶縁性基板と、前記半絶縁性基板上に形成され、光伝導薄膜と、コプラナー伝送線路とを有し、前記コプラナー伝送線路は、一対の伝送線路電極本体と、前記各伝送線路電極本体からそれぞれ突出する突起電極とを有し、前記一対の伝送線路本体は平行に配置されており、前記電磁波放射用アンテナは電極側に金属材料による格子状開口構造のアンテナ固定板を配置している状態でＳｉ半球レンズに載せられており、超短パルス光を光源より照射することによって電磁波を発生させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 極度に高純度の結晶シリコンの必要性、及び用いられる結晶シリコンでの正確な炭素濃度の決定の必要性により、１０億原子あたりにつき５０個よりもはるかに高感度である、結晶シリコン中での炭素濃度を分析する新たな方法を開発することが望まれている。
【解決手段】 結晶シリコン中の炭素濃度を分析する方法は、切り離され、かつアニーリングされたシリコンコアからの切片を供する工程を有する。切り離され、かつアニーリングされたコアは、多結晶シリコン組成物から引き出され、柱状形状を有する。切り離され、かつアニーリングされたコアは、単結晶シリコン領域及び凍結溶融領域（ｆｒｅｅｚｅ−ｏｕｔ ｍｅｌｔ ｒｅｇｉｏｎ）を有する。凍結溶融領域は、単結晶シリコン領域に隣接して設けられ、その領域は、柱状形状の長さ方向に間隔を空けて存在する。具体的には、前記シリコンコアからの切片には、凍結溶融領域から、その部分内の全凍結溶融領域が供される。その切片の炭素濃度は決定される。凍結溶融領域から切片を供することによって、多結晶シリコン組成物とは反対に、結晶シリコン中の炭素濃度の決定が、１０億個の原子あたりにつき１０個以下の感度で可能となる。 （もっと読む）

【課題】偏光をより早くて効果的に測定できる楕円分光器、偏光測定装置および偏光状態測定方法を提供する。
【解決手段】偏光測定装置は、光の偏光状態が分かるように入射される光を回折させる円形回折格子１４０と、円形回折格子１４０で回折された光を受光して、光の偏光状態を表示する検出器１５０と、を備える。円形回折格子１４０は、一定した溝を掘って形成された格子を有し、格子の間隔と溝の深さとを調節して光の偏光方向による透過率を調節する。円形回折格子１４０は、入射光をすべての方向に回折させる。検出器１５０は、回折された光を受光して、二次元的に検出する。検出器１５０の検出された二次元画面では、入射光の偏光程度を測定するデータが直接抽出可能である。 （もっと読む）

光学計測における2次元構造についてのシミュレーションによる回折信号を生成するのに用いられる回折次数が、第1回折次数と2次元構造の仮説プロファイルを用いて第1のシミュレーションによる回折信号を生成することによって選択される。第2のシミュレーションによる回折信号は、第1のシミュレーションによる回折信号の生成に用いられた仮説プロファイルと同一のものを用いた第2回折次数を用いて生成される。ここで第1回折次数と第2回折次数とは異なる。第1のシミュレーションによる回折信号と第2のシミュレーションによる回折信号とは比較される。第1のシミュレーションによる回折信号と第2のシミュレーションによる回折信号との比較に基づいて、第1回折次数と第2回折次数のいずれを選ぶのかが決定される。
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【課題】 被測定膜を形成するアクティブ基板が赤外線の吸収が大きいガラス基板であっても、被測定膜の実用的な赤外吸収スペクトルを得ることができるようにする。
【解決手段】 アクティブ基板１の上面に赤外線反射層（支持膜）３１を形成し、赤外線反射層（支持膜）３１の上面に形成されたゲート絶縁膜１３を被測定膜３２とし、且つ、被測定膜３２に測定用開口部３３を形成する。そして、測定用開口部３３を介して露出された赤外線反射層（支持膜）３１に赤外線を照射し、それによって反射された赤外線を検出し、この検出結果から支持膜用赤外吸収スペクトルを得る。また、被測定膜３２に赤外線を照射し、被測定膜３２を透過して赤外線反射層３１で反射された赤外線を検出し、この検出結果から被測定膜用赤外吸収スペクトルを得る。そして、被測定膜用赤外吸収スペクトルから支持膜用赤外吸収スペクトルを差し引くと、被測定膜３２の正味の赤外吸収スペクトルが得られる。 （もっと読む）

【課題】光学測定のための系に作用する外乱に起因して光学測定結果に重畳する雑音を低減する。
【解決手段】電磁波Ｔを試料１に入射させて光学応答信号を得て、光学応答信号の強度を検出素子１３により所定の検出タイミングで検出する。光学応答信号の強度を検出素子により検出する光学測定を複数回繰り返すことにより、光学応答信号の強度について複数の測定値を取得する。光学測定のための系に作用する外乱の少なくとも１種の発生を検出して、その検出から一定時間後に立ち上がるトリガ信号を生成し、複数回の光学測定をそれぞれトリガ信号に同期して動作させる。 （もっと読む）

【課題】サファイアインゴット等被測定物全体の散乱体の分布を短時間で測定できる光散乱観察装置を提供する。
【解決手段】被測定物５へレーザ光源１からのレーザ光線を照射し、被測定物から出射されるレーザ光線をＣＣＤカメラ６で撮影して被測定物内に存在する散乱体を観察する光散乱観察装置であって、レーザ光源と被測定物との間の光路上に、直線偏光の方位を回転させる２分の１波長板２と、第１のガルバノミラー３および第２のガルバノミラー４が配置されると共に、２分の１波長板を透過したレーザ光線が第１のガルバノミラーおよび第２のガルバノミラーにより反射されて２次元走査され、被測定物の全体に照射されるようになっていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】レーザ光線の入射時における境界面の散乱損失について煩雑な作業を必要とせずに簡便に減少できる光散乱観察方法を提供する。
【解決手段】エピタキシャル成長用基板に適用される単結晶ウェハー１の側面にレーザ光線を照射しかつ単結晶ウェハーから出射されるレーザ光線を顕微鏡を介しＣＣＤカメラで受光して単結晶ウェハーの結晶欠陥により生ずる散乱像を観察する光散乱観察方法であって、単結晶ウェハーのレーザ光線が照射される部位に上記単結晶の屈折率と同一若しくは近似の屈折率を有する光硬化型光学接着剤を塗布する共に、この接着剤を硬化させてレーザ光線の入射時における境界面の散乱損失を防止する樹脂被膜２を形成し、かつ、この樹脂被膜を介し単結晶ウェハーの側面にレーザ光線を照射して上記散乱像を観察することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半田材の劣化を生じさせること無く、かつ短時間で半田材の粘度計測を可能とする粘度計測装置および粘度計測方法を実現する。
【解決手段】赤外分光計測部１０によって、検査対象の半田材に光を照射することによって該検査対象の半田材から反射する特定波数の赤外線の第一強度を検出し、比較対象の半田材に上記光を照射することによって該比較対象の半田材を反射する上記特定波数の赤外線の第二強度を検出する。そして、算出部１０において、上記第二赤外線吸光度に基づいて特定される検量線方程式に、上記第一赤外線吸光度を代入することによって上記検査対象の半田材の粘度を算出する。 （もっと読む）

【課題】反射光、散乱光、透過光の光量変化が発生しにくい位相物体が被検査体である場合にも、高Ｓ／Ｎ比で良好な光検査を実現する。
【解決手段】光源１１から放射されるレーザ光を伝搬させるコアを有する光ファイバに導光し、光ファイバが射出側端部に有するプローブ部２２の先端部領域に光スポットを形成し、光スポットにより被検査体２の走査を行い、被検査体２を介した検査光における位相変化を検出する。 （もっと読む）

【課題】被計測物を透過する透過光があったとしても、この透過光成分を検出して除去するための別置のセンサを不要とした簡易な構成でありながら精度よく被計測物の温度を計測することができる温度計測方法および温度計測装置を提供する。
【解決手段】被計測物の温度を変化させ、この被計測物に光を照射したとき、前記被計測物を透過する光の透過率および／または透過光強度の変化を求める特性測定工程と、この特性測定工程で得られた前記被計測物の透過率および／または透過光強度と前記被計測物の温度との相関関係を求める相関演算工程とを具備し、前記被計測物の温度を計測する際、前記被計測物の透過率および／または透過光強度が所定の値になる光の波長を求め、前記相関演算工程で求めた相関関係から前記被計測物の温度を求める温度演算工程を備える。 （もっと読む）

【課題】 光干渉法と偏光解析法を1台の装置において可能にすることによって、基板上に形成した透明な薄膜の屈折率と膜厚や、基板のたわみや膜の段差などを試料面内で２次元的に測定できるようにするとともに、測定精度を向上させた表面測定装置を提供する。
【解決手段】 ある偏光状態にある平面波を試料１に照射し試料１の反射による偏光状態の変化をセンサー１１によって測定することを特徴とする光学式表面測定装置において、反射側のレンズ７の焦点に偏光素子８を置くことを特徴とする表面測定装置。 （もっと読む）

試験対象物の異なる表面箇所に対応する複数の干渉分光信号から導出可能な情報と、試験対象物の複数のモデルに対応する情報とを比較することであって、複数のモデルは、試験対象物の１つまたは複数の十分に分解できない横方向の特徴に関連する一連の特性によってパラメータ化されている、比較すること、比較に基づいて十分に分解できない表面特徴についての情報を出力することを含む干渉分光解析法を開示する。
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半導体構造の物理特性の特徴付けのために、半導体構造における歪み及び活性ドーパントの光反射特徴付けの新たな方法が開発された。歪み及び活性ドーパント特徴付け技法の基礎となる原理は、半導体バンド構造におけるバンド間遷移の近くに発生し、且つ半導体表面に誘起されるナノメートルスケールの空間電荷場の影響による歪み及び／又は活性ドーパントに対して非常に敏感な、光反射信号を測定することである。これを達成するために、本開示は、半導体構造上に同時に集束される、強度変調ポンプレーザビームと連続波プローブレーザビームとを含む。ポンプレーザは、ＮＩＲ〜ＶＩＳにおいておよそ１５ｍＷ光出力を提供する。ポンプ光は、１００ｋＨｚ〜５０ＭＨｚの範囲で動作する信号発生器によって振幅変調される。プローブビームは、ＶＩＳ〜ＵＶで動作するおよそ５ｍＷであり、概して半導体構造における強い光吸収の近くの波長である。ポンプ及びプローブは、サンプルのマイクロメートルスケールスポットに同時に集束される。プローブ鏡面反射は集光され、ポンプ波長光はカラーフィルタを用いて除去される。残りのプローブ光はフォトダイオードに向けられ、電気信号に変換される。そして、プローブＡＣ信号は、半導体材料光応答のポンプ誘起変化を含む。フォトダイオード出力に対して位相敏感測定が行われ、ＡＣ信号がＤＣ反射率信号によって除算される。このようにして、光反射情報が、プローブ波長、変調周波数、ポンプ強度並びにポンプ偏光及びプローブ偏光の関数として記録される。
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