【課題】良好な形状で、ＬＷＲの小さいレジストパターンを形成でき、基板とのマッチングが良好なポジ型レジスト組成物、及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するポジ型レジスト組成物であって、前記基材成分（Ａ）が、末端にカルボキシル基を有する脂肪族炭化水素基を含む特定のアクリル酸系エステルから誘導される構成単位（ａ０）、酸解離性溶解抑制基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ１）を少なくとも２種、及びラクトン含有環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ２）を有する高分子化合物（Ａ１）を含有するポジ型レジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィーで用いられる少なくとも３層を有する多層レジスト膜のレジスト下層膜の形成方法であって、反射率を低減でき、エッチング耐性が高く、高い耐熱性、耐溶媒性を有し、アウトガスの発生を防ぎ、特に基板のエッチング中によれの発生がないレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜形成方法及びこれを用いたパターン形成方法の提供。
【解決手段】リソグラフィーで用いられる少なくとも３層を有する多層レジスト膜のレジスト下層膜の形成方法であって、ビスナフトール基を有する化合物を含有するレジスト下層膜材料を基板上にコーティングし、該コーティングしたレジスト下層膜材料を３００℃を超え、６００℃以下の温度で、１０秒〜６００秒間の範囲で熱処理して硬化させることを特徴とするレジスト下層膜形成方法。 （もっと読む）

【課題】ＩＣ等の半導体製造、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにその他のフォトファブリケーション工程に使用される高分子化合物の原料として有用な新規重合性化合物、それに対応するユニットを有する高分子化合物であり、溶剤溶解性、現像液への親和性に優れた高分子化合物および該高分子化合物を製造する為の新規重合性化合物を提供する。
【解決手段】溶剤溶解性、現像液への親和性に優れた高分子化合物および該高分子化合物を製造する為の特定のラクトン構造を有する新規重合性化合物。 （もっと読む）

【課題】有機溶剤への溶解性に優れ、良好なリソグラフィー特性を示す高分子化合物、当該高分子化合物を用いたポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）及び酸発生剤成分（Ｂ）を有機溶剤（Ｓ）に溶解してなり、基材成分（Ａ）が、スルホニル基を含む環式基を側鎖に含有するアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ０）と、酸解離性溶解抑制基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ１）と、特定構造を有する（メタ）アクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ５）とを有する高分子化合物（Ａ１）を含有するポジ型レジスト組成物。 （もっと読む）

【解決手段】被加工基板上に、酸不安定基含有繰り返し単位を有する樹脂、光酸発生剤又は光酸発生剤と熱酸発生剤、及び有機溶剤を含有する化学増幅ポジ型レジスト材料を塗布し、溶剤除去するレジスト膜形成工程、格子状のシフターが配列された位相シフトマスクを用い高エネルギー線で露光後加熱し、酸不安定基に脱離反応させた後、現像しポジ型パターンを得る工程、露光又は加熱し、酸不安定基を脱離させアルカリ溶解性を向上させ、架橋形成により有機溶剤耐性を与える工程、反転用膜形成用組成物による反転用膜形成工程、ポジ型パターンをアルカリ性ウェットエッチング液で溶解除去する工程を含むポジネガ反転を用いたパターン形成方法。
【効果】本発明のパターン形成方法によれば、解像性やプロセスマージンが拡大し、スループットが高く、ドライ現像のためのエッチング装置が不要で、ダブルダイポールリソグラフィーと同等の解像力が得られる。 （もっと読む）

【課題】レジスト組成物の基材成分として新規な高分子化合物、そのモノマー、及び当該高分子化合物を含有するレジスト組成物とそれを用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）と酸発生剤成分（Ｂ）を含有し、基材成分（Ａ）が、側鎖に、環骨格中にスルホニル基を含む環式基を有するエステル基を有する（メタ）アクリル誘導体単位で表される構成単位（ａ０）を有する高分子化合物（Ａ０）を含有するレジスト組成物。 （もっと読む）

【解決手段】被加工基板上に、酸不安定基含有繰り返し単位を有する樹脂、光酸発生剤又は光酸発生剤と熱酸発生剤、及び有機溶剤を含有する化学増幅ポジ型レジスト材料を塗布、溶剤除去するレジスト膜形成工程、クロムレスのシフターが配列された位相シフトマスクを用い高エネルギー線で露光後加熱し、酸不安定基に脱離反応させた後、現像しポジ型パターンを得る工程、露光又は加熱し、酸不安定基を脱離させアルカリ溶解性を向上させ、架橋形成により有機溶剤耐性を与える工程、反転用膜形成用組成物による反転用膜形成工程、ポジ型パターンをアルカリ性ウェットエッチング液で溶解除去する工程を含むポジネガ反転を用いたパターン形成方法。
【効果】本発明のパターン形成方法によれば、解像性やプロセスマージンが拡大し、スループットが高く、ドライ現像のためのエッチング装置が不要で、ダブルダイポールリソグラフィーと同等の解像力が得られる。 （もっと読む）

【解決手段】被加工基板上に、酸不安定基含有繰り返し単位を有する樹脂、光酸発生剤又はこれと熱酸発生剤、及び有機溶剤を含有する化学増幅ポジ型レジスト材料を塗布し、レジスト膜を形成する工程、高エネルギー線のパターンを露光後加熱し、酸不安定基に脱離反応させ、現像してポジ型パターンを得る工程、露光又は加熱し、上記樹脂の酸不安定基を脱離させ、架橋形成し、ポジ型パターンに有機溶剤への耐性を与える工程、反転用膜形成用組成物による反転用膜形成工程、スペースパターン形成工程、スペースパターンを縮小させる工程を含むポジネガ反転を用いたパターン形成方法。
【効果】本発明によれば、ポジ型パターンにダメージを与えることなく、間隙に反転用膜形成用組成物を埋め込み、簡易かつ高精度にポジネガ反転を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】カルボキシル基を有するカリックスレゾルシナレン化合物を、少ない反応工程で得られる製造方法を提供する。
【解決手段】酸触媒下、下記式（１）で表わされるアルデヒド化合物と、下記式（２）で表わされる芳香族化合物を縮合反応させる工程を含む、下記式（３）で表わされる環状化合物の製造方法。
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【課題】焦点深度が広く、ＬＷＲが小さく、現像時の溶け残りが少なく現像欠陥が発生し難い感放射線性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】一般式（１）で表される繰り返し単位（１）（Ｒ^１はメチル基等、Ｒ^２は炭素数１〜４の直鎖状又は分岐状のアルキル基等）、一般式（２）で表される繰り返し単位（２）（Ｒ^３はメチル基等、Ｒ^４は炭素数１〜４の直鎖状又は分岐状のアルキル基等）、及び環状炭酸エステル構造を有する繰り返し単位（３）を含む重合体（Ａ）と、感放射線性の酸発生剤（Ｂ）と、を含有する感放射線性樹脂組成物である。
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【課題】酸の拡散の選択性及び除去性に優れた酸転写樹脂膜が得られる酸転写樹脂膜形成用組成物、これを用いてなる酸転写樹脂膜、及びこの酸転写樹脂膜を用いて既存のフォトリソプロセスによりパターン形成できるパターン形成方法を提供する。
【解決手段】イミノスルホネート系感放射線性酸発生剤、及び式（１）に示す構成単位を有する重合体、を含有する組成物。この組成物を用いてなる酸転写樹脂膜。酸解離性基を有する樹脂を含有し且つ感放射線性酸発生剤を含有しない第１樹脂膜上に、上記酸転写樹脂膜としての第２樹脂膜を形成する第２樹脂膜形成工程を備えるパターン形成方法。
【化１】
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【解決手段】ヒドロキシナフチル基及び／又はヒドロキシアセナフチレンを有する繰り返し単位と酸によりアルカリ溶解性が向上する繰り返し単位とを共重合してなる高分子化合物を含む第１のポジ型レジスト材料で基板上に第１のレジスト膜を形成し、加熱処理後に上記レジスト膜を露光、現像し、その後高エネルギー線照射により第１のレジスト膜を架橋硬化させ、その上に第２のポジ型レジスト材料を基板上に塗布して第２のレジスト膜を形成し、加熱処理後に高エネルギー線で上記第２のレジスト膜を露光、現像する工程を有するパターン形成方法。
【効果】本発明によれば、第１のポジ型レジスト材料を用い第１パターンを形成後、波長２００nmを超え３２０nm以下の高エネルギー線による架橋反応によりアルカリ現像液とレジスト溶液に不溶化する。その上に第２のレジスト材料で第２パターンを形成することでパターン間のピッチを半分にするダブルパターニングを行える。 （もっと読む）

【課題】 超微細領域での、特に、電子線、Ｘ線またはＥＵＶ光リソグラフィにおいて、現像前のレジスト表面が親水性と疎水性の凸凹構造を持つことによる撥水化を抑制し、ムラなく均一に現像が進行するようにすることで、抜け性の向上による高解像性とアウトガス低減を同時に実現するパターン形成を可能とするリソグラフィ用基板被覆方法、及びその方法に用い得るポジ型レジスト組成物を提供すること。
【解決手段】 リソグラフィプロセスにおいて基板上に膜を被覆する工程と、該膜上にトップコート層を設ける工程を含むリソグラフィ用基板被覆方法であって、前記膜が、活性光線または放射線の照射により分解して酸を発生する繰り返し単位（Ａ）を有する樹脂（Ｐ）を含有する感活性光線または感放射線性樹脂組成物を用いて形成されることを特徴とする、リソグラフィ用基板被覆方法。 （もっと読む）

【課題】良好な形状のレジストパターンを形成できるレジスト組成物、および該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）、および含窒素化合物（Ｄ）を含有するレジスト組成物であって、前記含窒素有機化合物（Ｄ）が、アンモニウム塩化合物であって、アニオンが、下記式（ｄ１−１）〜（ｄ１−３）のいずれかで表されるアニオンであることを特徴とするレジスト組成物。
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【課題】高感度、高解像度のフォトレジスト材料を提供する。
【解決手段】下記化合物（１）と、下記化合物（２）からなり、モル比率が化合物（１）：化合物（２）＝１５：８５〜７０：３０である組成物。
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【課題】感活性光線または感放射線性樹脂組成物、特に、電子線、Ｘ線またはＥＵＶ光リソグラフィー用のレジスト組成物において、レジスト保存中に発生する酸によるレジスト性能の変化を抑制しつつ、超微細領域で高感度かつ露光ラチチュードの広いパターンを形成可能なポジ型レジスト組成物を提供すること。
【解決手段】活性光線または放射線の照射により分解して酸を発生する繰り返し単位（Ａ）と、酸の作用により分解し、アルカリ水溶液に対する溶解性が増大する構造を有する繰り返し単位（Ｂ）を有する樹脂（Ｐ）、および、塩基性化合物（Ｑ）を含有する感活性光線または感放射線性樹脂組成物であり、該塩基性化合物（Ｑ）の１２０℃で１５分間保持した際の揮発量が１０質量％以上であることを特徴とする感活性光線または感放射線性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】焦点深度が広く、ＬＷＲ及びＭＥＥＦが小さく、パターン倒れ特性に優れ、かつ、現像欠陥性能にも優れる感放射線性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】下記一般式(１)および（２）で表される繰り返し単位と、カーボネート構造を有する繰り返し単位（３）をそれぞれ１種類以上含むことを特徴とする重合体（Ａ）、ならびに感放射線性酸発生剤（Ｂ）を含有する感放射線性樹脂組成物。
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【課題】超微細領域での、特に、電子線、Ｘ線またはＥＵＶ光リソグラフィにおいて、現像前のレジスト表面が親水性と疎水性の凸凹構造を持つことによる撥水化を抑制し、ムラなく均一に現像が進行するようにすることで、高解像性、良好なパターン形状、良好なラインエッジラフネスを与え、かつアウトガス低減を同時に実現するパターン形成を可能とするリソグラフィ用基板被覆方法、およびこれに好適な感活性光線または感放射線性樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】感活性光線または感放射線性樹脂組成物を用いて基板上に膜を被覆する工程と、該膜上に、トップコート組成物を用いてトップコート層を形成する工程を含むリソグラフィ用基板被覆方法であって、前記感活性光線または感放射線性樹脂組成物として、（Ｂ）活性光線または放射線の照射により分解して酸を発生する化合物を、該組成物中の全固形分に対し少なくとも１０質量％含有する感活性光線または感放射線性樹脂組成物を用いることを特徴とするリソグラフィ用基板被覆方法。 （もっと読む）

【課題】保存安定性に優れており、Ｓｉ含有量が多く且つレジスト材料の染み込み量が少ないシリコン含有膜を形成することができると共に、裾引き等のないボトム形状に優れるレジストパターンを安定して形成することができる多層レジストプロセス用シリコン含有膜形成用組成物及びシリコン含有膜並びにパターン形成方法を提供する。
【解決手段】本シリコン含有膜形成用組成物は、（Ａ）シラノール基を有するポリシロキサンと、（Ｂ）２つ以上のオキセタニル基を有するオキセタニル基含有化合物と、（Ｃ）有機溶媒と、を含有する。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィーで用いられる少なくとも３層を有する多層レジスト膜のレジスト下層膜の形成方法であって、反射率を低減でき、エッチング耐性が高く、高い耐熱性、耐溶媒性を有し、特に基板のエッチング中によれの発生がないレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜形成方法及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】リソグラフィーで用いられる少なくとも３層を有する多層レジスト膜のレジスト下層膜の形成方法であって、ビスナフトール基を有する化合物を含有するレジスト下層膜材料を基板上にコーティングし、該コーティングしたレジスト下層膜材料を３００℃を超え、６００℃以下の温度で、１０秒〜６００秒間の範囲で熱処理して硬化させることを特徴とするレジスト下層膜形成方法。 （もっと読む）