【課題】放射線撮像パネルを構成する光導電体を、感度低下に起因するゴーストやコントラスト変化が実質上ないものとする。
【解決手段】放射線検出器を構成する放射線により電荷を発生する光導電体において、光導電体をＢｉ₁₂ＭＯ₂₀（ただし、Ｍ はＧｅ，Ｓｉ，Ｔｉ中の少なくとも１種である）からなり、波長４５０ｎｍの拡散反射率が波長６００ｎｍの拡散反射率の７５％以上であるもの、あるいは、Ｂｉ₁₂ＭＯ₂₀（ただし、Ｍ はＧｅ，Ｓｉ，Ｔｉ中の少なくとも１種である）からなり、波長４５０ｎｍにおける線吸収係数が１０ｃｍ^-1以下であるものとする。 （もっと読む）

【課題】セル数の増加に伴う配線費用の増加が生じないＸ線検出器、および、そのようなＸ線検出器を有するＸ線ＣＴ装置を実現する。
【解決手段】Ｘ線をシンチレータで光に変換してフォトダイオードで検出するＸ線検出器は、複数のシンチレータ素子が配列されたシンチレータアレイ(502)と、複数のフォトダイオードが前記複数のシンチレータ素子の光をそれぞれ受光するように前記複数のシンチレータ素子に合わせて配列されたフォトダイオードアレイ(504)と、複数の個別フロントエンド回路が前記複数のフォトダイオードの検出信号をそれぞれ取り込むように前記複数のフォトダイオードに合わせて配列されたフロントエンド用半導体チップ(506)とを具備し、前記フロントエンド用半導体チップ、前記フォトダイオードアレイおよび前記シンチレータアレイが順次積層されている。 （もっと読む）

【課題】放射線の照射を受けて電荷を発生する記録用光導電層と、その発生した電荷を蓄積する電荷輸送層と、読取光の照射により電荷を発生する読取用光導電層と、読取光の照射に対して電荷対発生用の線状の電荷対発生電極と読取光の照射に対して電荷対非発生用の線状の電荷対非発生電極とが交互に多数配置された電極層とがこの順に積層された放射線画像検出器において、電荷対発生電極から電荷対非発生電極へオフセット電流が流れるのを抑制し、放射線画像の画質の向上を図る。
【解決手段】読取光Ｌ１の照射時に電荷対発生電極５と電荷対非発生電極６との間に電位勾配を形成する。 （もっと読む）

【課題】放射線の照射を受けて電荷を発生する記録用光導電層と、その発生した電荷を蓄積する電荷輸送層と、読取光の照射により電荷を発生する読取用光導電層と、読取光の照射に対して電荷対発生用の線状の電荷対発生電極と読取光の照射に対して電荷対非発生用の線状の電荷対非発生電極とが交互に多数配置された電極層とがこの順に積層された放射線画像検出器において、電荷対発生用電極から電荷対非発生電極へオフセット電流が流れるのを抑制し、放射線画像の画質の向上を図る。
【解決手段】電荷対非発生電極６の長さ方向に延びる側端部に０．０５ｓ以上６０ｓ以下のリーク時定数を有する線状抵抗体９を設ける。 （もっと読む）

【課題】静電記録体に画像情報を静電潜像として記録し、記録された静電潜像を読み取る画像情報記録読取方法および装置において、光起電力ノイズ、暗潜像ノイズおよび高圧印加履歴ノイズの低減と安定化を図る。
【解決手段】第１電極層１１の電極と第２電極層１５の電極との間に所定の大きさおよび所定の極性の電圧を所定の時間だけ印加する空電圧印加と、第１電極層１１の電極と第２電極層１５の電極とを同電位にした状態で光導電層１４に消去光を照射する空読みとを行う予備処理を、画像情報の記録休止期間中に断続的に行うようにする。 （もっと読む）

本発明は放射線検出器(200)-特にX線検出器-に関する。当該放射線検出器は、入射光子(X)を電気信号に変換する少なくとも1層の感光層(212)を有する。電極(213)の2次元アレイが前記感光層(212)の前面に設けられている一方で、前記感光層(212)の背面は対向電極(211)を有する。前記電極(213)のサイズは、該電極の計数負荷に適応するように放射線の方向(y)に変化して良い。しかも前記放射線の方向(y)に対する前記電極(213)の位置は、前記の検出された光子(X)のエネルギーに関する情報を与える。
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放射線検出器が、ダイヤモンド材料の基板と、基板の表面に形成された少なくとも１つの電極とを備える。電極は、電極の材料の少なくとも一部が基板の表面の下方にあるように、基板の表面内の空洞内に堆積された導電性材料を含む。空洞は、通常、ホウ素ドープ・ダイヤモンドなどの導電性材料が堆積される細長いトレンチ又はチャネルである。いくつかの実施例では、少なくとも２つの電極が、基板の表面に互いに隣接して位置する。他の実施例では、デバイスは複数の電極を備え、複数の電極のうちの少なくとも１つは第１の表面に位置し、複数の電極のうちの少なくとも１つは基板の対向する第２の表面に位置する。後者の場合、基板の一方の表面にある電極は、基板の対向する表面にある電極に導電性ビアによって接続することができ、導電性ビアは、導電性材料で充填又はコーティングされた貫通孔からなる。典型的には、電極は相互にかみ合わされた構成で配置され、各電極は複数の細長い電極要素を有する。かかる電極要素はそれぞれ、別の電極の少なくとも１つの隣接する電極要素と平行に延びる。
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【課題】放射線の照射を受けて電荷を発生する電荷発生層と、電荷発生層において発生した電荷を収集する収集電極、収集電極によって収集された電荷を蓄積する蓄積容量および蓄積容量に蓄積された電荷を読み出すためのＴＦＴスイッチを有する多数の画素とＴＦＴスイッチをＯＮ／ＯＦＦするための多数の走査線と蓄積容量に蓄積された電荷が読み出される多数のデータ線とを備えた検出層とが積層された放射線画像検出器において、大きな歩留まりの低下を招くことなく５０μｍ前後の高精細な画素ピッチを実現する。
【解決手段】蓄積容量４を、ＴＦＴスイッチ３のドレイン電極７に接続される蓄積容量電極９とそのドレイン電極７が属するＴＦＴスイッチ３に隣接するＴＦＴスイッチ３に接続される走査線１との間で構成する。 （もっと読む）

【課題】基板上に設けられた、放射線を電気信号に変換するアレイ状に配置された複数の画像センサ部と、画像センサ部で変換された電気信号を転送する複数のデータ配線と、データ配線により転送された電気信号を積分するチャージアンプ回路とを備えた放射線画像検出器において、大型化することなく５０μｍ前後の高精細な画素ピッチを実現する。
【解決手段】チャージアンプ回路３０に対し複数のデータ配線５を順次切り替えて接続するセレクタ回路５０を設ける。 （もっと読む）

【課題】放射線の照射を受けて電荷を発生する電荷発生層と、上記電荷を収集する収集電極、収集電極によって収集された電荷を蓄積する蓄積容量および蓄積容量に蓄積された電荷を読み出すためのＴＦＴスイッチを有する多数の画素と多数の走査線と多数のデータ線とを備えた検出層とが積層され、蓄積容量が、ＴＦＴスイッチのドレイン電極に接続される蓄積容量電極とそのドレイン電極が属するＴＦＴスイッチに隣接するＴＦＴスイッチに接続される走査線との間で構成されるとともに、ＴＦＴスイッチのアレイが上下に２分割されて駆動されデータ線が上下に２分割された放射線画像検出器において、分割境界部の画素についても蓄積容量を構成し、分割境界部の画像段差を目立たなくする。
【解決手段】ＴＦＴスイッチ３のアレイの上下の分割境界部に、分割境界部に配置された画素の蓄積容量４を構成するダミー配線３０を設ける。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ方式の放射線画像検出器において、点欠陥抑制と残像抑制との両立を可能にする具体的な構成を明確化する。
【解決手段】放射線画像検出器は、放射線の照射を受けて電荷を発生する電荷発生層２０と、電荷発生層２０において発生した電荷を収集する収集電極８、および収集電極８によって収集された電荷を読み出すためのスイッチ素子３を有する画素部１１が２次元状に多数配列された検出層１０とが積層された構造を有する。収集電極８の周縁部全周に保護膜１８を設け、収集電極８の全面積に対する収集電極８の保護膜１８で覆われていない部分の面積の比率（フィルファクター）を４０％以上、９９．８％以下にする。 （もっと読む）

【課題】化学的に活性の低い金表面とポリパラキシリレン被膜の密着性を向上させる。
【解決手段】金電極を有し、この金電極表面がポリパラキシリレン被膜で保護されている放射線固体検出器において、金電極とポリパラキシリレン被膜との間に、下記一般式


（ここでＲ^１は炭素数１から４の炭素数を含む脂肪族基、エーテル基から選択される２価の連結基であり、Ｒ^２は１から３の飽和炭化水素であり、Ｒ²はＲ¹とともに環を形成してもよい。Ｘ^１，Ｘ^２はＯ，Ｓ，Ｎ−Ｒ^３からなる群より選択される二価の基である。）で表されることを特徴とする密着改良剤からなる密着層を設ける。 （もっと読む）

【課題】半導体素子と電極板とが積層構造とされた半導体放射線検出器において、半導体素子を好適に保持し、また、放射線検出の感度を向上させる。
【解決手段】入射した放射線を電気信号に変換する半導体素子１１と、金属製の電極板１２Ｃ，１２Ａとが導電性接着剤１４によって交互に複数接着されて積層構造とされた半導体放射線検出器１であって、積層構造を構成する少なくともひとつの電極板１２Ｃ，１２Ａには、半導体素子１１に接する領域に切欠部１３が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で、中性子等の放射線の強度を効率よく能率的に測定することができるもの。
【解決手段】この放射線測定装置１０は、測定対象物１１を設置する測定チャンバ１３を形成した測定容器１４と、測定チャンバ１３内に設置され、中性子と反応して電離性粒子を生成する電離性粒子生成手段１５と、電離性粒子が付着した支持手段１６と、測定チャンバ１３内に流入する気体中のイオンを除去する気体浄化手段１７と、生成された電離性粒子が電離して生成されるイオン対を、測定チャンバ１３内の気体とともに案内されるイオン収集手段２１と、イオン収集手段２１の電極２２に電源を供給する電源供給手段２３と、イオン収集手段２１で収集されたイオンを電流として測定する電流測定手段２４と、測定された電流値をデータ処理し、換算定数から中性子の強度を測定するデータ処理手段２５と、測定チャンバ１３内の気体をイオン収集手段２１に輸送する気体輸送手段２１とを有するものである。 （もっと読む）

【課題】放射線画像検出器を、感度低下を起こすことなく、画像欠陥の発生を防ぐことが可能なものとする。
【解決手段】基板上に、静電潜像に応じた電荷を出力する多数の読出電極５、電磁波の照射を受けることにより光導電性を呈する光導電層４、画像を担持した記録用の電磁波を透過する電極１をこの順に積層してなる、放射線画像情報を静電潜像として記録する放射線画像検出器１０において、読出電極５が酸化物被膜７で被覆され、かつ酸化物被膜７は各読出電極５間で離間させたものとする。 （もっと読む）

【課題】所定の電圧が印加される電極層と、放射線の照射を受けて電荷を発生する光導電層と、基板とがこの順に積層された放射線画像検出器であって、電極層に所定の電圧を供給するための通電部の剥がれによる電圧供給不良を抑制する。
【解決手段】電極層１１から基板１４上の電圧供給位置Ｐまで延びる通電部２０の少なくとも基板に接する部分を電極層１１の材料より基板１４との密着性が高い材料で形成する。 （もっと読む）

【課題】高温高湿環境に対しても高い防湿性能を得ることができるＸ線検出器11を提供する。
【解決手段】Ｘ線検出素子部18の形成領域の周囲に防湿膜保持部21を形成するが、防湿膜保持部21の一部には開放部22を設ける。基板12のコーナー部で防湿膜保持部21に曲率が生じる位置に対応して開放部22を形成し、防湿膜保持部21や防湿膜23と基板12との密着性が低くなる領域が発生するのを防止する。開放部22から防湿膜保持部21の外側に防湿膜23が突出し、防湿膜23と基板12との密着面積が拡大し、防湿膜23と基板12との密着性が向上する。 （もっと読む）

【課題】検出特性が劣化するのを好適に防止することができる半導体放射線検出器および放射線検出装置を提供する。
【解決手段】半導体放射線検出器１は、カソードＣおよびアノードＡの電極で挟まれる半導体結晶１１ａがＣｄＴｅ、ＣｄＺｎＴｅ、ＧａＡｓ、ＴｌＢｒのうち少なくとも一つの半導体結晶を用いてなり、電極のうち少なくとも一方の電極は、複数の金属からなる積層構造とされており、第１層がＰｔまたはＡｕで形成され、第２層が第１層のＰｔまたはＡｕよりも硬度の低い金属から形成されていることを特徴とする。第２層はＩｎからなり、無電解メッキ法によって形成される。また、第２層の上に金属がさらに積層されて形成される。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ方式の放射線画像検出器において、暗電流抑制と残像抑制とを両立させる。
【解決手段】放射線画像検出器は、放射線の照射を受けて電荷を発生する電荷発生層２０と、電荷発生層２０において発生した電荷を収集する収集電極８、および収集電極８によって収集された電荷を読み出すためのスイッチ素子３を有する画素部１１が２次元状に多数配列された検出層１０とが積層された構造を有する。収集電極８の周縁部に、収集電極８の中央部の電界強度に対する収集電極８の端部の電界強度の比を小さくする電界比低減部品として保護膜１８を設ける。 （もっと読む）

【課題】電荷蓄電部に残留する電荷による残像の発生を防止する。
【解決手段】読取用光導電層５に読取光が照射されたときに電荷蓄電部に蓄積された放射線画像を信号電荷として読み取る、ストライプ状に配列された複数の第１線状電極６と、消去光が照射されたとき電荷蓄電部または読取用光導電層５に残存する残留電荷を放電する、複数の第１線状電極６の間にストライプ状に配列された複数の第２線状電極７とが異なる高さ位置に形成されている。そして、第１線状電極６と第２線状電極７とは、高さ方向（矢印Ｘ方向）からみたときに交互に隙間なく連続するように配列されている。 （もっと読む）