【課題】本発明は、光学条件の調整を容易に行うことを目的とする半導体検査装置等の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するために、荷電粒子線装置を備えた半導体検査装置、或いは荷電粒子線装置の画像，光学条件選択装置であって、異なる複数の光学条件にて得られた画像データと、設計データに基づいて形成される画像データとの間でマッチングを行い、当該マッチングに基づいて、前記光学条件、或いは画像の選択を行う半導体検査装置、或いは荷電粒子線装置の画像，光学条件選択装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路の高分解能な画像を求め、故障箇所を高精度に絞り込むことができるようにすること。
【解決手段】故障解析装置は、半導体集積回路にＸ線を照射するＸ線発生部と、半導体集積回路を透過したＸ線を光に変換する移動可能なシンチレータと、シンチレータによって変換された光を検出するとともに、電圧が印加された半導体集積回路から生じたフォトエミッション光を検出する光検出部とを備えている。 （もっと読む）

【課題】ナノプロービングにおいてプローブを試料表面に近づける作業を短時間で行う。
【解決手段】プローブ検査装置４００は、試料１２を載置する試料台１０と、試料台１０の上方の待機位置に待機するプローブ２０と、試料台１０をプローブ２０の待機位置に向けて移動させる第１の駆動装置１６０と、試料台１０とプローブ２０の待機位置の間を通過する方向に第１の荷電粒子線３２を照射する第１の荷電粒子銃３０と、試料１２が第１の荷電粒子線３２を遮断したことを示す信号を生成する第１の検出部１２０と、第１の検出部１２０が生成した信号により第１の駆動装置１６０を制御する第１の制御部１４０を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は半導体デバイス検査方法及び装置に関し、複雑な配線構造のデバイスでも故障箇所特定が可能になる半導体デバイス検査方法及び装置を提供することを目的としている。
【解決手段】荷電粒子線装置内に、荷電粒子線を変調する機能と、荷電粒子線をデバイス上の任意の位置に照射する機能と、単数又は複数のプロービング用探針及び探針移動機構を組み込んだ半導体検査装置を設け、該半導体検査装置は、半導体デバイスに変調された荷電粒子線を照射する手段と、該荷電粒子線を照射することによって発生する電気信号を探針のプロービングにより検出する手段と、入射荷電粒子の応答特性と検出される信号の応答特性を比較して半導体デバイスの欠陥箇所を特定する手段と、を有し、前記単数又は複数のプロービング用探針は、容量結合によりグランドポテンシャルに接続されて構成される。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、試料の意図しない損傷を回避し、プローブや試料ステージなどの成分である重金属のスパッタ粒子の試料への飛散や付着を極力低減して、プローブを加工することに関する。
【解決手段】本発明は、イオンビームを照射できるイオンビーム装置と、真空試料室内に配置されたプローブを駆動するプローブ制御装置と、を備えたプローブ装置において、プローブをイオンビームで加工するための領域を試料室内に設け、プローブのスパッタ粒子やプローブ近傍を通過したイオンビームを当該領域に捕捉させることに関する。本発明により、プローブへのイオンビーム照射により発生したスパッタ粒子，プローブの破片，プローブの近傍を通過したイオンビームなどによる試料などへの悪影響を低減できる。このため、プローブ形状を試料室内で再生し、長期間プローブを継続使用することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】本発明が解決しようとする課題は、プローブのランダムアクセス操作のような厄介な作業をすることなく、電子顕微鏡等の走査型荷電粒子顕微鏡の観察から半導体デバイスにおける回路要素の導通等の検査を可能とする検査手法を提示し、それを実現するシステムを提供することにある。
【解決手段】本発明の検査手法は電子鏡筒２とイオンビーム鏡筒１と二次荷電粒子検出器４とをそなえた複合装置を用い、電子ビーム又は正電荷のイオンビームを半導体デバイス試料面に照射して高い帯電をさせた場合と、該高い帯電状態を示した領域の所望のパターンに逆電荷の正電荷のイオンビーム又は電子ビームを照射した場合との試料面のコントラスト変化を顕微鏡観察して電子回路検査するものである。 （もっと読む）

【課題】プローブ高さをモニタして、安全かつ効率的に試料表面にプローブを接触させる方法の提供。
【解決手段】試料４にイオンビーム３を照射するイオンビーム光学系１と、イオンビーム３の照射によって試料４から放出された２次電子を検出する２次電子検出器１０と、２次電子検出器１０による検出情報を画像として表示する表示装置１２と、試料４の表面に接触させるプローブ７と、プローブ７の駆動を制御するプローブ制御装置９と、予めプローブ７を試料４に接触させて得られたプローブ先端座標を記録するプローブ基準座標記録装置と、を有し、プローブ制御装置９は、前記プローブ基準座標記録装置の記録座標とプローブ７を接触させるべき試料７上の座標に基づいて、プローブ７の駆動距離と速度とを制御する。 （もっと読む）

【課題】配線パターンの抵抗値異常箇所を高感度に検出する。
【解決手段】半導体検査装置４０には、照射部１、観察部２、及び検査解析部３が設けられる。観察部２には、試料ステージ１１、試料１２、プロービング部１３ａ、及びプロービング部１３ａが設けられる。試料１２は、配線パターンが形成され、試料ステージ１１に固定され、表面に照射部１から電子ビームが入射される。検査解析部３には、増幅部１４、算出部１５、記憶部１６、及び比較判定部１７が設けられる。検査解析部３では、観察部２で観察された吸収電流信号が入力され、増幅処理、電流電圧変換処理、及びデジタル変換処理が行われ、画像データ信号の輝度値が算出される。算出された輝度値と所定の輝度値が比較され、輝度差が求められる。比較判定部１７で、この輝度差を基準値と比較することにより、配線パターンの抵抗値異常個所の検出が行われる。 （もっと読む）

【課題】不良箇所を正確に特定し、容易に断面観察用基板を作製することのできる半導体デバイス評価方法及び半導体デバイス評価装置を提供する。
【解決手段】ＳＥＭ装置４００において移動手段２０４は、ステージ２１０により基板２０２を移動させる。検出手段２０３は、基板２０２上に配列された不良箇所を含む観察対象物の電気的情報を検出する。演算手段２２８は、電気的情報を観察対象物の配列方向のうちの２方向に積分し、いずれか一方の積分波形にて前記不良箇所を含む配列のピークが少なくとも１つの他のピークよりも大きいピークとなり、他方の積分波形のピークが略同じ大きさのピークとなる２つの積分波形を得る。制御手段２２９は、演算結果に基づいて、一方の積分波形の不良箇所を含む配列のピークの大きさが維持される方向に、移動手段２０４により基板２０２を移動させ、演算手段２２８に、他方の積分波形のピークの数を計測させる。 （もっと読む）

【課題】本発明は荷電粒子ビーム装置の吸収電流検出装置に関し、試料を流れる吸収電流を正確に測定することができる荷電粒子ビーム装置の吸収電流検出装置を提供することを目的としている。
【解決手段】荷電粒子ビーム２を試料４上の配線パターン５に照射し、該配線パターン５に所定距離離して２個の探針ａ，ｂを接触させ、該探針に流れる吸収電流７を測定するようにした荷電粒子ビーム装置の吸収電流検出装置において、前記探針ａ，ｂに流れる吸収電流を電圧信号に変換する電流／電圧変換器２０と前記配線パターン５の間に所定の値を持つ出力電圧調整用の入力抵抗Ｒ３を挿入するように構成する。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子線を用いて、半導体製造工程途中の回路パターンを持つウエハ上の欠陥の位置や種類を検査する方法において、回路パターンの異常な帯電を防ぎ、電子線照射領域を均一に、所望の帯電電圧に制御し、半導体装置の信頼性および生産性を高める。
【解決手段】荷電粒子源１０からの荷電粒子線を用いて、半導体製造工程途中の回路パターンを持つウエハ上の欠陥の位置や種類を検査するに際して、試料台３に載置された基板の回路パターンの接合に光源１７からの紫外光を照射すると同時に荷電粒子線を照射し、画像のコントラストにより高感度に検査を行う。紫外光の波長は絶縁膜の吸収端よりも短い。 （もっと読む）

【課題】コンタクトプラグの高抵抗不良の発生位置を特定できるようにすること。
【解決手段】半導体デバイス１のＰ型シリコン基板２にパルス信号（パルス波形の電圧）を印加する工程と、前記パルス信号を印加した状態で電子ビーム８を半導体デバイス１のコンタクトプラグ側の面に走査照射して電位波形画像を取得する工程と、電位波形画像に基づいて非導通箇所のコンタクトプラグ６ｃ又は高抵抗箇所のコンタクトプラグ６ｂを特定する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 デバイスへのダメージについて配慮した微小領域への触針に対応するプロービング装置及びプローブの触針検知法を提供することにある。また、荷電粒子線照射装置で実現が容易な触針検知法を有するプローブング装置を提供することにある。
【解決手段】 荷電粒子線照射光学系からの荷電粒子線でウェハ等の試料もしくは真空チャンバ内に配置した触針プローブからの二次粒子を用いた二次粒子粒子像の位置もしくは輝度の変化から触針プローブとウェハ等の試料の接触を検知することを特徴とし、特に触針測定部から離れた触針プローブの電位コントラストの変動、二次粒子像の結像点変動、機械的振動周期または振幅変動を用い荷電粒子照射によるデバイスダメージを抑制する事を特徴とする触針プローブ装置及び接触検知法。 （もっと読む）

【課題】 大口径ウェハ用の探針移動機構ならびにサイドエントリ型試料ステージを試料作製装置、不良検査装置に適用することで、小型で従来と同等の操作性を有する試料作製装置、評価装置を提供する。
【解決手段】 探針ならびにサイドエントリ型試料ステージを、上記イオンビーム照射光学軸とウェハ面の交点を通る傾斜角を持って真空容器を大気開放することなく真空容器に出し入れ可能とする真空導入手段を配した探針移動機構およびサイドエントリ型試料ステージ微動機構用い、さらにサイドエントリ型試料ステージの試料ホルダの試料片設置部分をウェハ面と平行とする回転自由度を有したサイドエントリ型試料ステージを用いる。
【効果】
真空容器の容積が必要最小限の設置面積の小さい小型で使い勝手の優れた、大口径ウェハ用の試料作製装置、評価装置が実現できる。 （もっと読む）

【課題】 プローブ先端の３次元的座標を迅速に把握する。
【解決手段】 第１の荷電粒子顕微鏡による顕微鏡画像３５及び第２の荷電粒子顕微鏡による顕微鏡画像３６を同時に又は切り替えて表示する画像表示手段と、第１の荷電粒子顕微鏡、第２の荷電粒子顕微鏡、ステージ制御系及びプローブ駆動機構を制御する計算処理部とを有し、計算処理部は、試料上の目標位置２３とプローブ６の先端とが入った第１の荷電粒子顕微鏡の顕微鏡画像と、試料上の目標位置とプローブの先端とが入った第２の荷電粒子顕微鏡の顕微鏡画像とから、目標位置に対するプローブの先端の３次元的な相対位置を求める。 （もっと読む）

【課題】 基板の不良や欠陥をより高感度で検査する。
【解決手段】 生成した電子ビーム３１０をビーム束３１１，３１２に分割して検査対象ＴＩおよび参照対象ＴＲにそれぞれ照射し、各対象から発生する二次電子等を集光してそれぞれ得られた二次ビーム３１５，３１６を重畳して結像し、像信号を検出し、二次ビーム３１５，３１６の各位相差に起因する干渉縞を用いて検査対象ＴＩの欠陥を検出する。 （もっと読む）

【課題】 電子ビーム等のプローブ照射により半導体基板等の測定サンプルに流れる微小電流を、低ノイズでかつ広周波数帯域で測定できる電流測定装置及び電流測定方法を提供する。
【解決手段】 電子ビーム１２等のプローブを測定サンプル４に照射したときに、その測定サンプル４に生じる電流を測定する手段を有する電流測定装置であって、測定サンプル４に流れる電流について増幅する増幅回路として、スイッチトキャパシタ電流増幅回路８を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの表面の二次電子像と設計データの画像を画像合成して観察位置を決める方法では、荷電粒子ビーム装置の倍率精度が位置特定精度に影響を与える課題があった。
【解決手段】第１の画面１２と第２の画面１３のどちらか一方の画面で所望位置を指示し、第１の画面１２の座標系と前記第２の画面１３の座標系が相互変換するための変換関数を用いて他方の画面で対応する位置を特定することで、前記どちらか一方の画面で指示した所望位置に対応する他方の画面での位置を特定できる。 （もっと読む）

【課題】 オープンで露出したソース電極またはドレイン電極を有するTFTの電気的特性を非接触の電流源を用いて、TFTへ悪影響（汚染、破壊等）を与えることなく検査する。

【解決手段】 本発明は、ソースまたはドレインのいずれか一方がオープンでかつ露出している電極に接続するTFTのアレイ１２が形成された基板１４の表面にイオン流を送るためのイオン流供給器１６、１８と、アレイ中の検査するTFTのゲート電極に動作電圧を供給するための制御回路２４と、検査TFTのオープンでないソースまたはドレインを介して動作電流を測定する測定回路２４と、を備えるTFTアレイ基板１４の検査装置１００を提供する。 （もっと読む）

【課題】
微細な回路配線パターンを含む試料の電気特性を測定する複数のプローブと荷電粒子線装置とを組み合わせた不良検査装置において、複数のプローブを単純に制御するためのＧＵＩを有する不良検査装置を提供する。
【解決手段】
不良検査装置は、複数のプローブを前記表示手段に表示するプローブ画像処理手段を有し、前記表示手段に表示した前記複数のプローブの内、操作のなされるプローブを選択する手段を有し、該プローブを選択する手段、選択されたプローブが操作可能なプローブであることおよび非選択状態のプローブであることを同時に表示する手段を有する。 （もっと読む）