【課題】アクティブマトリクス型の表示装置の作製工程又は完成品における静電気による不良の発生を抑制する。
【解決手段】本発明に係る表示装置は、アクティブマトリクス回路の角の部分に隣接して、前記アクティブマトリクス回路に接続されていない格子状の放電パターンが形成されていることを特徴とする。また、本発明に係る表示装置は、アクティブマトリクス回路の周辺に、前記アクティブマトリクス回路を構成するゲイト線又はソース線と交わる放電パターンが形成され、前記放電パターンの長さは、前記アクティブマトリクス回路の画素ピッチよりも長いことを特徴とする。これらにより、各種静電破壊によるアクティブマト
クス型表示装置の不良の発生を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】動作性能および信頼性の高い液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第１のチャネル形成領域７１３と、第１のソース領域及び第１のドレイン領域と、ゲート絶縁膜と、第１のゲート電極とを備えた第１のＴＦＴと、第２のチャネル形成領域７１４と、第２のソース領域及び第２のドレイン領域と、ゲート絶縁膜と、第２のゲート電極とを備えた第２のＴＦＴと、第１のＴＦＴ及び第２のＴＦＴ上に設けられた第１の絶縁膜６６４と、第１のソース領域及び第１のドレイン領域の一方と接続されたソース配線６６８と、第１のソース領域及び第１のドレイン領域の他方と接続し、且つ第２のゲート電極に接続された第１のドレイン配線と、第１の絶縁膜上に設けられ、第２のソース領域及び第２のドレイン領域の一方に接続された第２のドレイン配線６７２と、第１の絶縁膜上に設けられ、第２のソース領域及び第２のドレイン領域の他方に接続された電流供給線と、を有する。 （もっと読む）

【課題】製造歩留まりの高いアレイ基板及び液晶表示装置を提供する。
【解決手段】アレイ基板は、複数の補助容量電極と、複数の半導体層１５と、複数のゲート電極２０を含んだ複数の走査線１９と、複数の補助容量線と、複数のコンタクトホールを有した層間絶縁膜と、複数のコンタクトホールを通って複数の半導体層のソース領域に電気的に接続された複数の信号線と、複数の画素電極と、を備えている。走査線１９が延在した方向に互いに隣合う一方の画素電極が接続された補助容量電極と、他方の画素電極が接続された補助容量電極とは、走査線を挟んで位置している。薄膜トランジスタのチャネル面積ＣＳは、２４μｍ^２以上である。 （もっと読む）

【課題】隣接する二つの画素が一つのデータラインを共有する構造を有する表示パネルにおいて、ベーゼル幅を低減できる表示パネルを提供する。
【解決手段】表示パネルは複数の画素、データライン、一対のゲートライン、第１ゲート駆動回路及び第２ゲート駆動回路を含む。複数の画素は表示領域に配置され、複数の画素行と複数の画素列からなる。データラインは列方向に伸長し、二つの画素列ごとに配置される。一対のゲートラインは行方向に伸長し、一つの画素行ごとに各々、画素行の第１側部及び第２側部に配置される。第１ゲート駆動回路は表示領域の第１周辺領域に形成され、画素行の第１側部に配置された第１ゲートラインにゲート信号を提供する第１ステージを含む。第２ゲート駆動回路は第１周辺領域と向き合う表示領域の第２周辺領域に形成されて、画素行の第２側部に配置された第２ゲートラインにゲート信号を提供する第２ステージを含む。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのしきい値電圧の変動を抑制し、表示パネルに実装するドライバＩ
Ｃの接点数を削減し、表示装置の低消費電力化を達成し、表示装置の大型化又は高精細化
を達成することを目的とする。
【解決手段】劣化しやすいトランジスタのゲート電極を、第１のスイッチングトランジス
タを介して高電位が供給される配線、及び第２のスイッチングトランジスタを介して低電
位が供給される配線に接続し、第１のスイッチングトランジスタのゲート電極にクロック
信号を入力し、第２のスイッチングトランジスタのゲート電極に反転クロック信号を入力
することで、劣化しやすいトランジスタのゲート電極に高電位、又は低電位を交互に供給
する。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、基板上の積層構造の単純化を図る。
【解決手段】電気光学装置は、第１方向（Ｘ方向）及び該第１方向に交わる第２方向（Ｙ方向）に沿って配列された複数の画素と、画素毎に夫々対応して設けられた複数のトランジスター（Ｔｒ）と、第１方向に沿って配列された画素からなる画素群毎に設けられ、トランジスターのゲート電極に電気的に夫々接続された複数の走査線（１１）とを備え、複数のトランジスターのうち第２方向において隣り合う画素に設けられたトランジスターは電気的に互いに直列接続されており、互いに直列接続されたトランジスターのうち第２方向における一端に位置するトランジスターに画像信号を供給する画像信号供給部を備える。 （もっと読む）

【課題】結晶性の高い微結晶半導体膜及びその作製方法を提供する。また、電気特性が良好な半導体装置を、生産性高く作製する方法を提供する。
【解決手段】厚さが７０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の微結晶半導体膜であり、微結晶半導体膜の表面から一部が突出する結晶粒を有し、当該結晶粒は配向面を有し、且つ１３ｎｍ以上の大きさの結晶子を有する微結晶半導体膜である。また、微結晶半導体膜の膜密度が２．２５ｇ／ｃｍ^３以上２．３５ｇ／ｃｍ^３以下、好ましくは２．３０ｇ／ｃｍ^３以上２．３３ｇ／ｃｍ^３以下である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、液晶表示装置の製造工程のうちの表示板に集積されたゲート駆動部に静電気が流入することを防止する液晶表示装置を提供する。
【解決手段】本発明の液晶表示装置は、基板、基板上に形成された複数のスイッチング素子を各々含む複数の画素、スイッチング素子に接続され、行方向に延びている複数のゲート線、ゲート線と各々接続されている回路部及び回路部と接続されている配線部を含むゲート駆動部を含み、回路部はトランジスタを含み、配線部は信号線を含み、トランジスタと信号線は接続部材を介して接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】トランジスタの作製に用いるフォトリソグラフィ工程を従来よりも少なくし、且つ、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】第１の基板上に酸化物半導体層を有するトランジスタを含む回路と、当該第１の基板とシール材で固定された第２の基板とを有し、当該シール材、当該第１の基板、及び当該第２の基板で囲まれる閉空間は、減圧状態、或いは乾燥空気を充填する半導体装置に関する。当該シール材は、少なくとも前記トランジスタを囲み、閉じられたパターン形状を有する。また当該回路は、酸化物半導体層を有するトランジスタを含む駆動回路である。 （もっと読む）

【課題】液晶容量の変化の検出感度を向上させることができる容量変化検出回路を提供する。
【解決手段】静電容量の変化を検出する容量変化検出回路であって、一方の電極が電圧供給線に接続された第１の可変容量と、前記第１の可変容量の他方の電極に直列に接続された第２の可変容量と、前記第２の可変容量の前記第１の可変容量とは他方の電極に接続され、前記第１の可変容量、及び前記第２の可変容量の容量値に応じた電気信号を出力するスイッチング素子とを備える。 （もっと読む）

【課題】同一の層間膜上に画素電極と、ゲート配線を形成した半導体装置において、マス
ク枚数を追加することなく、液晶の焼きつきや特性劣化を低減する。
【解決手段】ゲート配線上に絶縁膜を設けることで、ゲート配線が非選択の期間に液晶に
かかるゲート電圧の絶対値を減少させることができる。絶縁膜は遮光性樹脂膜、柱状スペ
ーサーで形成すると、マスク枚数の増加を抑えることができる。また、絶縁膜上に画素電
極を形成し、ゲート配線と画素電極が重なり合うようにすることで、画素電極の電界遮蔽
効果によって、液晶にかかるゲート電圧を減少させることができる。 （もっと読む）

【課題】レイアウトの自由度を高め、基板上の熱源による表示品質の低下を防止できるアクティブマトリクス基板を提供する。
【解決手段】走査線２２、データ線２４及び画素２６を含む画素回路と、半導体基板の一辺に沿って形成された複数のパッドを含む入力パッド部３０と、高速シリアルインターフェース回路４０と、高速シリアルインターフェース回路からの出力に基づいて階調データを生成するロジック回路５０と、階調データに基づいて複数のデータ線を駆動するデータ線駆動回路６０と、制御信号に基づいて走査線を駆動する走査線駆動回路７０とを有し、半導体基板の一辺と画素回路との間で、該一辺側から順に、入力パッド部、高速シリアルインターフェース回路及びロジック回路が配置され、ロジック回路と画素回路との間に、データ線駆動回路及び走査線駆動回路の一方が配置される。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で、ダイナミックレンジを広くすることができる光センサを提供する。
【解決手段】光センサは、光検出素子と、第１の電圧（Ｖ＿ＳＳＲ）に対して電位差ΔＶ＿ＲＳＴ（Ｖ１）の第２の電圧（Ｖ＿ＳＳ）を発生させるパルス信号を、リセット信号として供給するリセット信号配線と、読み出し信号を供給する読み出し信号配線と、センシング期間（Ｔ１）に、光検出素子が受光した光量に応じて電位が変化する蓄積ノードと、蓄積ノードの電位変化に応じた信号を、出力配線へ読み出すセンサスイッチング素子とを備える。リセット信号配線では、センシング期間の少なくとも一部において、第１の電圧（Ｖ＿ＳＳＲ）と第２の電圧（Ｖ＿ＳＳ）との間の電圧が印加される。 （もっと読む）

【課題】オフ電流の極めて小さい酸化物半導体膜を用いたトランジスタを提供する。また、該トランジスタを適用することで、消費電力の極めて小さい半導体装置を提供する。
【解決手段】基板上に加熱処理により酸素を放出する下地絶縁膜を形成し、下地絶縁膜上に第１の酸化物半導体膜を形成し、基板を加熱処理する。次に、第１の酸化物半導体膜上に導電膜を形成し、該導電膜を加工してソース電極およびドレイン電極を形成する。次に、第１の酸化物半導体膜を加工して第２の酸化物半導体膜を形成した直後にソース電極、ドレイン電極および第２の酸化物半導体膜を覆うゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】 複数の接続部の接続不良の有無を容易に発見できる電気光学装置及び電子機器等を提供すること。
【解決手段】 複数の画素電極が形成された第１基板１０と共通電極２４が形成された第２基板２０とを有する電気光学装置は、第１基板に配置されて第２基板の共通電極を駆動する複数の駆動回路１６０と、第１基板と第２基板とを電気的に接続して第１基板に配置された複数の駆動回路の各々の出力線を第２基板の共通電極にそれぞれ接続する複数の接続部５０−１〜５０−４と、複数の接続部の導通を検査する検査回路２００−１〜２００−４とを有し、検査回路は、検査時に、第１基板側から複数の接続部の一つを介して第２基板の共通電極に供給され、かつ、共通電極から複数の接続部の他の一つを介して第１基板側に供給される検査信号が入力される信号入力部２１０を有する。 （もっと読む）

【課題】表示パネルに設けられるパッド部として適した構造を提供することを目的の一と
する。酸化物半導体の他、絶縁膜及び導電膜を積層して作製される各種用途の表示装置に
おいて、薄膜の剥がれに起因する不良を防止することを目的の一とする。
【解決手段】走査線と信号線が交差し、マトリクス状に配列する画素電極層と、該画素電
極層に対応して設けられた画素部を有し、該画素部に酸素の含有量が異なる少なくとも二
種類の酸化物半導体層とを組み合わせて構成される逆スタガ型薄膜トランジスタが設けら
れた表示装置である。この表示装置において画素部の外側領域には、走査線、信号線を構
成する同じ材質の導電層によって、画素電極層と対向する共通電極層と電気的に接続する
パッド部が設けられている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、アクティブマトリクス基板の作製工程を増やすことなく、反射電極の鏡面反射を防ぐ凸凹を形成する手段を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明は、反射型の液晶表示装置に用いるアクティブマトリクス基板の作製方法において、画素電極（反射電極）の表面に凹凸を持たせて光散乱性を図るための凸部７０１、７０２の形成をＴＦＴの形成と同じフォトマスクでパターニングを行い、画素電極１６９の表面に凸凹を形成する。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置において、積層構造の単純化を図り、しかも高品質な表示を可能とする。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上に、互いに交差するデータ線（６）及び複数の走査線（１１）と、データ線に電気的に接続された第１ソースドレイン領域、及び第２ソースドレイン領域を含んでなる半導体層（３０ａ）と、複数の走査線のうち一の走査線に電気的に接続されたゲート電極とを有するトランジスター（３０ａ）と、半導体層と基板との間に配置され、第２ソースドレイン領域に電気的に接続された第１容量電極（７１）と、第１容量電極に対向するように設けられるとともに一の走査線に隣り合う走査線に電気的に接続された第２容量電極（７３）とを有する蓄積容量（７０）と、を備え、蓄積容量は、基板上に設けられた溝の内部の少なくとも一部に設けられている。 （もっと読む）

【課題】液晶素子に印加される電圧を異ならせて視野角特性を改善する。
【解決手段】 本発明の一は、一画素に三以上の液晶素子を有し、該液晶素子の各々に印
加される電圧値が異なる液晶表示装置である。各液晶素子に印加される電圧を異ならせる
には、加えた電圧を分圧する素子を配置することにより行う。印加される電圧を異ならせ
るためには、容量素子、抵抗素子、又はトランジスタ等を用いる。 （もっと読む）

【課題】動作性能および信頼性の高いＥＬ表示装置を提供する。
【解決手段】第１のチャネル形成領域と、第１のソース領域及び第１のドレイン領域と、ゲート絶縁膜と、第１のゲート電極とを備えた第１のＴＦＴと、第２のチャネル形成領域と、第２のソース領域及び第２のドレイン領域と、ゲート絶縁膜と、第２のゲート電極とを備えた第２のＴＦＴと、第１のＴＦＴ及び第２のＴＦＴ上に設けられた第１の絶縁膜と、第１のソース領域及び第１のドレイン領域の一方と接続されたソース配線と、第１のソース領域及び第１のドレイン領域の他方と接続し、且つ第２のゲート電極に接続された第１のドレイン配線と、第１の絶縁膜上に設けられ、第２のソース領域及び第２のドレイン領域の一方に接続された第２のドレイン配線と、第１の絶縁膜上に設けられ、第２のソース領域及び第２のドレイン領域の他方に接続された電流供給線と、を有する。 （もっと読む）