【課題】 I族元素、III族元素及びVI族元素を含むカルコパイライト構造の化合物半導体からなる半導体膜の品質を精度よく判断することができる検査システムと、これを用いた検査方法を提供する。
【解決手段】 半導体膜(10)の周囲の温度を１００Ｋ以下に保つ温調部(11)と、半導体膜(10)に１．０ｅＶ以上の光子エネルギーを有する励起光(L₁)を照射して、半導体膜(10)中にキャリアを発生させる光照射部(14)と、前記キャリアが発する蛍光のうち、０．９〜１．３ｅＶの光子エネルギーを有する蛍光(L₂)を受光して、蛍光(L₂)の寿命値を測定する蛍光寿命測定部(15)と、蛍光寿命測定部(15)によって測定された蛍光(L₂)の寿命値が予め定められた所定値未満のときに半導体膜(10)を不良と判定する判定部(17)とを含む検査システム(1)とする。 （もっと読む）

【課題】熟練者による光学素子の光散乱計測の検査を数値化によって定量化することにより検査を容易化する方法及び手段を提供する。
【解決手段】本発明による光学素子評価方法は、光源から光学素子の表面に非垂直方向にレーザを照射し、光学素子の表面からの散乱光の画像をデジタルカメラで撮像し、デジタルカメラからの画像信号の２次元高速フーリエスペクトル及び２次元パワースペクトルを得て、該２次元パワースペクトルを基に光学素子性能を評価する。 （もっと読む）

【課題】20ｋΩ・ｃｍ程度以上の高い抵抗率を有する半導体の伝導型を簡易かつ迅速に判定し得る伝導型判定方法および装置を提供する。
【解決手段】伝導型判定装置１は、パルス波形発生装置２と、増幅器３と、１対の対向電極４と、半導体被検体からの発光を検出する光検出器７と、信号増幅器８と、光検出器７からの発光出力波形およびパルス波形発生装置２からのパルス波形を同一時間軸上に表示するオシロスコープ９とからなる。１対の対向電極４および上記光検出器７は発光測定部１０を構成する。１対の対向電極４は、金属電極部からなる第１電極４ａと、金属電極部が絶縁層薄膜５により被覆されてなる第２電極４ｂとからなる。 （もっと読む）

【課題】 設計目標どおりに成膜することができ、所望の光学特性を有する光学素子を製作することができる成膜装置及び成膜方法を提供すること。
【解決手段】 成膜装置１は、真空槽２内に配設されて中心軸Ｃ回りに回転自在な保持部材７と、基板３とともに成膜されるＳｉモニタ部材（第１モニタ部材）８及びＮｂモニタ部材（第２モニタ部材）１０と、Ｓｉモニタ部材８上に成膜された薄膜の膜厚を検出するＳｉ膜厚検出機構（第１膜厚測定手段）と、Ｎｂモニタ部材１０上に成膜された薄膜の膜厚を検出するＮｂ膜厚検出機構（第２膜厚測定手段）と、基板３上に成膜された混合薄膜の光学特性値を検出する光学特性測定機構（特性評価手段）と、各膜厚検出機構の検出値に基づいて各ターゲット５、６からの材料供給速度を制御する制御部とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 専用の干渉装置（例えばノマルスキープリズムなど）を用いることなく物体の微分干渉画像を生成する。
【解決手段】 物体像の複素振幅分布を表す第１データ群の各ピクセルデータに対し、該ピクセルデータの複素振幅の位相を所定量θだけシフトさせる処理を行い（Ｓ３）、第２データ群を生成する。そして、第１データ群の各ピクセルデータと第２データ群の各ピクセルデータとを用い、各データ群を画像化したときに相対位置が所定方向に所定量だけ異なるピクセルデータどうしで、該ピクセルデータの複素振幅の差または和を求め（Ｓ４）、第３データ群を生成する。さらに、第３データ群の各ピクセルデータを用い、該ピクセルデータの複素振幅の絶対値の二乗を求め（Ｓ５）、第４データ群を生成する。 （もっと読む）

【課題】 基板の裏面反射による影響を取り除いて薄膜の偏光解析を行うことを可能にするとともに、測定点内に含まれる微細な構造を測定することを可能にする。
【解決手段】 入射光路中に光を通すスリットを設けることによって、サンプルに当る光の形状と大きさを制約し測定のための基線とすることを原理とする偏光解析装置。
スリットはサンプルの表面に近接して表面に平行に配置するか、入射光の光路に直交するよう配置する。スリットの幅またはエリアセンサーの読み出し範囲はサンプルの基板の裏面反射が影響しない範囲に設定する。
その共通の開口部より光をサンプルに照射するようにした２枚のスリットの相対位置を微小にずらすことによってサンプルに当る光の形状、大きさを変えながら測定を繰り返し、その逐次の測定データの差分を計算することによって微細な測定が可能になるようにした。 （もっと読む）

【課題】本発明は、実際の干渉を生起させることなく干渉像を得ることのできる顕微鏡観察方法、顕微鏡装置、及び画像処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】照明された被検物から射出する被検光束を結像する結像光学系を有し、その結像光学系の結像面に生起する被検光波の複素振幅分布を測定可能な顕微鏡装置を用いた顕微鏡観察方法であって、前記被検光波の複素振幅分布のデータを取得する被検データ取得手順（Ｓ２）と、前記被検物を光路から外したときに前記結像面に生起する参照光波の複素振幅分布のデータを取得する参照データ取得手順（Ｓ１）と、前記被検光波の複素振幅分布のデータと前記参照光波の複素振幅分布のデータとを同一座標間で重ね合わせて絶対値二乗し、前記被検物の干渉像の画像データを作成する画像作成手順（Ｓ３，Ｓ４）とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

ウェーハ加工プロセスにおける更なるステップとして、ドーピングされた層の横方向急峻性を監視するために、どのような半導体ウェーハ加工プロセスをも変更することができる。一実施形態においては、１つ以上のドーピングされた領域を含むテスト構造が、製品ウェーハに形成され（例えば、１つ以上のトランジスタと同時に）、テスト構造の１つ以上の寸法が測定され、ウェーハのその他のドーピング領域における、例えば、同時に形成されたトランジスタにおける横方向急峻性の判断として使用される。テスト構造におけるドーピングされる領域は、お互いに一定の間隔を置いて規則正しく配置することができ、あるいは、隣接するドーピングされた領域間の間隔を変化させて配置されてもよい。あるいは、または、それに加えて、複数のテスト構造が、単一ウェーハに形成されてもよく、それぞれのテスト構造においては、ドーピングされた領域は、一定の空間的間隔で配置され、異なるテスト構造は、異なる空間的間隔を有する。
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【課題】 シリコン基板表面にマイクロラフネスを生じる処理液中不純物の高感度検出方法を提供する。
【解決手段】 薬液もしくは純水で所定時間処理することにより、シリコン基板表面にマイクロラフネスを生じさせた後、シリコン基板のマイクロラフネスの状態を全反射赤外吸光度法で測定する。さらに、得られた吸収スペクトルのうち、特定の吸収波数によって規定される吸収ピークを基準ピークと定め、さらに他の特定の吸収波数によって規定される吸収ピークを対照ピークと定め、基準ピークと対照ピークとのピーク強度比を取ることによってシリコン基板表面のマイクロラフネス発生状態の検出や、数値化による定量評価を可能にする。 （もっと読む）

検出または検査されるべき物体が位置する可能性のある二次元視野のデジタル画像を取得し、画像の分析と物体の状態の決定と記録を行う、物体の自動光電子検出および検査のための方法および装置を提供する。決定は、物体が視野に位置する複数の画像から得られる証拠に基づき、一般に複数の視点に対応して行われる。物体が視野に位置する証拠は、検出のために使われ、物体が適切な検査基準を満たす証拠は検査のために使われる。複数の視点が継続動作中の物体に対し得られるように高速で画像を取得し解析するための方法および装置が開示される。 （もっと読む）

本発明は、半導体ウェハ（１００）上に堆積または形成された膜（１０４）の光学特性を測定するためのシステム（２０１）および方法を提供する。膜の試験領域（２０６）内にあって、互いに重なり合わない複数の位置（２１６）において、上記膜の化学線照射量よりも低い放射線照射量で光学特性を測定する。この結果、上記測定によって上記膜内に化学変化が引き起こされることはない。従来技術による方法に対して上記測定を較正して、その結果を調整係数または較正係数によって調節してもよい。
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真空紫外線スペクトラムで動作する分光検査システム（５００）が提供される。特に、該真空紫外線スペクトラムの反射率計測技術を使うシステムが度量衡応用での使用のため提供される。精密で繰り返し可能な測定を保証するために、光路（５０６，５０８）の環境が、該光路内に存在するガスの吸収効果を制限するよう制御される。なお起こる吸収効果の責めを負うために、該光路の長さは最小化される。更に吸収効果の責めを負うために、該反射率データは相対的標準に基準合わせされる。
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本発明の側面は、マイクロ電子フィーチャのアレイの対称性／非対称性を測定するための方法及び機構を提供する。本発明の一実施形態は、マイクロ電子デバイスにおける三次元構造の非対称性を測定する方法を提供する。本方法により、光は、マイクロ電子デバイスのマイクロ電子フィーチャのアレイに向けられる。光は、複数のマイクロ電子フィーチャの全長及び全幅を含むアレイの一部を照射する。アレイから散乱し戻された光は、一又はそれ以上の反射角、一又はそれ以上の波長、或いはそれらの組み合わせから成る群より選択された条件で検出される。本方法はまた、反射の余角からのデータを調べることを含む操作を実行することにより、戻り散乱光の一又はそれ以上の特性を調べることも含む。
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本発明は、太陽電池セルのテクスチャの定量的評価のための光学的方法および装置に関する。本発明の方法および装置は、太陽電池セルを支持する基板の表面に相関付けられた幾何学形状パターンの成長を特徴とするテクスチャ形態に適している。前記形態は、単結晶Ｓｉの化学的攻撃など種々の方法を使用し、直立および反転ピラミッドの両者にて形成が可能である。さらに、本発明の方法は、マルチ結晶Ｓｉに形成される他のテクスチャ、ならびに前記条件のもとであらかじめテクスチャが施された基板上へと堆積された多結晶シリコン・セルに存在するテクスチャの程度を研究するためにも使用可能である。さらに、本発明は、同様のテクスチャ・パターンを有する他の材料にも拡張可能である。
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本発明の好ましい実施例は、共通路干渉計検査、位相基準化、能動的安定化及び差動測定を含むが、それらに限定されない、多数の戦略の組み合わせを用いて、位相ノイズの問題に取り組む位相測定用システムに向けられている。実施例は光を用いて小さな生物学的対象を画像形成する光学デバイスに向けられている。これらの実施例は、例えば、細胞生理学及び神経科学の分野に適用出来る。これらの好ましい実施例は位相測定及び画像形成技術の原理に基づく。位相測定及び画像形成技術を使う科学的動機付けは、例えば、限定せぬが、形成異常の起源の画像形成、細胞接合、神経伝達及び遺伝暗号の実施を含むことが出来るが、それらに限定されない、μｍ以下のレベルでの細胞生物学から導出される。細胞以下の構成部分の構造とダイナミックスは、例えば、Ｘ線及び中性子散乱を含む現在の方法と技術を使ってはそれらの自然な状態で現在研究することは出来ない。対照的に、ナノメーターの解像度を有する光ベースの技術は細胞マシナリー（ｃｅｌｌｕｌａｒ ｍａｃｈｉｎｅｒｙ）がその自然な状態で研究されることを可能にしている。かくして、本発明の好ましい実施例は干渉計検査及び／又は位相測定の原理に基づくシステムを含み、細胞生理学を研究するため使われる。これらのシステムは位相を測定するために光学的干渉計を使う低コヒーレンス干渉計検査（ＬＣＩ）又は細胞部分自身内の干渉が使われる光散乱スペクトロスコピー（ＬＳＳ）の原理を含むか、又は代わりにＬＣＩ及びＬＳＳの原理が組み合わされ本発明のシステムに帰着する。
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光学スキャナからのマルチチャネル欠陥データのような、それぞれが３つ以上のパラメータを関連付けられる複数のデータ点から成る母集団が３次元でプロットされ、データ点のグループが特定される。データ点のグループを画定するために、３次元空間において境界面が定義される。異なるグループは異なるデータ分類又はタイプに対応する。境界面に基づいて分類アルゴリズムが定義される。欠陥分類に適用されるとき、そのアルゴリズムは、欠陥を実行時分類するために光学スキャナにエクスポートすることができる。データ点の特定のグループを特定するためのアルゴリズムを、２つ以上の異なるｎ次元表現からの分類規則のブール演算による組み合わせとして定義することができる。ただし、ｎは表現毎に２又は３にすることができる。
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【課題】形成したポリシリコン膜の状態を、客観的に、非接触で、精度良く、自動的に評価することができるポリシリコン膜評価装置の提供を目的としている。
【解決手段】 アモルファスシリコン膜をアニール処理することによって形成されたポリシリコン膜を評価するポリシリコン膜評価装置１である。ステージ上のポリシリコン膜が形成された基板Ｗに可視光を照射することによって基板Ｗ上のポリシリコン膜の表面画像を撮像してオーフォーカスする可視光観察光学系４や紫外光の照射による紫外光観察光学系６などを備える。そして、紫外光観察光学系によって得られたポリシリコン膜の表面画像からポリシリコン膜の膜表面の空間構造の直線性および周期性を評価し、この直線性および周期性の評価結果に基づき、ポリシリコン膜の状態を評価する。 （もっと読む）