【課題】バイアス電圧が印加される電極層と、放射線の照射を受けて放射線画像を検出する放射線画像検出層と、基板とが積層された放射線画像検出器であって、電極層にバイアス電圧を供給する配線を備えた放射線画像検出器において、電極層と配線との接続性を向上させる。
【解決手段】配線２１を平板形状とし、配線２１と電極層１１との接続面積を大きくする。 （もっと読む）

【課題】放射線画像を担持した放射線の照射を受けて電荷を発生し、該電荷を蓄積することにより放射線画像を記録するとともに、読取光の照射を受けて電荷を発生し、該電荷の発生により蓄積された電荷が読み出される放射線画像検出器と、読取光を射出する線状発光体が多数配列された面状光源と、放射線画像検出器から流れ出した電荷を積分する積分アンプを有する検出部とを備えた放射線画像記録読取装置であって、多数の線状発光体の発光を順次切り替えて読み出しを行う放射線画像記録読取装置において、線状発光体の発光の切り替えによって発生するノイズ信号を抑制する。
【解決手段】線状発光体の発光の切り替えが積分アンプの積分期間中となるように線状発光体の発光を制御する。 （もっと読む）

【課題】 記録用光導電層および読取用光導電層等を備え、照射された放射線の線量あるいは該放射線の励起により発せられる光の光量に応じた量の電荷を潜像電荷として、記録用光導電層と読取用光導電層との間に形成される蓄電部に蓄積する放射線固体検出器において、検出画像の分解能を向上させる。
【解決手段】 記録光に対して透過性を有する第１導電層１１、記録光の照射を受けることにより導電性を呈する記録用光導電層１２、読取光の照射を受けることにより導電性を呈する読取用光導電層１４、ストライプ電極１５およびサブストライプ電極１６を備えた第２導電層、読取光に対して透過性を有する支持体１８等をこの順に配してなる放射線固体検出器１０において、読取用光導電層１４を単画素毎に分離する隔壁状部材１７を配して、読取用光導電層１４の各画素領域間での電荷の移動を抑制する。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子14や各電極パッド16，23および配線25を保護し、小形化もしくは受光部15の拡大ができるＸ線検出器11を提供する。
【解決手段】少なくとも基台18の表面側に配置された光電変換基板12の受光部15および基板側電極パッド16、基台側電極パッド23、および配線25を保護層27で一体に被覆する。保護層27の表面にシンチレータ層29を形成する。保護層27により、受光部15の光電変換素子14や各電極パッド16，23および配線25の腐食を防止する。保護層27で一体に被覆することで、光電変換基板12の受光部15と基板側電極パッド16との距離を近付けて配置することを可能とし、小形化もしくは受光部15の拡大ができる。 （もっと読む）

【課題】 デジタルフラットパネルＸ線イメージャを使用した改良したＸ線イメージング技術を提供する。
【解決手段】 ゴースト効果を低下させ且つ薄膜トランジスタアレイの適切なリーク電流特性により過剰電圧保護が与えられているフラットパネルＸ線イメージャが提供される。適宜の物質からなる上部電極が非晶質セレンをベースとした電荷発生器層のすぐ上側に設けられており、該層を横断しての電荷の輸送を可能とし、それによりゴーストを減少させる。代替的に、非絶縁性有機層を該上部電極と該電荷発生層との間に設けることが可能である。該薄膜トランジスタは、結像されるオブジェクトを介しての露光とマッチする範囲内のトランジスタを横断しての電圧で比較的ゆっくりと上昇するが、電荷発生器層の対応する領域がＸ線のより大きな量を受取る場合であっても保護をあたえるためにより高い範囲内において充分に一層高い割合で上昇するリーク電流を有している。該上部電極へ電圧が印加される。この電圧は５００Ｖ乃至２０００Ｖの範囲内とすることが可能である。 （もっと読む）

放射線検出器（４６）は、基板（１４）上に形成された半導体層（１２）と、半導体層（１２）上に形成されたシンチレータ（３０）とを含む。半導体層（１２）は、基板（１４）に隣接するように配置されたｎ型ドープト領域（１６）と、ｎ型ドープト領域（１６）に隣接するように配置されたｐ型ドープト領域（１８）とを含む。半導体層（１２）内にはトレンチ（２０）が形成され、トレンチ（２０）は、ｐ型ドープト領域（１８）を囲み、且つｐｎ接合の端部において該ｐｎ接合の曲率を低減し、それにより該端部での降伏を抑制する材料（２２）で充填される。シンチレータ（３０）は、ｐ型ドープト領域（１８）上に、該領域（１８）に光学的に結合されるように配置される。放射線検出器（４６）は更に、ｎ型ドープト領域（１６）に電気的に接触する少なくとも１つの導電性電極（２４）を含む。
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【課題】光または放射線感応層を含む対向基板とアクティブマトリクス基板との貼り合わせる際の位置あわせを容易にする。
【解決手段】 本発明にかかる二次元画像検出器は、対向基板の対向電極と、アクティブマトリクス基板の画素電極とバンプ電極で接続されており、対向電極の径が隣接するバンプ電極間の隙間よりも小さく、隣接する対向電極間の隙間がバンプ電極の径よりも小さい。当該構成により、対向基板とアクティブマトリクス基板とをどのような位置関係で貼り合せても、各バンプ電極には少なくとも１つ以上の対向電極が接続され、隣接するバンプ電極が対向電極により短絡されることが無い。従って、貼り合わせに際して微妙な位置あわせを行う必要がない。 （もっと読む）

【課題】本発明は、画素電極との界面または前記バイアス電極との界面でのヨウ化鉛（ＰｂＩ₂）からなるＸ線光導電膜の結晶構造の乱れを防止したＸ線検出器を提供する。
【解決手段】電荷蓄積容量とスイッチ素子と画素電極とを有する画素が複数配列されたアクティブマトリックス基板と、前記アクティブマトリックス基板上に形成されたヨウ化鉛からなるＸ線光導電膜と、前記光導電膜上に形成されたバイアス電極とを具備し、結晶構造制御層は、前記Ｘ線光導電膜と前記画素電極との間、または前記Ｘ線光導電膜と前記バイアス電極と間に形成されていることを特徴とするＸ線検出器。 （もっと読む）

【課題】ＣｄＴｅ材料の放射線感応膜で構成される二次元放射線検出器において、基板に接する側と膜露出側の膜質を均一化し、電荷収集効率を上げ感度向上を図る。
【解決手段】第一の基板２上に放射線感応膜として機能する積層膜を成膜したあと、前記積層膜が露出している膜面に導電性接着層として機能するカーボン厚膜４を介して第二の基板５を貼り付けた後、前記第一の基板２と前記積層膜の内膜質が思わしくない積層膜３１を研磨除去して、良好な膜質の積層膜３２の膜面を露出させ、該膜面にアクティブマトリクス基板を貼り付けた構造とする。したがって、基板に接する側と膜露出側の膜質を良好で均一なものとすることが可能であり、電荷収集効率を上げ感度向上が期待できる。 （もっと読む）

【課題】検知回路の耐久性を高める必要がなく、簡易且つ安価な構成で変換素子の状態を検知することのできる撮像装置を提供する。
【解決手段】高電圧発生回路８２において発生された高電圧を放射線検出器５２を構成する第１電極層６０に印加した状態において、記録用光導電層６２に生じる電荷を検知回路７７のチャージアンプ９７で収集し、比較回路９８において、収集した電荷の量を所定の閾値ＴＨと比較し、その比較結果に基づき、放射線検出器５２で放電現象等が発生しているか否かの判断を行う。 （もっと読む）

コンピュータ断層撮影法（ＣＴ）用途における使用に特に適した放射線検出器モジュールは、シンチレータ（２００）と、光検出器配列（２０２）と、信号処理電子機器（２０５）とを含む。光検出器配列（２０２）は、半導体基板（２０８）を含み、半導体基板は、複数の光検出器と、基板（２０８）の非照射側に組み立てられるメタライゼーション（２１０）とを有する。メタライゼーションは、光検出器と信号処理電子機器（２０５）との間に並びに信号処理電子機器（２０５）と電気コネクタ（２０９）との間に電気信号を経路指定する。

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【課題】放射線を放出する測定対象物の放射線量を測定する放射線測定装置において、正確に精度よく、効率的に配管等の測定対象物の放射線量の測定を行なうこと。
【解決手段】放射線を放出する測定対象物Ｐを気体と共に収容する測定対象物収容部１１と、その測定対象物収容部１１から流出した気体中のイオンを収集する第１イオン収集部１５と、その第１イオン収集部１５の電極に電圧を印加する第１高電圧電源装置１７と、測定対象物収容部１１内の気体を第１イオン収集部１５に送ると共に、その第１イオン収集部１５に送られた気体を測定対象物収容部１１に戻して気体を循環させるファン２０ａ，２０ｂと、第１イオン収集部１５で収集したイオンを電流として計測する第１電流計測部２１と、測定対象物Ｐの形状と感度の補正係数との対応表を基に、測定対象物Ｐの形状に対応する補正係数を取得する形状／補正係数取得部３８と、電流値を、形状／補正係数取得部３８から出力した補正係数で補正して測定対象物Ｐの放射線量を測定する電流補正部２２とを有する。 （もっと読む）

【課題】従来型の薄膜入射窓式電離箱でアルファー線や数keV以下の低エネルギーＸ線を測定するときには、入射窓による放射線の吸収が問題となり真の値を評価することができなかった。そこで、入射窓部の薄膜またはグリッドを取り去り開放窓型とし、しかも外部からの静電誘導を受けないで高感度で安定な測定のできる電離箱とし、空気または気体中に放出された真の全エネルギーを測定できるようにする。
【解決手段】入射窓部が開放型なので、そこを通して外部からの静電誘導による擾乱を回避するために集電極３をシールド効果のある高圧電極１の陰に退避させ、電離電流は補助電極２を介して方向を変位させた電界に沿って集電極まで運ぶ電離箱にする。 （もっと読む）

【課題】 ステムの強度を確保するとともに、厚さ制御が容易で、各電極の有効面積を大きく確保可能な光電子増倍管および放射線検出装置を提供する。
【解決手段】 側管１５の一側端部に受光面板１３を、他側端部に管状部材３１を介してステム２９を気密に接合して構成された真空容器内に、光電面１４、フォーカス電極１７、ダイノードＤｙ１〜Ｄｙ１２、引き出し電極１９、およびアノード２５を配置する。ステム２９周縁部には管状部材３１を配置し、管状部材３１から延出する延出部３２に支持ピン２１、リードピン４７を挿通固定する。支持ピン２１、リードピン４はダイノードＤｙ１〜Ｄｙ１２および引き出し電極１９の切り欠き４９、２４に配置されているので、各電極の有効面積が大きく確保できる。また、各ピンとステム２９との接続部には這い上がり部３３が形成され、厚さ制御を容易にしている。 （もっと読む）

【課題】固体検出器からの信号電荷に応じた信号電圧をデジタル値に変換する積分増幅器とＡＤ変換器の温度変動による前記デジタル値の変化を補正する。
【解決手段】入射する放射線に応じた電荷を蓄積する固体検出器４６から読出信号により読み出された電荷に応じて積分増幅器１０２で発生された信号電圧ＶｓがＡＤ変換器１０６により変換されたデジタル値Ｑを、補正部１０８により、読出信号毎に基準値と比較して補正する。積分増幅器１０２とＡＤ変換器１０６のオフセットとゲインを両方とも温度変動を補償することができる。 （もっと読む）

【課題】ディジタルＸ線検出器において、被曝によるフォトダイオードの劣化、特に、漏れ、並びにかかる漏れによって結果として生ずる検出器ピクセル及びピクセルの性能の劣化を抑えつつ従来のＸ線環境において動作し得るフォトダイオード設計を提供する。
【解決手段】Ｘ線応用向けの光検出器（１６）が、各々のピクセル位置においてフォトダイオードからの電荷の漏れを低減するようにゲートされたフォトダイオード（３４、６４）を含んでいる。ゲート層（３６）が、検出器の全周のエッジに沿って配設されることができ、接点層（３８）と共通の電位に保たれてもよいし異なる電位に保たれてもよい。不動態化層又は誘電体層（５６）が、ゲート層をフォトダイオードから離隔している。長時間にわたる放射線被曝によって生じ得るダイオードのエッジの周りの漏れが、ゲート層によって低減される。 （もっと読む）

【課題】 排気管を封止する際にも真空容器との間の接合の確実性を損なうことなく、検出効率のよい光電子増倍管および放射線検出装置を提供する。
【解決手段】 側管１５の一側端部に受光面板１３を、他側端部に管状部材３１を介してステム２９を気密に接合して構成された真空容器内に、光電面１４、フォーカス電極１７、ダイノードＤｙ１〜Ｄｙ１２、引き出し電極１９、およびアノード２５を配置する。ステム２９中央部には排気管４０が接続されている。排気管４０は同軸に配置され、ステム２９側で互いに接続された外側管４１と内側管４３とを有している。外側管４１はステム２９との密着性が良好であり、内側管４３は薄く、切断時の応力が少ないため、排気管４０の封止時に真空容器との接合を損なうことがない。 （もっと読む）

【課題】 ダイノードおよびアノードの有効面積を効率よく確保でき、検出効率の高い光電子増倍管、放射線検出装置および光電子増倍管の製造方法を提供する。
【解決手段】 側管１５の一側端部に受光面板１３を、他側端部に管状部材３１を介してステム２９を気密に接合して構成された真空容器内に、光電面１４、フォーカス電極１７、ダイノードＤｙ１〜Ｄｙ１２、引き出し電極１９、およびアノード２５を配置する。ダイノードＤｙ１〜Ｄｙ１２とアノード２５とは互いに対応した複数チャネルを有する。各電極は、積層方向に重なる切り欠きを有し、支持ピン２１およびリードピン４７を切り欠き内に配置する。単位アノード間にはブリッジを配置した凹部があり、アノード板をステムピン２７上に配置した後にブリッジを切断する。各電極、およびアノード２５の有効面積は充分確保されるので、効率よく電子を検出できる。 （もっと読む）

【課題】電子の増幅率を低下させることなく従来よりも電子の広がりを小さくすることを可能にし、高い電子増幅率を備えかつ位置分解能を向上する。
【解決手段】放射線とガスとの光電効果による相互作用を用いたガス電子増幅器において、ガスを充填したチャンバーと、上記チャンバー内に配置された単一のガス電子増幅フォイルとを有し、上記ガス電子増幅フォイルは、厚さ１００〜３００μｍ程度の高分子ポリマー材料からなる板状の絶縁層と上記絶縁層の両面に被覆された平面状の金属層とを有して構成された板状多層体よりなり、上記板状多層体には貫通孔構造を設ける。 （もっと読む）

ダイレクトリソグラフィーによって半導体基板の上に接触子を組み立てるための方法が提供される。本方法によれば、電極の耐久密着性、画素間抵抗の増大、および遮断用接触子として作用する電極が得られ、それにより、結果として得られる放射線検出器においてエネルギー分解能の改善がもたらされる。

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