【課題】素子基板と対向基板とを貼り合わせるシール材が硬化時に収縮しても、素子基板と対向基板との離間距離がばらつくことを防止することができる液晶装置および該液晶装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００の素子基板１０において、周辺領域１０ｂの外側領域１０ｂ2については、内側領域１０ｂ1に比して第１スルーホール７２ｂの開口密度および第２スルーホール７３ｂの開口密度が低い。このため、層間絶縁膜７２、７３を研磨すると、外側領域１０ｂ2と内側領域１０ｂ1との間には、外側領域１０ｂ2における素子基板１０と対向基板２０との間隔を内側領域１０ｂ1における素子基板１０と対向基板２０との間隔よりも狭くする段差７２ｘ、７３ｘが構成され、かかる段差７２ｘ、７３ｘより外側（外側領域１０ｂ2）にシール材１０７の内周縁１０７ａが位置する。 （もっと読む）

【課題】ａ−ＩＧＺＯ薄膜の熱処理による閾値電圧が大きく負の値にシフトしてしまう問題の解決とデバイス作製プロセスの最高温度をプラスチック基板の軟化点よりも低く抑える。
【解決手段】基板と、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、チャネル層とを含み、該チャネル層としてＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系アモルファス酸化物半導体膜を用いた薄膜トランジスタにおいて、オゾンを含む酸化性雰囲気による熱処理後のａ−ＩＧＺＯ薄膜の閾値電圧が０±５Ｖ以内、電界効果移動度が５ｃｍ^２／Ｖｓ以上である薄膜トランジスタ。該半導体膜を製膜した後、乾燥酸素中にオゾンを１．０容積％以下０．０１容積％以上含有する乾燥酸素ガス雰囲気中で該半導体膜を１００〜２００℃の温度範囲内で１〜１２０分間、熱処理する。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの閾値電圧を調整する。
【解決手段】薄膜トランジスタの作製に際して、処理室内に半導体材料ガスを導入し、ゲート電極を覆って設けられたゲート絶縁層上に前記処理室内で半導体膜を形成し、前記処理室内の前記半導体材料ガスを排気し、前記処理室内に希ガスを導入し、前記処理室内で前記半導体膜にプラズマ処理を行い、前記半導体膜上に不純物半導体膜を形成し、前記半導体膜と前記不純物半導体膜を島状に加工して半導体積層体を形成し、前記半導体積層体が有する不純物半導体層に接してソース電極及びドレイン電極を形成し、前記半導体膜の形成と前記希ガスプラズマ処理は、好ましくは前記処理室内の圧力及び温度を変化させずに行い、前記処理室内のガス種のみを異ならせる。希ガスとしてはアルゴンが好ましく、前記半導体膜には希ガス元素を２．５×１０^１８ｃｍ^−３以上含ませることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】表示された画像が良好に認識できる表示装置を提供することを課題の一とする。また、その表示装置を生産性良く作製する方法を提供することを課題の一とする。
【解決手段】基板上に液晶層を介して入射する光を反射する画素電極と、透光性を有する画素電極と、透光性を有する画素電極と重なる位置に側面が反射層で覆われた構造体を設ける。構造体は、透光性を有するエッチングストップ層上に形成され、エッチングストップ層は、構造体の下に透光層として残存する。 （もっと読む）

【課題】トランジスタの微細化を達成し、電界緩和がなされた、酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】ゲート電極の線幅を微細化し、ソース電極層とドレイン電極層の間隔を短縮する。ゲート電極をマスクとして自己整合的に希ガスを添加し、チャネル形成領域に接する低抵抗領域を酸化物半導体層に設けることができるため、ゲート電極の幅、即ちゲート配線の線幅を小さく加工しても位置精度よく低抵抗領域を設けることができ、トランジスタの微細化を実現できる。 （もっと読む）

【課題】リフレッシュレートを低減した際に、静止画を表示する際の画像の劣化を抑制する。
【解決手段】駆動回路によって制御され、ノーマリーホワイトモードまたは（ノーマリーブラックモード）の液晶を有する表示部と、駆動回路を制御するためのタイミングコントローラと、を有し、タイミングコントローラには、動画を表示するための画像信号及び静止画を表示するための画像信号が供給されており、静止画を表示するための画像信号に応じた画像において黒（または白）を表示する際の液晶に印加する電圧の絶対値は、動画を表示するための画像信号に応じた画像において黒（または白）を表示する際の液晶に印加する電圧の絶対値より大きい液晶表示装置とする。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等において、主配線を効率的に低抵抗化し、主配線間における信号の相互干渉を抑制することで、高品位な画像表示を行う。
【解決手段】基板（１０）上における画像表示領域（１０ａ）の周辺に位置する周辺領域に、複数の外部回路接続端子（１０２）と、これらに夫々一端が接続された複数の主配線（１０８）と、該主配線の他端に接続されており外部回路接続端子から主配線を介して供給される電気信号に基づいて画素部を駆動するための周辺駆動回路（１０１、１０４）とを備える。複数の主配線は、同一導電膜から形成されていると共に相互に交差しないように周辺領域内に平面レイアウトされている。 （もっと読む）

【課題】液晶による光の散乱光を利用して表示を行う液晶表示装置において、使用者の目に優しい紙面に近い表示が実現できることを課題の一とする。より視認性の良好で高画質な液晶表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】高分子分散型液晶（ＰＤＬＣ）又は高分子ネットワーク型液晶（ＰＮＬＣ）を液晶層に用いて、液晶による光の散乱光を利用して白表示（明表示）を行う。画素電極層が形成される画素領域に凹凸の構造体を設け、凸表面には可視光の光を反射する画素電極層（反射層）を設け、凹部には黒色層を設ける。白表示は液晶による光の散乱光を利用して行い、黒表示は、電界により透光性となった液晶層を介して凹部に設けられた黒色層による行う。 （もっと読む）

【課題】 アクティブマトリクス基板に形成される走査線、信号線の配線の構造を複雑化することなく、Ａｌヒロックを抑制し、かつ接続抵抗を低減して接続部の信頼性を向上する。
【解決手段】 透明絶縁性基板１０上に薄膜トランジスタ１４及び画素部１３が形成されたアクティブマトリクス基板１を含むアクティブマトリクス型液晶表示装置において、薄膜トランジスタ１４のゲート電極１５及びこれに接続される走査線１１をＴｉＮ／Ｔｉ／Ａｌ構造、あるいは、ＴｉＮ／Ａｌ／Ｔｉ構造、さらには、ＴｉＮ／Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ構造とする。Ａｌ膜に接してＴｉ膜が存在することで、Ａｌ膜でのＡｌヒロックの発生を抑制する。また、最上層にＴｉＮ膜が存在し、このＴｉＮ膜には上層に透明導電膜が接していないことで、走査線端子部２２での表面腐食を抑制し、かつ接続抵抗の増加を抑制して信頼性を高める。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置等の電気光学装置において、ディスクリネーションを抑制することにより、表示画像の高品位化を図る。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上に、隣り合う画素間に沿って形成された溝部（１２ａ）を表面に有する下地膜（１２）と、端部の少なくとも一部が溝部上に形成されることにより、表面に傾斜部（９ａ´）を有する画素電極（９ａ）とを備える。 （もっと読む）

【課題】良好な性能を安定に得ることが可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層３は、ゲート絶縁層２を介してゲート電極１に対向配置されている。有機半導体層３の上に、絶縁性の保護層４と共に、互いに離間されたソース電極５およびドレイン電極６が形成されている。保護層４は、少なくとも、ソース電極５とドレイン電極６とにより挟まれた領域Ｒに配置されており、ソース電極５およびドレイン電極６のそれぞれの一部は、保護層４の上に重なっている。 （もっと読む）

【課題】ストレージキャパシタの電極の透明導電性物質で形成する場合に、ゲート絶縁膜蒸着工程の時使用されるガスと、前記透明導電性物質が反応して発生されるヘイズの不良を改善するための液晶表示装置アレイ基板、及び製造方法を提供する。
【解決手段】複数の第１領域及び第２領域に区分される基板の前記第１領域上にゲート電極が形成される工程と、前記第２領域の基板上に透明導電性物質で具現されるストレージ下部電極が形成される工程と、前記ゲート電極及びストレージ下部電極を含む基板上にゲート絶縁膜が形成される工程と、を含み、前記ゲート絶縁膜は第１から第３ゲート絶縁層の積層構造で具現されることを特徴とする液晶表示装置のアレイ基板製造方法。 （もっと読む）

【課題】高速動作が可能な絶縁ゲート型ＦＥＴによる駆動回路で表示装置を形成し、さらに、単位画素当たりの画素電極の面積を小さくしても十分な保持容量が得られるアクティブマトリクス型表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】単結晶半導体を活性層とした絶縁ゲート型電界効果トランジスタによるアクティブマトリクス回路を備えた半導体装置において、前記絶縁ゲート型電界効果トランジスタ上に有機樹脂絶縁層を形成し、該有機樹脂絶縁層上に形成された遮光層と、該遮光層に密接して形成された誘電体層と、前記絶縁ゲート型電界効果トランジスタに接続された光反射性電極とから保持容量を形成する。 （もっと読む）

【課題】高品位の表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】対向する各エッジ部が第１方向に所定距離だけ離れた第１パターンと第２パターンの対が少なくとも１つ形成されたマスクを用意する。照明系瞳面での光量分布が、第１直線上の光軸から反対かつ等距離の第１領域及び第２領域における光量が他の領域における光量よりも大きくなる露光装置を用意する。上記のマスクパターンを上記の露光装置で露光転写し、前記第１パターンと前記第２パターンの転写像を、トランジスタのソース電極及びドレイン電極とする。 （もっと読む）

【課題】作製誤差に起因して生じる寄生容量の系統誤差を抑制することにより、表示異常が抑制され、表示品質が向上する表示装置の提供。
【解決手段】互いに並行する第１及び第２のゲート配線と、前記第１のゲート配線の一方側に配置される第１の画素回路と、前記第２のゲート配線の他方側に配置される第２の画素回路と、を備える表示装置であって、前記第１の画素回路は、第１のトランジスタを備え、前記第１のトランジスタのゲート電極はゲート配線と導通し、前記第２の画素回路は、第２のトランジスタを備え、前記第２のトランジスのゲート電極は前記第２のゲート配線と導通し、前記第１のトランジスタのソース電極はゲート電極と平面的に重なり合う第１対向部を含み、前記第２のトランジスタのソース電極はゲート電極と平面的に重なり合うとともに、前記第１ソース電極対向部に沿って延伸する第２対向部を含む。 （もっと読む）

【課題】チャネルエッチストッパ構造を有する薄膜トランジスタのオフ電流を低減させ、薄膜トランジスタのスイッチング特性を向上させた表示装置を提供することである。
【解決手段】
基板上に形成されるゲート電極と、ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極の上層に積層される第１の半導体層と、前記第１の半導体層の一部の領域の上層に、前記第１の半導体層に接して積層される酸化シリコン膜と、前記第１の半導体層の上層に前記一部の領域以外に接して積層される不純物が添加された２つの第２の半導体層と、保護膜とを有する薄膜トランジスタを備える表示装置であって、前記２つの第２の半導体層は、前記酸化シリコン膜の側面と上面の一部と接し、且つ所定の離間距離を有して前記上面で互いに対向し、前記保護膜は少なくとも前記酸化シリコン膜の前記上面のうち、前記第２の半導体層と接していない領域と接して形成され、前記酸化シリコン膜の膜厚は２００ｎｍ以上である表示装置。 （もっと読む）

【課題】表示装置の消費電力を低減すること及び表示の劣化（表示品質の低下）を抑制することを課題の一とする。また、本発明の一態様は、温度などの外部因子に対する表示の劣化（表示品質の低下）が抑制された液晶表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】表示装置の駆動回路部に、選択されたピクセルに逐次画像信号を書き込んで画像を画面に表示すると共に、同一画像を画面に表示する場合には、画像信号を書き込む動作を停止させ、トランジスタをオフ状態として画面に書き込まれた画像をそのまま保持させておく機能を設ける。このような機能をオフ電流を、室温にてチャネル幅１μｍ当たり１０ｚＡ／μｍ未満、８５℃にて１００ｚＡ／μｍ未満と極めて低いレベルにまで低減されたトランジスタによって実現する。 （もっと読む）

【課題】長時間の成膜や研磨を行なわなくても、凹部の上層側を平坦化することのできる液晶装置、該液晶装置の製造方法、および当該液晶装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００の素子基板１０において、シリコン酸化膜からなる絶縁膜１６０によって絶縁膜１６０の下層側に形成された凹部５ａを埋めて平坦化するにあたって、まず、成膜工程では、絶縁膜１６０をＣＶＤ法により成膜中に凹部５ａと重なる領域に発生する空洞１６０ｖが絶縁膜１６０によって密閉されるまで絶縁膜１６０を成膜する。次に、研磨工程では、空洞１６０ｖが絶縁膜１６０の表面で露出しない範囲で絶縁膜１６０の表面を研磨する。 （もっと読む）

【課題】マスクシートの使用枚数を削減することで製造工程の効率化を図る。
【解決手段】薄膜トランジスタ基板の製造方法は、チャネル保護膜を形成するチャネル保護膜形成工程と、入力端子の一部を露出させる端子露出工程とで共通のマスクシートを用いる。マスクシートは、チャネル保護膜の設置位置に重ねられる位置に形成された保護膜用遮光部と、入力端子の設置位置に重ねられる位置に形成された端子用遮光部とを有し、前記遮光部以外の領域は透光性を有している。チャネル保護膜形成工程では、透明基板の下面側及びマスクシートの上面側からそれぞれ光を照射して保護膜用遮光部及びゲート電極に重ねられた部分と端子用遮光部及び入力端子に重ねられた部分とのポジ型フォトレジストを現像し残存させる。端子露出工程では、マスクシートの上面側から光を照射して保護膜用遮光部及び端子用遮光部に重ねられた部分以外のネガ型フォトレジストを現像し残存させる。 （もっと読む）

【課題】例えば電気泳動表示装置等の電気光学装置において、省資源及び低コストの要請に対応しつつ基板におけるたわみの抑制を図る。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）と、画素毎に設けられた画素電極（９）と、画素電極よりも層間絶縁膜（１４）を介して下層側に画素毎に設けられ、画素電極に接続された画素トランジスターと、周辺領域（１０ｂ）に設けられた周辺トランジスター（１３０及び１４０）と、画素トランジスター及び周辺トランジスターのゲート絶縁膜及び層間絶縁膜が形成されていない領域内に画素電極と同一膜から形成されており、周辺トランジスターに接続された接続線（１３２及び１３３）とを備える。 （もっと読む）