【課題】照度検出機能、近接検出機能を有する小型の光検出半導体装置、およびモバイル機器を提供する。
【解決手段】光検出半導体装置１は、センサチップ１１、センサチップ１１を透明樹脂で樹脂封止した樹脂封止パッケージ１４、センサチップ１１の表面に配置されたカラーフィルタ１１ｆを備え、センサチップ１１には、センサ回路部１１ｃ、受光素子群１２ｍが形成されている。受光素子群１２ｍは、色に感度ピークを有する色用受光素子１２ｃと赤外光に感度ピークを有する赤外用受光素子１２ｉｒとで構成されている。色用受光素子１２ｃは、赤に感度ピークを有する赤用受光素子１２ｒ、緑に感度ピークを有する緑用受光素子１２ｇ、青に感度ピークを有する青用受光素子１２ｂを含む構成としてある。 （もっと読む）

【課題】赤外線センサチップに発生する熱応力や残留応力を小さくし、赤外線センサチップが割れてしまったり、その測定能力等に悪影響が現れたりするのを防ぐとともに、赤外線センサチップの周囲を容易に真空に維持することができ、測定精度や感度を所望のものに無理なくすることができる熱型赤外線センサを提供する。
【解決手段】赤外線を検知する赤外線センサチップ１の周囲を真空にした熱型赤外線センサ１００であって、複数のリードピンＰが設けられた平板状のステム２と、前記ステム２の面板部に接合され、前記赤外線センサチップ１と前記リードピンＰとを電気的に接続するための中継配線３１が設けられた回路基板３と、を備えており、前記赤外線センサチップ１は平板状のものであり、前記回路基板３に接合されており、前記回路基板３の熱膨張率は、前記回路基板３の熱膨張率と前記赤外線センサチップ１の熱膨張率の差の絶対値が、前記ステム２の熱膨張率と前記赤外線センサチップ１の熱膨張率の差の絶対値よりも小さくなるような値にした。 （もっと読む）

【課題】低照度領域における光検出の追従性を向上させることができる光量検出回路及び表示装置を提供する。
【解決手段】外光を検知する光センサと、光センサの漏れ電流によって充電された電圧が降下するコンデンサＣとを有する光検知部ＬＳと、を備える。そして、ＴＦＴ光センサに光リーク電流が生じうる状態で充電回路３１によりコンデンサＣへの充電を開始し、判定回路３２で、充電回路３１による充電開始時点からコンデンサＣの電圧値が判定閾値電圧Ｖｔｈに到達するまでの到達時間を計測することで外光強度を検知する。 （もっと読む）

【課題】光検出装置において、入射する光の照度に対するダイナミックレンジを拡大させる。
【解決手段】入射した光の照度に応じて生成される第１の電流を対数圧縮した電圧に変換することにより第１の電圧を生成する光電変換回路１０１と、第１の電圧の温度補償を行うことにより第２の電圧を生成し、第２の電圧を電流に変換することにより第２の電流を生成する温度補償回路１０２と、第２の電流に応じた発振周波数であるクロック信号を生成し、クロック信号のパルスを一定期間カウントし、一定期間におけるカウント値をデータとしたデジタル信号を生成するデジタル信号生成回路１０３と、を有する構成とする。 （もっと読む）

【課題】低消費電力化、高感度化を図れる赤外線センサおよび赤外線センサモジュールを提供する。
【解決手段】薄膜構造部３ａの赤外線吸収部３３とベース基板１とに跨って形成されたｐ形ポリシリコン層３５、ｎ形ポリシリコン層３４、および赤外線吸収部３３の赤外線入射面側でｐ形ポリシリコン層３５とｎ形ポリシリコン層３４とを電気的に接合した接続部３６で構成される熱電対を有し赤外線吸収部３３とベース基板１との温度差を検出する熱電対型の感温部３０とを備える。ｐ形ポリシリコン層３５およびｎ形ポリシリコン層３４それぞれの不純物濃度が１０^１８〜１０^２０ｃｍ^−３に設定され、ｐ形ポリシリコン層３５およびｎ形ポリシリコン層３４の屈折率をｎ_１、検出対象の赤外線の中心波長をλとするとき、ｐ形ポリシリコン層３５およびｎ形ポリシリコン層３４それぞれの厚さがλ／４ｎ_１である。 （もっと読む）

【課題】入射光量と出力値が一次関数の関係にない場合であっても、良好に判定できるようにする。
【解決手段】生体高分子検出装置８０は、複数の受光素子２０を有する固体撮像デバイス１０と、固体撮像デバイス１０の受光面上に点在したスポット６０と、固体撮像デバイス１０を駆動する駆動回路７０と、一次関数の傾き及び切片を記憶した記憶装置８２と、光センシング時間を１秒に設定した状態で駆動回路７０に駆動動作を行わせることを１回行い、光センシング時間を３秒に設定した状態で駆動回路７０に駆動動作を行わせることを１回行い、加重平均値を求めるコントローラと、を備える。 （もっと読む）

【課題】中空構造体の機械的強度を向上することで、スティッキングを抑制し、高感度の赤外線撮像素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板の上に、前記基板と離間して設けられ、赤外線を吸収する赤外線吸収部と、前記赤外線吸収部と前記基板との間において、前記基板と離間し、かつ前記赤外線吸収部と接して設けられ、前記赤外線吸収部で吸収された赤外線による温度変化を電気信号に変換する熱電変換部と、前記熱電変換部を前記基板の上方に前記基板と離間して支持しつつ、前記熱電変換部から前記電気信号を伝達する支持体と、前記支持体からの前記電気信号を読み出すための配線と、を備え、前記赤外線吸収部は、その周縁に設けられ、前記基板に向けて突出した突出部を有することを特徴とする赤外線撮像素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】抵抗型イメージングボロメータ１４０を具備した赤外線放射検出用デバイスを提供する。
【解決手段】本発明によれば、このデバイスは、ボロメータ１４０の電気抵抗の基準値に対するボロメータ１４０の電気抵抗のドリフトを測定する測定手段１６，３８；１６，２４，３８；１６，１４０；１６，２４と、ドリフトの影響を補正する補正手段３４又は抵抗のドリフトを補正する補正手段とを具備する。ボロメータ１４０の電気抵抗の基準値は、ボロメータ１４０の所定の動作条件に対応する。 （もっと読む）

【課題】異なる照度の光を照射することなく、光量検出装置の動作検査を的確に行うことができる技術を提供すること。
【解決手段】本発明は、モニタセンサＭＳａによる受光量の積分に応じて変化する信号を出力するバッファＢＦａ２と、バッファＢＦａ２から出力される信号と基準値Ｖｒｅｆとを比較し、比較結果の信号を出力するンパレータＣＰａと、ンパレータＣＰａから出力される比較結果の信号と同じ信号を生成するダミーコンパレータ信号生成部ＴＧ３ａと、制御信号に応じてンパレータＣＰａの出力とダミーコンパレータ信号生成部ＴＧ３ａの出力との切り換えを行うスイッチＳＷａと、スイッチＳＷａを介して送られる信号に基づき受光量の積分の終了を示す信号を生成する積分信号生成部ＴＧ１ａとを有する光量検出装置である。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードのリーク電流を抑制することができる光電変換装置、及びその製造方法を提供すること
【解決手段】本発明にかかる光電変換装置は、基板１上に形成された薄膜トランジスタ１０１と、薄膜トランジスタ１０１のドレイン電極７と接続し、上部電極１２と下部電極１０との間に光電変換層１１が設けられたフォトダイオード１００と、少なくとも上部電極１２を覆う第２パッシベーション膜１３と、第２パッシベーション膜１３の上層に設けられ、薄膜トランジスタ１０１及びフォトダイオード１００を被覆する第３パッシベーション膜１４と、第２パッシベーション膜１３及び第３パッシベーション膜１４に設けられたコンタクトホールＣＨ３を介して、上部電極１２に接続するバイアス配線１６と、を備えるものである。 （もっと読む）

【課題】キャップ内の隙間を封止剤で気密に封止しつつ、回路ブロックと封止剤との接触
を防ぎ、赤外線の検出感度の低下、及び回路ブロックの破損を防ぐことができること。
【解決手段】赤外線検出器は、赤外線検出素子１及び信号処理回路が設けられた回路ブロ
ック２と、ステム３と、キャップ４と、カバー５とを備える。ステム３は、板状に形成さ
れて、一面側には回路ブロック２が載置される。キャップ４は、一端が開口する有底筒状
に形成されて内部に回路ブロック２を収納し且つステム３に被着される。キャップ４の赤
外線検出素子１に対向する底部４ａには、開口してなる窓部４ｂが設けられる。カバー５
は、透光性材料によって形成され、窓部４ｂを覆うようにキャップ４の内側から配設され
る。キャップ４は、底部４ａ近傍の側壁部４ｃに、全周に亘って内側方向へ突設された段
部４ｄを具備し、カバー５と窓部４ｂとの隙間は、封止剤によって封止される。 （もっと読む）

【課題】消費電力を抑えつつダイノード電圧を安定に保ち、入射光量に対する出力電流の良好な直線性を維持することができる光電子増倍管駆動回路を提供する。
【解決手段】ＰＭＴ駆動回路１Ａは、陰極Ｋに負電極１１ａが接続される直流電源１１と、ＦＥＴ１２ａ〜１２ｈのドレイン端子が直接に負電極１１ａと接続され、ＦＥＴ１２ａ〜１２ｈのソース端子がダイノードＤｙ１〜Ｄｙ８に接続されるトランジスタ群１２と、直流電源１１の正電極１１ｂと負電極１１ａとの電位差を抵抗分割した勾配電位Ｖａ〜ＶｈをＦＥＴ１２ａ〜１２ｈのゲート端子に印加する抵抗分割回路１３と、互いに直列に接続された複数のコンデンサ１４ａ〜１４ｉを含み、その一端及び他端が負電極１１ａ及び正電極１１ｂに接続され、隣り合うコンデンサ同士の接続点がＦＥＴ１２ａ〜１２ｈのゲート端子に接続されたコンデンサ群１４とを備える。 （もっと読む）

【課題】不純物の濃度分布の変化が急峻な検出素子を安定的に製造することができる検出素子の製造方法、及び遠赤外線検出器の製造方法を提供する。
【解決手段】まず、共通の結晶母材からなるウェハーを一対形成する。一方のウェハーに所定の不純物を所定量ドープし、ブロッキング層用ウェハー5aを形成する。また、他方のウェハーにも、上記不純物と同じ不純物をブロッキング層用ウェハー5aよりも高濃度でドープし、吸収層用ウェハー4bを形成する。次いで、吸収層用ウェハー4b及びブロッキング層用ウェハー5aの貼り合わせ面の結晶方位を合わせた状態で、吸収層用ウェハー4b及びブロッキング層用ウェハー5aを貼り合わせて検出素子３を形成する。 （もっと読む）

【課題】画素感度を維持したまま、画素領域の機械的強度を高め、従来よりも容易に製造可能なイメージセンサを提供する。
【解決手段】イメージセンサは、半導体基板と、半導体基板内に設けられた空洞部の上に配置され、入射光によって生じた熱エネルギーを電気信号に変換する第１の画素と、第１の画素と前記半導体基板との間に接続され、該第１の画素を前記空洞上に支持する支持部と、空洞部を介すことなく前記半導体基板上に固定設置された第２の画素とを備え、複数の前記第１の画素および複数の前記第２の画素が二次元配置されることによって画素領域を成し、第２の画素の各々は複数の前記第１の画素に隣接している。 （もっと読む）

【課題】パルス変調型光検出デバイスの電源電圧が、バイアス電流のパルス波形の変化に伴って大きく変動することなく、省線化に対応したパルス変調型光検出装置を提供する。
【解決手段】クロック発生回路１６、信号処理回路１７及び受光素子６を有するパルス変調型光検出回路、並びに発光素子５とを有するパルス変調型光検出デバイス２と、クロック発生回路２９、バイアス電流検出回路２２、積分回路２７、電圧信号のヘッダーパルス信号をヘッダー検出用コンパレータ回路２５により検出するヘッダー検出回路、微分回路２８、微分された上記電圧信号を信号検出用コンパレータ回路２６により検出する信号検出回路、上記パルス変調型光検出デバイスの物体検出状態を判定する信号処理回路３０、並びに上記判定の結果を、電圧信号または電流信号として出力する、出力回路３１及び出力端子３３を有するインターフェース回路３とを備える。 （もっと読む）

本発明は赤外線検出デバイスに関するものであり、赤外線検出デバイスは、基材と、前記赤外線を検出するための素子の少なくとも1つの行からなり、それぞれの素子が抵抗型イメージングボロメータ(14)を備え、前記基材の上に形成されるマトリックス(12)と、マトリックスのボロメータを読み取るための手段(18)と、基材の少なくとも1つの点において温度を測定するための手段(22)と、それぞれのボロメータ(14)から形成される信号を、基材の少なくとも1つの点において測定された温度に基づいて補正するための手段(26)とを備える。補正手段(26)は、前記信号の温度挙動の所定の物理的モデルを使ってイメージングボロメータ(14)から形成される当該信号を補正することができる。
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【課題】簡単な構造により、高解像度で高歩留まりを実現する光検出装置、光検出機能付き表示装置及び光検出方法を提供する。
【解決手段】第１の方向に延在する複数の走査線と、前記第１の方向と交差する第２の方向に延在する複数の読み出し線と、前記複数の走査線のそれぞれと、前記複数の読み出し線のそれぞれと、の交差部分に対応して設けられた複数の光検出要素と、前記読み出し線に接続された読み出し回路と、を備え、前記光検出要素のそれぞれは、前記走査線に接続されたゲートと、前記読み出し線に接続されたドレインと、ソースと、チャネル層と、を有する第１トランジスタと、前記第１トランジスタのソースに接続され、前記チャネル層に光が照射された際に生じる光リーク電流による電荷を蓄積する第１キャパシタンスと、を有することを特徴とする光検出装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】表示装置のバックライトの照度制御に特に好適な光センサ及びそれを備えた表示装置を提供すること。
【解決手段】ａ−Ｓｉ ＴＦＴから構成されるトランジスタＴｒ１に光が照射されることによって出力される光電流信号Ｉｄを増幅回路によって増幅する。この増幅回路は、光電流信号Ｉｄを電圧に変換するトランジスタＴｒ２と、電圧増幅を行うトランジスタＴｒ３、Ｔｒ４と電流増幅を行うトランジスタＴｒ５とを有し、何れもａ−Ｓｉ ＴＦＴから構成されている。バックライトの照度制御は増幅回路によって増幅された電流に基づいて行われる。 （もっと読む）

【課題】センサ部の内部抵抗のばらつきに関わらず、センサ出力を精度よく検出することができるセンサ装置を提供する。
【解決手段】検出回路３は、センサ部２のセンサ出力と基準電圧Ｖｒｅｆとの電圧差に応じた電流を出力する電圧電流変換器４と、電圧電流変換器４の出力と回路グランドとの間に接続されたコンデンサＣ１と、リセット信号によって駆動されるスイッチング素子ＳＷ１とを有する。ここで、コンデンサＣ１の両端電圧が検出回路３の出力電圧Ｖｏｕｔとして取り出される。電圧電流変換器４は、センサ部２の出力に接続された第１の入力端Ｉｎ１と、基準電圧Ｖｒｅｆが印加された第２の入力端Ｉｎ２とを具備し、第１および第２の両入力端Ｉｎ１，Ｉｎ２間に生じた電圧差に相当する大きさの電流を出力端Ｔｏから出力する。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードを別に設ける必要なしに、液晶ディスプレイ自体の一部を用いて周囲光を検出する。
【解決手段】液晶セルのアレイを有する液晶ディスプレイと共に用いられる周囲光検出装置が提供される。前記液晶セルは、当該液晶セルを信号線に選択的に接続するための少なくとも１つのトランジスタをそれぞれ有する。当該トランジスタは、ゲート線に接続されたゲートをそれぞれ有し、前記液晶ディスプレイは、当該ゲートをそれぞれオフにするために当該ゲート線に選択的に接続可能なゲート給電線を有する。当該周囲光検出装置は、前記ゲート給電線と接続されたゲートにおけるゲート漏れ電流により前記ゲート給電線に流れる電流を測定するように構成された電流測定回路と、前記電流測定回路に接続され、前記測定された電流から、前記ゲートに達する周囲光のレベルを算出するように構成された制御部とを具備する。 （もっと読む）