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Fターム[2G132AL21]の内容

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【課題】 半導体集積回路装置の試験方法及び半導体集積回路装置に関し、所定の回路動作を行った状態のまま半導体集積回路装置側の操作で所望の温度に制御する。
【解決手段】 スクリーニング試験前の工程にて測定された半導体集積回路装置の回路毎の電源電流値或いは電流ランクのいずれかにより、前記半導体集積回路装置全体毎または個別の回路動作毎に、適切な周波数に周波数設定し、所望の発熱量になるよう発熱量の制御を行い、スクリーニング試験時に、所定の回路動作を行った状態のまま所望の温度に制御する。 (もっと読む)


【課題】プローブカードの熱変形の影響によるプローブのコンタクト位置ずれなどを防止した半導体検査装置を提供すること。
【解決手段】プローブカード1に、発熱体4aおよび4bと、発熱体4aおよび4bによって高温にされたプローブカード1表面の温度を計測する温度センサ6とが設けられる。測定装置7は、発熱体4aおよび4bに電流を印加する電流印加部8と、温度センサ6の電流値を計測することによって、プローブカード1表面の温度を計測する電流計測部9とを含み、電流計測部9によって計測された電流値に応じて、電流印加部8を制御することによりプローブカード1表面の温度を制御する。したがって、プローブカード1の表面温度を一定値に保つことができ、プローブカード1の熱変形の影響によるプローブ2のコンタクト位置ずれなどを防止することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】半導体ウエハの両面よりプローブを接触させて各半導体チップの特性を試験する試験装置において、所望の温度に半導体ウエハを加熱して各半導体チップを試験することができる試験装置を提案する。
【解決手段】両面にプローブを接触可能に半導体ウエハを保持し、この半導体ウエハの両面をそれぞれヒータ部により加熱し、この両面にそれぞれプローブを接続して当該半導体ウエハに設けられた半導体チップを試験する。 (もっと読む)


【課題】プローブカードに熱源を直に接触させて短時間でプローブカードを所定の温度に調整すると共に、熱的に安定したかを正確に判断することができるプローブカードの熱的安定化方法を提供する。
【解決手段】プローブカードの熱的安定化方法は、載置台に熱伝達用基板を載置し、載置台を介して熱伝達用基板の温度を調整する第1の工程と、載置台を上昇させて熱伝達用基板と複数のプローブを所定の目標荷重で接触させる第2の工程と、熱伝達用基板との間で熱を授受するプローブカードの熱的変化に即して変化する熱伝達用基板と複数のプローブとの接触荷重を検出する第3の工程と、プローブカードが熱的に安定するまで接触荷重が所定の目標荷重になるように昇降駆動機構を介して載置台を昇降制御する第4の工程と、を備えている。 (もっと読む)


【課題】ウエハの表面および裏面の両方からコンタクトする。
【解決手段】ウエハに形成された電子デバイスを試験する試験装置であって、ウエハが載置される弾性層と、弾性層上に設けられウエハの裏面に形成された電極パットに電気的に接続される複数の凸部とを有するステージと、ウエハをステージ上に固定する固定部材と、を備え、弾性層は、ウエハが固定部材により固定された場合に、複数の凸部のそれぞれを沈み込ませて、複数の凸部の周囲の面がウエハの裏面に接触する試験装置を提供する。 (もっと読む)


【課題】安定した電源電圧を供給する。
【解決手段】メイン電源10は、DUT1の電源端子P1に電力を供給する。電源補償回路20は、メイン電源10からDUT1に流れる電源電流IDDから、補償電流ICMP’をDUT1とは別経路に引きこむ。補償電流ICMP’は、それとDUT1の電源端子P1に流れ込む動作電流IOPとの和が実質的に一定となるように生成される。電源補償回路20は、試験状態においてDUT1と熱的に結合されるように配置される。 (もっと読む)


【課題】1台のハンドリング装置により1回で検査することができ、且つ再現性のある高精度な検査を行うことが可能な半導体装置の検査方法及び検査装置を提供することを目的としている。
【解決手段】半導体装置が所定温度となるまで前記半導体装置を加熱する第一の工程と、前記半導体装置の前記過熱保護機能以外の機能の検査を行う第二の工程と、前記半導体装置を自己発熱させ、前記半導体装置の過熱保護機能が作動したときに前記半導体装置の有するダイオードの順方向電圧を検出し、前記順方向電圧を用いて前記半導体装置の温度を算出する第三の工程と、前記第二の工程において算出された前記半導体装置の温度が前記過熱保護作動温度範囲にあるか否かを判定する第四の工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】試験対象とする半導体装置が高パワー半導体装置であっても、大規模な冷却手段を用いることなく、半導体装置の温度上昇を防ぎ、かつ、短時間で試験を行うことのできる試験装置及び試験方法を提供する。
【解決手段】それぞれ独立して動作する複数の機能ブロック31〜34を有する半導体装置30について試験を行う試験装置20であって、半導体装置の温度を測定する温度検出部22と、温度検出部が検出した温度に基づいて複数の機能ブロックのうち、並列に試験を行う前記機能ブロックの数を切り換える切換部21と、を備える。 (もっと読む)


【課題】 不揮発メモリを備えた端末装置で、不揮発メモリを脱着する場合でも、不揮発メモリの再書き込みを行う最適な時期を検出し、再書き込みを行う手段を提供する。
【解決手段】 端末装置は、装置内部の温度を検出し、検出した温度に応じて割り込み信号を出力する高温検出カウンタ回路を備え、不揮発メモリのブロックの管理領域には、データが書き込まれた時、及び装置が停止される直前のシステム時間とストレス加速時間とが記録され、装置が再起動される時には、装置が停止される直前のストレス加速時間から継続してストレス加速時間をカウントすることで、不揮発メモリを脱着する場合でも、不揮発メモリの再書き込みを行う最適な時期を検出し、再書き込みすることができる。 (もっと読む)


【課題】半導体チップを評価する技術を提供する。
【解決手段】
シリコン基板の一方の面に、複数領域からなる抵抗測温体としての金属配線膜101、及び、1つ又は複数領域からなるヒータとしての金属配線膜102の少なくとも何れかと、金属配線膜101及び金属配線膜102を実装基板と接続するための電極103と、が積層された半導体チップを実装基板に実装して、金属配線膜101を電流計及び電圧計と、金属配線膜102を電源と、電気的に接続することで、半導体チップの上記各領域における測温及び加熱、及び、その温度プロファイルが評価可能な評価システムを提供する。 (もっと読む)


【課題】スループットとコストの最適化を図ることができる電子部品試験装置を提供する。
【解決手段】電子部品試験装置1は、複数のテストセル20をそれぞれ有するセル群11A〜11Hから構成されるテストセルクラスタ10と、複数のテストセル20に試験用キャリア60を供給する搬送装置30と、を備えており、各テストセル20は、コンタクタ215と、真空ポンプ25に接続され、ポケット21の凹部211内を減圧することで外部端子73とコンタクタ215とを接触させる流路221と、ダイ90に造り込まれた電子回路のテストを実行するテスト回路23と、を有する。 (もっと読む)


【課題】疑似接触を簡便に解消することで、電気的検査によってクラック等の微少不良の検出を可能とする検査装置、及び検査方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板6の実装面上に電子部品10が実装された被検査部材の基板6と電子部品10との導電状態を検査する検査装置であって、被検査部材を保持する保持手段8と、温度勾配により電子部品10が反った状態になるよう電子部品10を選択的に加熱又は冷却する熱処理手段3,4と、電子部品10が反った状態で、電子部品10と基板6との導電状態を検査する検査手段1とを備えている。 (もっと読む)


【課題】温度制御性の高い試験装置を提供する。
【解決手段】試料載置ステージ13に対向して配置されるプローブカード17と、プローブカード17の開口部17hの下側に配置される複数のプローブ針18と、複数のプローブ針18の間の領域に配置される熱電対31と、プローブカード17の開口部17hの下に熱電対31の先端に接触して取り付けられる温度測定物32と、プローブカード17の開口部17hの上方に配置されるランプ42を有する発光器40とを備える。 (もっと読む)


【課題】 プローブ基板の温度制御範囲を小さくして、プローブ基板の温度制御を容易にすることにある。
【解決手段】 電気的接続装置は、下面を有する支持体と、該支持体の下面に組み付けられて、該支持体に支持されたプローブ基板と、該プローブ基板の下面に取り付けられた複数の接触子とを含む。プローブ基板は電力を受けて発熱する発熱体を備え、プローブ基板は、10ppm/°C以上の熱膨張率を有する。 (もっと読む)


【課題】半導体集積回路の電気的特性検査用の治具に用いられるプローブカードを正確、迅速、且つ容易にメンテナンスすることができるプローブカードのメンテナンス方法を提供する。
【解決手段】プローブカード及びプローブカードに設置されたプローブを電気的特性検査における検査温度と同一の温度まで加熱し、プローブカード及び複数のプローブを当該検査温度に維持しつつ、複数のプローブのそれぞれの位置調整を行う。 (もっと読む)


【課題】 試験環境における余分な熱を導出する。
【解決手段】 半導体素子の試験装置10Aであって、複数の上部ガイド孔22Aを有する上部ガイド板20Aと、複数の下部ガイド孔32Aを有する下部ガイド板30Aと、上部ガイド孔22Aおよび下部ガイド孔32A内に設けられている複数本のバーチカル型探針40Aと、温度調整モジュール50とを備えている。上部ガイド板20Aと下部ガイド板30Aとの間には所定領域26Aが介在されており、温度調整モジュール50は、流体54を所定領域26Aに供給するように構成されている少なくとも一つの流体管路52を備えている。 (もっと読む)


【課題】 プローブカードを効果的に所定の温度に加熱することができるようにすることにある。
【解決手段】 集積回路の試験方法は、前記集積回路を受けるチャックトップが前記集積回路に対し電気信号の授受を行うプローブカードの近傍に存在するか否か、前記集積回路の試験中であるか否か、及び前記プローブカードが所定の温度を有するか否かを含むグループから選択される少なくとも1つを判定する第1のステップと、該第1のステップにおける判定結果に応じて前記プローブカードに備えられた発熱体に供給する加熱電力を調整する第2のステップとを含む。 (もっと読む)


【課題】半導体デバイスをより正確な温度条件の下で、効率的に試験することができるテストチャンバを提供する。
【解決手段】温度調整手段は、半導体デバイスDが装着された各ソケットボードSBを予熱する予熱部50と、該予熱部50と連通して各試験ユニットU1〜U5内の温度を予熱部50と同等に保つ温度保持手段(ダクト100)と、検査済みの半導体デバイスDが装着された各ソケットボードSBを除熱する除熱部60とを備える。 (もっと読む)


【課題】テストボードに霜が生じることで発生していたLeak不良やテストボードの故障といった不都合のない半導体装置の試験装置を提供する。
【解決手段】テストボード2と、前記テストボード2に搭載された支持台4と、前記支持台4に設けられ、前記テストボード2と配線3によって電気的に接続され、被試験半導体装置を着脱自在に装着可能なソケット5と、前記ソケット5に向かって冷風を排出する冷却装置6と、前記配線3に向かって温風22を排出する除湿装置7とを備えていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】レーザ光によるクリーニング装置において、対象物に熱溶融ダメージを与えることなく付着物を除去すること。
【解決手段】プローブクリーニング装置1は、プローブ21に対してレーザ光を照射してプローブの付着物を除去する際に、プローブ21の素材や形状などの情報に基づいてクリーニング条件データベース13を参照し、レーザ照射の出力、パルス間隔、波長、パルス幅などを制御することにより、プローブに熱によるダメージを与えることなく付着物を除去する。 (もっと読む)


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