【課題】液晶装置等の電気光学装置において、サンプリング用トランジスターの高速化とプッシュダウン現象の抑制を両立させ、高品位な表示を行う。
【解決手段】電気光学装置は、データ線（６）に画像信号線（６０）から供給される画像信号をサンプリングするサンプリング用トランジスター（７１）を備える。サンプリング用トランジスターのゲート絶縁膜（７３）は、ゲート電極（７１Ｇ）の第１ソースドレイン領域（７４Ｓ）側の縁部（７１Ｇｅｓ）に重なる部分及びゲート電極の第２ソースドレイン領域（７４Ｄ）側の縁部（７１Ｇｅｄ）に重なる部分の各々の膜厚が、ゲート電極の中央部（７１Ｇｃ）に重なる部分の膜厚よりも厚くなるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】ＩＰＳにおける従来の技術は、工程数が多く、開口率が低いので、実用化できな
い。また、液晶層に最も近接している層に存在する配線及び電極が多く、画素表示部にお
ける個々の液晶にかかる電界が不均一であった。
【解決手段】本発明は、ゲイト線１０２、１０５とコモン線１０３、１０４を最初に同時
に形成し、層間膜形成後、画素電極１０８とコモン電極１１０、１１１とソ─ス線１０６
、１０７を同時に形成する。こうすることによって、電極パタ─ンを単純化でき、工程を
簡略化した。また、液晶層に最も近接している層に存在する配線及び電極を画素電極とコ
モン電極とソ─ス線とし、その形状を単純なものにした。 （もっと読む）

【課題】液晶中のイオン性不純物の偏在が抑制され、優れた表示品質が得られる液晶装置、この液晶装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】本適用例の液晶装置は、一対の基板と、一対の基板に挟持された負の誘電異方性を有する液晶分子を含む液晶層と、マトリックス状に配置された複数の画素Ｐを含む表示領域Ｅ１と、一対の基板の液晶層に面する側にそれぞれ設けられ、液晶分子を傾斜させる傾斜方向θａが平面的に見て複数の画素Ｐの配列方向に対して交差する方向にプレチルトを与えて液晶分子を垂直配向させる配向膜と、表示領域Ｅ１を囲むように配置された複数のダミー画素ＤＰと、を備え、表示領域Ｅ１の傾斜方向θａの角部に配置される画素Ｐに対して、傾斜方向θａにおける対角方向に配置されるダミー画素ＤＰは、他のダミー画素ＤＰよりも高い電位が供給される。 （もっと読む）

【課題】トランジスターの静電破壊を抑制する。
【解決手段】電気光学装置の製造方法は、基板上に第１トランジスターを形成する工程と
、第１トランジスターが形成された基板上に第１絶縁膜を形成する工程と、第１絶縁膜を
エッチングして、第１トランジスターに通じる第１貫通孔を形成する工程と、第１貫通孔
を介して第１トランジスターに接続された第１部分および第１部分とは接続されていない
第２部分を有する第１導体膜を第１絶縁膜上に形成する工程と、第１導体膜上に第２絶縁
膜を形成する工程と、第２絶縁膜をエッチングして第１導体膜の第１部分および第２部分
のそれぞれに通じる第２貫通孔および第３貫通孔を形成する工程と、第２貫通孔および第
３貫通孔を介して、第１導体膜の第１部分および第２部分を電気的に接続する第２導体膜
を第２絶縁膜上に形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】２つの副画素電極を電気的に接続するに当り、高精細化の妨げとならない画素構造、当該画素構造を用いた表示装置、及び、当該表示装置を有する電子機器を提供する。
【解決手段】回路部が形成された基板上に設けられる平坦化膜を、第１，第２の平坦化膜５１，５２からなる２層構造とし、この２層構造の２つの平坦化膜５１，５２間に金属配線５３を形成する。そして、この金属配線５３により、第２の平坦化膜５２に形成されたコンタクト部５６，５７を介して、第２の平坦化膜５２上に配された２つの副画素電極４６_A，４６_Bを電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのしきい値電圧を最適な値に保持可能な半導体回路を提供すること。またトランジスタのしきい値電圧を制御可能な半導体回路、及びその駆動方法を提供すること。また上記半導体回路を適用した記憶装置、表示装置、及び電子機器を提供すること。
【解決手段】被制御トランジスタのバックゲートに接続されるノードに、ダイオードと第１の容量素子を設け、トランジスタのしきい値電圧が最適になるように所望の電圧を印加可能で且つその電圧を保持することができる構成とし、さらにダイオードに並列に接続された第２の容量素子を設け、当該ノードの電圧を一時的に変化させられる構成とすればよい。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の開口率を向上することを課題の一とする。
【解決手段】同一基板上に第１の薄膜トランジスタを有する画素部と第２の薄膜トランジ
スタを有する駆動回路を有し、画素部の薄膜トランジスタは、ゲート電極層、ゲート絶縁
層、膜厚の薄い領域を周縁に有する酸化物半導体層、酸化物半導体層の一部と接する酸化
物絶縁層、ソース電極層及びドレイン電極層、及び画素電極層とを有し、第１の薄膜トラ
ンジスタのゲート電極層、ゲート絶縁層、酸化物半導体層、ソース電極層、ドレイン電極
層、酸化物絶縁層、及び画素電極層は透光性を有し、駆動回路部の薄膜トランジスタのソ
ース電極層及びドレイン電極層は、保護絶縁層で覆われ、画素部のソース電極層及びドレ
イン電極層よりも低抵抗の導電材料である半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】ブルー相液晶を用いた液晶表示装置において、ヒステリシスの発生や立ち下がり時間の遅れを補正することが可能な技術を提供することである。
【解決手段】
線状の第１電極と第２電極とが配置される第１基板と、前記第１基板と対向配置される第２基板とを有する液晶表示装置であって、Ｙ方向に延在しＸ方向に並設される第１ドレイン線及び第２ドレイン線と、前記Ｘ方向に延在し前記Ｙ方向に並設されるゲート線と、前記ゲート線からの走査信号に同期して当該第１ドレイン線からのドレイン信号を前記第１電極に供給する第１薄膜トランジスタと、前記画素毎に、前記ゲート線からの走査信号に同期して当該第２ドレイン線からのドレイン信号を前記第２電極に供給する第２薄膜トランジスタと、前記第２基板の対向面側に形成され、少なくとも前記画素の形成領域を覆うようにして形成される平板状の第３電極とを備える液晶表示装置である。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成されたアクティブエリアと共にアクティブエリア外に設けられたＴＦＴ駆動回路の欠陥を検出する。
【解決手段】ＴＦＴアレイ検査装置は、ＴＦＴ駆動回路に検査信号を供給するＴＦＴ駆動回路用ドライバ部と、アクティブエリアの走査画像に基づいて、ＴＦＴ駆動回路およびアクティブエリアの駆動状態を検出する検出部とを備える。ＴＦＴ駆動回路用ドライバ部は、基板上のＴＦＴ駆動回路に検査信号を供給することによってＴＦＴ駆動回路のＴＦＴアレイを駆動し、基板上のアクティブエリアに形成されたＴＦＴアレイを駆動する。検出部は、アクティブエリアの走査画像を用いて、アクティブエリア上で駆動していない非駆動部位を検出する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層と該酸化物半導体層と接する絶縁膜との界面状態が良好なトランジスタ及びその作製方法を提供することを課題の一つとする。
【解決手段】酸化物半導体層と該酸化物半導体層と接する絶縁膜（ゲート絶縁層）との界面状態を良好とするために、酸化物半導体層の界面近傍に窒素を添加する。具体的には酸化物半導体層に窒素の濃度勾配を作り、窒素を多く含む領域をゲート絶縁層との界面に設ける。この窒素の添加によって、酸化物半導体層の界面近傍に結晶性の高い領域を形成でき、安定した界面状態を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】特性が安定した半導体膜を提供することを目的の一とする。または、特性が安定した半導体素子を提供することを目的の一とする。または、特性が安定した半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】具体的には、絶縁性の表面に一方の面を接する第１の結晶構造を有する結晶を含む種結晶層（シード層）と、当該種結晶層（シード層）の他方の面に異方性の結晶が成長した酸化物半導体膜を有する構成とすれば良く、このようなヘテロ構造とすることにより、当該半導体膜の電気特性を安定化することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、アクティブマトリクス型表示装置の製造コストを低減するこ
とを課題とし、安価な表示装置を提供することを課題とする。また、本発明の表
示装置を表示部に用いた安価な電子装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 アクティブマトリクス型表示装置の製造コストを低減するために
画素部に用いるＴＦＴを全て一導電型ＴＦＴ（ここではｐチャネル型ＴＦＴもし
くはｎチャネル型ＴＦＴのいずれか一方を指す）とし、さらに駆動回路もすべて
画素部と同じ導電型のＴＦＴで形成することを特徴とする。これにより製造工程
を大幅に削減し製造コストを低減することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、所望の色温度を実現する。
【解決手段】電気光学装置は、半導体層（１ａ）を有する画素トランジスター（３０）と、画素トランジスターに対応して設けられた画素電極（９ａ）と、画素電極に対応して設けられたカラーフィルター（２２０）と、平面的に見てカラーフィルターと少なくとも部分的に重なるように、且つ半導体層と同じ層に形成されており、透過する光の色温度を調整する色温度調整層（５００）とを備える。 （もっと読む）

【課題】表示に寄与する画素とダミー画素との境界での表示上の不具合を抑える。
【解決手段】マトリクス状に配列する表示画素１１０ａに対して、ダミー画素１１０ｂは、平面視で表示画素１１０ａを囲むように配列する。駆動回路は、表示画素１１０ａの画素電極の各々に対して、フレームを単位として繰り返し供給された映像データであって、かつ、表示画素１１０ａの各々にそれぞれ対応した映像データで指定された階調レベルに応じた電圧をそれぞれ印加する。一方、ダミー画素１１０ｂの画素電極の各々に対しては、隣り合う表示画素１１０ａについて１フレーム前の映像データで指定された階調レベルに応じた電圧を印加する。 （もっと読む）

【課題】スパッタ法でトランジスタ、ダイオード等の半導体用途に好適な材料を提供する。具体的には結晶性の高い酸化物半導体膜を形成する作製プロセスを提供する。
【解決手段】意図的に窒素を酸化物半導体に対して添加することにより、六方晶であり、ウルツ鉱型結晶構造を有する酸化物半導体膜を形成する。酸化物半導体膜において、窒素を含む領域の結晶性は、窒素をあまり含まない領域、或いは窒素を意図的に添加していない領域に比べて高くなる。この結晶性の高いウルツ鉱型結晶構造を有する酸化物半導体膜をトランジスタのチャネル形成領域として用いる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜をチャネルに用いたトランジスタに安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製する。
【解決手段】加熱処理により第１の結晶構造となりうる酸化物半導体膜と、加熱処理により第２の結晶構造となりうる酸化物半導体膜を積層して形成し、その後加熱処理を行うことによって、第２の結晶構造を有する酸化物半導体膜を種として第１の結晶構造を有する酸化物半導体膜へ結晶成長する。このようにして形成した酸化物半導体膜を、トランジスタの活性層に用いる。 （もっと読む）

【課題】樹脂基板等の可撓性を有する基板を用いて、柔軟性を有する半導体装置を作製す
るための技術を提供する。
【解決手段】分離層を有する固定基板上に樹脂基板を形成する工程と、前記樹脂基板上に
少なくともＴＦＴ素子を形成する工程と、前記分離層にレーザー光を照射することにより
、前記分離層の層内または界面において前記固定基板から前記樹脂基板を剥離する工程と
を行い、前記樹脂基板を用いた柔軟性を有する表示装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】液晶装置における表示領域の外側の遮光性を向上させる。
【解決手段】遮光膜５４は、ＴＦＴアレイ基板１０上において、画像表示領域１０ａの外側に延びる周辺領域のうち額縁遮光膜５３が形成された額縁領域の外側に形成されている。データ線駆動回路１０１及び引き回し配線９０は、遮光膜５４に覆われている。引回配線９０は、外部回接続端子１０２と、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４、及び上下導通端子１０６等とを電気的に接続している。遮光膜５４は、額縁遮光膜５３によって遮光しきれなかった入射光、及び当該遮光膜５３及び額縁遮光膜５４によってＴＦＴアレイ基板１側に反射された反射光を額縁領域の外側で遮光できる。 （もっと読む）

【課題】表示に寄与する画素とダミー画素との境界での表示上の不具合を抑える。
【解決手段】平面視で表示に寄与する画素電極１１８ａを囲むように、かつ、隣り合うように設けられた画素電極１１８ｂと、平面視で画素電極１１８ｂの外側に設けられた画素電極１１８ｃと、画素電極１１８ａ、１１８ｂ、１１８ｃに対して、断面視で対向側とは反対側に設けられ、平面視で画素電極１１８ａに対応する画素の遮光率よりも、画素電極１１８ｂ、１１８ｃに対応する画素での遮光率を大きくさせるシールド電極７２とを有し、画素電極１１８ａの各々に対し、表示画像に応じた電圧をそれぞれ印加し、画素電極１１８ｂの各々に、当該画素電極１１８ａに隣り合う画素電極１１８ａと同じ電圧をそれぞれ印加し、画素電極１１８ｃに、液晶１０５を不透過とする電圧を印加する。 （もっと読む）

【課題】多層基板内にＴＦＴ素子の構成要素のうちの少なくとも１つを内蔵させることによって薄膜トランジスタの高精細化を実現できる薄膜トランジスタ形成用基板、半導体装置、電気装置を提供する。
【解決手段】本発明の第１基板３０（素子基板３００）は、表面に制御トランジスタの構成要素の少なくとも一部を備え、内部には制御トランジスタの構成要素に接続される走査線６６、データ線６８、保持容量線、保持容量が埋め込まれていることを特徴とする。 （もっと読む）