【解決手段】被加工基板上に、酸不安定基含有繰り返し単位を有する樹脂、光酸発生剤又は光酸発生剤と熱酸発生剤、及び有機溶剤を含有する化学増幅ポジ型レジスト材料を塗布、溶剤除去するレジスト膜形成工程、クロムレスのシフターが配列された位相シフトマスクを用い高エネルギー線で露光後加熱し、酸不安定基に脱離反応させた後、現像しポジ型パターンを得る工程、露光又は加熱し、酸不安定基を脱離させアルカリ溶解性を向上させ、架橋形成により有機溶剤耐性を与える工程、反転用膜形成用組成物による反転用膜形成工程、ポジ型パターンをアルカリ性ウェットエッチング液で溶解除去する工程を含むポジネガ反転を用いたパターン形成方法。
【効果】本発明のパターン形成方法によれば、解像性やプロセスマージンが拡大し、スループットが高く、ドライ現像のためのエッチング装置が不要で、ダブルダイポールリソグラフィーと同等の解像力が得られる。 （もっと読む）

【解決手段】被加工基板上に、酸不安定基含有繰り返し単位を有する樹脂、光酸発生剤又はこれと熱酸発生剤、及び有機溶剤を含有する化学増幅ポジ型レジスト材料を塗布し、レジスト膜を形成する工程、高エネルギー線のパターンを露光後加熱し、酸不安定基に脱離反応させ、現像してポジ型パターンを得る工程、露光又は加熱し、上記樹脂の酸不安定基を脱離させ、架橋形成し、ポジ型パターンに有機溶剤への耐性を与える工程、反転用膜形成用組成物による反転用膜形成工程、スペースパターン形成工程、スペースパターンを縮小させる工程を含むポジネガ反転を用いたパターン形成方法。
【効果】本発明によれば、ポジ型パターンにダメージを与えることなく、間隙に反転用膜形成用組成物を埋め込み、簡易かつ高精度にポジネガ反転を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】焦点深度が広く、ＬＷＲ及びＭＥＥＦが小さく、パターン倒れ特性に優れ、かつ、現像欠陥性能にも優れる感放射線性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】下記一般式(１)および（２）で表される繰り返し単位と、カーボネート構造を有する繰り返し単位（３）をそれぞれ１種類以上含むことを特徴とする重合体（Ａ）、ならびに感放射線性酸発生剤（Ｂ）を含有する感放射線性樹脂組成物。
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【課題】リソグラフィーで用いられる少なくとも３層を有する多層レジスト膜のレジスト下層膜の形成方法であって、反射率を低減でき、エッチング耐性が高く、高い耐熱性、耐溶媒性を有し、特に基板のエッチング中によれの発生がないレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜形成方法及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】リソグラフィーで用いられる少なくとも３層を有する多層レジスト膜のレジスト下層膜の形成方法であって、ビスナフトール基を有する化合物を含有するレジスト下層膜材料を基板上にコーティングし、該コーティングしたレジスト下層膜材料を３００℃を超え、６００℃以下の温度で、１０秒〜６００秒間の範囲で熱処理して硬化させることを特徴とするレジスト下層膜形成方法。 （もっと読む）

【課題】良好な形状のレジストパターンを形成できるレジスト組成物、および該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）、および含窒素化合物（Ｄ）を含有するレジスト組成物であって、前記含窒素有機化合物（Ｄ）が、アンモニウム塩化合物であって、アニオンが、下記式（ｄ１−１）〜（ｄ１−３）のいずれかで表されるアニオンであることを特徴とするレジスト組成物。
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【課題】焦点深度が広く、ＬＷＲが小さく、現像時の溶け残りが少なく現像欠陥が発生し難い感放射線性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】一般式（１）で表される繰り返し単位（１）（Ｒ^１はメチル基等、Ｒ^２は炭素数１〜４の直鎖状又は分岐状のアルキル基等）、一般式（２）で表される繰り返し単位（２）（Ｒ^３はメチル基等、Ｒ^４は炭素数１〜４の直鎖状又は分岐状のアルキル基等）、及び環状炭酸エステル構造を有する繰り返し単位（３）を含む重合体（Ａ）と、感放射線性の酸発生剤（Ｂ）と、を含有する感放射線性樹脂組成物である。
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【課題】酸の拡散の選択性及び除去性に優れた酸転写樹脂膜が得られる酸転写樹脂膜形成用組成物、これを用いてなる酸転写樹脂膜、及びこの酸転写樹脂膜を用いて既存のフォトリソプロセスによりパターン形成できるパターン形成方法を提供する。
【解決手段】イミノスルホネート系感放射線性酸発生剤、及び式（１）に示す構成単位を有する重合体、を含有する組成物。この組成物を用いてなる酸転写樹脂膜。酸解離性基を有する樹脂を含有し且つ感放射線性酸発生剤を含有しない第１樹脂膜上に、上記酸転写樹脂膜としての第２樹脂膜を形成する第２樹脂膜形成工程を備えるパターン形成方法。
【化１】
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【解決手段】ヒドロキシナフチル基及び／又はヒドロキシアセナフチレンを有する繰り返し単位と酸によりアルカリ溶解性が向上する繰り返し単位とを共重合してなる高分子化合物を含む第１のポジ型レジスト材料で基板上に第１のレジスト膜を形成し、加熱処理後に上記レジスト膜を露光、現像し、その後高エネルギー線照射により第１のレジスト膜を架橋硬化させ、その上に第２のポジ型レジスト材料を基板上に塗布して第２のレジスト膜を形成し、加熱処理後に高エネルギー線で上記第２のレジスト膜を露光、現像する工程を有するパターン形成方法。
【効果】本発明によれば、第１のポジ型レジスト材料を用い第１パターンを形成後、波長２００nmを超え３２０nm以下の高エネルギー線による架橋反応によりアルカリ現像液とレジスト溶液に不溶化する。その上に第２のレジスト材料で第２パターンを形成することでパターン間のピッチを半分にするダブルパターニングを行える。 （もっと読む）

【課題】良好な形状のレジストパターンを形成できるレジスト組成物、および該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）、および含窒素化合物（Ｄ）を含有するレジスト組成物であって、前記含窒素有機化合物（Ｄ）が、下記一般式（ｄ１）［式中、Ｒ^１〜Ｒ^４はそれぞれ独立に置換基を有していてもよいアルキル基であり、Ｒ^５は置換基を有していてもよい炭化水素基である。］で表される化合物（Ｄ１）を含有することを特徴とするレジスト組成物。
［化１］
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【課題】超薄膜のレジスト膜において、リソグラフィー特性が向上し、良好な形状の微細なレジストパターンを形成することができるレジスト組成物およびレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）とを有機溶剤（Ｓ）に溶解してなるレジスト組成物であって、前記有機溶剤（Ｓ）は少なくとも下記３成分の有機溶剤成分（Ｓ１）〜（Ｓ３）を含有し、かつ前記有機溶剤（Ｓ）中の有機溶剤成分（Ｓ１）〜（Ｓ３）の割合が、前記（Ｓ）成分を構成する全有機溶剤成分の合計に対して、それぞれ、５０〜９０質量％の範囲、５〜４０質量％の範囲、０．１〜１５質量％の範囲であることを特徴とするレジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】レジスト用樹脂等に応用した場合に耐薬品性等の安定性を保持しつつ、有機溶剤に対する溶解性に優れ、加水分解性及び／又は加水分解後の水に対する溶解性を向上しうる、高機能性高分子等のモノマー成分等として有用な新規なラクトン骨格を含む単量体を提供する。
【解決手段】下記式（１）
【化１】


（式中、Ｒ^aは水素原子、ハロゲン原子、又は置換基を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基を示し、Ｒ¹はラクトン骨格を有する基を示し、Ｙは炭素数１〜６の２価の有機基を示す）
で表されるラクトン骨格を含む単量体。 （もっと読む）

【解決手段】被加工基板上に酸不安定基を有する繰り返し単位を有し、酸不安定基の脱離によりアルカリ性現像液に可溶になる樹脂、光酸発生剤又は熱酸発生剤、及び有機溶剤を含有する化学増幅ポジ型レジスト膜形成用組成物でレジスト膜を形成する工程、該膜に高エネルギー線の繰り返し密集パターンを露光し、未露光部を露光、加熱し、発生酸を樹脂の酸不安定基に作用させ、露光部の樹脂の酸不安定基に脱離反応させた後、現像してポジ型パターンを得る工程、ポジ型パターンを露光又は加熱して、樹脂の酸不安定基を脱離させ、架橋を形成させてポジ型パターンに有機溶剤への耐性を与える工程、反転用膜形成工程、上記架橋形成ポジ型パターンを溶解除去する工程を含むポジネガ反転を用いたレジストパターン形成方法。
【効果】本発明によれば、ポジ型パターン上に反転用膜を成膜し、パターンにダメージを与えずにポジ型パターンの間隙に反転用膜形成用材料を埋め込められ、簡易な工程で高精度なポジネガ反転を行える。 （もっと読む）

【課題】耐薬品性、有機溶剤に対する溶解性に優れ、加水分解性及び／又は加水分解後の水に対する溶解性を向上できる新規なラクトン骨格を含む高分子化合物を提供。
【解決手段】下記式（Ｉ）


（式中、Ｒ^aは水素原子等を示し、Ａは炭素数１〜６のアルキレン基等を示し、Ｙは炭素数５以上の２価の有機基を示す）で表されるラクトン骨格を含むモノマー単位と、酸の作用により脱離してアルカリ可溶となるモノマー単位を含む高分子化合物。 （もっと読む）

【課題】３００ｎｍ以下の波長の高エネルギー線又は電子線を用いてパターンを形成するレジスト組成物のベース樹脂に矩形性のよいパターンが形成できる新規な酸性基を有する繰り返し単位を導入する。
【解決手段】下記一般式（２）で示される繰り返し単位（ａ）を含む重量平均分子量１，０００〜１，０００，０００の含フッ素高分子化合物。
【化】



（式中、Ｒ¹は重合性二重結合含有基、Ｒ²はフッ素原子または含フッ素アルキル基、Ｒ³及は水素原子、酸不安定性基、架橋基またはその他の一価の有機基、Ｗ¹は連結基を表す。） （もっと読む）

【課題】高い解像性で、ＬＷＲが小さく、良好な形状のレジストパターンを形成できるポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）、および露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するポジ型レジスト組成物であって、前記基材成分（Ａ）が、側鎖にヒドロキシ基含有ナフタレン誘導体基を有する構成単位（ａ１０）、側鎖に酸解離性基を有する構成単位（ａ１１）および側鎖に酸解離性基含有エステル基を有する構成単位（ａ１２）を有する高分子化合物（Ａ１）を含有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】レジスト材料の溶解性が良好であり、優れたリソグラフィー特性を示し、良好な形状のレジストパターンを形成できるアルコール系有機溶剤を用いたポジ型レジスト組成物、および該ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）とが、有機溶剤（Ｓ）に溶解してなり、前記有機溶剤（Ｓ）がアルコール系有機溶剤であり、前記樹脂成分（Ａ）が、側鎖に、ＯＨ基を有する炭素数４〜６の環状エーテルを有する構成単位（ａ０−１）、側鎖に、ＯＨ基を有するアルキレン基または脂肪族環式基を有する構成単位（ａ０−２）、および酸解離性溶解抑制基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ１）を有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】従来と同じプロセスで成膜可能で、その反射防止膜は効果的に露光光の反射を防止し、更に、高いドライエッチング速度を兼ね備え、微細パターン形成に有用である有機反射防止形成材料を提供する。
【解決手段】一般式(１)で示される繰り返し単位を１種以上有し、露光波長における消光係数(ｋ値)が０．０１〜０．４、屈折率(ｎ値)が１．４〜２．１の範囲の高分子化合物(Ａ)と、芳香環を有し、露光波長における消光係数(ｋ値)が０．３〜１．２の範囲の高分子化合物(Ｂ)とをそれぞれ１種以上含有する反射防止膜形成材料。
（もっと読む）

【課題】レジスト重合体を提供する。
【解決手段】式ＣＦ_２＝ＣＦＣＦ_２Ｃ（Ｘ^Ａ）（Ｃ（Ｏ）ＯＺ^Ａ）（ＣＨ_２）_ｎａＣＲ^Ａ＝ＣＨＲ^Ａで表される化合物の重合により形成された繰り返し単位（Ａ）を含むレジスト重合体（ただし、Ｘ^Ａは水素原子、シアノ基または式−Ｃ（Ｏ）ＯＺ^Ａで表される基を示し、Ｚ^Ａは水素原子または炭素数１〜２０の１価有機基を示し、ｎａは０、１または２を示し、Ｒ^Ａは水素原子または炭素数１〜２０の１価有機基であって、２個のＲ^Ａは同一であってもよく異なっていてもよい。）。 （もっと読む）

【課題】現像時、アルカリ現像液に対して均一に溶解するフォトレジスト用高分子化合物の製造方法、その方法により得られるフォトレジスト用高分子化合物、及びそれを含むフォトレジスト用組成物を提供する。
【解決手段】エチレン性二重結合を有する２種以上の重合性化合物を、ラジカル重合することにより半導体素子製造向けフォトレジスト用高分子化合物を製造する方法において、内部に静的攪拌器を内蔵した管状反応器を用い、有機溶媒中に前記２種以上の重合性化合物を含有する混合溶液を連続的に通して重合することを特徴とするフォトレジスト用高分子化合物の製造方法、その方法で得られるフォトレジスト用高分子化合物、並びにフォトレジスト用高分子化合物を含むフォトレジスト用組成物である。 （もっと読む）

【課題】高集積かつ高精度な電子デバイスを製造するための高精度な微細パターンをより安定的に形成するために、線幅バラツキ(LWR)、露光ラチチュード(EL)及びフォーカス余裕度(DOF)に優れるネガ型現像用レジスト組成物、及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）酸分解性繰り返し単位を有し、酸の作用により極性が増大してネガ型現像液に対する溶解度が減少する樹脂と、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により、１個または２個のフッ素原子を有する酸を発生する光酸発生剤と、（Ｃ）溶剤とを含有することを特徴とするネガ型現像用レジスト組成物。 （もっと読む）