【課題】電圧が印加される電圧印加電極と、放射線の照射を受けて電荷を発生する半導体層とが積層された放射線画像検出器において、画像領域を狭くすることなく、電圧印加電極から半導体層への電荷の注入を抑制するとともに、電圧印加電極の端部における放電破壊を防止する。
【解決手段】電圧印加電極１の少なくとも端部を覆うように電荷注入阻止層１１を設け、電荷注入阻止層１１の上面に、電圧印加電極１の端部１ａの側端面１ｂよりも外側に一方の側端面１２ａが位置するとともに、他方の側端面１２ｂが電圧印加電極１の端部１ａの側端面１ｂの位置またはその側端面１ｂの位置よりも内側に位置するように張出電極１２を設ける。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線検出膜とＴＦＴブロックとから構成されるＸ線検出器において、接地電極に接続する配線を施すための隙間がない場合でもリーク電流を抑制する。
【解決手段】Ｘ線検出膜であるＣｄＴｅ単結晶ブロック１０の端部の下に位置する画素において、ＣｄＴｅ単結晶ブロック１０から画素容量部３０に電荷を入力する上部画素電極３９および画素電極３７と接地電極３２とが、各電極の間に挟まれる構成物を貫通して設けられた穴を介して直接的に接続されるよう構成する。 （もっと読む）

【課題】原子炉炉心に挿入して炉心内の中性子を測定する中性子検出器のカソードに形成される中性子変換層について、プラズマを発生させる雰囲気ガス中の不純物の濃度を低減させて、品質（膜質）の高い中性子変換層を得ることのできる成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置１は、放電電極２と、中性子検出器３０のカソード３３として用いられる円筒状の接地電極４と、放電電極２と接地電極４とを電気的に絶縁する筒状あるいはスリーブ状の絶縁体５と、放電電極２と接地電極４との間に電力を供給する電源部６と、放電電極２と絶縁体５とを接地電極４の長手軸方向に移動させる電極移動部７と、少なくとも接地電極４内を真空にする真空手段８と、接地電極４内に雰囲気ガス９を導入する雰囲気ガス供給部１０とから構成される。 （もっと読む）

【課題】基板間のケーブルおよびコネクタをなくすることのできる荷電粒子線の線量分布測定装置を提案する。
【解決手段】多層プリント基板は、第１配線層から第ｎ配線層を有し、第１配線層が多層プリント基板の一表面に位置し、この第１配線層にＡ個の第１電極が形成され、これらの各第１電極と電離空間を介して対向する第２電極を有する第２電極基板が配置され、また、第ｎ配線層は多層プリント基板の一表面と対向する他の表面に位置し、この第ｎ配線層には、Ｂ個の切換スイッチと、少なくとも１つの増幅回路が配置され、各切換スイッチは、Ａ／Ｂ＝Ｃ個の第１電極のそれぞれを増幅回路に切換接続するように構成され、Ａ個の第１電極を前記Ｂ個の切換スイッチに接続するＡ個の配線は、Ｃ本の配線を含むＢ個の配線組合せに分けられ、これらのＢ個の配線組合せが、第１配線層と第ｎ配線層との間の複数の配線層に分散して配置される。 （もっと読む）

【課題】感度安定性、残像特性を改善した画像検出装置を提供する。
【解決手段】ガラス基板１上に、Ｘ線が照射されることにより電荷が発生する半導体膜６が形成されると共に、各々対向配置された２つの蓄積容量上部電極１８、蓄積容量下部電極１４を含み、半導体膜６に発生した電荷を画像を構成する画素の情報として蓄積する複数の電荷蓄積容量５が半導体膜６とガラス基板１の間に形成されたＴＦＴアクティブマトリクス基板１０と、ＴＦＴアクティブマトリクス基板１０のガラス基板１側の面に対して光を照射するバックライト４０と、を備え、蓄積容量上部電極１８、蓄積容量下部電極１４は、半導体膜６の当該電荷蓄積容量５が形成された領域に対してバックライト４０から所定強度以上の光が照射されるように形成した。 （もっと読む）

【課題】ノイズを効果的に抑制するとともに、高い画質を得ることができる放射線撮像素子を提供する。
【解決手段】被写体を透過した放射線を吸収することにより発光する蛍光体膜８と、上部電極６、下部電極２、及び該上下の電極間に配置された光電変換膜４を有し、該光電変換膜が、前記蛍光体膜が発する光を吸収する有機光電変換材料を含む光電変換部１３と、非晶質酸化物により形成された活性層２４を有する電界効果型薄膜トランジスタ１０を有し、前記光電変換部により発生した電荷に応じた信号を出力する信号出力部１４と、前記信号出力部、前記光電変換部、及び前記蛍光体膜が順次積層した基板１と、を備え、前記信号出力部、前記光電変換部、及び前記蛍光体膜により構成される画素部が前記基板上に複数配列されており、各画素部における前記信号出力部と前記光電変換部とが重なりを有している放射線撮像素子１２。 （もっと読む）

1つまたは複数の検出器画素(3)とクロックパルス発生器とを含む、放射線の1つまたは複数の特性を測定するための放射線検出器(1)であって、各検出器画素(3)は、センサ(20)に衝突する前記放射線の光子または荷電粒子のイベントに応答して電気信号を生成する前記センサ(20)と、前記電気信号を増幅し、整形し、整形パルスを生成するためのアナログ処理ユニット(62)を含む、前記電気信号を受け取り、処理するように構成された画素電子回路(24)とを含み、前記画素電子回路(24)は、TOTカウントを数えるための時間決定ユニット(51)を含み、TOTカウントは、前記整形パルスがしきい値よりも上であるときの時間間隔中に生じるクロックパルス数である。前記画素電子回路は、複数のイベントカウンタ(82)を含み、各イベントカウンタ(82)は、事前定義範囲のTOTカウントを有するイベント数を数える。
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【課題】放射線検出器の基板の端面における保護層の破損を抑制する。
【解決手段】保護層554が、ガラス基板536上に設けられた放射線検出層522の上面に形成された上部電極518上を覆い、保護層554の端部は、ガラス基板536の端面に達している。ガラス基板536の下面から保護層554の表面にかけて形成された補強フィルム566が、保護層554の端部を覆う。これにより、保護層554の端部のガラス基板536の端面への付着性が向上し、時間が経過しても保護層554の端部に捲れが発生しにくく、保護層554の破損を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】放射線画像検出器において、光導電層の断裂や電気特性の劣化を防止する。
【解決手段】第１の線状電極５ａおよび複数の第２の線状電極５ｂの分割電極の側面および該側面に連続する、分割電極の読取用光導電層４との対向面Ｓの一部からなる端部を覆う保護膜９を備え、その保護膜９と読取用光導電層４との間の界面Ｂが、該界面Ｂの全域に亘ってなめらかな面になるようにする。 （もっと読む）

【課題】エネルギー分解能に優れた核医学診断装置及び核医学診断方法を提供すること
にある。
【解決手段】核医学診断装置は、半導体素子Ｓと金属製の導電部材２２Ａ，２２Ｂ，２３Ａ、２３Ｂとを、導電性粒子及び樹脂バインダで構成される導電性接着材２４により接着してなる接着構造を有し、半導体素子Ｓにγ線が入射したときに発生する電荷が導電性接着材２４を介して導電部材２２Ａ、２２Ｂ，２３Ａ、２３Ｂから検出回路４０を通じて信号として取り出される構成と、γ線が入射したときに発生する電荷による電流よりも大きい電流を、少なくとも導電性接着材２４に流すための通電制御手段３０を備える。 （もっと読む）

【課題】小型化に対応できる中性子検出器の製造方法を提供する。
【解決手段】中性子有感物質膜24を筒状の金属板23の内周面に成膜する。金属板23を軸方向の両端部間に連続する切断線により切り開いて縮径した筒状に加工する。金属板23を筒状の陰極22内に挿入して電気的に接続することで陰極とする。検出器本体13に用いるために陰極とした状態の金属板23の径寸法に拘らず中性子有感物質膜24を金属板23に容易に成膜できるので、小型化に対応できる。 （もっと読む）

【課題】半導体の基板（Ｉ層）を厚くし得ると共に、高抵抗率の半導体を用いることができ、高エネルギーＸ線を検出でき、かつ、長い部分や広い面積についてＸ線検出が可能なＳＤＤを提供する。
【解決手段】Ｉ層１１の第１の面にＰ層１０が設けられ、Ｉ層１１の第２の面に島状のＮ層１２が設けられると共にＮ層１２を中心として環状のＰリング１３が形成され、放射線の入射によりＩ層１１で発生した電荷をＰ層１０およびＰリング１３に印加した電圧により生じた電位勾配によってＮ層１２に集める放射線検出器に関する。Ｐ層１０に電圧印加用の第１電極端子２１を設け、Ｐ層１０の外周部分に対峙する位置に設けた１本のＰリング１３に電圧印加用の第２電極端子１４を設けると共に、第２の面におけるＰリング１３とＮ層１２との間には、電圧印加用の端子が設けられていない。 （もっと読む）

【課題】光導電層の劣化を抑制するとともに、光導電層下に設けられた電荷収集電極に対する絶縁性を確保する。
【解決手段】延長電極部431が、ガラス基板408上の光導電層404の無い領域で、高電圧線432と電気的に接続されているため、光導電層404へ付与される圧力が軽減され、光導電層404の劣化を抑制できる。また、正孔注入阻止層402が、延長電極部431とガラス基板408との間から光導電層404の側面と延長電極部431との間を通って、光導電層404上へ形成されているので、光導電層404とガラス基板408との間にギャップがあっても、延長電極部431から電荷収集電極407aへ沿面放電を抑制でき、光導電層404下に設けられた電荷収集電極407aに対する絶縁性を確保できる。 （もっと読む）

【課題】カルコゲン薄膜トランジスタアレイを備えた電子医療映像装置を提供する。
【解決手段】外部から照射される光エネルギーを吸収して電子−正孔対が形成される信号生成部と、電子−正孔対を分離し、その極性によって信号生成部内の互いに反対側に密集されるように、信号生成部の一面に接触して電気信号を印加する電源と、信号生成部に接触し、分離された電荷のうち一種を流入して保存する信号保存部と、信号保存部に接触し、信号保存部に制御信号を印加して信号保存部に保存された電荷による電気信号を伝達されて映像信号に変換する信号変換部とを備えている。信号生成部は、カルコゲン素材のうち一つである非晶質セレンを使用するか、又はカルコゲンを利用した化合物素材であるＣｄＴｅ又はＣｄＺｎＴｅを使用できる。また、信号保存部は、ＧＳＴを含む薄膜トランジスタアレイ、あるいはＣＩＳを利用した薄膜トランジスタアレイを備えて構成できる。 （もっと読む）

【課題】放射線検出器を、放射線光電変換膜と電極との間の剥がれを抑制することが可能であって、暗電流、残像等の電気特性に優れたものとする。
【解決手段】放射線光電変換膜１２と、この放射線光電変換膜１２の一方の面側に設けられた第１の電極１１と、放射線光電変換膜１２の他方の面側に設けられた第２の電極１４と、放射線光電変換膜１２と第２の電極１４との間に位置する電荷ブロック層１３とを有する放射線検出器において、電荷ブロック層１３の微小な領域において表面粗さＲａを０．８ｎｍ以上１．８ｎｍ以下とする。 （もっと読む）

【課題】高感度のアモルファスシリコンフォトダイオードおよびその製造方法ならびにそのアモルファスシリコンフォトダイオードを用いた低被爆量型のＸ線撮像装置を提供する。
【解決手段】絶縁性基板と、前記絶縁性基板の上に形成された第１導電型アモルファスシリコン層と、前記第１導電型アモルファスシリコン層の上に形成されたｉ型アモルファスシリコン層と、前記ｉ型アモルファスシリコン層の上に形成された第２導電型のアモルファスシリコン層と、前記絶縁性基板と前記第１導電型アモルファスシリコン層との間において、その周端面が前記第１導電型のアモルファスシリコン層の周端面よりも内側となるように設けられた金属電極と、を備えたことを特徴とするアモルファスシリコンフォトダイオードが提供される。 （もっと読む）

【課題】電子産業界で使用されている技術を用いた読出し基板を採用したガス放射線検出器を提供すること。
【解決手段】気体中で電離放射線によって発生した１次電子を読出し電極にて検出するガス放射線検出器であって、発生した電子を加速させる電界を与えるドリフト電極１０と、前記１次電子の１つから前記気体中で電子雪崩を生じさせるために電界強度を局部的に高められた気体電子増幅部２０と、前記読出し電極は電子雪崩が生じたことを一様に検出できる多数の電極素子ＳＴ１ｊと、各電極素子を絶縁する絶縁物と、該絶縁物に蓄積した電荷を緩和させる除電手段８０とを備えたガス放射線検出器。 （もっと読む）

【課題】広い範囲のエネルギーをもつガンマ線を検出することのできる核医学診断装置の提供
【解決手段】ガスが充填されこのガス中のコンプトン散乱によって生じる荷電粒子の情報を検知する前段検出器と、散乱光子の情報を検出する後段検出器とを備えるコンプトンカメラを備え、
ガスの種類を異ならしめた前記前段検出器を複数積層させて構成する。 （もっと読む）

【課題】アモルファスセレンを用いた放射線電荷変換膜を有する放射線平面検出器における感度低下現象を改善する。
【解決手段】基体１１と、基体１１上に配置される電荷収集電極１２と、電荷収集電極１２上に配置されるセレンを主成分とする放射線電荷変換膜１３と、放射線電荷変換膜１３の上に配置される放射線を透過する上部電極１４とを少なくとも有する放射線平面検出器１０において、放射線電荷変換膜１３を、残存酸素濃度３５ｐｐｍ以下のアモルファスセレンあるいはアモルファスセレン合金からなるものとする。 （もっと読む）

【課題】放射線検出装置を暗電流を低く、残像を低減することができるものとする。
【解決手段】画像情報を担持した記録用の電磁波を透過する正バイアスを印加した第１電極１と、電磁波の照射を受けることにより電荷を発生する記録用光導電層３と、第１電極１と記録用光導電層３の間に積層された有機高分子層４と、記録用光導電層３に対して第１電極１が設けられている側とは反対側に設けられた第２電極２とからなる放射線検出装置において、有機高分子層４が正孔ブロック性材料を含有するものとする。 （もっと読む）