【課題】誤動作の発生を防止させる表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置は、第１基板、第２基板、第１基板及び第２基板間に配置された液晶層、第１スペーサ、及び第２スペーサを含む。第１基板は映像を表示する表示領域及び駆動回路が具備される周辺領域を含む。第１スペーサは第１基板及び第２基板間の間隔を維持して周辺領域に配置され、第２スペーサは表示領域に配置される。駆動回路は第１信号ライン、第１信号ラインと絶縁された第２信号ライン、第１保護膜及びブリッジ電極を含む。第１保護膜は第１信号ライン及び第２信号ラインの一部を露出させる第１コンタクトホールを有する。周辺領域はコンタクト領域に隣接してコンタクト領域及び非コンタクト領域に対応して配置され、第１スペーサは非コンタクト領域に配置される。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置において、画像の周囲に光漏れに起因する像が現れるということを極力防止等することで、画質を高める。
【解決手段】ＴＦＴアレイ基板（１０）上に、データ線、走査線、ＴＦＴ及び画素電極を備えている。前記基板は、ＴＦＴ及び画素電極の形成領域として規定される画像表示領域（１０ａ）と、該画像表示領域の周辺を規定する周辺領域とを有する。画像表示領域上には、画素電極における電位を所定期間保持する蓄積容量と、該蓄積容量を構成する容量電極に接続される容量配線（４００）とを備え、前記画像表示領域及び前記周辺領域間を画する額縁領域（５３）上には、容量配線と同一膜として形成され、且つ、当該額縁領域の少なくとも一部に形成された額縁パターン（４０６）を備えている。この額縁パターンは、外部回路接続端子（１０２Ｑ）に接続された配線（４０４）とも同一膜として形成されている。 （もっと読む）

【課題】さらなる低温プロセス（３５０℃以下、好ましくは３００℃以下）を実現し、安価な半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明は、結晶構造を有する半導体層１０３を形成した後、イオンドーピング法を用いて結晶質を有する半導体層１０３の一部にｎ型不純物元素及び水素元素を同時に添加して不純物領域１０７（非晶質構造を有する領域）を形成した後、１００〜３００℃の加熱処理を行うことにより、低抵抗、且つ非晶質な不純物領域１０８を形成し、非晶質な領域のままでＴＦＴのソース領域またはドレイン領域とする。 （もっと読む）

【課題】さらなる低温プロセス（３５０℃以下、好ましくは３００℃以下）を実現し、安価な半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明は、結晶構造を有する半導体層１０３を形成した後、イオンドーピング法を用いて結晶質を有する半導体層１０３の一部にｐ型不純物元素及び水素元素を同時に添加して不純物領域１０７（非晶質構造を有する領域）を形成した後、１００〜３００℃の加熱処理を行うことにより、低抵抗、且つ非晶質な不純物領域１０８を形成し、非晶質な領域のままでＴＦＴのソース領域またはドレイン領域とする。 （もっと読む）

【課題】現像液の濃度差による斜線状ムラを減少することができるＴＦＴ−ＬＣＤ画素電極層構造およびその形成方法、ならびにその形成用のマスクを提供する。
【解決手段】ＴＦＴ−ＬＣＤ画素電極層構造であって、液晶パネルの表示領域に対応する画素電極パターンと、液晶パネルの非表示領域に対応する周辺領域パターンと、非表示領域における周辺領域パターンを設けていない領域に対応する周辺充填パターンとを備える。本発明は、液晶ディスプレーの形成に適用される。さらに、画素電極層の形成方法および形成用マスクも提供された。 （もっと読む）

【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置を提案することを課題とする。
【解決手段】基板上に形成されたゲート電極と、ゲート電極上に形成された酸素過剰のＳｉＯ_Ｘ膜と、ＳｉＯ_Ｘ膜上に形成された酸化物半導体膜と、を有する半導体装置。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製する。
【解決手段】酸化物半導体用ターゲットに含まれる複数種の原子の原子量の違いを利用し、原子量の小さい亜鉛を優先的に酸化物絶縁膜に堆積させ、亜鉛を含む種結晶を形成すると共に、種結晶上に原子量の大きいスズ、インジウム等を結晶成長させつつ堆積させることで、複数の工程を経ずとも、結晶性酸化物半導体膜を形成することを要旨とする。さらには、種結晶として、六方晶構造の亜鉛を含む結晶を有する種結晶を核として、結晶成長させて結晶性酸化物半導体膜を形成することで、単結晶、または実質的に単結晶である結晶性酸化物半導体膜を形成することを要旨とする。 （もっと読む）

【課題】画素部や信号線駆動回路が形成された基板と、ドライバＩＣとの接続配線数を低減させる。
【解決手段】信号線駆動回路は第１乃至第３のトランジスタを有し、第１乃至第３のトランジスタは第１乃至第３の信号線と電気的に接続している。第１乃至第３の信号線は画素部へ延びている。第１乃至第３のトランジスタは共通して、ドライバＩＣの第１端子と電気的に接続している。このような構成により、接続配線数を１／３に低減することができる。 （もっと読む）

【課題】ランプ信号を用いることなくＤＡ変換を行う構造とすることでランプ信号の波形の変形による表示画像の不具合を解消する。
【解決手段】１Ｈ内において、表示する映像信号の画素値と一定周期のクロックを計数するカウンタのカウンタ値とを比較し、画素値とカウンタ値とが一致した時に、データ線ＶＤ_jの電位がそれまでのａからｂに変化する。蓄積ゲートＧ_Sは、ゲート線ＡＧ_iの電圧が、電位ａよりも低い電位ｃから電位よりも高い電位ｄに変化した時に、ＶＤ_jから一定量の電荷を転送されて蓄積する。転送ゲートＧ_Tは、ゲート線ＴＧ_iの電圧が、電位ｃよりも低い電位ｅから電位ｃよりも高い電位ｆに変化した時に、上記の蓄積電荷を保持容量Ｃ_Sに転送して保持させる。データ線ＶＤ_jの電位がｂに変化するまで、上記の蓄積と転送の動作を巡回的に繰り返し、その繰り返し回数に応じた電荷量を保持容量Ｃ_Sに保持する。 （もっと読む）

【課題】液晶モジュールに対して１フレーム時間毎に全ての画素の表示データをシリアルに高速転送する場合と高速転送しない場合とに限らず、コントローラＩＣ及びインタフェース回路が表示デバイス基板と一の基板上に形成されるため小型化が可能で、回路面積が小さく、低消費電力で、メモリ部の動作の信頼度が高く、低コストである表示装置と、この表示装置を使用した機器を提供する。
【解決手段】容量を有するデータ保持回路３と、複数の画素を有する表示部４とが一の第１支持基板１上に形成された表示装置において、画素には、それぞれ画素電極が設けられ、表示部４の上方には第１支持基板１に対向する第２支持基板２が設けられているが、データ保持回路３が配置された領域の上方には対向基板が存在せず、かつ、データ保持回路３が読み出し動作のみでメモリセルをリフレッシュ可能なＤＲＡＭからなる。 （もっと読む）

【課題】基板とＦＰＣとの貼り合わせにおいて、接続端子の電極（パッド）の線幅方向に位置ずれが生じると、ＦＰＣ端子と接続端子との接続面積が小さくなり、接触抵抗が大きくなってしまう。とくに、電源の電源電位が入力されている接続端子での接触抵抗の増加は表示不良の原因となる。そこで、電源供給ラインの抵抗を小さくし、電源供給ラインでの電圧降下を抑制し、表示不良を防止することを課題とする。
【解決手段】接続端子部には、複数の接続端子を有し、該複数の接続端子は、それぞれ接続端子の一部を成す接続パッドを備え、該複数の接続パッドには、第１の接続パッドと、該第１の接続パッドと線幅の異なる第２の接続パッドが含まれ、複数の接続パッドのピッチは等しくする。 （もっと読む）

【課題】センサーの劣化を感知して赤外線光源の輝度を制御することのできる表示装置を提供する。
【解決手段】複数の画素を有し画像を表示する表示パネルと、赤外線領域に属する第１光を放射する第１光源を含んで前記第１光を前記表示パネルへ提供するバックライトユニットと、前記第１光源の輝度を制御するバックライト制御回路と、外部信号を感知して複数の第１センシング信号を出力する複数のセンサーと、前記複数の第１センシング信号を充電し、所定の期間の間前記充電された第１センシング信号を複数の第２センシング信号として出力する読出し回路と、前記複数の第２センシング信号を受信し、前記複数の第２センシング信号の中で、最大値と最小値とを比較し、前記比較した差に基づいて前記第１光源の輝度を制御する輝度制御信号を前記バックライト制御回路へ提供するセンサー補助回路とを有する。 （もっと読む）

【課題】画素の開口領域における開口率を確保しつつ、所望の電気容量を確保可能な保持容量を備えた電気光学装置、およびこれを備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置としての液晶装置は、透光性の画素電極１５と、画素電極１５に対応して設けられたＴＦＴ３０および保持容量と、ＴＦＴ３０に電気的に接続され第１方向に延在する遮光性のデータ線６ａと、データ線６ａと交差する第２方向に延在する遮光性の走査線３ａと、を備え、保持容量は、ＴＦＴ３０を覆うように設けられた遮光性の第１電極１６ｂと、第１電極１６ｂに対向し、第１方向および第２方向の一方に延在する本線部と第１方向および第２方向の他方に突出する突出部とを有する透光性の第２電極１６ａと、を有し、本線部は第１電極１６ｂおよびデータ線６ａよりも幅広に設けられ、突出部は第１電極１６ｂおよび走査線３ａよりも幅広に設けられている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＳＯＩにおいて適したゲッタリング方法を適用して得られる半導体装置を提供する。
【解決手段】埋め込み酸化膜と、埋め込み酸化膜上に表面シリコン層を有するＳＯＩ構造を有する半導体装置において、埋め込み酸化膜上に、表面シリコン層を活性層として有するトランジスタと、素子分離絶縁膜を有し、素子分離絶縁膜上に容量が形成されており、素子分離絶縁膜に希ガス元素又は金属元素が含まれていることを特徴とする半導体装置とする。 （もっと読む）

【課題】作製工程を増やすことなく、凹凸形状の画素電極を作製することを目的とする。
【解決手段】凸部は、フォトマスクを用いて作製すると再現性の高いものが得られるため、画素ＴＦＴ１２０３の作製工程にしたがって作製すればよい。画素ＴＦＴ１２０３の作製と同様に積層される半導体層、ゲート絶縁膜および導電膜を積層して凸部を形成する。こうして形成された凸部および同一工程で形成された画素ＴＦＴ、駆動回路に含まれるＴＦＴを覆うように層間絶縁膜を形成する。凹凸を有する層間絶縁膜が形成されたら、その上に画素電極を形成する。画素電極の表面も絶縁膜の凹凸の影響を受け表面が凹凸化する。 （もっと読む）

【課題】
配線層に銅を用い、遮光層も銅で形成し、且つディッシングの発生を抑制する。
【解決手段】
複数の画素の各々に対応してスイッチ用半導体素子が形成された半導体基板の上方に、第１、第２の銅配線層とその上にアルミニウム反射電極層を配置し、銅配線層から配線と遮光層をパターニングし、第１、第２の遮光層にそれぞれ複数の第１、第２の開口を設け、第１の開口と第２の開口とは、平面視において２つの方向に関して、それぞれ重ならない位置に配置する。 （もっと読む）

【課題】配線の凹凸差を緩和することが可能な構造の半導体装置を提供することを課題と
する。
【解決手段】第１の導電層と、第２の導電層と、第１の導電層及び第２の導電層の間に形
成されると共に、接続孔を有する絶縁層と、第１の導電層及び第２の導電層に接続すると
共に、少なくとも端部の一部が接続孔の内側に形成される第３の導電層と、を有する半導
体装置である。第２の導電層及び第３の導電層が接続する接続孔付近において、第３の導
電層が第１の絶縁層を介して第２の導電層に重畳せず、第３の導電層の端部が第１の絶縁
層上に形成されない。このため、第３の導電層の凹凸を低減することが可能である。 （もっと読む）

【課題】小型化が可能な不揮発性メモリを備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】基板９０１上に画素と不揮発性メモリとを備え、不揮発性メモリは、基板９０１上に形成される半導体活性層と、半導体活性層上に形成される絶縁膜９２３と、絶縁膜９２３上に形成されるフローティングゲイト電極９０７と、フローティングゲイト電極９０７を酸化して得られる酸化膜９０８，９１５，９２２と、酸化膜９０８，９１５，９２２に接して形成されるコントロールゲイト電極９２９と、を備え、画素と不揮発性メモリとは、基板９０１上に一体形成される。 （もっと読む）

【課題】外部からの歪に耐性を有するディスプレイ装置を提供すること。
【解決手段】本発明のディスプレイ装置は、第１の方向の辺と、第１の方向の辺より長い第２の方向の辺からなる平面を有する基材と、基材上の表示部と、基材上の表示部を駆動するディスプレイドライバ回路であって、薄膜トランジスタを用いて構成したゲートドライバ回路と、半導体基板に形成した集積回路で構成したデータドライバ回路と、を有するディスプレイドライバ回路と、を有する。データドライバ回路は、基材の第１の方向の辺に沿って配置され、且つ、ゲートドライバ回路は、基材の第２の方向の辺に沿って配置されている。 （もっと読む）

【課題】駆動電源を切った後に液晶の配向が固定されて残る不安定要素を低減し、良好な表示品位を実現し、長期信頼性を高める。
【解決手段】駆動電源を切った後に、第１の電極４８５に残留した電荷によりできる電界を遮蔽するため、第１の電極と重ねて第２の電極４９２を設ける。第２の電極は第１の電極の面積の７０％以上と重ねる。また、第１の電極が保持容量５０５を構成する電極のときには、第２の電極は保持容量の面積の９０％以上と重ねる。 （もっと読む）