【課題】画像処理が煩雑になることなく、光感応領域に発生した電荷を高速に読み出すことが可能な固体撮像装置を提供すること。
【解決手段】固体撮像装置１は、複数の光電変換部３と、第１及び第２のシフトレジスタ９，１３とを備えている。各光電変換部３は、光入射に応じて電荷を発生し且つ平面形状が二つの長辺と二つの短辺とによって形作られる略矩形状を成す光感応領域１５と、光感応領域１５に対して光感応領域１５の平面形状を成す長辺に平行な所定の方向に沿って高くされた電位勾配を形成する電位勾配形成領域１７と、を有している。複数の光電変換部３は、上記所定の方向に交差する方向に沿うように併置されている。第１及び第２のシフトレジスタ９，１３は、複数の光電変換部３からそれぞれ転送された電荷を取得し、上記所定の方向に交差する方向に転送して出力する。 （もっと読む）

【課題】配線抵抗による負帰還効果を抑制して高感度な熱型赤外線検出素子を提供する。
【解決手段】熱型赤外線検出素子において、赤外線検出用ダイオード（１０１）に直列に、ダイオード（１０１）の両端にかかる電圧を設定する電圧設定回路（１１０２）を設ける。さらに、画素アレイ（Ａ１）とは別に、赤外線吸収構造及び／または断熱構造を有しないダミーダイオードからなるダミーダイオードアレイ（Ａ２）を設ける。電圧設定回路（１１０２）は、ダイオード（１０１）の陰極電圧を、所定のバイアス電圧から、配線抵抗と、信号線及び駆動線の抵抗と、ダイオード電流Ｉｆとにより生ずる電圧降下を減算した電圧に制御する。画素アレイ（Ａ１）の配線抵抗に起因する、負帰還効果による感度低下をダミーダイオードアレイによりキャンセルする。 （もっと読む）

【課題】テラヘルツ帯を含む広い帯域の電磁波を直接かつ簡便に（少なくとも室温で）検出可能であり、なおかつ小型に実現可能な電磁波受信装置を提供する。
【解決手段】半導体基板に入射する電磁波の電界に応じた電荷を得る電磁波受信装置であって、半導体基板１上に設けられ、第１の電荷濃度を有する第１の領域２と、第１の領域２上に絶縁領域７を介して覆設された導電領域４と、半導体基板１上において第１の領域２に隣接して設けられ、かつ前記第１の電荷濃度よりも低い第２の電荷濃度を有する第２の領域３とを備え、第２の領域３は、図外の電荷検出回路に接続されている。 （もっと読む）

【課題】光センサの素子劣化に起因した感度低下を簡潔に補正して、外光検出を精度良く行うことができる光量検出回路及び表示装置を提供する。
【解決手段】光検知部ＬＳ１の照度−出力特性を複数の直線で近似し、各近似線を理想特性線Ｉに一致させるための傾き補正値ＡＳＬＰ及びオフセット補正値ＡＯＦＦを用いて光検知部ＬＳ１の出力値Ｌ_LS1を補正することで、光センサ出力特性のばらつきを補正する。このとき、光検知部ＬＳ１の出力値Ｌ_LS1と光検知部ＬＳ２の出力値Ｌ_LS2とから、光検知部ＬＳ１の光センサの感度低下率（光劣化率Ｄ）を算出し、光劣化率Ｄに応じてオフセット補正値ＡＯＦＦを補正することで、光センサの素子劣化による感度低下を補正する。 （もっと読む）

【課題】煩雑であったりコストのかかる方法を用いることなく、蓄積読み出し方式を採るフォトダイオードアレイ（ＰＤＡ）において、簡便に、各フォトダイオード（ＰＤ）に適した電荷蓄積時間を設定することができ、且つ、飽和することがないようなＰＤＡ及びその信号読出方法を提供する。
【解決手段】配列されたｎ個のＰＤの各信号を、第一ＰＤから第ｎＰＤまで順次読み出すＰＤＡにおいて、全てのＰＤの信号を順次全て読み出す全信号読出を実行する前に、第一ＰＤから所定のＰＤまでの信号を順次読み出すことで当該各ＰＤの信号をキャンセルした後、第一ＰＤの読み出しに戻るＰＤを一又は複数回実行する。 （もっと読む）

【課題】
焦電型赤外線センサは、多数開発され安価に市販されているが、センサ単体での検知距離は１０メートル程度であり、レンズで集光したものでも３０メートル程度の検知距離である。海上、空港、大規模工場などの防犯のためのシステムでは、３０メートル程度の検知距離では、配置するセンサの数が膨大になりすぎるためより長距離を検知できるセンサが求められている。
【解決手段】
現状数百円程度で市販されている、焦電型赤外線センサを使用して、遠方より人間や自動車、船舶のエンジンなどから放射せられる遠赤外線を、効率よく集光し焦点に集める放物面鏡または放物面板（ＢＳアンテナなどに用いられている仕様）で反射集光し、焦電型赤外線センサに遠赤外線を密度濃く入光させ検知する長距離検知方法を提案することにより問題を解決する。 （もっと読む）

【課題】光量検出の感度変化を防止した上で、計測時間の短縮化を図る。
【解決手段】ＴＦＴ１１のソース電極ｓに対し、電極ゲート電極ｇをオン電圧からオフ電
圧に変化させたときに、ＴＦＴのソース電極に流れる電極を、オペアンプ１６および抵抗
素子１７によって電圧の信号Ｖmonに変換する。この信号Ｖmonに現れる微分波形に基づい
て、ＴＦＴ１１への入射光量を求める。例えば、パルス信号Ｇpがオフ電圧に変化してか
ら、信号Ｖmonがしきい値電圧Ａ／ｅに達するまでの時間Ｔobを計測して、当該時間Ｔob
を受光量に換算する。 （もっと読む）

【課題】内蔵電源の電圧が低下しても照度センサの検出精度が低下しない無線照度センサを提供することを目的とする。
【解決手段】本体１aと；前記本体１aに配設される電源１ｃと；前記本体１aに配設され、前記電源１ｃによって動作する照度センサ４と；前記照度センサ４から出力されるアナログデータを前記電源１ｃの電圧を用いてデジタルデータに変換する変換部２０ｄと；前記電源１ｃの駆動時間を計時する計時部２０aと；前記計時部２０aによる計時時間および前記電源１ｃの出力電圧と駆動時間との関係および前記照度センサ４を動作させる電源電圧と照度センサ４で検出した検出値をデジタルデータに変換した値の変化率との関係から前記変換部２０ｄによって変換されたデジタルデータを補正する補正手段２０ｃと；前記補正手段２０ｃによって補正されたデジタルデータを無線通信によって出力する無線通信部２１と；を具備する。 （もっと読む）

【課題】 フレームメモリを用いることなく、低消費電力化を図ることが可能な固体撮像装置及びその応用装置を提供する。
【解決手段】 入射される電磁波の大きさに対応する画素信号を出力する画素がマトリクス状に配置された撮像部10と、該撮像部から出力された画素信号をデジタル化する変換部30と、前記デジタル化された画素信号を保持する第１〜第４のラインメモリ40-1〜40-4から構成されたブロックメモリ部40と、該ブロックメモリ部から読み出された前記画素信号が入力される外部回路により要請される１水平期間にて、前記撮像部の４ライン分の画素信号を読み出して前記ブロックメモリ部に保持させた後、その残余の３水平期間、前記撮像部及び前記変換部の少なくとも一方を休止状態とするように制御する駆動制御部50とで固体撮像装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】支持部の断熱性の低下を抑制し、残留応力による歪みが少なく機械的剛性の強い支持部を備えた非冷却型赤外線センサ素子を提供する。
【解決手段】表面に凹部５１が設けられた半導体基板５と、凹部が設けられた領域と異なる半導体基板の領域上に設けられ、第１信号配線部３ａと、前記凹部が設けられた領域と異なる前記半導体基板の領域上に前記第１配線部と交差するように設けられ、第２信号配線３１ｂを含む第２信号配線部３ｂと、前記凹部５１の上方に配置され、第１信号配線と一端が電気的に接続される第１配線１０ａおよび第１配線と互いに絶縁されるとともに並列に配置され一端が電気的に接続される第２配線１０ｂを含む支持配線部１０を有する支持部１と、第１および第２配線の他端と電気的に接続された熱電変換部２１と、熱電変換部の上方に設けられそれと熱的に接続された赤外線吸収層とを有し、凹部の上方に支持された検出セル部２を備えている。 （もっと読む）

【課題】セルに入射した赤外線を効率よく吸収し、低コストで製造することを可能にする。
【解決手段】半導体基板２と、半導体基板上に設けられた読み出し配線部２７と、半導体基板の表面部分に形成された凹部１４の上方に配置され、読み出し配線部と電気的に接続された接続配線１２１ａ、１２１ｂを有する支持構造部１２ａ、１２ｂと、凹部の上方に配置され、支持構造部によって支持されたセル部１０と、を備え、セル部は、入射された赤外線を吸収する赤外線吸収層１０１と、支持構造部と電気的に接続されると共に、赤外線吸収層と電気的に絶縁され、セル部の温度変化を検出することにより、電気信号を生成する複数の熱電変換素子１１ａ、１１ｂと、を有し、複数の熱電変換素子のそれぞれは、半導体層５と、半導体層に離間して形成されたｐ型シリコン層１１０ａ、１１０ｂおよびｎ型シリコン層１１１ａ、１１１ｂと、ｐ型シリコン層とｎ型シリコン層との間の半導体層上に形成されたポリシリコン層１１２ａ、１１２ｂとを有している。 （もっと読む）

【課題】より高精度の物体検出をすることができるレーダ装置において好適に用いられ得る光検出装置を提供する。
【解決手段】光検出装置１は、Ｍ個の受光部１０_１〜１０_Ｍ，選択部２０，加算部３０および制御部４０を備える。各受光部１０_ｍは、フォトダイオードＰＤ，トランスインピーダンスアンプ１１，トランスコンダクタンスアンプ１２，容量素子Ｃ，第１スイッチＳＷ１および第２スイッチＳＷ２を含む。トランスインピーダンスアンプ１１はアンプＡ_１１および帰還抵抗器Ｒ_１１を有する。第１スイッチＳＷ１は、トランスインピーダンスアンプ１１の接地端子と第１接地用共通配線Ｗ_１との間に設けられる。第２スイッチＳＷ２は、トランスインピーダンスアンプ１１の接地端子と第２接地用共通配線Ｗ_２との間に設けられる。 （もっと読む）

【課題】 フォトダイオードの寄生容量が大きい場合であっても演算増幅器の雑音が増幅される量を抑え、低雑音の光電流積分回路を提供する。
【解決手段】 フォトダイオード101 と、該フォトダイオードの一方の端子に一端が接続された抵抗素子102 と、非反転入力端子に前記フォトダイオードの他方の端子が、反転入力端子に前記抵抗素子の他端がそれぞれ接続された演算増幅器103 と、該演算増幅器の反転入力端子と出力端子107 間に接続された容量素子105 と、該容量素子と並列に接続されたスイッチ素子106 とで光電流積分回路を構成する。 （もっと読む）

【課題】より高精度の物体検出をすることができるレーダ装置において好適に用いられ得る光検出装置を提供する。
【解決手段】光検出装置１は、Ｍ個の受光部１０_１〜１０_Ｍ，選択部２０，加算部３０および制御部４０を備える。各受光部１０_ｍは、フォトダイオードＰＤ，トランスインピーダンスアンプ１１，トランスコンダクタンスアンプ１２，容量素子Ｃ，第１スイッチＳＷ１および第２スイッチＳＷ２を含む。トランスインピーダンスアンプ１１はアンプＡ_１１および帰還抵抗器Ｒ_１１を有する。容量素子Ｃは、交流的に浮遊状態とされる容量素子用共通配線Ｗ_Ｃとトランスインピーダンスアンプ１１の入力端子との間に設けられる。 （もっと読む）

【課題】光照射による光センサの劣化を適性に補正して光検出精度を向上させた光量検出
回路及び電気光学装置を提供すること。
【解決手段】本発明の光量検出回路は、ａ−Ｓｉを用いた２個のＴＦＴ光センサＴＦＴｃ
とＴＦＴｓを備え、ＴＦＴｃは、ダイオード接続され、ゲート電極と接続された一方の電
極がノードＡで抵抗Ｒｃを介して電圧Ｖｇ１を供給する第１の電圧源１１に、他方の電極
が電圧Ｖｇ０を供給する第２の電圧源１２に接続され、ＴＦＴｓは、ソース電極が接地さ
れ、ゲート電極がノードＡに、ドレイン電極が光検知部に接続され、抵抗ＲｃはＴＦＴｃ
のオン時の抵抗よりも高く、オフ時の抵抗よりも小さくされ、ＴＦＴｓの閾電圧をＶｔｈ
としたときＶｇ１>Ｖｇ０＋Ｖｔｈとなるようにして、光量検出時には、ＴＦＴｓのゲー
ト電極に正バイアス電圧Ｖｇ０＋Ｖｔｈが印加されるようにし、ＴＦＴｃには調光手段１
５によって外光が遮光されるようにする。 （もっと読む）

【課題】感熱体である電界効果トランジスタをアレイ状に配置し、電界効果トランジスタを含むソース接地増幅回路を備えた赤外線固体撮像装置において、温度検出感度が高く、かつ温度検出感度のばらつきを小さくした赤外線固体撮像装置を提供する。
【解決手段】赤外線固体撮像装置は、温度変化を電気信号の変化として出力する感熱体として電界効果トランジスタを含む画素が複数個アレイ状に配置されてなる検出器アレイ（５０２）と、電界効果トランジスタと接続され、ソース接地増幅回路を形成する所定の負荷（７０４）と、ソース接地増幅回路の出力信号を読み出す信号読み出し回路（５０９）とを備える。赤外線の検知動作時に、電界効果トランジスタ（６０１）はピンチオフ状態で動作するようにバイアスされる。電界効果トランジスタ（６０１）のソース-ゲート間電圧が検出器アレイの行毎または画素毎に供給される。 （もっと読む）

【課題】極性の偏りに起因するＴＦＴの特性劣化が少なく、しかも光量に対して線形特性
を持った出力特性が得られ、光検出精度を向上させた光量検出回路を提供すること。
【解決手段】本発明の光量検出回路は、ＴＦＴのゲート電極に逆バイアス電圧が印加され
ている時に流れる電流を利用して外光の光量を検出する光検知部を備える光量検出回路に
おいて、前記光検知部は、ゲートバイアス制御手段により、前記ＴＦＴのゲート電極に印
加する電圧Ｇｖを、外光を検知する際に印加する第１の逆バイアス電圧Ｇｖ０から、正バ
イアス電圧Ｇｖｏｎに変えた後、前記第１の逆バイアス電圧Ｇｖ０よりもさらに低い第２
の逆バイアス電圧Ｇｖｏｆｆに変え、その後に前記第１の逆バイアス電圧Ｇｖ０に戻した
後に流れる電流による出力を外光の光量として出力することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光信号の強度が大きいときでも、パルス応答出力に発生する遅延を防ぐことで、光信号の誤認を防止することができる受光回路を提供する。
【解決手段】受信した光信号の強度に応じた電流を流すフォトダイオードＰＤと、フォトダイオードＰＤへ流れる電流に応じた電流信号が流れる入力段となるトランジスタＱ１、および電流信号に応じて増幅された電流信号が流れる増幅段となるトランジスタＱ２がカレントミラー回路として設けられた電流増幅回路２と、増幅された電流信号を電圧信号へ変換する帰還抵抗Ｒｆおよび演算増幅器ＯＰとを有するＩＶ変換回路３と、トランジスタＱ１およびトランジスタＱ２に流れる電流信号に定電流を補うように接続されることで、トランジスタＱ１の出力からグランドへの電流路を形成する第１定電流源４１および第２定電流源４２とを有する定電流回路４とを設けた受光回路である。 （もっと読む）

【課題】配線抵抗による負帰還効果を抑制して高感度な熱型赤外線検出素子を提供する。
【解決手段】熱型赤外線検出素子は、ダイオード１０１と、第１の配線を介してダイオードの陽極側に一定の電源電圧を供給する電源Ｖddと、ダイオードの両端にかかる電圧を設定する電圧設定回路１０６と、ダイオードの陰極側に第２の配線と電圧設定回路を介して接続され、ダイオードの電流を読み取る電流読み取り回路１０８とを備える。電圧設定回路１０６は、第２の配線と電圧設定回路の接続点１０５の電圧Ｖrefを、所定のバイアス電圧から、第１の配線の抵抗１０２と第２の配線の抵抗１０３とダイオードの電流Ｉｆにより生じる電圧降下を減算した電圧に制御する。 （もっと読む）

【課題】電界効果トランジスタを感熱体に用いた赤外線センサにおいて、信号読み出しが容易で、信号処理回路の構成を容易にし、温度検出感度が高い赤外線センサを提供する。
【解決手段】基板上に、温度変化を電気信号の変化として出力する温度検出部を配置する。温度検出部は感熱体として電界効果トランジスタ（６０１）を含む。赤外線の検知動作時において、電界効果トランジスタはピンチオフ状態で動作するようにバイアスされる。 （もっと読む）