【課題】電圧駆動特性を向上させることで、必要な光変調量を保ちながら、駆動電圧を低減でき、読み取り・書き込みエラーが生じないようにする。
【解決手段】空間光変調器は、磁気光学効果により入射光の偏光方向に回転を与える多数の画素を備えている磁気光学層１０と、各画素に個別に応力を印加する多数の応力付与要素を備えている圧電層１２を具備している。磁気光学層は、非磁性基板１６に磁性膜からなる画素１４が縦横規則的に配列された２次元アレイ構造であり、圧電層は、基板側に位置し反射膜を兼ねる下部電極２０、圧電素子層２２、上部電極２４が順に積層され、下部電極と上部電極が画素の部分で交差して応力付与要素を形成するマトリックス配線方式である。ここで各画素となる磁性層は、その膜厚が０．３〜２．２μｍに設定されている。 （もっと読む）

【課題】画素間のばらつきが少なく、応答速度の優れた磁気光学式の空間光変調器を提供する。
【解決手段】透明な基板７上に２次元配列された複数の画素４を備え、基板７側から入射した光を反射させて出射する空間光変調器１であって、画素４は、入射した光をその偏光方向を変化させて出射する光変調素子５と、その下の加熱成膜にて形成された結晶性の透明電極材料を含む下部電極３と、光変調素子５上の金属電極材料からなる上部電極２とを備える。基板７を透過して画素４に入射した光は、下部電極３をさらに透過して光変調素子５に入射し、さらに光変調素子５を透過した光は上部電極２で反射して、再び光変調素子５、下部電極３、および基板７を透過して出射する。 （もっと読む）

【課題】高速レベル等価動作を実現し、集積性および生産性を向上させる。
【解決手段】光レベル等価器は、入力光を任意の強度に減衰させて出力する可変光減衰器１−２と、入力光を分岐させる光タップ１−６と、光タップ１−６によって分岐された光の強度を検出する光検出器１−３と、光検出器１−３で検出された光強度に応じて可変光減衰器１−２の光減衰率を制御する制御用電子回路１−４とを、ワンチップに集積した構造を有する。可変光減衰器１−２は、シリコン光導波路を用いた導波路型可変光減衰器である。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、接着層の厚さにかかわらず一定の厚さの均一度を得られ、電気光学素子の機械強度と光ビームの品質を両立させ、厚さにかかわらず素子の性能を保証する上で最適な接着剤の選択の自由度を確保可能な、電気光学素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の電気光学素子は電気光学材料で形成されている第１、第２の基板を接着剤で接着して構成し、接着剤には第１の基板と第２の基板のギャップを規定するギャップ部材が混合されている。 （もっと読む）

【課題】温度特性が優れ、かつ角型ヒステリシスを示すファラデー回転子の製法とそのファラデー回転子を提供することを目的とする。
【解決手段】Ｃａを含んだ化学式Ｔｂ_ｙＹｂ_ｘＣａ_ｗＢｉ_{３−ｘ−ｙ−ｗ}Ｆｅ_５−ｚＧａ_ｚＯ_１２、または化学式Ｔｂ_ｙＨｏ_ｘＣａ_ｗＢｉ_{３−ｘ−ｙ−ｗ}Ｆｅ_５−ｚＧａ_ｚＯ_１２で示されるビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶を、金るつぼを使った液相エピタキシャル法にて育成することで、温度特性０．０７５ｄｅｇ／℃以下が達成された。 （もっと読む）

【課題】それぞれの位相変調領域が電気的に分離され、かつ高い光透過率を有する半導体マッハツェンダー光変調器及びその製造方法並びに半導体光集積素子及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、基板１１上にコア層１３と上部クラッド層１５とが積層されている。その上には、光導波路１ａ及び１ｂ、ＭＭＩ分波器２ａ、ＭＭＩ合波器２ｂを備える。光導波路１ａ及び１ｂには位相変調領域が設けられている。ＭＭＩ分波器２ａから出射された光は、光導波路１ａ及び１ｂで位相変調され、ＭＭＩ合波器２ｂへ出射する。また、光導波路１ａ及び１ｂの両側にコア層１３を貫通して形成された２本のトレンチ５に挟まれたメサ部１９が形成されている。なお、光導波路１ａ及び１ｂは、位相変調領域とＭＭＩ分波器２ａ及び位相変調領域とＭＭＩ合波器２ｂとの間で長さＬｇａｐの分離溝Ｇａｐで分離されている。 （もっと読む）

【課題】２値の電気信号で光変調手段を駆動し、光変調手段の出力光信号のベクトル加算により多値の光信号を生成する光変調器において、ベクトル合成に伴う原理過剰損失を低減して光損失を小さくすること。
【解決手段】２並列のQPSK変調器を入力側及び出力側の非対称カプラで接続している。入力側非対称カプラは２本の出力ポートを備え、メイン入力ポートから光を順方向入力するとアーム１及び２に光強度分岐比2:1で分岐する。出力側非対称カプラは２本の入力ポートを備え、メイン出力ポートから光を逆方向入力するとアーム１及び２に光強度分岐比2:1（67%:33%）で分岐する。各アームを経由し出力側非対称カプラにおいてベクトル加算される各QPSK変調器の出力光信号の位相差θを０とする。本構成により、各QPSK変調器からの出力QPSK信号を電場振幅比2:1で合波し、ベクトル加算により16QAM信号を生成することができる。 （もっと読む）

【課題】光変調部において厚さ１０μｍ以下の薄板を採用して速度整合を図った光変調器において、光変調器と外側の光ファイバとの間の結合損失および光変調器内部での結合損失を抑制することである。
【解決手段】光変調器１０Ａは、支持基板１、電気光学材料からなる変調用基板３、この変調用基板３の一方の主面側３ａに設けられている光導波路４、変調用基板３の他方の主面３ｂ側に設けられており、光導波路を伝搬する光を変調するための電圧を印加する電極、および変調用基板３の一方の主面３ａを支持基板１へと接着する接着層２を備える。変調用基板３が、少なくとも光導波路４を伝搬する光の変調を行うための厚さ１０μｍ以下の変調部７と、変調部７よりも厚い光ファイバ結合部６とを備える。 （もっと読む）

【課題】金属材料を微細加工した構造体を利用して、効率的に電磁波の伝搬特性を制御することができる電磁波制御素子を提供する。
【解決手段】電磁波制御素子１は、基板１０と、基板１０上に形成された誘電体１３と、誘電体１３に埋め込まれた第１の金属層１１および第２の金属層１２とを含む。第１および第２の金属層１１，１２は、ｘｙ平面と平行な仮想平面２５を挟んで、仮想平面２５から等距離の位置に仮想平面２５と平行に設けられる。電磁波１９は仮想平面２５に沿ってｙ軸方向に入射される。第１および第２の金属層１１，１２の間隔は電磁波の波長より小さい。そして、第１および第２の金属層１１，１２には、ｘ軸方向に延び電磁波１９の波長よりも小さな周期の複数のスリット１４，１５がそれぞれ形成される。このとき、第１および第２の金属層１１，１２の形状は、仮想平面２５に対して非対称である。 （もっと読む）

【課題】透明性が高く、Sr_xBa_1-xNb₂O₆結晶の体積分率の多い、Sr_xBa_1-xNb₂O₆結晶とガラスの複合材料からなる透明な光変調材料およびその製造方法を提供する。
【解決手段】化学組成式がaSrO-bBaO-cNb₂O₅-dB₂O₃であり、a+b+c+d=100で且つ(a+b+c)>60である酸化物から構成されるガラス中に、タングステンブロンズ型Sr_xBa_1-xNb₂O₆ (0.25≦x≦0.75)結晶がガラス全域にわたり均一に存在しているガラスセラミックスにより構成された光変調材料である。 （もっと読む）

【課題】複数の光変調素子の各電極に対する配線の引き回しを容易にし、各光変調素子の配列ピッチの狭小化を可能にする。
【解決手段】電気光学結晶材料から成る複数の光変調素子６を所定の配列ピッチで並べて備えたデバイスチップ５を有する空間光変調装置の配線構造であって、デバイスチップ５の一面に複数の光変調素子６の並び方向に略直交する方向に延設され、上記並び方向に平行な各光変調素子６の対向面に設けられた一対の電極７に夫々一端を電気的に接続した複数の電極パッド１と、デバイスチップ５を支持する支持基板９の一面に形成され、一端部をデバイスチップ５の複数の電極パッド１に対向させて設けた複数の中継線２と、各電極パッド１と各中継線２の一端部とを電気的にフリップチップ接続する接続部材３と、中継線２の他端部に一端部を電気的に接続させて、回路基板１１に多層形成された複数の引出線４と、を備えたものである。 （もっと読む）

【課題】複数のマッハツェンダ変調器を備える光デバイスのサイズを小さくする。
【解決手段】基板１の表面領域に、複数のマッハツェンダ変調器Ａ、Ｂ、および入力分岐導波路２が形成されている。入力分岐導波路２は、入力光を分岐して複数のマッハツェンダ変調器Ａ、Ｂに導く。各マッハツェンダ変調器は、それぞれ、入力分岐導波路２に結合する分岐部１１、２１、分岐部１１、２１に結合する平行導波路１２（１２ａ、１２ｂ）、２２（２２ａ、２２ｂ）、平行導波路１２、２２に結合する合波部１３、平行導波路１２ａ、２２ｂに信号を与える信号電極１４、２４を備える。各マッハツェンダ変調器の分岐部１１、２１の向きが互いに異なっている。 （もっと読む）

【課題】小型化が可能な光変調器を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態によるマッハツェンダ型の光変調器は、アーム導波路が形成された電気光学材料の第１の基板と、アーム導波路に結合したＹ分岐部およびＹ合波部の少なくとも一方が形成された第２の基板とを備える。第１の基板は、アーム導波路上に形成された変調用の第１の電極を備え、第２の基板は、第１の電極に結合する第２の電極を備える。第１および第２の電極は、誘電体の接着剤で接合される。このように、電極間を誘電体の接着剤で接合することにより、ＤＣブロック用のキャパシタンスを形成することができる。また、この接着剤は、電極間の接合のみならず、基板間の接合にも使用することができる。 （もっと読む）

【課題】高精度の微細加工をしなくても容易に作製することが可能な半導体光集積素子を提供すること。
【解決手段】本発明に係る半導体光集積素子は、半導体基板上に下部クラッド層３、下部コア層４、中間クラッド層５、上部コア層６、及び上部クラッド層７がこの順に積層されており、第一領域、第二領域、及び第三領域に亘って、下部クラッド層３、下部コア層４、中間クラッド層５、上部コア層６、及び上部クラッド層７がそれぞれ形成されており、第一領域及び第三領域における中間クラッド層５の厚みＤ１が、第二領域における中間クラッド層５の厚みＤ２と異なることを特徴とする。 （もっと読む）

電荷制御剤を使用して、長距離での静電気斥力を確立し、無極性溶媒中で磁気的に調節可能なフォトニック特性を持つ、超常磁性コロイドを規則構造にする方法。ＡＯＴ分子などの電荷制御剤の導入による逆ミセルは、ｎ−オクタデシルトリメトキシシラン修飾Ｆｅ₃Ｏ₄＠ＳｉＯ₂粒子の表面の電荷分離を増大できる。著しく改良された長距離での静電反発力によって、磁気的に誘導される引力と釣り合うことができ、その結果、無極性溶媒中で超常磁性コロイドを規則正しく配列させることができる。この系は、外部磁場に対して高速で完全に可逆的な光応答性、性能の長期安定性、および良好な回折強度を持つ。 （もっと読む）

【課題】偏波モード結合を低減して偏波モード結合起因のＰＤＬを低減した導波路型光回路を提供する。
【解決手段】導波路型光回路１０は方向性結合器１１を備える。近接して対向する導波路コア１１ａ，１１ｂの両側にダミーパターン２１を形成し、非ギャップ部（２つの導波路コアに挟まれていない領域）にダミーパターンと導波路コアに挟まれた構造を設けている。非ギャップ部のガラス微粒子密度を導波路コア間（ギャップ部）のガラス微粒子密度に近づけることができるため、上部クラッド形成過程においてガラス微粒子密度の差によって生じる導波路コアをギャップ内側へ倒そうとする応力の発生を抑制できる。その応力により導波路コア１１ａ，１１ｂの光学主軸が傾き方向性結合器１１において偏波同士で結合が起きる偏波モード結合を抑制でき、偏波モード結合起因のＰＤＬを低減できる。 （もっと読む）

【課題】
分極反転を形成する領域の幅が、５０μｍ以上となる大面積であっても、分極反転領域内の分極反転状態を均質に形成することが可能であり、さらに、分極反転時に印加される電圧の強度を低減することを可能な分極反転形成方法を提供すること。
【解決手段】
強誘電体基板１の所望領域２０を分極反転させる分極反転形成方法において、該強誘電体基板の表面の該所望領域に対し、電極パターン又はマスクパターンを微細なパターンの集合体として形成し、該所望領域に所定の電圧を印加することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】画素の階調表示の可能な、磁気光学式の空間光変調器を提供する。
【解決手段】２次元配列された画素４に、平面視における面積が異なる複数の光変調素子５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄと、一対の電極２，３とを備える多素子空間光変調器であって、画素４に供給された電流が増大するにしたがい、面積の小さい光変調素子５ａから面積の大きい光変調素子５ｄへと磁化反転する光変調素子が増えることにより、明暗の表示を切り換えたり明暗の中間表示を行う。 （もっと読む）

【課題】高速のアナログ光変調が可能で、高周波駆動におけるヒステリシスが非常に小さく、小型化・軽量化を図り、且つ低消費電力で駆動でき、コイル通電により発生するジュール熱を効果的に発散させ、磁気光学膜の温度上昇による磁気特性劣化を防止する。
【解決手段】光路中で偏光子１２と検光子１３の間に位置し、光が膜面に垂直方向に透過する磁気光学膜１４と、磁気光学膜に高周波磁界を印加するコイル１６を具備し、コイルによる高周波磁界で光の進行方向に対する磁気光学膜の磁化方向を制御することにより、透過光の強度あるいは位相を変調する磁気光学光変調素子１０である。磁気光学膜は非磁性基板１９上に成膜され膜面内方向に磁化容易軸を有し、コイルは磁気光学膜の膜面に平行に非磁性基板と一体に形成され、高周波磁界が磁気光学膜の磁化容易軸に対して垂直方向に印加されるようにし、非磁性基板に熱発散膜１８が一体的に形成されている。 （もっと読む）

【課題】Ｗ，Ｒ，Ｇ，Ｂ，Ｃ，Ｍ，Ｙ，ＢＬの全色を表示可能な反射型の表示装置を提供する。
【解決手段】基板間に挟持され電場により屈折率が可変な媒質と、前記媒質に電場を印加して屈折率を変化させる電極と、前記媒質の屈折率の変化に応じてプラズモン共鳴波長が変化する金属ナノ構造とを含むセルを有し、互いにプラズモン共鳴波長域が異なる２種の金属ナノ構造を含むことを特徴とする表示装置。 （もっと読む）