【課題】２Ｄ映像と３Ｄ映像を選択的に実現することができる映像表示装置を提供する。
【解決手段】映像表示装置は複数のピクセル（ＰＩＸ）を含み２Ｄモードと３Ｄモードで動作する表示パネルと表示パネルからの光を第１及び第２偏光の光で分割するパターンドリターダと、オフレベルで第１直流制御電圧を発生しオフレベルより高く完全オンレベルより低い不完全オンレベルで第２直流制御電圧を発生し、駆動モードによって第１及び第２直流制御電圧を選択的に出力する制御電圧発生部を備え、ピクセルそれぞれはミラータイプで垂直配置された上部及び下部表示部（ＵＤＩＳ、ＬＤＩＳ)を備え、上部表示部は隣合う上部メイン表示部（ＵＭＰ）と上部補助表示部（ＵＳＰ）を含み、下部表示部は隣合う下部メイン表示部（ＬＭＰ）と下部補助表示部（ＬＳＰ）を含み、上部メイン表示部と下部メイン表示部の間には上部補助表示部と下部補助表示部が隣合って配置される。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ、これを備えた表示装置、およびその製造方法に関する。
【解決手段】本発明に係る薄膜トランジスタは、基板上に形成され、金属触媒の作用による結晶の成長によって結晶化したアクティブ層と、アクティブ層の一部領域上に形成されたゲート絶縁膜パターンと、ゲート絶縁膜パターンの一部領域上に形成されたゲート電極と、ゲート絶縁膜パターン上にゲート絶縁膜パターンと同じパターンで形成され、ゲート電極を覆うエッチング防止膜パターンと、アクティブ層およびエッチング防止膜パターン上に形成されたソース電極およびドレイン電極と、アクティブ層およびエッチング防止膜パターンとソース電極およびドレイン電極の間にソース電極およびドレイン電極と同じパターンで形成され、アクティブ層の結晶化に用いられた金属触媒を除去するゲッタリング層パターンとを含む。 （もっと読む）

【課題】非晶質半導体膜の結晶化工程において、非晶質半導体膜上に金属元素を導入して加熱処理を行なった、レーザアニールを行って得られた多結晶半導体膜を基に作製された薄膜トランジスタの電気的特性は非常に高いものとなるが、ばらつきが顕著になる場合がある。
【解決手段】非晶質半導体膜上に金属元素を導入して加熱処理を行なって連続的な結晶化領域の中に非晶質領域が点在する第１の多結晶半導体膜１０３ｂを得る。このとき、非晶質領域を所定の範囲に収めておく。そして、結晶化領域より非晶質領域にエネルギーを加えることができる波長域にあるレーザビームを第１の多結晶半導体膜１０３ｂに照射すると、結晶化領域を崩すことなく非晶質領域を結晶化させることができる。以上の結晶化工程を経て得られた第２の多結晶半導体膜を基にＴＦＴを作製すると、その電気的特性は高く、しかもばらつきの少ないものが得られる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を含み、高速動作が可能なトランジスタ及びその作製方法を提供する。または、該トランジスタを含む信頼性の高い半導体装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】チャネル形成領域と、該チャネル形成領域を挟むように設けられ、チャネル形成領域よりも低抵抗な領域であるソース領域及びドレイン領域と、を含み、チャネル形成領域、ソース領域及びドレイン領域はそれぞれ結晶性領域を含む酸化物半導体層を有する半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】外部へ放出されるノイズ（電磁波）が低減された液晶表示装置を提供する。
【解決手段】画素電極と信号線、走査線、及び信号線や走査線を駆動する駆動手段が形成されたＴＦＴ基板１と、ＴＦＴ基板に対向して設けられると共に共通電極６が形成された共通電極基板５と、画素電極と共通電極の間に形成された液晶層７とを含む液晶表示装置であって、駆動手段から放射される電磁波をシールドする接地電極１５を備え、接地電極は、共通電極と同じ透明電極からなるものであって、ＴＦＴ基板及び共通電極基板と異なるシールド基板１６に形成されている。 （もっと読む）

【課題】表示装置の高精細化に伴い、画素数が増加し、ゲート線数、及び信号線数が増加
する。ゲート線数、及び信号線数が増加すると、それらを駆動するための駆動回路を有す
るＩＣチップをボンディング等により実装することが困難となり、製造コストが増大する
という問題がある。
【解決手段】同一基板上に画素部と、画素部を駆動する駆動回路とを有し、駆動回路の少
なくとも一部の回路を、酸化物半導体を用いた逆スタガ型薄膜トランジスタで構成する。
同一基板上に画素部に加え、駆動回路を設けることによって製造コストを低減する。 （もっと読む）

【課題】広い視野角を有しており、かつ従来と比べて製造コストが低い液晶表示装置を提供する。
【解決手段】下地絶縁膜１０１上に形成され、トランジスタのソース１０２ｄ、チャネル領域１０２ｃ、及びドレイン１０２ｂが形成された島状の第１の半導体膜１０２と、ソース１０２ｄ又はドレイン１０２ｂとなる第１の半導体膜１０２と同一の材料から構成され、下地絶縁膜１０１上に形成された第１の電極１０２ｃと、第１の電極１０２ｃの上方に形成され、第１の開口パターン１１２を有する第２の電極１０８と、第２の電極１０８の上方に配置された液晶１１０とを具備する。 （もっと読む）

【課題】より良い動作を実現する半導体装置を提供する。
【解決手段】第１のトランジスタと、第１のトランジスタのゲートに電気的に接続される
第２のトランジスタとを有し、第１のトランジスタの第１の端子は第１の配線に電気的に
接続され、第１のトランジスタの第２の端子は第２の配線に電気的に接続され、第１のト
ランジスタのゲートは第２のトランジスタの第１の端子又は第２の端子に電気的に接続さ
れることにより半導体装置が構成されるものである。上記において、第１乃至第２のトラ
ンジスタは、少なくともチャネル領域に酸化物半導体を有し、かつ、オフ電流が小さなも
のを用いることができる。 （もっと読む）

【課題】側壁スペーサを形成することなく、且つ、工程数を増やすことなく、自己整合的にＬＤＤ領域を少なくとも一つ備えたＴＦＴを提供する。また、同一基板上に、工程数を増やすことなく、様々なＴＦＴ、例えば、チャネル形成領域の片側にＬＤＤ領域を有するＴＦＴと、チャネル形成領域の両側にＬＤＤ領域を有するＴＦＴとを形成する作製方法を提供する。
【解決手段】回折格子パターン或いは半透膜からなる光強度低減機能を有する補助パターンを設置したフォトマスクまたはレチクルをゲート電極形成用のフォトリソグラフィ工程に適用して膜厚の厚い領域と、該領域より膜厚の薄い領域を片側側部に有する非対称のレジストパターンを形成し、段差を有するゲート電極を形成し、ゲート電極の膜厚の薄い領域を通過させて前記半導体層に不純物元素を注入して、自己整合的にＬＤＤ領域を形成す
る。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化す
ることを目的の一とする。
【解決手段】第１の絶縁膜を形成し、第１の絶縁膜に酸素ドープ処理を行って、第１の絶
縁膜に酸素原子を供給し、第１の絶縁膜上に、ソース電極およびドレイン電極、ならびに
、ソース電極およびドレイン電極と電気的に接続する酸化物半導体膜を形成し、酸化物半
導体膜に熱処理を行って、酸化物半導体膜中の水素原子を除去し、水素原子が除去された
酸化物半導体膜上に、第２の絶縁膜を形成し、第２の絶縁膜上の酸化物半導体膜と重畳す
る領域にゲート電極を形成する半導体装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の開口率を向上することを課題の一とする。
【解決手段】同一基板上に駆動回路部と、表示部（画素部ともいう）とを有し、当該駆動回路部は、ソース電極及びドレイン電極が金属によって構成され且つチャネル層が酸化物半導体によって構成された駆動回路用チャネルエッチ型薄膜トランジスタと、金属によって構成された駆動回路用配線とを有し、当該表示部は、ソース電極層及びドレイン電極層が酸化物導電体によって構成され且つ半導体層が酸化物半導体によって構成された画素用チャネル保護型薄膜トランジスタと、酸化物導電体によって構成された表示部用配線とを有する半導体装置である。半導体装置に設けられる該薄膜トランジスタは多階調マスクによって形成されたレジストマスクを用いて作製する。 （もっと読む）

【課題】保護回路を設けて表示装置の信頼性を高める。
【解決手段】画素部が有するトランジスタは、チャネル形成領域を有する第１酸化物半導体層を有し、走査線と電気的に接続する第１ゲート電極を有し、信号線と電気的に接続する第１配線層を有し、画素電極と電気的に接続する第２配線層を有し、画素部の外側領域に、保護回路を有し、保護回路が有する非線形素子３０、３１は、走査線１３又は信号線と電気的に接続される第２ゲート電極を有し、第２ゲート電極を被覆するゲート絶縁層を有し、ゲート絶縁層上に第２酸化物半導体層を有し、第２ゲート電極の電位が、非線形素子の第３配線層又は第４配線層へ印加されるように、第２ゲート電極と第３配線層又は第４配線層とは第５配線層によって電気的に接続されている。第５の配線層は、画素電極と同じ材料を有することができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタにおいて、電気的特性の変動が小さく、信頼
性の高い半導体装置を作製することを課題とする。
【解決手段】チャネルを形成する酸化物半導体層に接する絶縁層に、シリコン過酸化ラジ
カルを含む絶縁層を用いる。絶縁層から酸素が放出されることにより、酸化物半導体層中
の酸素欠損及び絶縁層と酸化物半導体層の界面準位を低減することができ、電気的特性の
変動が小さく、信頼性の高い半導体装置を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】画像信号の入力頻度の向上を図ること。
【解決手段】液晶表示装置の画素部を複数の領域に分割し、該複数の領域毎に画像信号の入力を制御する。そのため、当該液晶表示装置は、同時に複数本の走査線を選択することが可能である。すなわち、当該液晶表示装置は、マトリクス状に配設された画素のうち、複数行に配設された画素に対して同時に画像信号を供給することが可能である。これにより、当該液晶表示装置が有するトランジスタなどの応答速度を変化させることなく、各画素に対する画像信号の入力頻度を向上させることが可能になる。 （もっと読む）

【課題】不良の発生が抑制され高いコストパフォーマンスを有する電気光学装置、及び電子機器を提供する。
【解決手段】素子基板上に設けられた、ＴＦＴ３０と、ＴＦＴ３０に対応して設けられた画素電極１５と、ＴＦＴ３０と画素電極１５との間に設けられたデータ線６ａと、データ線６ａと画素電極１５との間に設けられた第１容量電極１６ａと、第１容量電極１６ａと画素電極１５との間に設けられ、第１容量電極１６ａの一部に誘電体層を介して対向配置されると共に、電気的にＴＦＴ３０と画素電極１５とに接続された第２容量電極１６ｂと、を備え、第２容量電極１６ｂは、アモルファスタングステンシリサイド膜からなる。 （もっと読む）

【課題】色再現率が高くて輝度が高い２次元及び３次元映像を具現し、特に３次元映像具現の時にクロストーク欠陥が減少した表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置は、第１絶縁基板、複数の画素、第２絶縁基板、カラーフィルター層、及びパターンリターダを備える。第１絶縁基板は、行列形態に配列され、列方向より行方向に長い複数の画素領域を有し、列方向より行方向に長い。画素は、各画素領域に提供され、印加された映像信号に従って２次元又は３次元映像を表示する。ここで、１つの色情報を示す単位画素は列方向に連続する第１〜第４画素に定義され、第４画素にホワイト色画素が対応する。 （もっと読む）

【課題】反射性画素電極の上層側に絶縁膜が形成されているか否かにかかわらず端子電極を設けることができるとともに、深いコンタクトホールを形成しなくても端子電極の導通を図ることができる電気光学装置、および投射型表示装置を提供すること。
【解決手段】電気光学装置１００において、端子電極１０２は、反射性の画素電極９ａと同一の層に設けられているとともに、画素電極９ａを構成する導電膜と同一種類の導電材料からなる。このため、画素電極９ａの上層側に平坦化膜１７等の絶縁膜が形成されているか否かにかかわらず、端子電極１０２を構成することができる。また、端子電極１０２を導通させるためのコンタクトホール４５ｓが浅い。画素電極９ａおよび端子電極１０２の上層側には平坦化膜１７が設けられており、平坦化膜１７の端子電極１０２と重なる領域には開口部１７ｓが設けられている。 （もっと読む）

【課題】液晶パネルなどにおいて、取り出し端子とＦＰＣを接続するための異方性導電膜のコンタクトの信頼性を向上する。
【解決手段】アクティブマトリクス基板１０１上の接続配線１８３は端子部１８２において異方性導電膜１９５によって、ＦＰＣ１９１に電気的に接続される。接続配線１８３はアクティブマトリクス基板１０１上のＴＦＴのソース／ドレイン配線と同じ工程で作製され、金属膜と透明導電膜の積層膜でなる。異方性導電膜１９５との接続部分において、接続配線１８３の金属膜の側面は保護膜で覆われているためこの部分において、金属膜は透明導電膜、下地の絶縁膜１０９、保護膜に接して囲まれ外気に触れることがない。 （もっと読む）

【課題】動画と静止画を表示可能な液晶表示装置において、誤動作を低減し、低消費電力化が可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】端子部、スイッチングトランジスタ、駆動回路部、並びに画素トランジスタ及び複数の画素を有する画素回路部、が形成された第１の基板と、スイッチングトランジスタを介して端子部と電気的に接続される共通電極が形成された第２の基板と、画素電極と共通電極との間には液晶が挟持されており、静止画を表示する期間において、スイッチングトランジスタの第１の端子と第２の端子とを非導通状態とし、共通電極を電気的に浮遊状態とし、静止画から動画に切り替わる期間において、共通電極に共通電位を供給する第１のステップ、駆動回路部に電源電圧を供給する第２のステップ、駆動回路部にクロック信号を供給する第３のステップ、駆動回路部にスタートパルス信号を供給する第４のステップ、の順に行う。 （もっと読む）

【課題】信号線駆動回路が有するスイッチ回路を画素部と同じ基板上に配置する構成において、スイッチ回路を構成するトランジスタサイズを縮小し、データを供給することによる信号線の充放電を行う際の回路内の負荷を削減する
【解決手段】映像信号が入力される画素部と、映像信号の画素部への出力を制御するためのスイッチ回路部を有する信号線駆動回路を有し、スイッチ回路部は、絶縁基板上において、電界効果移動度が少なくとも８０ｃｍ^２／Ｖｓ以上であるトランジスタを有し、トランジスタは、酸化物半導体層を有する。 （もっと読む）