【課題】低コストに製造することができ、ＴＦＴのオフリーク電流を低減することが可能なアクティブマトリックス基板を提供する。
【解決手段】アクティブマトリックス基板２０１は、基板１上に形成されたゲート電極２及びゲート絶縁膜３と、結晶性半導体膜４１及び／又は非晶質半導体膜４２からなるチャネル層と、ソース電極５ｓ及びドレイン電極５ｄとを備えたＴＦＴ１０４と、画素電極９とが複数対アレイ状に配置されたものである。チャネル層はゲート電極２の形成領域内に形成され、ソース電極５ｓ及びドレイン電極５ｄはチャネル層の形成領域内に形成されており、ゲート絶縁膜３上のゲート電極２より離間した位置にソース配線５ａが形成され、ソース配線５ａが、ソース電極５ｓの直上に形成され、さらにソース電極５ｓ上から延設された酸化物導電膜からなる接続配線６ａを介してソース電極５ｓに接続されている。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタにおいて、電気的特性の変動が小さく、信頼性の高い半導体装置を作製することを課題とする。
【解決手段】チャネルを形成する酸化物半導体層の下地絶縁層に、加熱により酸素を放出する絶縁層を用いる。前記下地絶縁層から酸素が放出されることにより、前記酸化物半導体層中の酸素欠損及び前記下地絶縁層と前記酸化物半導体層の界面準位を低減することができ、電気的特性の変動が小さく、信頼性の高い半導体装置を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】マザーボード及びアレイ基板の製造方法に関する。
【解決手段】マザーボード及びその製造方法であって、該マザーボードは、少なくとも一つの表示領域及び上記表示領域の周辺のプレカッティング領域を有する基板を備え、上記表示領域はゲートスキャンライン及びデータスキャンラインを有し、上記プレカッティング領域は電気的に接続されているゲートライン連通線とデータ連通線を有し、上記ゲートライン連通線は上記表示領域におけるゲートスキャンラインごとと電気的に接続し、上記データ連通線は上記表示領域におけるデータスキャンラインごとと電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】フィールドシーケンシャル方式によって表示を行う液晶表示装置などにおいて、設計の観点から画質の向上を図ること。
【解決手段】多結晶半導体又は単結晶半導体をチャネル形成領域に含むトランジスタによって画像信号の入力が制御される画素がマトリクス状に配設された液晶表示装置の画素部において、マトリクス状に配設された画素のうち、複数行に配設された画素に対して同時に画像信号を供給する。これにより、当該液晶表示装置の画質を向上させることが可能になる。 （もっと読む）

【課題】平板表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】交互に交差して画素領域を定義するゲートライン、データライン及び共通電極ラインと、ゲートライン及びデータラインの交差部に形成され、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を備える薄膜トランジスタと、共通電極ライン及び延びたドレイン電極の交差部に形成され、第１ストレージ電極、第２ストレージ電極及び第３ストレージ電極を備えるストレージキャパシタと、を備える平板表示装置である。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一とする。
【解決手段】ゲート電極を形成し、ゲート電極上に第１の絶縁膜を形成し、第１の絶縁膜にハロゲンドープ処理を行って、第１の絶縁膜にハロゲン原子を供給し、第１の絶縁膜上に、ゲート電極と重畳して酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜に熱処理を行って、酸化物半導体膜中の水素原子を除去し、水素原子が除去された酸化物半導体膜に酸素ドープ処理を行って、酸化物半導体膜中に酸素原子を供給し、酸素原子が供給された酸化物半導体膜に熱処理を行い、酸化物半導体膜上に接して、ソース電極およびドレイン電極を形成し、第２の絶縁膜を形成する半導体装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】自己整列可能であり且つコストを節減できる薄膜トランジスタ基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】この薄膜トランジスタ基板は、多段差構造を有するように深さの異なる多数個の溝を有する基板と、前記基板の溝内に互いに交差するように形成されて多数個の画素領域を形成させるゲートライン及びデータラインと、前記基板の溝内に形成され、ゲートライン及びデータラインの交差部に形成される薄膜トランジスタと、を含み、前記薄膜トランジスタの活性層は、前記ゲートライン及びゲート電極に沿って形成され、前記データラインを間に挟んで、隣接する画素領域の活性層と分離されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】パリレンなどの特殊な保護材料を用いず、一般的な有機半導体層やフォトレジストに適用でき、パターニングによる有機半導体層の性能低下を抑制できる、有機半導体層のパターニング方法及び有機半導体装置の製造方法を提供し、更にこの方法に基づいて作製された有機半導体パターン及び有機半導体装置、並びに表示装置を提供すること。
【解決手段】基板１の上に有機半導体層２を蒸着や塗布によって形成する。その上に、窒化ケイ素などの絶縁性無機化合物又はポリビニルアルコールなどの親水性有機高分子化合物からなる保護層３を、ＣＶＤ法や水溶液の塗布によって形成する。その上にフォトレジスト層４を塗布によって形成し、これをパターニングしてマスク層５を形成する。マスク層５をマスクとして、保護層３と有機半導体層２をパターニングして、有機半導体パターン７を得る。パターニング終了後もマスク層５は保護層として残す。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置の製造コストの低減を図る。
【解決手段】電界効果型の薄膜トランジスタを備える液晶表示装置であって、薄膜トランジスタの半導体層に、インジウムを材料に含む透明アモルファス酸化物半導体が用いられ、半導体層は、ソース電極およびドレイン電極並びにそれらの電極線として必要な領域を含む形状に形成され、半導体層に積層されるソース・ドレイン層に、インジウムを含む金属薄膜が用いられ、ソース・ドレイン層に積層される絶縁層に、窒化珪素による絶縁膜が用いられ、薄膜トランジスタのチャネル部が、絶縁層とソース・ドレイン層とに設けられた開口部によって形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体膜を有するボトムゲート構造のトランジスタの作製工程において、熱処理による脱水化または脱水素化処理、及び酸素ドープ処理を行う。酸素ドープ処理されたゲート絶縁膜、熱処理による脱水化または脱水素化処理された酸化物半導体膜を有するトランジスタは、バイアス−熱ストレス試験（ＢＴ試験）前後においてもトランジスタのしきい値電圧の変化量が低減できており、信頼性の高いトランジスタとすることができる。 （もっと読む）

【課題】開口率を充分に確保し、しかも補償容量の容量値を大きくすることができる液晶表示素子を提供する。
【解決手段】画素電極１３の所定部分に誘電層を介して重なるように配置され、画素電極１３との間に補償容量Ｃｓを形成する容量電極２６を備え、前記容量電極２６を、画素電極１３と重なる辺の総距離が、画素電極１３の全ての辺の総距離よりも長い形状に形成した。 （もっと読む）

【課題】電極／配線の材料としてＡｌ及び／又はその合金が用いられており、オフリーク電流が小さく良好な素子特性を有する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を提供する。
【解決手段】ＴＦＴ１０１は、基板１上にゲート電極２とゲート絶縁膜３とチャネル層として機能する半導体膜４とを備え、半導体膜４上にソース電極６とドレイン電極７とが互いに離間して設けられたものであり、ソース電極６及びドレイン電極７は、アルミニウム及び／又はその合金を主成分とする少なくとも１層のアルミニウム（合金）膜を含む単層膜又は積層膜からなり、半導体膜４の表面のソース電極６及びドレイン電極７の間の領域８に、電気的に不活性な少なくとも１種のアルミニウム化合物９が形成されたものである。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置の消費電力を低減すること及び表示の劣化を抑制すること。また、温度などの外部因子による表示の劣化を抑制すること。
【解決手段】各画素に設けられるトランジスタとして、チャネル形成領域が酸化物半導体層によって構成されるトランジスタを適用する。なお、当該酸化物半導体層を高純度化することで、当該トランジスタの室温におけるオフ電流値を１０ａＡ／μｍ以下且つ８５℃におけるオフ電流値を１００ａＡ／μｍ以下とすることが可能である。そのため、液晶表示装置の消費電力を低減すること及び表示の劣化を抑制することが可能になる。また、上述したように当該トランジスタは、８５℃という高温においてもオフ電流値を１００ａＡ／μｍ以下とすることが可能である。そのため、温度などの外部因子による液晶表示装置の表示の劣化を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】光の乱反射を減らした液晶ディスプレイ装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 複数の基板が相互対向して配され、その間に液晶層が形成された液晶ディスプレイパネルと、液晶ディスプレイパネルの下部に配され、液晶ディスプレイパネルに光を照射するバックライトユニットと、を備えるが、液晶層が形成された部分に対して離隔して配された基板の表面に形成された欠陥ホール内に充填され、基板の表面に対して水平面になるように充填材が形成され、充填材が充填された欠陥ホール上にカバー部材が付着されたことを特徴とする液晶ディスプレイ装置である。これにより、充填材によって欠陥ホールが形成された領域を充填させるので、光の乱反射を未然に防止する。このように、エッチング工程で発生する物理的な限界を克服して超薄型加工を通じて薄型のディスプレイ装置を具現可能である。 （もっと読む）

【課題】セルフアライン構造の薄膜トランジスタの特性を安定させることが可能な薄膜トランジスタおよびその製造方法、並びに表示装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜２０のチャネル領域２０Ａ上にゲート絶縁膜３０およびゲート電極４０をこの順に同一形状で形成する。酸化物半導体膜２０，ゲート絶縁膜３０およびゲート電極４０の上に金属膜を形成し、この金属膜に対して熱処理を行うことにより、金属膜を酸化させて高抵抗膜５０を形成すると共に、ソース領域２０Ｓおよびドレイン領域２０Ｄの上面から深さ方向における少なくとも一部に低抵抗領域２１を形成する。低抵抗領域２１は、アルミニウム（Ａｌ）等をドーパントとして含むか、またはチャネル領域２０Ａよりも酸素濃度が低いことにより低抵抗化されている。変動要素の多いプラズマ処理を用いずに高抵抗領域２１を形成可能となり、安定した特性が得られる。 （もっと読む）

【課題】フィールドシーケンシャル駆動により３Ｄ画像を表示する際に、低消費電力化を図るための具体的な駆動方法を提供することを目的とする。
【解決手段】左目用画像と右目用画像とを切り替えて表示する液晶表示装置と、左目用画像または右目用画像の表示に同期して視認者の左目または右目において左目用画像または右目用画像が選択的に視認されるようにするための切替手段つき眼鏡と、により立体画像を視認できる液晶表示装置の駆動方法において、左目用画像及び右目用画像は、バックライト部から照射される複数の色に対応した光を所定の期間内で切り替えることで左目または右目において混色させて視認されるものであり、バックライト部から照射される光は、左目用画像及び右目用画像を構成する複数の色毎の画像信号に応じて、連続して照射される構成とする。 （もっと読む）

【課題】素子基板の一方面側に入射した光を効率よく反射して、表示光量を増大させることのできる液晶装置、液晶装置の製造方法、および投射型表示装置を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００では、対向基板２０の側から素子基板１０の一方面側に入射した光を反射性の画素電極９ａの表面で反射して画像を表示する。また、画素電極９ａより下層側には、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた隙間領域９ｓ、９ｔに重なる反射性配線（データ線６ａおよび容量線５ｂ）が設けられ、隙間領域９ｓ、９ｔに入射した光を反射性配線（データ線６ａおよび容量線５ｂ）で反射し画像の表示に利用することができる。ここで、画素電極９ａ、および反射性配線（データ線６ａおよび容量線５ｂ）の表面は鏡面になっている。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの光リーク電流を低減させると共に、画素の開口率を向上させることが可能な画像表示装置を提供することである。
【解決手段】
基板上に複数の薄膜トランジスタを有する画像表示装置であって、前記基板上に形成される複数のゲート線と、前記ゲート線と交差する複数のドレイン線とを有し、前記薄膜トランジスタはボトムゲート型であり、チャネル領域は前記基板側からゲート電極／ゲート絶縁膜／半導体層が順次積層された積層構造を有し、前記チャネル領域のチャネル幅方向に形成されると共に、前記ゲート電極の両端側に形成される当該ゲート絶縁膜が除去された一対の除去領域を有し、前記チャネル領域におけるチャネル幅方向の前記ゲート電極の幅をＷ、前記一対の除去領域に挟まれ、前記チャネル幅方向の前記ゲート絶縁膜の幅をＲとした場合、Ｒ≧Ｗを満たす画像表示装置である。 （もっと読む）

【課題】視野角のばらつきを容易に補正することができる広視野角液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第一ＴＦＴ９ａに接続された第一画素電極５ａと第二ＴＦＴ９ｂに接続された第二画素電極５ｂとを画素３２毎に形成した液晶表示装置において、第一画素電極５ａとの間に第一補償容量Ｃｓ１を形成する第一容量電極２２と、第二画素電極５ｂとの間に第二補償容量Ｃｓ２を形成する第二容量電極２３と、第二ＴＦＴ９ｂと第二画素電極５ｂとを電気的に接続する接続部１８と、前記接続部１８との間に第三補償容量Ｃｓ３を形成する第三容量電極２４とを備え、第一容量電極２２と第二容量電極２３とに共通電極への印加電圧と同じ第一電圧Ｖ１を印加し、第三容量電極２４に前記第一の電圧Ｖ１とは異なる第二電圧Ｖ２を印加する。 （もっと読む）

【課題】素子基板と対向基板とを貼り合わせるシール材が硬化時に収縮しても、素子基板と対向基板との離間距離がばらつくことを防止することができる液晶装置および該液晶装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００の素子基板１０において、周辺領域１０ｂの外側領域１０ｂ2については、内側領域１０ｂ1に比して第１スルーホール７２ｂの開口密度および第２スルーホール７３ｂの開口密度が低い。このため、層間絶縁膜７２、７３を研磨すると、外側領域１０ｂ2と内側領域１０ｂ1との間には、外側領域１０ｂ2における素子基板１０と対向基板２０との間隔を内側領域１０ｂ1における素子基板１０と対向基板２０との間隔よりも狭くする段差７２ｘ、７３ｘが構成され、かかる段差７２ｘ、７３ｘより外側（外側領域１０ｂ2）にシール材１０７の内周縁１０７ａが位置する。 （もっと読む）