【課題】複数の線パターンの形成領域から一時的に溢れ出した機能液同士が接触しないように機能液を吐出することによって短絡を防止すると共に、線パターンと線パターンとをより近接させる。
【解決手段】線パターンの形成方法であって、隣合うバンク間３４から一時的に溢れ出した上記機能液Ｘ同士が接触しないように各上記バンク間３４の幅方向の中央Ａに対し当該幅方向に変位した位置を各々のバンク間３４の吐出位置として上記機能液Ｘを吐出することによって複数の上記バンク間３４に同時に機能液を配置する。 （もっと読む）

【課題】機械的衝撃に伴って生じる表示ムラを軽減して表示品位を向上させる。
【解決手段】カラーフィルタ１２４上に配置される画素電極１５１およびカラーフィルタ１２４に形成されるコンタクトホール１２６を介して画素電極１５１に接続される画素ＴＦＴ１５１を含むアレイ基板１０１と、画素電極１５１に対向する対向電極１５３を含む対向基板１０２と、これら基板１０１，１０２間に挟持される液晶層１９０とを備える。画素電極１５１は、カラーフィルタ１２４上でスリットを介して互いに隣接する複数のサブピクセル電極部、およびスリットの一部を横断して複数のサブピクセル電極部を接続するブリッジ配線部３を含み、コンタクトホール１２６はブリッジ配線部３を収容してブリッジ配線部３を複数のサブピクセル電極部よりも低い位置に設定するよう配置される。 （もっと読む）

【課題】 本発明では剥離技術を用いることにより様々な基板上に薄膜素子を形成し、従来の技術では不可能であると考えられていた部分に薄膜素子を形成することにより、省スペース化を図ると共に耐衝撃性やフレキシビリティに優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明では、剥離技術を用いて一旦基板から剥離させた膜厚５０μｍ以下の素子形成層を基板上に固着することにより、様々な基板上に薄膜素子を形成することを特徴とする。例えば、可撓性基板上に固着された薄膜素子をパネルの裏面に貼り付けたり、直接パネルの裏面に固着したり、さらには、パネルに貼り付けられたＦＰＣ上に薄膜素子を固着することにより、省スペース化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】 パターニングフリーの能動素子基板の提供。
【解決手段】 能動素子基板は、基板上に形成された能動素子１と、能動素子１上に形成された導電膜２とを有する。導電膜２は、能動素子１から出力された電気信号を有限範囲内に伝達する。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板上の配線を単層構造にして、製造工程を簡略化することができる駆動回路及び液晶表示装置を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる液晶表示装置は対向電極１３を備えたＣＦ基板及びＴＦＴアレイ基板３８を備えている。ＴＦＴアレイ基板３８は直交するゲート配線１８及びソース配線２０と、対向電極３８に接続されたトランスファー電極１４を備えている。またＶＣＯＭ電圧及びＶＥＥＧ電圧を生成するＤＣ／ＤＣ部６と、ＶＥＥＧ電圧をゲート配線１８に供給するゲートドライバＩＣ２と、ＶＥＥＧ電圧を入出力するＬＣＤ用入出力端子４１、３９を備えている。そしてゲートドライバＩＣ２上にＶＣＯＭ電圧を入出力するドライバＩＣ用ダミー入出力端子４２、４４を備え、これらがダミースルー配線１５により接続されている。 （もっと読む）

【課題】 高い周波数が印加され、数ｃｍ〜数１０ｃｍの長さを有する配線の抵抗を低減し、伝送される信号波形のなまりを低減する。
【解決手段】 高周波が印加される配線１１１は、層間絶縁膜１０７を介して、配線１１１の線方向にそって複数設けられたコンタクトホールにより配線１０６と電気的に並列接続している配線構造を採用する。その配線構造を周辺回路一体型アクティブマトリクス型液晶表示装置の周辺回路に用いることで、高周波信号が印加される配線において信号波形のなまりを低減できる。 （もっと読む）

【課題】 液晶表示装置に関し、簡単な構成により中間調における応答速度を含む全階調における応答速度を改善するとともに、視野角特性を改善する。
【解決手段】 一対の電極の内の少なくとも一方の電極はストライプ形状を有するとともに、前記一対の基板１，２の内の少なくとも一方の基板２（１）上に、前記ストライプ形状の走査方向とは異なる方向に走査する構造物５（６）を有し、電圧無印加時に液晶分子１０は少なくとも一方の基板１面において略垂直配向であり、且つ、前記ストライプ状電極３の走査方向とは異なる方位角方向にプレチルト角を有するように構成する。 （もっと読む）

【課題】 画素電極近傍の光り抜けを防止できるアクティブマトリックス型液晶表示装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 アレイ基板に対して略平行な電界を発生させることにより、液晶分子の配列を変化させる、アクティブマトリックス型液晶表示装置において、アレイ基板１０上に、配線を形成した後透明な絶縁膜２０を成膜する工程と、該配線側面に、該配線の膜厚に対する比が０．５以上１．０以下の膜厚の前記絶縁膜を残すように、該絶縁膜をドライエッチングする工程と、前記配線の膜厚に対する比が０．２以下の膜厚の前記配線のみ、ウェットエッチングする工程とを含むようにした。 （もっと読む）

【課題】 少ない回数のフォトリソグラフィで横電界型液晶表示装置のアクティブマトリクス基板を製造する方法を提供する。
【解決手段】 横電界型液晶表示装置の製造方法において、逆スタガ型薄膜トランジスタのゲート電極および共通電極を形成する工程と、ゲート絶縁膜と半導体層とソース・ドレイン電極と画素電極とを形成する工程と、ゲート絶縁膜と薄膜トランジスタ上に形成したパッシベーション膜に所定の開口を形成する工程とから成り、開口形成後、共通配線結束線と各ドレイン配線と高抵抗を介して接続する連結線とを各線の端部に形成した前記開口を介して導電ぺーストで接続するようにした。 （もっと読む）

【課題】 共通電極配線の低抵抗化を図る。
【解決手段】 一対の基板と、前記一対の基板のうちの一方の基板上の表示領域に形成される複数のアクティブ素子と、前記一方の基板上に行方向に形成され行方向のそれぞれのアクティブ素子に走査信号を印加する複数の走査信号線と、前記一方の基板上に列方向に配列されたドレイン信号線を介して映像信号が印加される画素電極と、前記一方の基板上に行方向に配列されている共通電極信号線とを有する液晶表示装置において、前記各共通電極信号線は、その両端部が共通電極配線によって接続されると共に、前記共通電極信号線の一端に接続された共通電極配線と他端に接続された共通電極配線で配線層数が異なる。 （もっと読む）

【課題】 光効率の向上を図る。
【解決手段】 液晶を介して対向配置される各基板ＳＵＢの一方の基板の液晶側の画素領域に、画素電極ＰＸとこの画素電極との間に電界を生じせしめる対向電極ＣＴを備え、前記画素電極および対向電極はそれぞれ一方向に延在し該方向に交差する方向に交互に配置される帯状の複数の電極からなり、これら各電極のうち他の電極よりも幅広に設定される電極を備え、この幅広に設定された前記電極とそれに隣接する電極の離間幅は、他の隣接する電極の離間幅よりも大きく設定されている。 （もっと読む）

【課題】 液晶装置等の電気光学装置において、耐光性を高め、高品位の画像を表示する。
【解決手段】 電気光学装置は、ＴＦＴアレイ基板（１０）上に、画素電極（９ａ）と、これに接続されたＴＦＴ（３０）と、これに接続された配線（３ａ、６ａ）と、ＴＦＴの少なくともチャネル領域を上側から覆う上側遮光層（３００、６ａ）と、このＴＦＴの少なくともチャネル領域を下側から覆う下側遮光層（１１ａ）とを備える。基板には、配線に対向する領域に格子状やストライプ状の溝（１０ｃｖ）が掘られており、この溝内でチャネル領域に対向する領域に凹部（４０１）が更に掘られている。下側遮光膜は、該凹部内に形成されている。 （もっと読む）

【課題】 物理的に接着力が向上し、電気的には接触抵抗が良好な特性を有する表示素子用配線及びこれを利用した薄膜トランジスタ基板並びにその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 表示素子用配線を、低融点金属の合金元素が少なくとも一つ以上合金されているＡｇ合金で形成する。液晶表示パネルにおいて、このような表示素子用配線を用いてゲート配線２２，２４，２６及びデータ配線６５，６６，６８を形成すれば、接触部で他の導電物質と連結される過程で腐食が発生して素子の特性を低下させるのを防止できる。 （もっと読む）

【課題】 画素と画素の間隔が狭くなる高精細な液晶表示装置に対してディスクリネーションに起因する表示欠陥を生じないようにし、高コントラストでかつ明るい表示を可能とした液晶装置及び投射型表示装置と電子機器の提供を目的とする。
【解決手段】 第１基板と第２基板に挟持された液晶層と、前記第２基板の前記液晶層側の面に形成された第１電極、第２電極を備え、前記第１電極と前記第２電極は前記液晶層に対し実質的に基板面と平行な電界が印加できるように構成された液晶装置において、液晶分子の配列の変化する方向が異なる複数の領域を前記第１電極、第２電極とで形成される画素領域内に有することを特徴とする液晶装置。 （もっと読む）

【課題】本発明は、液晶の配向分割制御をＭＶＡ方式により行う液晶表示パネルに関し、連結不良を生じている画素を救済して、製造歩留まりを向上させることができる液晶表示パネルを提供することを目的とする。
【解決手段】画素領域毎に形成されて所定のバスライン１，２に接続される薄膜トランジスタ３ａと、スリット５ａ、５ｂ、５ｃにより３つの分割電極領域ａ、ｂ、ｃ、ｄに分割された画素電極４ａと、隣り合う分割電極領域ａ〜ｄ間を電気的に接続する接続電極６ａ〜６ｃと、薄膜トランジスタ３ａと画素電極４ａとを電気的に接続する接続部（コンタクトホール）７ａとを有している。接続部７ａは、２つの分割電極領域ａ、ｃと接続電極６ａ、６ｂを介して接続する分割電極領域ｂに設けられている。 （もっと読む）

【課題】表示領域最外周画素部に設けられた画素電極のパターニング不良を無くし、表示品位の向上した液晶表示装置を提供することにある。
【解決手段】表示領域の最外周に沿って位置した画素部の着色層２５Ｂを黒着色層からなる額縁パターン３２側へ延在させて延在部２７を形成することにより、着色層と額縁パターンとの段差部分を画素電極３０から離して配置する。また、着色層の延出部の下方に、液晶表示素子を構成する金属配線を配置して、画素電極と額縁パターンとの間の領域を遮光する。 （もっと読む）

【課題】 多結晶シリコン薄膜の表面に形成された突起を容易且つ確実に除去することができる多結晶シリコン薄膜の平坦化方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 多結晶シリコン薄膜を炭素（Ｃ）とフッ素（Ｆ）と水素（Ｈ）とを少なくとも含有するガスのプラズマに曝すことにより突起を除去して多結晶シリコン薄膜の表面を容易且つ確実に平坦化することができる。 （もっと読む）

【課題】 ＣＭＯＳ−ＴＦＴを構成するｐ型及びｎ型ＴＦＴの各しきい値電圧を独立に効率良く（最小限のフォトリソグラフィーで）高精度に制御する。
【解決手段】 ＣＭＯＳ−ＴＦＴを製造するに際して、しきい値電圧（Ｖthp ，Ｖthn ）制御として極低濃度にｐ型不純物（Ｂ：ボロン）の非選択的添加（ｐ型及びｎ型ＴＦＴの双方に添加）及び選択的添加（ｎ型ＴＦＴのみに添加）を連続的に行なう。具体的には、当初図４（ａ）のようにＩd −Ｖg 特性がｐ型及びｎ型ＴＦＴ共に負シフトした状態から、非選択的添加により図４（ｂ）のようにｐ型及びｎ型ＴＦＴ共に正シフトさせてＶthp を先ず仕様値とし、続いて選択的添加によりｎ型ＴＦＴのみ正シフトさせてＶthn を仕様値に調整する。 （もっと読む）

【課題】 電気光学装置において、比較的簡単な構成を用いて、画素部のＴＦＴのチャネル領域やチャネル隣接領域における入射光や戻り光に対する遮光性能を高める。
【解決手段】 電気光学装置は、一対の基板間に挟持された電気光学物質層（５０）と、ＴＦＴアレイ基板（１０）にマトリクス状に設けられた画素電極（９ａ）とを備える。ＴＦＴ（３０）の下側には、第１遮光膜（１１ａ）が設けられている。データ線（６ａ）は、遮光性の材料からなり、ＴＦＴのチャネル領域（１ａ’）及びチャネル隣接領域（１ａ”）を対向基板（２０）の側から見て夫々覆う主配線部と、この主配線部の縁から層間絶縁膜に形成された溝に向けて伸びておりチャネル隣接領域を側方から囲む側方遮光部（６ｂ）とを有する。 （もっと読む）

【課題】 銀を利用する低抵抗配線構造を提供する。
【解決手段】
絶縁基板上に、ゲート配線が形成され、ゲート絶縁膜がゲート配線を覆っており、ゲート絶縁膜上に半導体パターン半導体が形成されている。半導体パターン半導体及びゲート絶縁膜の上には、ソース電極及びドレーン電極とデータ線を含むデータ配線が形成されており、データ配線上には、保護膜が形成されている。保護膜上には、接触孔を通じてドレーン電極と連結されている画素電極が形成されている。この時、ゲート配線及びデータ配線は、接着層、Ａｇ層、及び保護層の３重層からなっており、接着層はクロムやクロム合金、チタニウムやチタニウム合金、モリブデンやモリブデン合金、タリウムやタリウム合金のうちのいずれか一つからなり、Ａｇ層は銀や銀合金からなり、保護層はＩＺＯ、モリブデンやモリブデン合金、クロムやクロム合金のうちのいずれか一つからなっている。 （もっと読む）