【課題】放射線の検出感度を維持しつつ、電線と電極部との剥離を抑制できる。
【解決手段】検出可能領域上に充填される第１充填材444は、原子番号９以下の元素で構成されているので、原子番号９を超える元素で構成される場合に比して、放射線の透過性がよい。このため、検出可能領域において、放射線の検出感度が維持できる。また、バイアス電極401と電線とが接続される接続部は、弾性を有する第２充填材445が充填されているため、硬化性を有する充填材に比して、延長電極部431と高電圧線432との密着性が保て、高電圧線432と延長電極部431との剥離を抑制できる。このように、本実施形態では、延長電極部431と高電圧線432とが接続される接続部と検出可能領域とで充填材を使い分けることにより、放射線の検出感度を維持しつつ、高電圧線432と電極部との剥離を抑制する。 （もっと読む）

【課題】適切に光電変換素子の残留電荷を低減することができる、放射線画像撮影装置、放射線画像撮影プログラム、及び放射線画像撮影方法を提供する。
【解決手段】放射線が照射されると、当該放射線に応じて発生した電荷を、アンプ５２をサンプリング状態にし、さらにＴＦＴスイッチ４をオン状態にして、放射線画像の画像データを生成するための電荷を読み出させる。Ｓ／ＨスイッチＳＷ２を所定期間オン状態にして電荷をＡＤＣ５４に出力させた後、ＣＡサンプリング期間以外の期間に、再びＴＦＴスイッチ４をオン状態にして、ＴＦＴスイッチ４によりセンサ部１０３から読み出した電荷を、画像データの生成に用いずに読み捨てる。 （もっと読む）

【課題】被曝量による閾値電圧のシフトを抑制するが可能なトランジスタを提供する。
【解決手段】放射線撮像装置１は、フォトダイオードとトランジスタ１１１Ｂとを含む光電変換層を有する。トランジスタ１１１Ｂは、基板１１上に、第１ゲート電極１２０Ａ、第１ゲート絶縁膜１２９、半導体層１２６、第２ゲート絶縁膜１３０および第２ゲート電極１２０Ｂをこの順に有し、第１ゲート絶縁膜１２９および第２ゲート絶縁膜１３０におけるＳｉＯ₂膜の総和が６５ｎｍ以下となっている。トランジスタが被曝すると、ゲート絶縁膜におけるＳｉＯ₂膜に正孔がチャージされ、閾値電圧がシフトし易くなるが、上記のようなＳｉＯ₂膜厚の最適化により、閾値電圧シフトが効果的に抑制される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、放射線に対して従来より高感度の放射線検出器及び放射線検出器の製造方法を提供する。
【解決手段】照射された放射線に応じて光電変換層１８で電荷（キャリア）が発生し、発生した正孔がアバランシェ層２２でアバランシェ増幅作用により増幅されて、電荷収集電極４０で収集され、読み出される。光電変換層１８とアバランシェ層２２との間、アバランシェ層２２上には、電荷収集電極４０が形成されているピッチ（画素ピッチ）Ｌに応じて格子状に中間電極２０が形成されている。中間電極２０は、光電変換層１８に接する側から、正孔阻止層３０、導電層３２、及び電子吸収層３４の順番で形成されている。 （もっと読む）

【課題】 良好な感度と良好な空間分解能を得ることが可能な積層構造の検出装置を提供する。
【解決手段】 基板１００上に、複数の変換素子と、基板と複数の変換素子との間に配置された複数のスイッチ素子２と、複数の変換素子と複数のスイッチ素子との間に配置された絶縁体１０６，１０８と、を有し、複数の変換素子が、互いに離間した複数の第１電極１と、複数の変換素子に渡って設けられた第２電極１１３と、複数の第１電極と第２電極との間に複数の変換素子に渡って配置された半導体層１１１と、を含み、絶縁体が、複数の第１電極の直下に位置する複数の第１領域と、複数の第１領域の間に位置する第２領域と、を含む検出装置であって、絶縁体の第２領域と半導体層とが接する部分の電位を第２電極の電位と第１電極の電位の間の電位に規定する電位が供給される第３電極が絶縁体の第２領域の内部に設けられている。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の特性の劣化を抑制する放射線検出器を提供する。
【解決手段】放射線検出器は、基板１１にＣｄＴｅ半導体素子２を導電性接着剤によって接着されたものとなっているが、ＣｄＴｅ半導体素子２は、基板１１と対向する面の端部に面取加工が施され、面取部２３および面取部２６を有するＣｄＴｅ半導体素子２とすることで、ＣｄＴｅ半導体素子２の実装の際、基板１１との接触を回避しつつ、接着による残留応力等で基板１１に反りが生じた場合においても、基板１１との接触を回避することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】放射線、粒子線などを計測する放射線計測システムの構築方法に関し、特に、このような放射線計測システムを構成する複数の技術的構成要素を一体化してビルドアップする放射線計測システムの製造方法を提供する。
【解決手段】（ａ）放射線計測システムを構成する計測基板の回路パターンを含む回路構成及び液材吐出機構の位置を、位置調整機構によって調整するステップと、（ｂ）前記液材吐出機構から絶縁材料の液材及び導電性材料の液材を吐出させて前記計測基板上に塗布することにより、前記放射線計測システムにおける絶縁パターン及び導電性パターンを生成するステップと、の各ステップを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】フィルファクターの低下を抑えつつ、リペア用領域を確保した放射線検出素子を提供する。
【解決手段】走査配線１０１及び信号配線３を、ＴＦＴスイッチ４との接続箇所において、当該接続箇所周辺よりも、接続されたＴＦＴスイッチ４から離れる方向にシフトさせた。 （もっと読む）

【課題】原子炉炉心内に設置される中性子検出器に係り、中性子検出器カソードを構成する基材とその表面に形成されるコーティング層との密着強度を向上させる。
【解決手段】ニッケル基合金製の基材６上にウラン酸化物をコーティングした中性子検出器Ａ１を備える中性子検出器において、中性子検出器Ａ１の基材表面とウラン酸化物コーティング層１との間に金属中間層３を形成する。 （もっと読む）

【課題】ギャップを減らすことができる放射線検出器の製造方法および放射線検出器を提供することを目的とする。
【解決手段】複数の蒸着源（例えば４つのソース）を用いて蒸着を行う際に、蒸着面の形状を決定するマスクの開口部を移動、もしくは拡大あるいは縮小させて蒸着を行うことにより、各蒸着源で蒸着形成される層（膜）の重ね合わせで生じる端部が傾斜部となり、端部の角度が鈍るのでギャップを減らすことができる。バイアス電圧を印加する共通電極３を蒸着するのに適用する場合には、各蒸着源で蒸着形成される共通電極３の重ね合わせで生じる端部が傾斜部３Ａとなり、端部の角度が鈍るのでバイアス電圧に対する耐久性が向上する。 （もっと読む）

【課題】光検出器が出力する雑音を低減する放射線検出装置を提供する。
【解決手段】放射線が入射する入射面を有し、入射した放射線から光を生成するシンチレータと、前記生成された光を検出する１次元状に配列された複数の光検出器と、所定の抵抗値部分を複数回延伸し、前記抵抗値部分ごとに分岐線を接続可能な線状抵抗部とを備え、前記光検出器は、光から電気信号を生成する光検出素子、及び、前記電気信号中で基準信号強度に達しない信号成分を抑圧し、前記基準信号強度に達する信号成分を抽出する信号抽出回路を有し、前記１次元状に配列された複数の光検出器に含まれるそれぞれの信号抽出回路の出力信号が前記分岐線を通じて前記線状抵抗部に入力され、前記１次元状に配列された光検出器の位置が、それぞれの光検出器の信号抽出回路の出力信号が入力される前記分岐線の接続位置における前記線状抵抗部の抵抗値に対応付けられる放射線検出装置とする。 （もっと読む）

【課題】放射線検出器に発生する寄生容量を低減する放射線検出器及び放射線検出装置を提供する。
【解決手段】放射線検出器１は、基板２０を介して対向して設けられ、放射線６を検出可能なＣｄＴｅ素子１０ａ及びＣｄＴｅ素子１０ｅと、ＣｄＴｅ素子１０ｅの基板２０側とは反対側の面に設けられ、ＣｄＴｅ素子１０ｅと電気的に接続するパターン４００ｅと、ＣｄＴｅ素子１０ａの基板２０側とは反対側の面に設けられ、ＣｄＴｅ素子１０ａと電気的に接続するパターン４００ａと、を備え、基板２０に向けた透過させたパターン４００ｅの透過像とパターン４００ａの透過像が異なる領域となるように、パターン４００ｅとパターン４００ａが配置されている。 （もっと読む）

【課題】検出器におけるアノード／カソード電気分離のためのシステム、方法および装置を提供すること。
【解決手段】本発明の特定の実施形態は、検出器におけるアノード／カソード電気分離を実現するためのシステム、方法および装置を含むことができる。本発明の一実施形態例によれば、中性子検出器管を提供するための方法が提供される。この方法には、中性子検出器（１００）に関連付けられた非導電性カソード管（１０２）の内部表面の少なくとも一部に導電層（１０４）を付着するステップと、中性子検出器管（１００）の第１の部分（１２６）をカソードキャップ（１１２）で密封するステップと、中性子検出管（１００）の第２の部分（１２８）をアノードキャップ（１２０）で密封するステップを含むことができる。 （もっと読む）

【課題】保護層の界面剥離を抑制し、諸特性および信頼性を確保したＸ線検出器を提供する。
【解決手段】表面側に複数の光電変換素子13を複数配列した受光部14、および、光電変換素子13と電気的に接続した電極パッド16を備えた固体撮像素子12を有する。固体撮像素子12の受光部14に対向し外部から入射したＸ線24を光に変換するシンチレータ層26を有する。外部接続用電極パッド18および外部接続用電極パッド18と電気的に接続した電極端子19を備え、固体撮像素子12を固定する基台17を有する。電極パッド16，18を電気的に接続する配線20を有する。固体撮像素子12、電極パッド16、外部接続用電極パッド18および配線20上に中間層22を有機珪素化合物により形成する。中間層22上に保護層28を有機物により形成する。 （もっと読む）

【課題】十分高い検出感度を有する新規なピクセル型の放射線検出器、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁部材２１１の第１の面上に形成されるとともに、円形状の複数の開口部２１２Ａを有する第１の電極パターン２１２と、前記絶縁部材の前記第１の面と相対向する第２の面上に形成されるとともに、前記絶縁部材を貫通し、前記第１の電極パターンの前記開口部の略中心部に先端が露出し、前記絶縁部材に端部が埋設されてなる凸状部２１４を有する第２の電極パターン２１３とを具え、前記第１の電極パターンと前記第２の電極パターンとは所定の電位差を有するようにして放射線検出器を構成する。 （もっと読む）

【課題】治療照射中においても粒子線の深さ方向線量分布を測定できる深さ方向線量分布測定装置、粒子線治療装置及び粒子線照射装置を提供する。
【解決手段】照射野形成装置２０はブロックコリメータ４５のコリメータ部材４４ｂ上流側に取り付けられた複数電離箱型検出器３０を備える。検出器３０は、ビームの飛程を連続的又は段階的に変更する遮蔽体３３とその後段に電離箱３７を複数設置した構造を有し、信号処理装置３１と共に深さ方向線量分布測定装置３９を構成する。照射野形成装置２０内に到達した粒子線の一部はビーム通路４８を通過して患者６０に照射され、残りの粒子線の一部が複数電離箱型検出器３０に入射し、電離箱３７内で電荷が発生する。個々の電離箱３７内で発生した電荷量に基づいて、信号処理装置３１で深さ方向線量分布が求められる。 （もっと読む）

【課題】電極間に局地的に大電流が流れるような放電現象を自発的に抑制でき、動作の安定性を向上できるピクセル型電極の粒子線画像検出器を提供する。
【解決手段】本粒子線画像検出器は、絶縁体基板を貫通し上端面が絶縁体基板の表面に露出する円柱状陽極電極を有し、絶縁体基板の裏面に形成される陽極電極パターンと、円柱状陽極電極の上端面の回りに円形状の開口部を有し、絶縁体基板の表面に形成される陰極電極パターンと、を具備するピクセル型電極の粒子線画像検出器において、陰極電極パターンの表面が１０Ω・ｍ以上１０００Ω・ｍ以下の比抵抗を有する高抵抗性素材により被覆される。これにより、電極間に局地的に大電流が流れるような放電現象を、電圧降下作用により自発的に抑制でき、動作の安定性を向上できる。 （もっと読む）

【課題】製造容易で高感度な放射線入射位置を検出できるイオン化放射検出器を提供する。
【解決手段】イオン化放射検出器は、加圧された混合ガスを内部に封入した導電性チューブ１０-1〜１０−ｎが複数並列に配置され、各導電性チューブ10-1〜１０−ｎの中心に張られ高電圧を印加する導線１４−１〜１４−ｎを備え、各導電性チューブ10-1〜１０−ｎは、電気的に絶縁した部分12-1〜１２−ｍに分配され、導電性チューブ10-1〜１０−ｎの分配された断面部分は全ては電気的に接続され各グループを形成し、各グループは、粒子検出器１８に接続され、各断面部分はブレードのグリッドから形成される。 （もっと読む）

【課題】ａ−Ｓｅを主成分とする読取用光導電層を有する静電記録体において、電極との界面での界面結晶化の問題を解消する。
【解決手段】読取光に対して透過性を有する支持体８上に、読取光に対して透過性を有する電極層５、ａ−Ｓｅを主成分とする、読取光の照射を受けることにより導電性を呈する読取用光導電層４、記録用光導電層２で発生した潜像極性電荷を蓄積する蓄電部２３を形成するための電荷輸送層３、ａ−Ｓｅを主成分とする、記録光の照射を受けることにより導電性を呈する記録用光導電層２、および記録光に対し透過性を有する電極層１とがこの順に積層された静電記録体１０において、読取用光導電層４と電極層５の電極との界面に、界面結晶化を抑制する物質として、Ａｓを０．５〜４０ａｔｏｍ％ドープして、読取光の最も入射側に、界面結晶化を抑制する薄層を設けたのと実質的に等価な状態にする。 （もっと読む）

【課題】外部接続端子の接続信頼性を向上させることができると共に、簡単な工程で製造
できるようにした光電変換装置を提供すること。
【解決手段】本発明の光電変換装置は、フォトダイオード２５及びＴＦＴ２４がマトリク
ス状に配置され、周辺部に複数の外部接続端子が形成され、フォトダイオードは、第１電
極２５１がＴＦＴ２４に接続され、第２電極２５２がバイアス線２３に接続され、バイア
ス線２３がバイアス線用の外部接続端子に電気的に接続されており、バイアス線２３は、
透明導電性金属酸化物で形成され、光電変換装置の光の入射面の全面に亘って形成されて
いると共に、バイアス線用の外部接続端子まで延在されて前記バイアス線用の外部接続端
子の最上部側に配置されている。 （もっと読む）