【課題】イオン性不純物トラップ用の給電線および周辺電極を素子基板に設けた場合でも、イオン性不純物トラップ用の電位が、駆動回路部で用いる信号に影響を及ぼすことを防止することができる液晶装置、および投射型表示装置を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００の素子基板において、画像表示領域１０ａとシール材１０７とにより挟まれた周辺領域１０ｂには、ダミー画素電極９ｂ等に印加される共通電位Ｖcomとは異なるイオン性不純物トラップ用の電位Ｖtrapが印加された周辺電極８ａが形成されている。辺１０ｄの側から周辺電極８ａにイオン性不純物トラップ用の電位Ｖtrapを供給するトラップ用給電線５ｓは、走査線駆動回路部１０４より外側を通っている。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜の穴内に設けたプラグ電極によって導電層同士の導通を行うにあたって、研磨時間やプラグ電極形成用導電膜の成膜時間を短縮することのできる電気光学装置の製造方法、電気光学装置、投射型表示装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】液晶装置の素子基板において、第２電極層７ａと画素電極９ａとを層間絶縁膜４８の穴４８ａ内に設けたプラグ電極８ａを介して電気的に接続するにあたって、第１絶縁膜４６に設けたコンタクトホール４６ａを埋めるようにプラグ電極８ａを形成した後、第２絶縁膜４７を成膜する。そして、第２絶縁膜４７を表面側から研磨してプラグ電極８ａを露出させた後、第２絶縁膜４７の表面側に画素電極９ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化する。
【解決手段】酸化物半導体層を含むトランジスタの作製工程において、酸化シリコン膜上に、酸化物半導体が結晶状態における化学量論的組成比に対し、酸素の含有量が過剰な領域が含まれている非晶質酸化物半導体層を形成し、該非晶質酸化物半導体層上に酸化アルミニウム膜を形成した後、加熱処理を行い該非晶質酸化物半導体層の少なくとも一部を結晶化させて、表面に概略垂直なｃ軸を有している結晶を含む酸化物半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】製造過程における静電気対策が強化され、歩留まりよく製造可能な電気光学装置用基板、電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器を提供する。
【解決手段】第１基板１２上に設けられたデータ線駆動回路２２及び走査線駆動回路２４と、データ線駆動回路２２及び走査線駆動回路２４における電源配線（信号配線２９、第１外部接続用端子２３ａ及び第２外部接続用端子２３ｂ）をスクライブライン６５より外側において接続させる短絡配線６６と、を備える。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置の熱を効率的に放散する。
【解決手段】電気光学装置（１）は、電気光学動作を行う電気光学パネル（１００）と、電気光学パネルと電気的に接続されており且つ電気光学パネルの熱を放散する第１放熱配線（２０２）を含む第１配線層、及び電気光学パネルと電気的に接続されており且つ電気光学パネルの熱を放散する第２放熱配線（２０３）を含む第２配線層を有する配線基板（２００）とを備える。前記第１放熱配線と前記第２放熱配線とはスルーホール（２０４）を介して相互に接続されている。 （もっと読む）

【課題】表示画素電極を囲うように周辺に配列されたダミー画素電極近辺において、シミ状の表示むらの発生を抑制する。
【解決手段】基板上に設けられ、画素電極が配列した表示画素部と、前記表示画素部を平面視で囲うように配列され、スイッチング素子を介して一定の電圧が与えられ、かつ隣り合う前記画素電極との間隔が前記画素電極間の間隔よりも大きいダミー画素電極と、を備える。隣り合う前記画素電極との間隔が前記画素電極間の間隔よりも大きいダミー画素電極を備える。 （もっと読む）

【課題】ダミー画素電極を設けた場合でも、イオン性不純物トラップ用の周辺電極を適正な位置に配置することのできる液晶装置、および投射型表示装置を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００の素子基板１０において、画像形成領域１０ａとシール材１０７とにより挟まれた周辺領域１０ｂには、周辺回路部１０６の一部が構成されており、周辺領域１０ｂにおいて、周辺回路部１０６に対して上層側で重なる領域にはダミー画素電極９ｂが形成されている。また、周辺領域１０ｂにおいて、ダミー画素電極９ｂに対して上層側で重なる領域には、対向基板２０の共通電極２１やダミー画素電極９ｂに印加される共通電位Ｖcomとは異なるイオン性不純物トラップ用の電位Ｖtrapが印加された周辺電極８ａが形成されている。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜を含むトランジスタの作製工程において、酸化物半導体膜に酸素ドープ処理を行い、その後、酸化物半導体膜及び酸化物半導体膜上に設けられた酸化アルミニウム膜に対して熱処理を行うことで、化学量論的組成比を超える酸素を含む領域を有する酸化物半導体膜を形成する。該酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、バイアス−熱ストレス試験（ＢＴ試験）前後においてもトランジスタのしきい値電圧の変化量が低減されており、信頼性の高いトランジスタとすることができる。 （もっと読む）

【課題】情報処理と光制御とを一括して光制御基板１枚で処理する場合、例えば低リークを必要とするＴＦＴと、高速動作するＴＦＴ等、特性の異なるＴＦＴを同一基板上に形成することが必要となってくる。しかしながら、フォトマスク数を増やすことで特性の異なるＴＦＴを形成すると、ＴＡＴが延び、価格も高騰するという課題があった。
【解決手段】第１ＬＤＤと、第２ＬＤＤの２水準の濃度を持つＬＤＤを一つのハーフトーンマスクでレジストを形成した。レジスト膜厚は、第１ＬＤＤには低加速エネルギーでは不純物が透過せず、高加速エネルギーでは不純物が通る設定とし、第２ＬＤＤではレジストを開口させた。低加速エネルギーでイオン注入することで、第２ＬＤＤにはこのイオン注入で１回めのイオン注入が行われる。次に、高加速エネルギーでイオン注入することで第１ＬＤＤには高加速エネルギー分の不純物が入り、第２ＬＤＤには２回分の不純物が入る。 （もっと読む）

【課題】狭い領域内に高い容量値をもった蓄積容量を構成することができる電気光学装置、該電気光学装置を備えた投射型表示装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００においては、複数層の層間絶縁膜４１〜４５のうち、層間絶縁膜４２に溝状凹部４２ｅが設けられ、かかる溝状凹部４２ｅの底壁４２ｅ1および側壁４２ｅ2に沿って形成された第１電極層５ａ、誘電体層４０、および第２電極層７ａにより蓄積容量５５が構成されている。また、層間絶縁膜４２には層間絶縁膜４３が積層され、層間絶縁膜４３において溝状凹部４２ｅが反映されてなる凹部４３ｅの内部で、第１電極層５ａ、誘電体層４０、および第２電極層７ａが蓄積容量５５を構成している。 （もっと読む）

【課題】特性の異なるＴＦＴを同一基板上に形成する場合、フォトマスク数を増やすことで特性の異なるＴＦＴを形成すると、ＴＡＴが延び、価格も高騰するという課題があった。
【解決手段】１つのハーフトーンマスクを用いて、第２領域１５６とチャネル前駆体１６１ａとソース・ドレイン前駆体１６５ａとで膜厚の異なる段差レジストを形成する。ＮＭＯＳＴＦＴのチャネル前駆体１６１ａには低加速エネルギーでは不純物が透過せず、高加速エネルギーでは不純物が通るレジスト膜厚の設定とし、ソース・ドレイン前駆体１６５ａではレジストを開口させた。まず低加速エネルギーでソース・ドレイン前駆体１６５ａにイオン注入し、次に、高加速エネルギーでチャネル前駆体１６１ａにイオン注入する。第２領域１５６では２回の注入で、不純物が透過しないレジスト膜厚に設定する。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜を間に挟む導電層同士の導通部分の構造を改良することにより、導電層のレイアウト面での自由度を高めることのできる電気光学装置、投射型表示装置、および電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００において、ドレイン電極６ｂと画素電極９ａとの間には第３層間絶縁膜４４が形成されており、第３層間絶縁膜４４のコンタクトホール７ｄの底部７ｄ0でドレイン電極６ｂと画素電極９ａの第１方向Ｙの一方側Ｙ１の端部９ａ0とが導通している。画素電極９ａの端部９ａ0において、第１方向Ｙの一方側Ｙ１に位置する先端縁９ａ1は、コンタクトホール７ｄの開口縁のうち、第１方向Ｙの一方側Ｙ１に位置する開口縁部分７ｄyより、第１方向Ｙの一方側Ｙ１とは反対側の他方側Ｙ２に位置しており、コンタクトホール７ｄより一方側Ｙ１に張り出していない。 （もっと読む）

【課題】ＩＰＳにおける従来の技術は、工程数が多く、開口率が低いので、実用化できな
い。また、液晶層に最も近接している層に存在する配線及び電極が多く、画素表示部にお
ける個々の液晶にかかる電界が不均一であった。
【解決手段】本発明は、ゲイト線１０２、１０５とコモン線１０３、１０４を最初に同時
に形成し、層間膜形成後、画素電極１０８とコモン電極１１０、１１１とソ─ス線１０６
、１０７を同時に形成する。こうすることによって、電極パタ─ンを単純化でき、工程を
簡略化した。また、液晶層に最も近接している層に存在する配線及び電極を画素電極とコ
モン電極とソ─ス線とし、その形状を単純なものにした。 （もっと読む）

【課題】動作性能および信頼性の高い液晶表示装置を提供する。
【解決手段】トランジスタ上に第１の絶縁膜を有し、第１の絶縁膜上に第１及び第２の配線を有し、第１及び第２の配線上に第２の絶縁膜を有し、第２の絶縁膜上に電極を有し、電極上に第３の絶縁膜を有し、第３の絶縁膜上に画素電極を有し、画素電極は、電極と重なる第１の領域と、電極と重ならない第２の領域と、を有し、画素電極は、第１の配線に電気的に接続されており、第１の配線は、トランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続されており、電極は、画素部の外側において前記第２の配線と電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】カラーフィルタの遮光マスクとして金属膜を用いた従来の液晶表示パネルでは、
他の配線との寄生容量が形成され信号の遅延が生じやすいという問題が生じていた。また
、カラーフィルタの遮光マスクとして黒色顔料を含有した有機膜を用いた場合、製造工程
が増加するという問題が生じていた。
【解決手段】本発明は、遮光マスク（ブラックマトリクス）を用いることなく、対向基板
上に遮光部１５、１６として２層の着色層を積層した膜（赤色の着色層１３と青色の着色
層１２との積層膜、あるいは赤色の着色層１３と緑色の着色層１１との積層膜）を素子基
板のＴＦＴと重なるよう形成する。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス駆動方式の電気光学装置において、相展開数の増加による画像信号線の増加という条件下で、画像信号中の高周波のクロックノイズ等の発生を低減する。
【解決手段】液晶装置（２００）は、一対の基板間に挟持された液晶層と、基板（１）にマトリクス状に設けられた画素電極（１１）と、これをスイッチング制御するＴＦＴ（３０）とを備える。さらにデータ線駆動回路（１０１）にクロック信号を供給する配線（ＣＬＸ，ＣＬＸ’）と、データ線駆動回路（１０１）及び配線（ＣＬＸ，ＣＬＸ’）を囲むように配設されたシールド線（８０’）と、シールド線（８０’）の外側に配設された画像信号線（ＶＩＤ１〜ＶＩＤ１２）を備える。 （もっと読む）

【課題】対向基板側の構造を変更することにより、横ストロークの発生を防止することのできる電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた投射型表示装置を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００において、対向基板２０には、共通電極２１より下層側に導電性の遮光層２９が設けられ、かかる遮光層２９は絶縁層２７のコンタクトホール２７ａ、２７ｂ、第１導通部２５ａおよび第２導通部２５ｂにおいて共通電極２１と導通している。このため、共通電極２１のシート抵抗を低減したのと実質的に同様な効果を得ることができる。従って、共通電極２１の電位が画像信号の電位変化に伴って変動しても、共通電極２１の電位は、短い時間で共通電位に復帰するので、横ストロークの発生を防止することができる。また、遮光層２９の上層には絶縁層２７が形成されているため、遮光層２９に起因する段差が緩和されている。従って、共通電極２１に段差切れが発生しない。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス型基板において、薄膜トランジスタと、その端子接続部を
同時に作り込み、少ないマスク数で歩留まりの良い表示装置を提供する。
【解決手段】画素部および外部入力端子を有する表示装置であって、画素部は、ゲート電
極と、半導体膜と、ゲート電極上に形成された絶縁膜、および絶縁膜上に半導体膜と電気
的に接続された電極を有するＴＦＴを有し、外部入力端子は、ゲート電極と同じ層に形成
された第１の配線と、電極と同じ層に形成され、絶縁膜に形成されたコンタクトホールを
介し第１の配線と接続された第２の配線と、第２の配線に接続され、第２の配線上に形成
された透明導電膜と、第２の配線と透明導電膜が接続している位置で透明導電膜と電気的
に接続するフレキシブルプリント配線板を有する表示装置。 （もっと読む）

【課題】無機配向膜が基板間導通用電極部の表面を覆っている場合でも、簡素な構成で、基板間導通用電極部と導電粒子とを導通させることのできる液晶装置、液晶装置の製造方法、および当該液晶装置をライトバルブとして用いた投射型表示装置を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００において、素子基板１０および対向基板２０からなる一対の基板のうち、対向基板２０では、配向膜２６が基板間導通用電極部２５ｔの表面を覆う無機配向膜である。但し、基板間導通用電極部２５ｔが導電粒子２０９ｂより低硬度のアルミニウム合金膜により形成されていることから、導電粒子１０９ｂが配向膜２６を突き破って基板間導通用電極部２５ｔに食い込み、基板間導通用電極部２５ｔと導通している。このため、対向基板２０では、全面に配向膜２６を形成することができ、マスク蒸着を行う必要がない。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス型の表示装置の作製工程又は完成品における静電気による不良の発生を抑制する。
【解決手段】本発明に係る表示装置は、アクティブマトリクス回路の角の部分に隣接して、前記アクティブマトリクス回路に接続されていない格子状の放電パターンが形成されていることを特徴とする。また、本発明に係る表示装置は、アクティブマトリクス回路の周辺に、前記アクティブマトリクス回路を構成するゲイト線又はソース線と交わる放電パターンが形成され、前記放電パターンの長さは、前記アクティブマトリクス回路の画素ピッチよりも長いことを特徴とする。これらにより、各種静電破壊によるアクティブマト
クス型表示装置の不良の発生を抑制することができる。 （もっと読む）