【課題】アライン又はインターリーブドいずれの送信方式でも、偏波多重信号に含まれる各偏波の位相差を精度よく調整する光送信器を提供する。
【解決手段】第１変調器１１は、第１信号の位相調整を行う。第２変調器１２は、第２信号の位相調整を行う。合成部１３は、第１変調器１１から出力された信号と第２変調器１２から出力された信号とを合波し多重信号を生成して送信する。位相差データ生成部１４は、多重信号を基に、第１変調器１１から出力された信号と第２変調器１２から出力された信号との位相差に対応した位相差データを生成する。制御部１５は、位相差データに基づいて第１変調器１１及び第２変調器１２における位相調整の制御を行う。 （もっと読む）

【課題】本発明は、スーパコンティニューム光源（ｓｕｐｅｒｃｏｎｔｉｎｕｕｍ ｌｉｇｈｔ ｓｏｕｒｃｅ）および光位相配列（ｏｐｔｉｃａｌ ｐｈａｓｅｄ ａｒｒａｙ）方式を用いたビームスキャニングに基づいて癌、微生物などを含むバイオ物質を検出するビームスキャニングシステムに関する。
【解決手段】本発明におけるビームスキャニングシステムは、スーパコンティニューム光ビーム（ｓｕｐｅｒｃｏｎｔｉｎｕｍｍ ｌｉｇｈｔ ｂｅａｍ）を生成して出射する光源と、前記スーパコンティニューム光ビームを受信して少なくとも２つの経路にガイドする光素子と、前記経路のうちの１つの経路に可変的に電圧を供給して該経路にガイドされる光ビームの位相を変化させる電圧供給部とを備える。 （もっと読む）

【課題】高い消光比、超小型、低駆動電圧を実現した光導波路型Ｑスイッチ素子およびＱスイッチレーザ装置を得る。
【解決手段】コア５およびクラッド４ａ、４ｂからなる平面導波路構造の光導波路３と、光損失手段７ａ、７ｂおよび電極２ａ、２ｂと、電極２ａ、２ｂに電圧を印加するＱスイッチ駆動装置６とを備える。クラッド４ａ、４ｂはコア５の上下面に設けられ、光損失手段７ａ、７ｂはクラッド４ａ、４ｂの上下面に設けられ、電極２ａ、２ｂは光損失手段７ａ、７ｂの上下面に設けられる。コア５は、電界が印加されると電気光学効果によって屈折率が変化し、電界未印加時はクラッド屈折率よりも高く、電界印加時は、高電位側の屈折率がクラッド屈折率よりも低くなる。 （もっと読む）

【課題】横幅方向の小型化を図ることができると共に、波長精度及び光出力精度を向上させることができる半導体光変調素子及び光半導体モジュールを提供する。
【解決手段】光導波路５を備える導波路型光変調器４において、導波路型光変調器４の光出射側の端面における光導波路５の有する光伝搬の有効範囲、すなわち、半導体光導波路構造を伝搬する光の基本モードが分布する領域の外の領域を、光導波路５を中心に横方向に対称に斜めに加工した。 （もっと読む）

【課題】光ヘテロダイン方式電気光学効果高周波電界検出は勿論、通常の光ヘテロダイン方式でも被測定周波数に対して検出されるヘテロダイン成分の強度に周波数特性があるのは望ましくない。検出に用いる光の光変調度が周波数によらず一定なことが必要だが、光変調度の周波数特性を一定値に補正する手段は高価である。
【解決手段】光変調度制御回路は、変調入力信号である高周波信号(1)を減衰する可変減衰器(3)、該可変減衰器の出力に接続された光強度変調を行う光源・光変調部(4)、該光源・光変調部の光出力に接続されたｍ：ｎ不等分岐光カプラ(5)、該不等分岐光カプラの第1の出力ポートに接続された光電気変換手段(6)、該光電気変換手段から復調された高周波信号の電力を直流信号に変換して出力する検波手段(7)、該検波手段の出力値があらかじめ設定した希望値となるように該可変減衰器の減衰量を調整する制御手段(8)を包含する。そして光変調度を一定に保つ。 （もっと読む）

【解決手段】光変調素子ＥＡＭを駆動する駆動回路１５と前記光変調素子ＥＡＭとの間の線路Ｌに設けられた１個又は複数個の検出点Ｐにおいて、当該線路Ｌを流れる光変調素子ＥＡＭを駆動する駆動電流を検出し、検出された駆動電流が正常範囲内か正常範囲外かを判定することによって、前記線路Ｌの断線を判定する。
【効果】前記線路Ｌの断線を判定することができ、光変調素子の光透過率が上がったままで光を遮断しなくなるという事態を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】ＴｂＦｅＣｏ合金を磁化固定層として優れた磁気特性を有する垂直磁気異方性の磁気抵抗素子を提供する。
【解決手段】磁気抵抗素子１は、磁化固定層１１と中間層１２と磁化自由層１３とを積層して備えるスピン注入磁化反転素子であり、磁化固定層１１がＴｂ_x(Ｆｅ，Ｃｏ)_1-x（０．２０≦ｘ≦０．２５）の組成を有するＴｂＦｅＣｏ合金からなることを特徴とする。磁化固定層１１をこのような組成とすることで、飽和磁化を低く抑えて磁化自由層１３への磁界の漏れを減少させ、磁化自由層１３の正の磁化反転電流Ｉ₁と負の磁化反転電流Ｉ₀をほぼ同じ大きさとすることができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は，広帯域であり，平坦性の高い光コム信号を発生する光コム発生装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明は，基本的には，平坦性の高い光コム信号を発生する光コム発生器と，帰還回路とを組み合わせることで，広帯域であり，平坦性の高い光コム信号を発生する光コム発生装置を得ることができるという知見に基づく。光コム発生器１３は，マッハツェンダー導波路を有する光変調器２１と，光変調器２１に印加される光コム発生器の駆動信号を発生するための信号源２２を有する。そして，帰還回路１５のループ長は，光コム発生器の駆動信号の波長のｎ倍である。 （もっと読む）

【課題】半導体ＭＺＭ位相光変調器においても、環境温度の変化に対して、同一変調電圧での駆動を可能とし、ペルチェ素子等を用いた温度調整機構を省略し、消費電力を低減することができる光送信機を提供する。
【解決手段】ｎｐｉｎ構造を有する変調領域を有する半導体ＭＺ変調器１と、前記半導体ＭＺ変調器１の温度を監視する温度センサ４３と、前記半導体ＭＺ変調器１の変調電極にバイアス電圧を印加するバイアス回路４１とを備え、前記バイアス回路４１は、前記温度センサ４３からの入力が変化すると、前記バイアス電圧を変化させて変調振幅電圧を一定として前記半導体ＭＺ変調器１を駆動する。 （もっと読む）

【課題】光導波方向における素子長を短縮することが可能なマッハツェンダー型光変調素子を提供すること。
【解決手段】マッハツェンダー型光変調素子１Ａは、半導体基板４と、導波光を反射する反射部１ｂと、導波光を合分波する光合分波器３０と、光合分波器３０まで延在する第一及び第二光導波路２Ａ，３Ａと、光合分波器３０から反射部１ｂまで延在する第三及び第四光導波路２Ｂ，３Ｂと、第三及び第四光導波路２Ｂ，３Ｂの少なくとも一方の屈折率を変化させることにより光の位相を制御する位相制御部１０とを備え、位相制御部１０は、第三及び第四光導波路２Ｂ，３Ｂの一部を各々構成し、該基板４上に設けられた下部クラッド層、該下部クラッド層上に設けられたコア層、及び該コア層上に設けられた上部クラッド層を各々含む第一及び第二光導波路構造と、第一及び第二光導波路構造の上に各々設けられた上部電極１１ａ，１１ｂと、を備える。 （もっと読む）

【課題】光変調器の特性差やＲＦドライバの振幅特性差による同期検波値の差を適正に補正することにより、最適な送信波形品位が得られる制御収束点に収束させることができる光信号送信装置を提供すること。
【解決手段】ディザ信号が重畳された変調信号に基づき位相変調を行う光変調器を用いた光信号送信装置において、
前記光変調器の駆動電圧に基づき前記ディザ信号の振幅を補正する手段を設けたことを特徴とするもの。 （もっと読む）

【課題】製造コストを低減できる光変調器を得る。
【解決手段】マッハツェンダ型光変調器３は、入力光の強度又は位相を変調させる。マッハツェンダ型光変調器３の出力に出力光導波路４が接続されている。マッハツェンダ型光変調器３から出力された変調光は出力光導波路４を伝播する。出力光導波路４に近接して受光部５，６が配置されている。受光部５，６は、出力光導波路４からの漏洩光を検知する。これらのマッハツェンダ型光変調器３、出力光導波路４、及び受光部５，６は、１つのｎ型ＩｎＰ基板１上にモノリシックに集積されている。 （もっと読む）

【課題】金属ステム上に実装された温度制御モジュール上に半導体光変調素子を配置した場合においても、周波数応答特性の劣化を防止できる半導体光変調装置を得る。
【解決手段】金属ステム１上に支持ブロック４が実装されている。金属ステム１上に温度制御モジュール５が実装されている。温度制御モジュール５上に第２の支持ブロック６が実装されている。第１の支持ブロック４の側面に誘電体基板７が実装されている。リードピン２に接続された信号線路９が誘電体基板７上に形成されている。支持ブロック６の側面に誘電体基板８が実装されている。誘電体基板８上に信号線路１１が形成されている。誘電体基板８上に半導体光変調素子１４が実装されている。信号線路１１に容量２０が接続されている。進行波の位相と反射波の位相とが１８０度ずれるような周波数において、半導体光変調素子１４でのインピーダンス整合を行うように、容量２０の値が設定されている。 （もっと読む）

【課題】多値位相変調信号がＲＺ変調されなくても、それぞれ位相変調されるデータの遅延差を適切に制御し、光信号の劣化を抑制すること。
【解決手段】フィルタ１００ｅは、入力された信号の中心周波数より高い周波数を持つ上側周波数成分を透過させ、信号の上側周波数成分をパワー差算出部１００ｇへ出力する。フィルタ１００ｆは、入力された信号の中心周波数より低い周波数を持つ下側周波数成分を透過させ、信号の下側周波数成分をパワー差算出部１００ｇへ出力する。パワー差算出部１００ｇは、上側周波数成分と下側周波数成分のパワー差を算出する。遅延量調整部１００ｈは、パワー差算出部１００ｇによって算出されるパワー差が小さくなるように第１変調部１００ｂ及び第２変調部１００ｃへ入力される入力信号の遅延量を調整する。 （もっと読む）

【課題】高い耐パワー性能と短波長光での光損傷性能が高く、かつ高速な変調が可能な光変調デバイスおよび当該光変調デバイスを用いた露光装置を提供する。
【解決手段】両端面１１ａ、１１ｂを露出させたまま電気光学結晶層１１の周囲が結晶部１４（電気光学結晶層１２、１３）で取り囲まれて四角柱形状の外観を有する電気光学結晶基板１５が形成されている。また、電気光学結晶基板１５の上面および下面に電極１６ａ、１６ｂがそれぞれ形成される。電極１６ａ、１６ｂは電位付与部１７と電気的に接続されており、電位付与部１７から電極１６ａ、１６ｂに正電位および負電位を与えると、電気光学結晶層１１および結晶部１４の屈折率がそれぞれ増加および減少して入射光Ｌinを電気光学結晶層１１に封じ込めて伝搬する。逆電位を付与すると、入射光Ｌinが結晶部１４に吸い込まれるように広がる。 （もっと読む）

【課題】コントラストの高いＣＡＲＳ光画像を取得すると同時に、明るい多光子蛍光画像を取得する。
【解決手段】パルスレーザ光Ｌを発生するレーザ光源４と、レーザ光源４から発せられたパルスレーザ光Ｌから、所定の周波数差を有する２つのパルスレーザ光Ｌ１’，Ｌ２’を生成し、生成された２つのパルスレーザ光Ｌ１’，Ｌ２’を合波して走査型顕微鏡３に入力する第１の光路５と、レーザ光源４から発せられたパルスレーザ光Ｌをそのまま走査型顕微鏡３に入力する第２の光路６と、これら第１の光路５と第２の光路６とを合流させる合波部７と、走査型顕微鏡３の走査周期に同期して、レーザ光源４からのパルスレーザ光Ｌを第１の光路５または第２の光路６に時分割に切り替えて入射させる光路切替部８とを備える光源装置２を提供する。 （もっと読む）

【課題】光変調装置の周波数応答特性が平坦ではないことに起因する光出力波形の劣化を抑制すること。
【解決手段】光変調装置に、光素子と、前記光素子を変調するための変調電気信号が入力される入力信号端子と、前記変調電気信号を増幅して光素子に供給する駆動回路と、前記入力信号端子と前記駆動回路の入力との間に接続された補償回路とを備えた。 （もっと読む）

【課題】小型・軽量で取り廻しが良く、しかもレーザの出力やパルス幅の制御範囲が広いレーザ超音波探傷装置を提供する。
【解決手段】レーザ光源１１から発振された１種類の波長λ_０を有するレーザ光が、波長シフタ１２で少なくとも２種類の波長λ_１，λ_２を含むレーザ光に変換され、さらに分波器１３で、第１の波長λ_１を有するレーザ光と、第２の波長λ_２を有するレーザ光とに分波される。第１の波長λ_１を有するレーザ光の出力とパルス幅は、被検査物１００に損傷を与えずに超音波振動を生成させるのに適した大きさとなるよう、第１の制御器１４で調整される。第２の波長λ_２を有するレーザ光の出力とパルス幅は、上記超音波振動を検出するのに適した大きさとなるよう、第２の制御器１５で調整される。これらを合波器１６で一のレーザ光にして、被検査物１００の表面に照射する。 （もっと読む）

【課題】光変調素子による磁気光学効果を改善する。
【解決手段】光変調素子１０は、１層以上の磁性膜１２を含む磁化固定層と、非磁性膜１３からなる中間層と、光の入射側に配置された１層以上の磁性膜１４を含む磁化反転層とがこの順番に積層された磁性多層膜４と、磁性多層膜４に電流を流すための磁化反転層側の透明電極７と、磁化固定層側の金属電極からなる下部電極３とを備え、透明電極７を介して磁性多層膜４に入射する光を変調する。この磁性多層膜４は、非磁性膜１３が、膜厚６ｎｍ以上２０ｎｍ以下のＡｇからなる。この光変調素子１０は、従来のＣｕスペーサを用いた光変調素子に比べてカー回転角が増加し、光変調度を大きくすることができる。また、Ａｇスペーサを用いた光変調素子１０は、従来のＣｕスペーサを用いた光変調素子に比べてＭＲ比が２倍に増加するので、磁化反転層の磁化方向を反転し易くすることができる。 （もっと読む）

【課題】波長特性が広帯域で可変である波長可変光フィルタ、および広帯域でレーザ光の波長が可変である波長可変レーザを提供すること。
【解決手段】コア部を有するマルチモード干渉型導波路部と、前記マルチモード干渉型導波路部の長さ方向の一端に設けられた第１光入出力部と、前記マルチモード干渉型導波路部の他の一端に設けられた第２光入出力部とを有し、前記マルチモード干渉型導波路部は前記第１光入出力部から入力し第２光入出力部から出力する光に対して損失波長特性を有する光フィルタ部と、前記マルチモード干渉型導波路部のコア部の側部に設けられた、該コア部よりも屈折率または等価屈折率が低い側部クラッド部と、前記側部クラッド部の屈折率または等価屈折率を変化させる屈折率調整機構と、を備える。 （もっと読む）