【課題】良好な電圧応答特性を保持しつつ、高透過率を実現することが可能な液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】液晶表示装置１は、液晶層１５と、液晶層１５を挟んで対向配置された駆動基板１１および対向基板１８と、駆動基板１１の液晶層１５側に設けられた複数の画素電極１３と、複数の画素電極１３に対向して対向基板１８に設けられた対向電極１７とを備える。画素電極１３の液晶層１５側の面が凹面１３ａ、凸面１３ｂおよび垂直面１３ｃを含む凹凸構造を有する。電圧印加時の液晶層１５では、凹面１３ａおよび凸面１３ｂ間の高低差（段差）により、電界歪み（横電界）が発生する。一方で、スリットのような電極切り欠き部分が存在しないので、局所的な領域において液晶分子の配向が不十分となることが抑制される。 （もっと読む）

【課題】シフトレジスタ回路の性能を維持しつつ、回路規模を小さくした液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 表示領域に配置された各画素の液晶組成物の配向を制御する画素トランジスタを有する薄膜トランジスタ基板２０７を備える液晶表示装置において、薄膜トランジスタ基板２０７は、表示領域を覆うように配置され、電界が生じていないときの液晶組成物を配向を決定する配向膜２０９と、配向膜２０９の外縁に配向膜２０９を堰き止めるように配置された配向膜堰止め導電膜２２１と、画素トランジスタのゲート電極にゲート信号電圧を印加するシフトレジスタ回路２１９と、を備える。配向膜堰止め導電膜２２１は、シフトレジスタ回路２１９の一部を形成している。 （もっと読む）

【課題】残像などを改善して、信頼性が向上した液晶表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
本発明の一実施形態に係る液晶表示装置は、第１基板、前記第１基板と対向する第２基板、前記第１基板及び前記第２基板のうちの少なくとも一つの上に位置する電界生成電極、前記電界生成電極上に位置する配向膜、及び前記第１基板と前記第２基板との間に介されており、液晶及び配向重合体を有する液晶層を含み、前記配向膜は開始剤を含む配向物質を初期に含み、前記配向重合体は前記液晶及び配向補助剤を初期に含んで形成される。 （もっと読む）

【課題】視野角が広く、液晶分子の応答速度が速く、表示特性および長期信頼性に優れる液晶表示素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】上記液晶表示素子の製造方法は、導電膜を有する一対の基板の該導電膜上に、それぞれ、（Ａ）重合体および（Ｂ）有機溶媒を含有する重合体組成物を塗布して塗膜を形成し、前記塗膜を形成した一対の基板を、液晶分子の層を介して前記塗膜が相対するように対向配置して液晶セルを形成し、前記一対の基板の有する導電膜間に電圧を印加した状態で前記液晶セルに光照射する工程を経る液晶表示素子の製造方法であって、前記（Ａ）重合体が、光照射によりラジカルを発生する構造および光増感機能を有する構造のうちの少なくとも１種の構造と、重合性不飽和結合と、の双方を有する重合体を含むものであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】画素電極表示板、液晶表示板アセンブリ、及びこれらの製造方法を提供する。
【解決手段】液晶表示板アセンブリは、共通電極を含む上部表示板と、共通電極と向かい合う複数の画素を含む下部表示板と、画素の各々に含まれ、相互に離隔した第１及び第２の領域と、第１及び第２の領域の第１及び第２の副画素と、第１の副画素に含まれ、上部表示板又は下部表示板に取り付けられた偏光子の偏光軸に対して第１の角度方向に配列され、第１の角度方向に実質的に垂直方向に離隔した複数の第１の微細ブランチを含む第１の副画素電極と、第２の副画素に含まれ、偏光子の偏光軸に対して第２の角度方向に配列され、第２の角度方向は、実質的に２０°内で第１の角度方向と異なり、第２の角度方向に実質的に垂直方向に離隔した複数の第２の微細ブランチを含む第２の副画素電極と、上部表示板と下部表示板間に介在する液晶層とを含む。 （もっと読む）

【課題】アレイ基板上に着色層を有するＣＯＡ型液晶表示装置において、着色層上に形成するＩＴＯ画素電極のエッチングに際して、発生し易いＩＴＯのエッチング残渣を抑制する。
【解決手段】着色層２４を有する表示領域２５の周縁領域に着色層２４の延長上に遮光層２７を形成し、着色層２４及び遮光層２７を覆う保護膜２８を形成する。このとき、遮光層２７の周縁端部を覆う保護膜２８の断面形状は、遮光層の端部から延在し、さらに周縁部に向かうテーパ形状とする。これにより、保護膜２８上に形成する画素電極３０は保護膜２８の急峻性に起因するレジストのエッチング残渣及びＩＴＯのエッチング残渣の発生を抑制することとなる。 （もっと読む）

【課題】通電による焼き付き現象を低減可能な無機配向膜を備えた液晶装置の製造方法を
提供すること。
【解決手段】本適用例の液晶装置の製造方法は、一対の基板のうち少なくとも一方の基板
の液晶層に面する側の表面に少なくとも酸素を含む雰囲気中で紫外線を照射する前処理工
程（ステップＳ２、ステップＳ１２）と、紫外線が照射された表面に無機配向膜を形成す
る無機配向膜形成工程（ステップＳ３、ステップＳ１３）と、を備え、無機配向膜形成工
程の前には、上記前処理工程以外の表面処理工程を行わない。 （もっと読む）

【課題】ディスクリネーションを抑えると共に、安定した液晶の配向を可能とする液晶表示装置を提供する。
【解決手段】垂直配向型の液晶表示装置は、互いに対向する第１及び第２の基板と、第２の基板上に互いに直交する方向に配置された第１及び第２のバスラインと、第１及び第２の基板間に設けられた液晶と、液晶の配向を規制する突起状の構造物とを備える。突起状の構造物は、第１及び第２の基板上のうち少なくとも一方に対して傾斜する斜面を持ち、第１及び第２の基板上のうち少なくとも一方に該第１のバスラインと平行に設けられる。第１及び第２の基板のうち少なくとも一方は、突起状の構造物による液晶の配向規制方位と同じ配向規制方位に配向するよう処理を施されている。 （もっと読む）

【課題】良好な電圧応答特性を保持しつつ、透過率を向上させることが可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置１では、画素電極１２が、液晶層１５の側から順に、第１サブ電極１２Ａ、誘電体層１３および第２サブ電極１２Ｂを有する。第１サブ電極１２Ａおよび第２サブ電極１２Ｂへ供給する電位Ｖａ，Ｖｂを適宜設定することで、液晶層１５のうちのスリット直上の領域Ａへの印加電圧と、スリットのない領域Ｂへの印加電圧との大小関係を目的に応じて自在に制御可能となる。映像表示時には、液晶層１５全体で電界歪みを軽減するような駆動を行い、スリット位置に起因した局部的な透過率低下を抑制する。製造プロセス（プレチルト付与工程）では、プレチルト付与に有利な電界歪み（横電界）を発生させる。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置等の電気光学装置の製造方法において、高精度で平坦化を行うこと
によって好適なラビング処理を行えるようにし、高品質な画像を表示可能な電気光学装置
を製造する。
【解決手段】電気光学装置の製造方法は、基板（１０）上に、構造物（９ａ）を形成する
構造物形成工程と、構成物上に絶縁膜（１５）を形成する絶縁膜形成工程と、構造物に重
なる領域の少なくとも一部において絶縁膜の表面に凹部（１８）を形成する凹部形成工程
と、凹部形成工程の後に、絶縁膜の表面に平坦化処理を行う平坦化工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】画素部同士の配向特性のばらつきを抑制することができ、且つ、画素部を斜方蒸着基板から切り出す際の作業も容易な斜方蒸着基板を提供する。
【解決手段】本発明の斜方蒸着基板１は、複数の画素部１０ａが、直線的に交差した２方向（第１方向ａ、第２方向ｂ）に間隙を有して配列され、斜方蒸着膜の蒸着方向の分布を考慮して、各画素部１０ａが斜方蒸着基板１の面内において相対的に回転されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、装置内部への水分の浸入を防止する。
【解決手段】電気光学装置は、互いに対向するようにシール材（５２）で貼り合わされた
第１基板（１０）及び第２基板（２０）と、シール材の内側において、第１及び第２基板
間に挟持された電気光学物質（５０）と、第１基板上において、電気光学物質と対向する
ように設けられた第１電極（９ａ）と、第１電極を覆うように形成された第１絶縁膜（２
１０）と、第２基板上において、電気光学物質と対向するように設けられた第２電極（２
１）と、第２電極を覆うように形成された第２絶縁膜（２２０）とを備える。第１絶縁膜
及び第２絶縁膜は、シール材と少なくとも部分的に重ならない領域が存在するように設け
られている。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置等の電気光学装置の製造方法において、光反射性を有する導電性材
料から形成された導電層を高品位にパターニングする。
【解決手段】電気光学装置の製造方法は、光反射性を有する導電性材料から導電層（９）
を形成する工程と、導電層上に保護膜（１９）を形成する工程と、保護膜上にレジスト（
６０）を形成し、当該レジストをパターニングする工程と、パターニングされたレジスト
をマスクとして、保護膜及び導電層に対してエッチングを施す工程とを備える。ここで、
保護膜は、レジストをパターニングする際に用いられる溶液に対する耐性を有する材料か
ら形成される。 （もっと読む）

【課題】電子ペーパー等の表示装置に適用した場合に、その消費電力を小さくでき、歩留まりを向上させることができるアクティブマトリクス型駆動基板及びその製造方法等を提供する。
【解決手段】第１絶縁膜２を表面に有する導電基材１上に設けられた薄膜トランジスタ１０及び保持容量２０と、薄膜トランジスタ１０及び保持容量２０を第２絶縁膜１６，１７を介して覆う画素電極３０を有し、保持容量２０が第１電極２１と誘電体膜２２と薄膜トランジスタ１０のソース・ドレイン電極１４，１５に接続する第２電極２３との積層体であるアクティブマトリクス型駆動基板５０であって、導電基材１と第１電極２１とが第１絶縁膜２の開口部４で接続されているように構成する。第２絶縁膜（１６，１７）が少なくとも層間絶縁膜１７を有し、導電基材１が金属基材であり、第１絶縁膜２が金属基材１の表面粗さを低減する平坦化膜であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】本発明は残留ＤＣが抑制され、かつ長期光信頼性が高い液晶表示素子を提供することを課題とし、そのための液晶配向剤を開発する。
【解決手段】式（Ｉ）で表されるジアミンまたはこのジアミンとその他のジアミンとの混合物をテトラカルボン酸二無水物と反応させて得られるポリアミック酸またはその誘導体を含有する液晶配向剤。式（Ｉ）において、Ａ^１は単結合、−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＣＯ−、−ＣＯＮＨ−または炭素数１〜６のアルキレンであり、Ｒは独立して水素または炭素数１〜６のアルキルである。

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【課題】液晶層の電荷の偏りを減らす。
【解決手段】本発明の液晶装置は、画素電極３５、スイッチング素子３４、対向電極８２、液晶層２８、第１配向膜７１、第１配向膜７１と画素電極３５との間に設けられた第１誘電体層７０、第２配向膜８３、および第２配向膜８３と対向電極８２との間に設けられて第１誘電体層７０よりも厚みが薄い第２誘電体層８４を備える。画素電極３５にスイッチング素子３４を介して対向電極電位に対する高電位と低電位とが交互に印加される。画素電極３５に高電位が印加されているときのスイッチング素子３４の寄生容量による画素電極３５の電位の変化量と、画素電極３５に低電位が印加されているときの寄生容量による画素電極３５の電位の変化量との平均値の分だけ、高電位と低電位との平均電位をシフトさせた電位を基準電位としたときに、対向電極電位が、基準電位よりも低い。 （もっと読む）

【課題】高い感度を有し、高い透明性及び優れたＩＴＯスパッタ耐性を有する硬化膜が得られる感光性樹脂組成物、高い透明性及び優れたＩＴＯスパッタ耐性を有する硬化膜及びその製造方法、並びに、かかる硬化膜を層間絶縁膜として具備する有機ＥＬ表示装置及び液晶表示装置を提供すること。
【解決手段】（Ａ）酸によりカルボキシ基又はフェノール性水酸基を生成する残基を有するモノマー単位（ａ１）、及び、末端にエチレン性不飽和結合を有する炭素数３〜１６の基を有するモノマー単位（ａ２）を含有し、重量平均分子量が１，０００より大きい重合体、（Ｂ）光酸発生剤、並びに、（Ｃ）溶媒を含有することを特徴とする感光性樹脂組成物、硬化膜及びその製造方法、有機ＥＬ表示装置、並びに、液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】フリッカー等の表示不具合の発生を抑制して表示品位の向上を図ることが可能な液晶装置、液晶装置の駆動方法及び電子機器を提供する。
【解決手段】素子基板１０の液晶層の側に画素電極１２に接して設けられた第１配向膜１３と、対向基板２０の液晶層の側に設けられた第２配向膜２３と、対向電極２０と第２配向膜２３との間に設けられた、液晶層よりも膜厚が薄く、かつ、液晶層よりも高比抵抗の、ＳｉＯ_２からなる誘電体膜３８と、を備え、対向電極２２には、スイッチング素子４０の寄生容量に起因するフリッカーを低減するように設定された対向電極電位が印加され、画素電極１２には、対向電極電位を基準として高位の電圧を正極性、低位の電圧を負極性としたときに、正極性の電圧と負極性の電圧とが交互に印加され、正極性の電圧が印加される第１の期間の長さが負極性の電圧が印加される第２の期間の長さに比べて短く設定される。 （もっと読む）

【課題】より容易な方法で液晶層に発生する電荷の偏りを解消できる液晶表示装置及び投射型表示装置を提供すること。
【解決手段】液晶層１３を挟持する素子基板１１及び対向基板１２を備え、素子基板１１が、液晶層１３を構成する液晶分子を駆動する画素電極２１と、画素電極２１上に形成された第１誘電体層３３と、を備え、対向基板１２が、液晶層１３を構成する液晶分子を駆動する共通電極４３と、共通電極４３上に形成された第２誘電体層４４と、を備え、第１誘電体層３３の密度が、第２誘電体層４４の密度よりも低い。 （もっと読む）

【課題】液晶層の電荷の偏りを減らす。
【解決手段】本発明の液晶装置は、画素電極３５と、スイッチング素子３４と、対向電極８２と、液晶層２８と、液晶層２８と画素電極３５との間に、画素電極３５と当接して設けられた第１配向膜７１と、第２配向膜８３と、第２配向膜８３と対向電極８２との間に設けられた酸化シリコンからなる誘電体層８４と、を備える。画素電極３５にスイッチング素子３４を介して対向電極電位に対する高電位と低電位とが交互に印加される。画素電極３５に高電位が印加されているときのスイッチング素子３４の寄生容量による画素電極３５の電位の変化量と、画素電極３５に低電位が印加されているときの寄生容量による画素電極３５の電位の変化量との平均値の分だけ、高電位と低電位との平均電位をシフトさせた電位を基準電位としたときに、対向電極電位が、基準電位よりも高い。 （もっと読む）