【課題】半導体素子を用いた放射線検出素子は小型軽量などの利点があるが、放射線を透過しやすいので放射線検出効率が低いという問題があった。
【解決手段】本願の放射線検出素子及び放射線検出装置は、放射線検出素子の放射線入射面にタングステンなどの金属からなる膜を形成し、放射線の入射エネルギーを減衰させることにした。入射エネルギーを減衰させることで放射線入射によるキャリア生成効率が向上し、金属膜の膜厚を最適化して、放射線検出効率向上が可能になった。 （もっと読む）

【課題】放射線位相画像撮影装置において、大サイズの放射線位相イメージングを可能とするとともに、より簡易に製造可能とする。
【解決手段】放射線源を有し、ファンビームの放射線を照射する放射線照射部と、放射線照射部から射出された放射線が照射される回折格子と、回折格子により回折された放射線の周期情報を検出する、多数の線状電極を有する周期情報撮像放射線画像検出器とを設け、放射線照射部と周期情報撮像放射線画像検出器とを、周期情報撮像放射線画像検出器の線状電極の延伸方向がファンビームの広がり角が大きい方の扇面に対して垂直になるように配置し、放射線照射部を、ファンビームを上記垂直方向に走査するものとする。 （もっと読む）

【課題】大面積の固体撮像素子及びその製造方法、これらを備える放射線撮像装置及びその製造方法、並びに大面積の固体撮像素子の検査方法において、受光部や積分回路等のより正確で且つ容易な検査を可能とする。
【解決手段】固体撮像素子１が備える複数の信号出力部２０のそれぞれは、リセット信号Ｒｓｔ、ホールド信号Ｈｌｄ、水平スタート信号Ｓｐｈ、及び水平クロック信号Ｃｋｈのそれぞれを入力する端子電極２５ａ〜２５ｄを含む入力端子電極群２５と、出力信号Ａｏｕｔを提供する出力端子電極２６とを有する。また、固体撮像素子１は、リセット信号Ｒｓｔ、ホールド信号Ｈｌｄ、水平スタート信号Ｓｐｈ、及び水平クロック信号Ｃｋｈのそれぞれを受ける端子電極４１ａ〜４１ｄを含む入力端子電極群４１と、スイッチ手段ＳＷ１〜ＳＷ６と、出力端子電極４２とを更に備える。 （もっと読む）

【課題】リーク電流の増大を抑制できるフォトセンサー及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明にかかるフォトセンサーは、半導体層を有するフォトダイオード１００を備える。半導体層は、例えば、ｎ型半導体層９、ｉ型半導体層１０、及びｐ型半導体層１１を有する。また、フォトセンサーは、透明導電膜から形成された透明電極１２と、半導体層と透明電極１２との間に形成された窒素含有半導体層１１ａとを有するものである。 （もっと読む）

【課題】サイズを抑えつつ、放射線画像の画質の低下を抑制した放射線検出器を提供する。
【解決手段】絶縁性基板102の他方の面102Bの少なくともバイアス電極140の端部140Aの裏側周辺に対応して導電性部材によりなる導電層160が設ける。 （もっと読む）

【課題】放射線画像撮影を効率良く行うことができ、かつ、画像データの送信時間の短縮化を図ることができる可搬型放射線画像撮影装置および放射線画像撮影システムを提供する。
【解決手段】可搬型放射線画像撮影装置１において、検出部Ｐを複数の領域Ａ、Ｂから構成し、領域毎にバイアス線を流れる電流を検出する電流検出手段２４と、領域毎に各放射線検出素子７内で発生し蓄積された電荷を読み出して電気信号に変換する読み出し回路１７と、を備え、制御手段２２は、電流検出手段２４により検出されるバイアス線を流れる電流の電流量の増加に基づいて放射線の照射の開始を領域毎に検出し、放射線の照射を検出した領域と放射線の照射を検出しない領域の処理とにおいて異なる処理を行う。 （もっと読む）

【課題】画像の画質を向上させかつ放射線の検出素子の実装及び組み立てを容易にする放射線検出モジュール、並びに放射線撮像装置を提供する。
【解決手段】放射線検出モジュール２０は、複数の画素Ｐｎを含む半導体部材１と、第１電極３１ｎが半導体部材１の一方側に複数配列されるとともに、他方側に複数の画素Ｐｎにまたがって一つの第２電極３２ｍが設けられ、検出画素Ｐｎに放射線が入射すると検出信号を出力する放射線検出素子３０と、放射線の入射方向に沿って立設するとともに複数の放射線検出素子３０を支持する支持基板２１と、を備える。支持基板２１は、外部の連結部と着脱自在に連結する接続部２１ａを有する。支持基板２１において各放射線検出素子３０を接続することで擬似的に直行する信号読み出し回路を形成し、検出信号の同時判定により放射線の入射位置を特定することを特徴とする。 （もっと読む）

アバランシェ粒子検出器の読み出し電極アセンブリは、読み出しパッドの上側の誘電体カバー層中に形成される複数のレジスタパッドにより、スパークおよび放電から効果的に防御することができる。レジスタパッドは、読み出しパッドに直接に接続されてもよく、あるいは、誘電体カバー層に埋め込まれる電荷拡散パッドにより容量結合されて、読み出しパッドから空間的に分離されてもよい。電荷拡散パッドは、隣接する読み出しパッドへ電荷を分配でき、そのため、検出装置の空間分解能を高めることができる。 （もっと読む）

対向する前後面を有する半導体基板と、放射線を受光するよう構成され、前記半導体基板の前面に位置づけられたカソード電極と、前記半導体基板の後面に形成された、複数のアノード電極とを含む放射線検出器を開示する。半導体基板の前面に接触しているカソード電極材料の仕事関数は、半導体基板の後面に接触しているアノード電極材の仕事関数よりも小さい。

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【課題】改質領域を形成することによるノイズの発生を抑制すると共に、クロストークの抑制効果を向上させることが可能な裏面入射型フォトダイオードアレイを提供する。
【解決手段】フォトダイオードアレイ１は、互いに対向する表面３ａ及び裏面３ｂを有するｎ型の半導体基板３と、半導体基板３の裏面３ｂ側に並んで配置されていると共に、それぞれが半導体基板３とのｐｎ接合１１によりフォトダイオード１３を構成する複数のｐ型半導体領域５と、裏面３ｂ側において、隣接するｐ型半導体領域５間に配置されていると共に、半導体基板３よりも不純物濃度が高く設定されているｎ型半導体領域７と、を備え、半導体基板３には、表面３ａとｎ型半導体領域７との間の所定位置に集光点を合わせてレーザ光を照射することによって、表面３ａに達すると共に、ｎ型半導体領域７に達することなく改質領域５０が形成されている。 （もっと読む）

【課題】線量分布測定において高分解能と高精度を両立できる電離箱検出器および線量分布測定装置を提供する。
【解決手段】アレイチェンバ１は、複数の検出セルを備えた電離箱検出器であって、各検出セルで共用される共通電極１２と、共通電極１２に対向して、各検出セルごとに配置された複数の分割電極１０１ａ，１０１ｂ…１０１ｚと、各分割電極に接続された複数の信号線１０３ａ，１０３ｂ…１０３ｚと、各信号線の近傍にそれぞれ配置された複数のダミー信号線１０４ａ，１０４ｂ…１０４ｚとを備える。演算・表示装置２８は、検出セルごとに信号線の積分値からダミー信号線の積分値を引き算して、ノイズキャンセルを実行する。 （もっと読む）

【課題】 放射線の検出感度を向上させることができる放射線検出器の製造方法を提供する。
【解決手段】 放射線検出器１の製造方法においては、ＰｂＩ_２からなる光導電層１７を厚さ１００μｍ以上に結晶構造を有するように成膜した後、光導電層１７の内層部の結晶構造を維持しつつ、光導電層１７の表層部を平坦化し、平坦化された表層部上に、ＤＬＣからなる接触補助層３０を介して共通電極１８を形成する。これにより、光導電層１７の表層部における凹凸の度合いが緩和されて、共通電極１８の不連続化・電気的高抵抗化が防止されるばかりか、ＰｂＩ_２からなる光導電層１７が１００μｍ以上と十分な厚さを有し、且つ光導電層１７の内層部の結晶構造が維持されるので、Ｘ線の検出感度が向上した放射線検出器１を製造することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 信号読出し基板上の省スペース化を図ることができる放射線検出器を提供する。
【解決手段】 放射線検出器１においては、共通電極１８に導電性接着剤３１によって給電線２２が接続されているので、共通電極１８に給電線２２を電気的に接続するために信号読出し基板２上に所定のスペースを確保することが不要となる。そして、多孔質状の光導電層１７において信号読出し基板２と導電性接着剤３１との間に位置する部分に電気絶縁材３２が入り込んでいるため、製造時等に導電性接着剤３１が光導電層１７に染み込むことに起因して画素電極７と共通電極１８とが短絡するのを防止することができる。従って、放射線検出器１によれば、共通電極１８に給電線２２を直接接続して、信号読出し基板２上の省スペース化を図ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】クロストークが生じるのを防止するとともにポーラリゼーションを好適に防止する。
【解決手段】カソード電極およびアノード電極で挟まれる検出素子１１が半導体結晶として臭化タリウムを用いてなり、少なくともカソード電極またはアノード電極が検出素子１１の一つの面に二つ以上配置されて別個のチャンネルをなす検出部１０ａ〜１０ｄが複数設けられた半導体放射線検出器１であって、カソード電極およびアノード電極は、二層の積層構造とされ、検出素子１１側の第１層がタリウムであり、検出素子１１は、カソード電極またはアノード電極が二つ以上配置される側において、カソード電極またはアノード電極の側方における半導体結晶の露出面が、タリウムの酸化物あるいはフッ化物のいずれかからなる絶縁スペーサ１８、１９で被覆されている構成とした。 （もっと読む）

【課題】信号電荷転送電極を薄くすることができる表面照射型軟Ｘ線用固体撮像素子及びその設計方法を提供する。
【解決手段】半導体基板表面に入射した光が信号電荷を生成する光電変換部及び該半導体基板上にゲート絶縁膜を介して形成された信号電荷転送電極を備えた軟Ｘ線用固体撮像素子であって、該信号電荷転送電極は、その消衰係数ｋを比抵抗ρで除した物理量k/ρが、必要とする波長領域において相対的に高い数値を示す材料で形成する。 （もっと読む）

中性子を検出するためのマイクロチャネルプレートは、基板の頂面から基板の底面まで延在する複数のチャネルを画定する、水素に富むポリマー基板を含み、中性子は、複数のチャネルと相互作用して、少なくとも１つの二次電子を生成する。頂部電極は、基板の頂面上に位置付けられ、底部電極は、基板の底面上に位置付けられる。抵抗層は、実質的に一定の抵抗率でオーミック伝導を提供する、複数のチャネルの外面上に形成される。放出層は、抵抗層上に形成される。中性子相互作用生成物は、基板により画定される複数のチャネルおよび放出膜と相互作用し、複数のチャネル内でカスケード増幅して中性子の検出に関連した増幅信号を提供する二次電子を生成する。
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【課題】リセット用ＴＦＴのゲート絶縁膜にコンタクトホールを形成せずに２Ｔｒ−１Ｃ回路を製造することができるとともに、高精度に電荷検出を行うことが可能な撮像装置を提供する。
【解決手段】撮像装置は、電荷生成膜６０と、電荷収集用電極５０と、電荷検知用キャパシタ３０と、電荷検出用薄膜トランジスタ２０と、リセット用薄膜トランジスタ４０と、電荷生成膜、電荷収集用電極、電荷検知用キャパシタ、電荷検出用薄膜トランジスタ、及びリセット用薄膜トランジスタを支持する支持基板１０と、を有する。電荷収集用電極の一部５０Ａが、電荷検出用薄膜トランジスタ２０の活性層２８上に絶縁膜１８Ａを介して絶縁した状態で張り出しているとともに、電荷検出用薄膜トランジスタのゲート電極Ｇを兼ねている。好ましくは、電荷収集用電極が、リセット用薄膜トランジスタ上にも絶縁した状態で張り出している。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードのリーク電流を抑制することができる光電変換装置、及びその製造方法を提供すること
【解決手段】本発明にかかる光電変換装置は、基板１上に形成された薄膜トランジスタ１０１と、薄膜トランジスタ１０１のドレイン電極７と接続し、上部電極１２と下部電極１０との間に光電変換層１１が設けられたフォトダイオード１００と、少なくとも上部電極１２を覆う第２パッシベーション膜１３と、第２パッシベーション膜１３の上層に設けられ、薄膜トランジスタ１０１及びフォトダイオード１００を被覆する第３パッシベーション膜１４と、第２パッシベーション膜１３及び第３パッシベーション膜１４に設けられたコンタクトホールＣＨ３を介して、上部電極１２に接続するバイアス配線１６と、を備えるものである。 （もっと読む）

【課題】温度制御や放射線損傷の問題を解決することができ、しかも従来よりも検出感度が高く、作製が容易な荷電粒子検出器を提供する。
【解決手段】本発明に係る荷電粒子検出器１は、ｎ型のＳｉＣ基板２と、ＳｉＣ基板２の検出面５ａ側の面にバッファ層３、４を介して設けられ、バッファ層４に接していない面が検出面５ａであるアンドープのＧａＮ層５と、ＧａＮ層５の検出面５ａに設けられ、ＧａＮ層５とショットキー接触する第１金属電極６と、ＳｉＣ基板２の、バッファ層３に接していない面に設けられ、ＳｉＣ基板２とオーミック接触する第２金属電極８とを備える。また、ＧａＮ層５の厚さは、９００ｎｍ以上であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】従来のFPDにおけるセンサーリセット方式を改善し、一般撮影のみならず透視撮影においても大面積で且つ完全デジタル化に加えて、開口率を向上させて確実な高速動画読み取りを実現する。
【解決手段】MIS型光電変換部１１にて得られた電気信号のスイッチング手段として、電気信号を転送する信号転送動作を行う転送用TFT１２と、MIS型光電変換部１１に一定電位を印加して信号リセット動作を行うリセット用TFT１９を備えており、１ラインの各画素について読み出し動作として信号転送動作を実行している間に、既に読み出された前段の１ラインにおける各画素のリセット動作が行われる。 （もっと読む）